JPH03129851A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

Info

Publication number
JPH03129851A
JPH03129851A JP26837389A JP26837389A JPH03129851A JP H03129851 A JPH03129851 A JP H03129851A JP 26837389 A JP26837389 A JP 26837389A JP 26837389 A JP26837389 A JP 26837389A JP H03129851 A JPH03129851 A JP H03129851A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
defective
wafer
chips
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP26837389A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2888884B2 (en
Inventor
Susumu Sato
行 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP26837389A priority Critical patent/JP2888884B2/en
Publication of JPH03129851A publication Critical patent/JPH03129851A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2888884B2 publication Critical patent/JP2888884B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To shorten a time required for sorting non-defectives from defectives and to improve a screening operation in workability by a method wherein non-defective and defective chips on a wafer after a test are grouped into mosaic patterns which contain a prescribed number of chips each, a weight is attached to the position of each of the chips, and the movement from a non- defective chip to another non-defective chip is fixed into a prescribed movement pattern. CONSTITUTION:Chips on a wafer are checked if they are defective (mark X) or non-defective (mark O). After tested, non-defective and defective chips on a wafer are recognized as mosaic patterns of chips. Chip positions are weighted. Each movement from a non-defective chip to another non-defective chip has a prescribed movement pattern. Therefore, the movements are not uniform or sequential but have an optimal movement pattern. By this setup, a time required for sorting non-defectives from defectives can be shortened and a screening operation can be improved in workability.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 従来の技術        (第21.22図)発明が
解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の原理説明    (第1〜4図)本発明の第1
実施例   (第5〜18図)本発明の第2実施例  
 (第19.20図)発明の効果 〔概要〕 半導体装置の製造方法に関し、 チップの良品/不良品の選別時間を短縮することができ
、作業性を向上させることのできる半導体装置の製造方
法を提供することを目的とし、ウェハ上の複数のチップ
の良品/不良品状態を試験し、該試験完了後のウェハ上
のチップの良品/不良品状態を、所定のチップ単位を1
グループとするモザイクパターンとして認識するととも
に、該チップ単位のそれぞれのチップ位置に重み付けし
、良品から良品への動きを所定の動作パターンに固定し
、良品/不良品の選別を最短工程で実現するように構成
する。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Field of Application Prior Art (Figures 21 and 22) Problems to be Solved by the Invention Examples of Means and Actions for Solving the Problems Explanation of the Principle of the Invention (Figures 1 to 4) ) The first aspect of the present invention
Example (Figures 5 to 18) Second example of the present invention
(Figures 19 and 20) Effects of the invention [Summary] Regarding a method for manufacturing a semiconductor device, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device that can shorten the time for sorting between good and defective chips and improve workability. The purpose is to test the non-defective/defective product status of multiple chips on a wafer, and to determine the non-defective/defective product status of the chips on the wafer after the test is completed for a predetermined chip unit.
In addition to recognizing it as a mosaic pattern as a group, weighting is applied to each chip position in each chip, and the movement from good to good is fixed to a predetermined movement pattern, so that good/defective products can be sorted in the shortest process. Configure.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、詳しくは、ウ
ェハ状態での試験を完了したウェハから、ウェハ上のチ
ップの良品/不良品を最短工程で選択する半導体装置の
製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device in which good/defective chips on a wafer are selected in the shortest process from a wafer that has been tested in a wafer state.

一般に、ウェハ加工プロセスでは同時に多数のウェハが
処理される(通常、10ツトあたり50〜100枚のウ
ェハが処理される)。各ウェハから数十〜数百個のチッ
プがとれるので、ウェハプロセス終了時に得られるチッ
プの数は膨大なものとなる。
Typically, a wafer fabrication process processes a large number of wafers at the same time (typically 50-100 wafers per 10 pieces). Since tens to hundreds of chips can be obtained from each wafer, the number of chips obtained at the end of the wafer process is enormous.

製造工程の複雑さ、使用する設計ルールおよび回路規模
(チップサイズ)の相違により歩留り(ウェハ内チップ
の良品率)の程度は異なるが、ウェハプロセス終了時点
で各ウェハ内には何%かの不良チップが存在する。そこ
でこれらの不良チップを次の組立工程の対象から除外し
組立工程で生じるロスを最小限に抑えるため、各ウェハ
上のすべてのチップの良否がウェハ状態でテストされる
。このテストはプローブ試験と呼ばれ、ウェハプローバ
装置を用いて行われる。プローブ試験では、プローブの
針先をチップ上のパッドに接触させ、プローブに接続さ
れた信号発生器や波形解析装置を用いて、チップの電気
的特性を試験する。
The degree of yield (the percentage of good chips in a wafer) varies depending on the complexity of the manufacturing process, the design rules used, and the circuit scale (chip size), but there is a certain percentage of defects in each wafer at the end of the wafer process. There is a chip. Therefore, in order to exclude these defective chips from the next assembly process and to minimize the loss caused in the assembly process, the quality of all chips on each wafer is tested in the wafer state. This test is called a probe test and is performed using a wafer prober device. In a probe test, the tip of the probe is brought into contact with a pad on the chip, and the electrical characteristics of the chip are tested using a signal generator and waveform analyzer connected to the probe.

ここで発見された不良チップは自動的にマーキングされ
、以後の組立対象から除外される。
Defective chips found here are automatically marked and excluded from future assembly.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ウェハ状態での試験(以下、PTと略称する)を完了し
たウェハより良品/不良品を選別することはダイスボン
ディング、チップ表面検査等において実施されている。
Sorting good/defective products from wafers that have undergone a wafer test (hereinafter abbreviated as PT) is carried out in die bonding, chip surface inspection, and the like.

この作業では、(1)あらかじめPT時にフロッピーデ
ィスク等に良品/不良品とチップの位置を記憶しておき
、その情報に基づいて自動的に選別する。(2)作業時
にチップ表面の良品/不良品マーキングを見て(検出し
て)選別するの2つの方法がある。何れの場合でも、良
品/不良品の判定、選別は、ウェハをシーケンシャルに
一定方向に移動することにより行っている。例えば、こ
のような半導体装置の製造方法として第21.22図に
示す方法がある。第21図において、lはウェハ、2は
ウェハlが載置され、X軸−Y軸方向に移動可能なX−
Yテーブル、3はチップの位置を検出するためのカメラ
、4はカメラ3で検出した位置データを記憶するための
フロッピーディスク、5は切断後のチップを真空チャッ
クで吸い付けて移動すためのエアピンセットである。ダ
イシングにより分割されたチップは以下■〜■の工程に
よりグイボンディング(Die Bo−nding )
される。
In this work, (1) the positions of good/defective products and chips are stored in advance on a floppy disk or the like during PT, and the chips are automatically sorted based on the information. (2) There are two methods of sorting by observing (detecting) markings on the chip surface for good/defective products during work. In either case, the determination and sorting of good/defective products is performed by sequentially moving the wafer in a fixed direction. For example, there is a method shown in FIGS. 21 and 22 as a method of manufacturing such a semiconductor device. In FIG. 21, l is a wafer, and 2 is an X-
Y table, 3 is a camera for detecting the position of the chip, 4 is a floppy disk for storing the position data detected by camera 3, 5 is air for sucking and moving the chip after cutting with a vacuum chuck It's tweezers. The chips divided by dicing are subjected to die bonding through the following steps.
be done.

■エアピンセット5で分割されたチップ6を吸着して中
間テーブル7上に移動する。
(2) Adsorb the divided chip 6 with the air tweezers 5 and move it onto the intermediate table 7.

■−度中間テーブル7に分割されたチップ6を置く。■ Place the divided chips 6 on the intermediate table 7.

■中間テーブル7よりグイコレット8で分割されたチッ
プ6を吸着して移動する。
(2) Pick up and move the divided chips 6 from the intermediate table 7 with the Guicolette 8.

■グイコレット8でパッケージ9ヘグイボンデイングす
る。この場合、中間テーブル7で分割されたチップ6の
X−Y位置出しも行う。
■Guicolette 8 is used to bond package 9. In this case, the X-Y position of the chip 6 divided by the intermediate table 7 is also determined.

■X−Yテーブル2を移動させ、次のチップ6をエアピ
ンセット5の真下になるようにする。
(2) Move the X-Y table 2 so that the next chip 6 is directly under the air tweezers 5.

上記グイボンディングにあたっては2つのパターンがあ
る。
There are two patterns for the above-mentioned Gui bonding.

パえ二ノ上 ウェハ1のPa5s/Failをチップ上のインマーク
により認識し、インマークのないものだけ吸着し、中間
テーブル7へ運ぶ。X−Yテーブル2の移動はシーケン
シャルである。
Pa5s/Fail of the Paenino top wafer 1 is recognized by the in mark on the chip, and only those without the in mark are picked up and transported to the intermediate table 7. The movement of the XY table 2 is sequential.

パLニア2 ウェハ1のPa5s/Failとチップ位置をPT段階
でフロッピーディスク4等に記憶しておき、この情報に
基づいてパスチップのみを吸着して中間テーブル7へ運
ぶ。X−Yテーブル2の移動はシーケンシャルである。
Pa5s/Fail and chip position of the wafer 1 are stored in the floppy disk 4 or the like at the PT stage, and based on this information, only the passed chips are picked up and transported to the intermediate table 7. The movement of the XY table 2 is sequential.

一方、チップ表面検査は第22図に示すように人間が顕
微鏡11を操作し、ターンテーブル12上のウェハ13
を1チツプ毎に目視検査する。ターンテーブル12の移
動はマニュアルまたは自動で行いチップ表面検査を実施
する。そしてP T  Pa5s/ Fai1品ともに
一度は見て、Fai1品はPa11品と認識後、次のチ
ップへ移動する。ターンテーブル12の移動はシーケン
シャルである。
On the other hand, in the chip surface inspection, a person operates the microscope 11 to inspect the wafer 13 on the turntable 12, as shown in FIG.
Visually inspect each chip. The turntable 12 is moved manually or automatically to inspect the chip surface. Then, after looking at both the P T Pa5s/Fai1 products once and recognizing the Fai1 product as the Pa11 product, it moves on to the next chip. Movement of the turntable 12 is sequential.

(発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、このような従来の半導体装置の製造方法
にあってはX−Yテーブル2あるいはターンテーブル1
2の移動をシーケンシャルに行う構成となっていたため
、良品/不良品の選別に時間を要し、作業性の向上が図
れないという問題点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in such a conventional semiconductor device manufacturing method, the X-Y table 2 or the turntable 1
Since the structure is such that the movements of the parts 2 and 2 are carried out sequentially, it takes time to sort out good products and defective products, which poses a problem in that work efficiency cannot be improved.

そこで本発明は、チップの良品/不良品の選別時間を短
縮することができ、作業性を向上させることのできる半
導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can shorten the time required to sort out good/defective chips and improve workability.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、ウェハ上の複数のチップの良品/不良品状態を試験
し、該試験完了後のウェハ上のチップの良品/不良品状
態を、所定のチップ単位を1グループとするモザイクパ
ターンとして認識するとともに、該チップ単位のそれぞ
れのチップ位置に重み付けし、良品から良品への動きを
所定の動作パターンに固定し、良品/不良品の選別を最
短工程で実現するようにしたことを特徴とする半導体装
置の製造方法を備えている。
In order to achieve the above object, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention tests the non-defective/defective states of a plurality of chips on a wafer, and determines the non-defective/defective states of the chips on the wafer after the test is completed. Recognizes each chip as a mosaic pattern as one group, weights each chip position in each chip, and fixes the movement from good to good to a predetermined movement pattern, making the selection of good and defective products the shortest process. A method of manufacturing a semiconductor device is provided.

〔作用〕[Effect]

本発明は、PT後の良品/不良品状態を所定のチップ単
位のモザイクパターンとし、そのチップ位置に重み付け
がなされる。また、それに伴って良品から良品への動き
が所定の動作パターンに固定される。
In the present invention, the non-defective/defective product status after PT is made into a predetermined chip-by-chip mosaic pattern, and the chip positions are weighted. Further, along with this, the movement from non-defective products to non-defective products is fixed to a predetermined movement pattern.

したがって、移動が一律にシーケンシャルに行われるこ
とがなくなり、最適な動作パターンで動作することによ
り良品/不良品の選別が最短化し、スルーブツトの向上
が図られる。
Therefore, movement is no longer performed uniformly and sequentially, and by operating in an optimal operation pattern, the selection of good/defective products is minimized, and throughput is improved.

〔原理説明〕[Explanation of principle]

最初に、本発明の詳細な説明する。第1〜4図は本発明
に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である
。第1図に示すようにウェハ上の良品/不良品の状態を
モザイク模様と考え、例えば4チツプを1グループとし
てチップの位置により第2図に示すように1.2.4.
8の重みをつける。基本的な移動方向は第2図で示され
、移動は良品→良品が原則であるが、“l”には必らず
戻ることにする。この場合″1”には停滞はしない。こ
の方法によると16通りのパターンに移動方向が固定化
される。第3図(a)(b)はそのパターン例である。
First, the present invention will be explained in detail. 1 to 4 are diagrams for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention. As shown in FIG. 1, the condition of good/defective products on a wafer is considered to be a mosaic pattern, and for example, 4 chips are grouped into one group, and depending on the position of the chips, 1.2.4.
Give it a weight of 8. The basic movement direction is shown in FIG. 2, and the movement is basically from non-defective product to non-defective product, but it is always returned to "l". In this case, it does not stagnate at "1". According to this method, the movement direction is fixed in 16 patterns. FIGS. 3(a) and 3(b) are examples of the pattern.

したがって、第4図(b)に示す従来例では移動をシー
ケンシャルに行うために15工程必要であったものが、
本発明では11工程となり約25%の短縮化が図られる
。Fail数がPa5s数よりも多い(Pa−ss数<
Fail数)場合にはこの比率は更に高くなる。
Therefore, in the conventional example shown in FIG. 4(b), 15 steps were required to perform the movement sequentially;
In the present invention, there are 11 steps, which is about 25% shorter. The number of Fails is greater than the number of Pa5s (number of Pa-ss<
This ratio becomes even higher when the number of Fails increases.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings.

第5〜18図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第
1実施例を示す図であり、本実施例は本発明をダイレク
トダイスボンディング装置に適用し°た例である。本実
施例の説明にあたり、従来例として示した第21図と同
一構成部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
5 to 18 are diagrams showing a first embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and this embodiment is an example in which the present invention is applied to a direct die bonding apparatus. In describing this embodiment, the same components as those in FIG. 21 shown as a conventional example are given the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.

第5図において、n枚目のウェハ21のボンディング中
にn+1枚目のウェハ22の良品/不良品を識別し、X
−Yテーブル2の動きパターンを決定しておくことによ
り識別時間の短縮を図る。このグイボンディングにあた
っては従来例と同様に2つのパターンがあり、従来例の
パターン1.2に対比させて本実施例でも2つのパター
ンを述べる。
In FIG. 5, during bonding of the n-th wafer 21, a good product/defective product of the n+1-th wafer 22 is identified, and
- By determining the motion pattern of the Y table 2 in advance, the identification time is reduced. There are two patterns for this bonding as in the conventional example, and these two patterns will be described in this embodiment in comparison with patterns 1 and 2 of the conventional example.

のバ −ン1に   を  した 人 ■第5図に示すようにn枚目のウェハ21の処理中にn
+1枚目のウェハ22のPa5s/Failを読み出し
、X−Yテーブル2の動作を決定、記憶しておく。
■The person who fired the burn to the burner 1 of the
The Pa5s/Fail of the +1st wafer 22 is read, and the operation of the X-Y table 2 is determined and stored.

■n+1枚目のウェハ22は、n枚目のウェハ21のP
a5s/Fail動作終了後に上記■であらかじめ決定
された動作に従ってX−Yテーブル2が移動していく。
■The n+1st wafer 22 is the P of the nth wafer 21.
After the a5s/Fail operation is completed, the X-Y table 2 moves according to the operation predetermined in step (2) above.

■X−Yテーブル2が停滞したときのみ、エアピンセッ
ト5が第6図に示すような吸着・移動・開放動作を行う
(2) Only when the X-Y table 2 is stagnant, the air tweezers 5 perform suction, movement, and release operations as shown in FIG.

以上の動作を行わせるだめの具体的構成は第7図で示さ
れる。第7図において、Pa5s/Fail検出部23
によりn+1枚目のウェハ22からPa5s/Fail
を検出し、このデータをPa5s/Failデ一タ格納
部24に格納する。Pa5s/Failデ一タ格納部2
4に格納されたPa5s/Failデータをデータ処理
部25により動作パターン化するデータ処理を行ってこ
の動作パターンを動作パターン格納部26に格納する。
A specific configuration for performing the above operations is shown in FIG. In FIG. 7, Pa5s/Fail detection section 23
Pa5s/Fail from n+1th wafer 22
is detected and this data is stored in the Pa5s/Fail data storage section 24. Pa5s/Fail data storage section 2
The data processing unit 25 performs data processing to convert the Pa5s/Fail data stored in 4 into an operation pattern, and stores this operation pattern in the operation pattern storage unit 26.

ここで、動作パターンの詳細は後述する第9.10図に
よって詳述する。動作パターン格納部26に格納された
動作パターンおよびグイコレット8を制御するためのグ
イコレット制御回路27からの制御信号はX−Yテーブ
ル動作制御部28に入力され、X−Yテーブル動作制御
部28はこれらの情報および後述するエアピンセット動
作制御部30からの制御信号に基づいてX−Yテーブル
2を制御するための制御値を演算し、演算結果をX−Y
テーブル動作機構29に出力する。X−Yテーブル動作
機構29は上記制御値に基づいてx−Yテーブル2を動
作させる。グイコレット制御回路27の制御信号はさら
にエアピンセット動作制御部30に入力されており、エ
アピンセット動作制御部30はこの制御信号およびX−
Yテーブル動作制御部28からの制御信号に基づいてエ
アピンセット5を制御するための制御値を演算し、演算
結果をエアピンセット動作機構31に出力する。エアピ
ンセット動作機構31は上記制御値に基づいてエアピン
セット5を動作させる。
Here, the details of the operation pattern will be explained in detail with reference to FIG. 9.10, which will be described later. The operation pattern stored in the operation pattern storage section 26 and the control signal from the Guicolet control circuit 27 for controlling the Guicolet 8 are input to the X-Y table operation control section 28, and the X-Y table operation control section 28 A control value for controlling the X-Y table 2 is calculated based on the information and a control signal from the air tweezers operation control unit 30, which will be described later, and the calculation result is used as the
It is output to the table operating mechanism 29. The X-Y table operation mechanism 29 operates the x-Y table 2 based on the above control values. The control signal of the Guicolet control circuit 27 is further input to the air tweezers operation control section 30, and the air tweezers operation control section 30 receives this control signal and the X-
A control value for controlling the air tweezers 5 is calculated based on the control signal from the Y-table operation control section 28, and the calculation result is output to the air tweezers operation mechanism 31. The air tweezers operation mechanism 31 operates the air tweezers 5 based on the above control value.

のパ −ン           ム ■この場合はn+1枚目のウェハ22の読み出し動作は
不要であり、PT段階でフロッピーディスクに記憶され
たデータの処理を行い、X−Yテーブル2の動作を決定
しておく。
■ In this case, there is no need to read out the n+1th wafer 22, and the data stored on the floppy disk is processed at the PT stage to determine the operation of the X-Y table 2. .

■n+1枚目のウェハ22は、n枚目のウェハ21のP
a5s/Fail動作終了後、上記■であらかじめ決定
された動作に従ってX−Yテーブル2が移動していく。
■The n+1st wafer 22 is the P of the nth wafer 21.
After the completion of the a5s/Fail operation, the X-Y table 2 moves according to the operation predetermined in step (2) above.

■X−Yテーブル2が停滞したときのみ、エアピンセッ
ト5が前述した第6図に示す動作を行う。
(2) Only when the X-Y table 2 is stagnant, the air tweezers 5 perform the operation shown in FIG. 6 described above.

上記動作の具体的構成は第8図で示される。第8図にお
いて、PT32が終了すると、Pa5s/Failデー
タをPa5s/Failデ一タ格納部24に格納し、必
要に応じてPa5s/Failデ一タ格納部24からフ
ロッピーディスク33に出力する。フロッピーディスク
33に記憶されたPa5s/Failデータはディスク
ドライブ装置34により読み出され、以下、前述した第
7図のデータ処理部25以降のデータ処理に移行する。
A specific configuration of the above operation is shown in FIG. In FIG. 8, when the PT32 ends, the Pa5s/Fail data is stored in the Pa5s/Fail data storage section 24, and is output from the Pa5s/Fail data storage section 24 to the floppy disk 33 as required. The Pa5s/Fail data stored on the floppy disk 33 is read out by the disk drive device 34, and the process then proceeds to data processing after the data processing section 25 shown in FIG. 7 described above.

次に、本実施例による動作パターンを第9.10図を用
いて説明する。原理説明で説明したように本発明はある
チップ単位をモザイクパターンとみて、そのパターンの
それぞれに所定の重みをつけ、良品→良品の動きを所定
のパターンに固定するものである。本実施例ではそのモ
ザイクパターンを第9図に示すように4チップ単位のモ
ザイクパターンとし、(1)、(2)、(4)、(8)
の重み付けをする。この(1)、(2)、(4)、(8
)の重みは動作パターンをあらかじめ決定しておくため
に便宜的につけるものであって、第9図の場合に限らず
、4チツプ内の何れのチップに(1)、(2)、(4)
、(8)の重み付けをするかは自由に決定することがで
きる。このような重み付けをした場合の動作パターンは
第10図で示される。第10図中に示すパターンのうち
、Aのカラムに表わした動作パターンとBのカラムに表
わした動作パターンの違いは(1)の位置に−度停滞(
図中・印参照)するか通過のみ(図中◎印参照)かの違
いである。この場合、(1)には必ず原点復帰すること
になる。同図中、“0°゛はFailを示し、“1゛は
Pa5sを示している。なお、本実施例では4チツプ(
すなわち、4bit)の単位のモザイクパターンとして
いるが、勿論これには限定されず、他の単位のモザイク
パターン、例えば16チツプ(16bit )のもので
もよい。但し、この場合は動作パターンが複雑となるた
め小規模な位置では不向きなものとなる場合がある。
Next, the operation pattern according to this embodiment will be explained using FIG. 9.10. As explained in the explanation of the principle, the present invention regards a certain chip unit as a mosaic pattern, assigns a predetermined weight to each of the patterns, and fixes the movement from non-defective products to non-defective products in a predetermined pattern. In this embodiment, the mosaic pattern is a 4-chip mosaic pattern as shown in FIG.
weight. This (1), (2), (4), (8
) is given for convenience in order to predetermine the operation pattern, and is not limited to the case of FIG. 9. )
, (8) can be determined freely. The operation pattern when such weighting is applied is shown in FIG. Among the patterns shown in Fig. 10, the difference between the movement pattern shown in column A and the movement pattern shown in column B is that - degree stagnation (
The difference is whether the vehicle passes through (see mark ◎ in the figure) or only passes through (see mark ◎ in the figure). In this case, a return to the origin will always occur in (1). In the figure, "0°" indicates Fail, and "1" indicates Pa5s. In addition, in this example, 4 chips (
That is, the mosaic pattern is set in units of 4 bits, but of course the mosaic pattern is not limited to this, and a mosaic pattern in other units, for example, 16 chips (16 bits) may be used. However, in this case, the operation pattern becomes complicated, so it may not be suitable for small-scale locations.

次に、第11〜16図を用いてチップ端の処理を説明す
る。
Next, the processing of the chip end will be explained using FIGS. 11 to 16.

(1) Pa5s/ Failデータ領域の設定r P
a5s / Fai 1データ」の格納領域は実際には
第11図に示すようにX−Yの2次元で構成されるメモ
リボード41〜44 (FMI−FM4)4枚で確保さ
れる。このメモリボード41〜44は、チップNo、 
(F M 1 ) 、Pa5s/ Failデータ(F
M2)、チップ端(FM3)および最終チップ(FM4
)の4 bit構成であり、メモリボード41〜44の
データ格納番地はウェハステージのX−Yの動きと対応
し、X、Y方向にnインデックス動いたかその動きに応
じて設定する。なお、初期状態においてはメモリボード
41〜44のデータはすべて“°0°゛としておく。
(1) Pa5s/Fail data area setting r P
The storage area for "a5s/Fai 1 data" is actually secured by four memory boards 41 to 44 (FMI-FM4), which are two-dimensionally configured in the X-Y direction, as shown in FIG. These memory boards 41 to 44 have chip No.
(F M 1 ), Pa5s/Fail data (F
M2), tip end (FM3) and final tip (FM4)
), and the data storage addresses of the memory boards 41 to 44 correspond to the X-Y movement of the wafer stage, and are set depending on whether the wafer stage has moved n indexes in the X and Y directions. Note that in the initial state, all data on the memory boards 41 to 44 are set to "°0°".

そして、第12図に示すようにPT時あるいはインクマ
ーク読み出し時に、チップサイズとウニハロ径よりX−
Yのサイズを決定する。この場合、X、Yが必ず偶数に
なるように設定する。
As shown in Fig. 12, at the time of PT or ink mark reading, X-
Determine the size of Y. In this case, set X and Y so that they are always even numbers.

同図中、チップ上の番号はPT順序を示し、■はそのス
タート点、矢印による実線はその検査走査方向を示す。
In the figure, the numbers on the chip indicate the PT order, the symbol ■ indicates the starting point, and the solid line with an arrow indicates the inspection scanning direction.

(2)PT時のPa5s/Failデータの格納(第1
2図参照) ■ウェハステージを仮想エリアの0点に原点復帰してお
(。
(2) Storing Pa5s/Fail data during PT (first
(See Figure 2) ■Return the wafer stage to the zero point in the virtual area.

■PT開始時センサがチップ端検出するまでの3インデ
ツクスはX方向に移動するだけである。
(3) At the start of PT, the 3 indexes until the sensor detects the chip end only move in the X direction.

■センサがチップ端検出した後の次のチップよりPT実
行又はPT中止するようにプロパー動作を設定しておく
(2) Set the proper operation so that PT is executed or canceled from the next chip after the sensor detects the chip end.

■X=4チップ目よりPTを開始する。■Start PT from X=4th chip.

■X=4チップ目のPT結果をウェハステージの動きに
連動して決定されたメモリボード42(FM2)の番地
に格納する。
(2) Store the PT result of X=4th chip at the address of the memory board 42 (FM2) determined in conjunction with the movement of the wafer stage.

■以下、通常のブロービング動作に従って■の動作を繰
り返す。
■Then, repeat the operation of ■ according to the normal blobbing operation.

■この場合、■の動作をソフトウェアで行うことも可能
である。すなわち、第12図の太実線内のチップ領域を
あらかじめ設定しておき、ウェハステージをこの輪郭に
合わせて移動する。
(2) In this case, it is also possible to perform the operation (2) using software. That is, the chip area within the thick solid line in FIG. 12 is set in advance, and the wafer stage is moved in accordance with this outline.

■上記■、■の何れの動作にしてもうエバステージのX
−Yの動きに対応してメモリボード上の対応する番地に
データを格納することが基本動作となる。
■Which of the above ■ or ■ actions will cause the Eva Stage to
The basic operation is to store data at the corresponding address on the memory board in response to the movement of -Y.

〔3〕インクマーク読み取り時のPa5s/Failデ
ータの格納 この場合は上述した〔2〕項において、PTをインクマ
ーク読み取りと置き換えればよく、処理方法は同じであ
る。
[3] Storing Pa5s/Fail data when reading ink marks In this case, in the above-mentioned item [2], PT can be replaced with ink mark reading, and the processing method is the same.

〔4〕チツプ端の処理(ソフトウェアにて処理する) ■PT結果あるいはインクマーク読み出し結果を格納し
たメモリボードに対して以下の処理をする。
[4] Chip end processing (processed by software) ■The following processing is performed on the memory board that stores the PT results or ink mark read results.

■X列の1(先頭列) 、12 (最終列)の番地のす
べてに対して“1”を埋める。
■Fill "1" to all addresses 1 (first column) and 12 (last column) of column X.

■第13図に示すようにエンドポイント[F]の番地に
“1”を埋める。
■As shown in FIG. 13, fill in "1" in the address of endpoint [F].

■チップNαを第13図に示すように再設定する。(2) Reset the chip Nα as shown in FIG.

■再設定したものを解くことにより、第14図に示すよ
うなPa5s/Failデータが作成される。
(2) By solving the reset data, Pa5s/Fail data as shown in FIG. 14 is created.

〔5〕チツプ端データの設定 第15図(a)に示すr Pa5s / Fa i l
データ」から同図(b)に示す「動作パターンデータ」
への変換操作の際、上記rPass/FailPa5s
/Failデータに少なくとも1つの“1′がああった
ら、上記「動作パターンデータ」のチップ端データに“
1”を設定する。
[5] Setting of chip end data
data” to the “operation pattern data” shown in the same figure (b).
When converting to rPass/FailPa5s,
If there is at least one “1” in the /Fail data, “
Set 1”.

〔6〕チツプ端の動作パターン チップ端の動作パターンの詳細は第16図(a)(b)
で示され、同図(a)(b)に示すように2つのモード
がある。すなわち、同図(a)に示すように右へ2イン
デツクスシフトし、昇り1インデツクスシフトする場合
と、同図(b)に示すように右へ2インデツクスシフト
し、降り1インデツクスシフトする場合とである。
[6] Operation pattern at the chip end The details of the operation pattern at the chip end are shown in Figures 16 (a) and (b).
There are two modes as shown in (a) and (b) of the figure. In other words, as shown in FIG. 5(a), there is a two-index shift to the right and a one-index shift upward, and a two-index shift to the right and a downward one-index shift as shown in FIG. 2(b). There are two cases.

〔7〕チップ端動作 ■前記「動作パターンデータ」のチップ端データ“1”
の数(N)をカウントする。
[7] Chip end operation ■Chip end data “1” in the “operation pattern data”
Count the number (N).

■その数で上述した〔6〕項の第16図(a)あるいは
第16図(b)の動作を決定する。例えば、 (N)    チップ端動作 1    なし 2    第16図(a)のパターン 3    なし 4    第16図(b)のパターン 5    なし 6    第16図(a)のパターン 7    なし 8    第16図(b)のパターン ■すなわち、(N)が偶数の場合、第16図(a)→第
16図(b)−第16図(a)−第16図(b)と繰り
返す。
(2) The operation of FIG. 16(a) or FIG. 16(b) in item [6] mentioned above is determined by that number. For example, (N) Chip end operation 1 None 2 Pattern 3 in Fig. 16(a) None 4 Pattern 5 in Fig. 16(b) None 6 Pattern 7 in Fig. 16(a) None 8 Fig. 16(b) Pattern (2) That is, when (N) is an even number, the sequence of FIG. 16(a)→FIG. 16(b)-FIG. 16(a)-FIG. 16(b) is repeated.

〔8〕上り動作/下り動作 ■チップ端において、第16図(a)に示すチップ端動
作又は第16図(b)に示すチップ端動作に一度入れる
とX方向の動作は次の第16図(a)又は(b)の動作
が行われるまではクリアされないものとしておく。
[8] Upward operation/downward operation ■ Once the chip end enters the chip end operation shown in FIG. 16 (a) or the chip end operation shown in FIG. 16 (b), the operation in the X direction will be as shown in the next figure 16. It is assumed that the flag will not be cleared until the operation (a) or (b) is performed.

■また、第13図に示したようにチップNαの対応をと
っておくことにより、1→2→4→8の基本動作は上り
においてもまもられる。
(2) Moreover, by taking correspondence between the chips Nα as shown in FIG. 13, the basic operation of 1→2→4→8 can be maintained even in the upward direction.

■前記「動作パターンテーブル」の上り、下りの選択は
上記■の第16図(a)に示す動作/第16図(b)に
示す動作と関連づけて選択される。
(2) The selection of up and down in the "motion pattern table" is selected in association with the motion shown in FIG. 16(a) and the motion shown in FIG. 16(b) of (2) above.

次に、作用を説明する。Next, the effect will be explained.

第17図は半導体装置の製造方法をダイレクトダイボン
ディング装置に適用した場合の処理方法を示すフローチ
ャートであり、同図中Pn (n=1.2、・・・)は
フローの各ステップを示す。PTが終了すると本フロー
はスタートしくステップPI)、P2でPT結果をフロ
ッピーディスクに出力するとともに、P、でウェハ表面
よりインクマークの有無を読み取る。P4ではこれらの
データに基づいて第18図(a)に示すようなPa5s
/Failデータを作成し、このPa5s/Failデ
ータをPa5s/Failデ一タ格納部24に格納する
。第18図(a)中*1で示したPa5s/Faill
の“1”′ 0”はPa5sが1″Failが0”であ
り、また、*2で示したチップ端か否かを示す欄はチッ
プ端が“1°゛、その他が“0”であり、さらに、*3
で示した最終チップか否かを示す欄は最終チップが1”
、その他が“0″である。なお、チップ端の検出はセン
サによる方法とウェハ外角を計測したチップサイズによ
りソフトウェアにより演算処理する方法がありり、具体
的には第11〜16図で説明した通りである。
FIG. 17 is a flowchart showing a processing method when the semiconductor device manufacturing method is applied to a direct die bonding apparatus, and in the figure, Pn (n=1.2, . . . ) indicates each step of the flow. When the PT is completed, this flow starts (step PI). At P2, the PT results are output to a floppy disk, and at P, the presence or absence of ink marks is read from the wafer surface. In P4, based on these data, Pa5s as shown in Fig. 18(a)
/Fail data is created and this Pa5s/Fail data is stored in the Pa5s/Fail data storage section 24. Pa5s/Fail indicated by *1 in Fig. 18(a)
"1"'0" means that Pa5s is 1" and Fail is 0, and the column indicating whether or not it is a chip end indicated by *2 is "1°" for chip end and "0" for others. , furthermore, *3
The column indicating whether it is the final chip or not indicates that the final chip is 1"
, and others are "0". Note that there are two methods for detecting the chip end: a method using a sensor and a method using software to perform arithmetic processing based on the chip size measured from the outer angle of the wafer, and the method is specifically as explained in FIGS. 11 to 16.

次いで、P、でPa5s/Pa1lデータを4チップ単
位のモザイクパターンに圧縮して動作パターン化し、P
、で第18図(a)(b)に示すように4チツプ圧縮し
たPa5s/Failデータに基づいて第12図(b)
に示すような動作パターンデータを作成し、この動作パ
ターンデータを動作パターン格納部26に格納する。こ
こで、第18図(b)に示す動作パターンというのは前
述した第10図に示す動作パターンであり、例えば、第
18図(b)に示すチップグループNα1の動作パター
ンNα14というのはチップ隘1〜4を1つのパターン
と見、この圧縮されたチップグループ阻1を第10図に
示すような動作パターンNIIL14で動作させること
を示す。したがって、チップ端では第16図のような動
作パターンが上り、下り交互に選択される。
Next, P compresses the Pa5s/Pa1l data into a mosaic pattern of 4 chips and converts it into an operation pattern.
12(b) based on the Pa5s/Fail data compressed by 4 chips as shown in FIGS. 18(a) and (b).
The motion pattern data shown in FIG. 1 is created and stored in the motion pattern storage section 26. Here, the operation pattern shown in FIG. 18(b) is the operation pattern shown in FIG. 10 described above. For example, the operation pattern Nα14 of the chip group Nα1 shown in FIG. 1 to 4 are regarded as one pattern, and this compressed chip group 1 is operated in an operation pattern NIIL14 as shown in FIG. Therefore, at the chip end, the operation pattern as shown in FIG. 16 is selected alternately upward and downward.

次いで、P、でウェハをスタートポイントに設定し、P
8でスタートしてP9で動作パターンの確認を第18図
(b)に示す動作パターンデータを参照して行う。PI
Gではこの動作パターンデータに基づいてX−Yテーブ
ル2動作を設定し、pHで第18図(C)に示すような
動作パターンテーブルに従ってX−Yテーブル2を動作
させる。ここで、X−Yテーブル2の動作は後述するス
テップP16〜P2゜により実行される。動作パターン
テーブルは16パターン(4チツプを1グループとする
と16通りのパターンとなる)についてX軸、Y軸の動
きを具体的に記述したデータであり、第18図(C)に
示した上り、下りはウェハに対して第18図(d)の移
動をいう。次いで、pHzでX−Yテーブル2が停止か
否かを判別し、停止のときはPI3でエアピンセット5
を動作させ、停止でないときはP、に戻る。エアピンセ
ット5の動作は後述するステップPZI〜pitにより
実行される。Plでは最終チップか否かを判別し、最終
チップのときはPl、で最終ウェハか否かを判別して最
終ウェハであれば今回の処理を終える。一方、Pl4で
最終チップでないときはP、に戻り、PISで最終ウェ
ハでないときはP、に戻る。
Then, set the wafer at the starting point at P, and
8, and the operation pattern is checked at P9 with reference to the operation pattern data shown in FIG. 18(b). P.I.
At G, the operation of the X-Y table 2 is set based on this operation pattern data, and at pH, the X-Y table 2 is operated according to the operation pattern table as shown in FIG. 18(C). Here, the operation of the X-Y table 2 is executed in steps P16 to P2°, which will be described later. The motion pattern table is data that specifically describes the movements of the X-axis and Y-axis for 16 patterns (16 patterns if 4 chips are one group), and the upstream, Downward refers to the movement of the wafer as shown in FIG. 18(d). Next, it is determined whether or not the X-Y table 2 is stopped based on the pH, and when it is stopped, the air tweezers 5 are set using the PI3.
, and if it is not stopped, return to P. The operation of the air tweezers 5 is executed in steps PZI to pit, which will be described later. At Pl, it is determined whether or not it is the last chip. If it is the last chip, it is determined at P1 whether it is the last wafer. If it is the last wafer, the current process ends. On the other hand, if it is not the final chip in Pl4, it returns to P, and if it is not the final wafer in PIS, it returns to P.

P4では動作パターンを設定し、Pl7でこの動作パタ
ーンに従って第18図(C)に示す動作パターンテーブ
ルを参照する。次いで、pHlでX軸、Y軸の動きを具
体的に記述したデータをX−Yテーブル動作制御部28
に伝達し、Pl9でX−Yテーブル動作機構29により
X−Yテーブル2を動作させ、P assがあればPt
Oで一時停止させる。
At P4, an operation pattern is set, and at P17, the operation pattern table shown in FIG. 18(C) is referred to according to this operation pattern. Next, data specifically describing the movement of the X-axis and Y-axis in pHl is sent to the X-Y table operation control unit 28.
, the X-Y table 2 is operated by the X-Y table operating mechanism 29 at Pl9, and if there is a Pt
Press O to pause.

一方、PzIではエアピンセット5を降下させ、P、で
ウェハよりチップを吸着する。次いで、Poでエアピン
セット5を上昇させ、pz4で中間テーブル7に移動し
てpzsでエアピンセット5を降下させる。次いで、p
thでチップを中間テーブル7に開放し、PR”rで原
点復帰させる。
On the other hand, in PzI, the air tweezers 5 are lowered and the chip is sucked from the wafer with P. Next, the air tweezers 5 are raised with Po, moved to the intermediate table 7 with pz4, and lowered with pzs. Then p
The chip is released to the intermediate table 7 with th, and returned to the origin with PR"r.

以上述べたように、本実施例ではn枚目のウェハ21の
ボンディング中にn+1枚目のウェハ22の良品/不良
品を識別するとともに、PT後の良品/不良品状態を4
チップ単位のモザイクパターンとし、かつX−Yテーブ
ル2の動きを16パターンに固定するようにしている。
As described above, in this embodiment, during the bonding of the n-th wafer 21, the non-defective product/defective product of the n+1-th wafer 22 is identified, and the non-defective product/defective product status after PT is
A mosaic pattern is formed for each chip, and the movement of the X-Y table 2 is fixed to 16 patterns.

したがって、X−Yテーブル2の動きを従来例のように
シーケンシャルなものから最短距離で移動するものに変
更することができ、Pa5s/Failの認識時間(イ
ンデックス時間)を25%以上大幅に短縮することがで
きる。
Therefore, the movement of the X-Y table 2 can be changed from sequential movement as in the conventional example to movement over the shortest distance, significantly reducing the Pa5s/Fail recognition time (index time) by more than 25%. be able to.

その結果、ダイレクトダイボンディングにおけるスルー
プットを向上させることができる。
As a result, throughput in direct die bonding can be improved.

第19.20図は本発明に係る半導体装置の製造方法の
第2実施例を示す図あり、本実施例は本発明をチップ表
面検査装置に適用した例である。本実施例の説明にあた
り、第5〜18図に示す第1実施例と同一構成部分には
同一符号を付して重複部分の説明を省略する。
19 and 20 are diagrams showing a second embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and this embodiment is an example in which the present invention is applied to a chip surface inspection device. In describing this embodiment, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 5 to 18 are given the same reference numerals, and the explanation of the overlapping parts will be omitted.

従来は第22図に示すように、ターンテーブル12の移
動をマニュアルまたは自動で行い、チップ表面検査を実
施し、P TPass/Fai1品ともに、−度は見て
、Fail品はFailと認識後、次のチップへ移動す
る。ターンテーブルの移動は、シーケンシャルであった
Conventionally, as shown in FIG. 22, the turntable 12 is moved manually or automatically, the chip surface is inspected, and both PTPass and Fai products are inspected for -degrees, and after recognizing Fail products as Fail, Move to next chip. Movement of the turntable was sequential.

本実施例ではターンテーブル12の移動方向を、PT段
階で記憶決定された情報により、自動的に移動する構造
とする。Pa5s品は一時停止し、人間が再スタートま
で、次のチップへ移動しない。また、Fail品は、−
時停止せずに、次のPa5s品へ移動する。具体的構成
は第19図で示され、この図において、動作パターン格
納部26に格納された動作パターンは再スタート指示回
路35からの再スタート指示信号とともにターンテーブ
ル12を制御するためのターンテーブル制御部36に入
力され、ターンテーブル動作制御部36はこれらのデー
タに基づいてターンテーブル12を制御するための制御
値を演算し、その演算結果をターンテーブル動作機構3
7に出力する。ターンテーブル動作機構37は上記制御
値に基づいてターンテーブル12を動作させる。
In this embodiment, the direction of movement of the turntable 12 is automatically moved based on information stored and determined at the PT stage. The Pa5s product pauses and does not move to the next chip until a human restarts it. In addition, Fail products are -
Move to the next Pa5s product without stopping. The specific configuration is shown in FIG. 19, in which the operation pattern stored in the operation pattern storage section 26 is used as a turntable control signal for controlling the turntable 12 together with a restart instruction signal from the restart instruction circuit 35. The turntable operation control unit 36 calculates control values for controlling the turntable 12 based on these data, and transmits the calculation results to the turntable operation mechanism 3.
Output to 7. The turntable operating mechanism 37 operates the turntable 12 based on the control value.

次に、作用を説明する。Next, the effect will be explained.

第20図は半導体装置の製造方法をチップ表面検査装置
に適用した場合の処理方法を示すフローチャートであり
、第1実施例の第17図と同一処理を行うステップには
同一番号を付してその説明を省略し、異なるステップに
はO印で囲むステップ番号を付してその内容を説明する
FIG. 20 is a flowchart showing a processing method when the semiconductor device manufacturing method is applied to a chip surface inspection device, and steps that perform the same processing as in FIG. 17 of the first embodiment are given the same numbers. The explanation will be omitted, and the contents will be explained by attaching step numbers surrounded by O marks to different steps.

第20図において、ptzでX−Yテーブル2が停止の
ときはP31でPT段階で記憶決定されたデータに基づ
きターンテーブル12を自動的に移動してチップ表面検
査を行い、P32で再スタート処理、すなわちPa5s
品は一時停止し人間が再スタートを指示するまで次のチ
ップに移動しないおよびFai1品は一時停止せずに次
のPa5s品に移動する処理を行ってPI3に進む。
In FIG. 20, when the X-Y table 2 is stopped at Ptz, the turntable 12 is automatically moved to inspect the chip surface based on the data stored and determined at the PT stage at P31, and restart processing is performed at P32. , that is, Pa5s
The product temporarily stops and does not move to the next chip until a human instructs to restart, and the Fai1 product moves to the next Pa5s product without pausing, and then proceeds to PI3.

したがって、本実施例にあっても第1実施例と同様にタ
ーンテーブル12の動きがパターン化されているため、
ターンテーブル12の移動時間を短縮することができる
とともに、良品のみの検査を可能としてFait品の認
識時間を大幅に低減させることができる。その結果、ス
ルーブツトを格段に向上させることができる。
Therefore, in this embodiment as well, the movement of the turntable 12 is patterned as in the first embodiment, so
The travel time of the turntable 12 can be shortened, and the time required to recognize failed products can be significantly reduced by making it possible to inspect only non-defective products. As a result, throughput can be significantly improved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、チップの良品/不良品の選別時間を短
縮することができる。特に、ダイレクトダイボンディン
グにおいてはインデックス時間を25%以上短縮するこ
とができ、チップ表面検査においては不良の判別が不要
となり、作業性が大幅に向上する。この効果の程度はP
T歩留に依存する。
According to the present invention, it is possible to shorten the time required to sort out good/defective chips. In particular, in direct die bonding, the indexing time can be reduced by 25% or more, and in chip surface inspection, it is no longer necessary to identify defects, greatly improving work efficiency. The degree of this effect is P
Depends on T yield.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1〜4図は本発明の詳細な説明するための図であり、 第1図はその良品/不良品状態を4チップ単位のモザイ
クパターンとした場合のモザイクパターンを示す図、 第2図はその移動方向の基本工程を示す図、第3図はそ
の移動方向のパターン例を示す図、第4図はその工程数
の削減を示す図、 第5図〜18図は本発明に係る半導体装置の製造方法の
第1実施例を示す図であり、 第5図はそのグイボンディングを説明するための図、 第6図はそのエアピンセットの動きを示す図、第7図は
そのブロック構成図、 第8図はその他のブロック構成図、 第9図はその4チップ単位のモザイクパターンの重み付
けを示す図、 第10図はその動作パターンの詳細を示す図、第11図
はそのメモリボードの構成図、第12図はそのPa5s
/Failデータ領域の設定・格納を説明するための図
、 第13図はそのチップ端の処理を説明するための図、 第14図はそのPa5s/Failデータを示す図、第
15図はそのPa5s/Failデータおよび動作パタ
ーンデータを示す図、 第16図はそのチップ端の動作パターン示す図、第17
図はそのダイレクトダイボンディング装置に適用した場
合の処理方法を示すフローチャート、第18図はそのP
a5s/Failデータ、動作パターンデータおよび動
作パターンデータを示す図、第19.20図は本発明に
係る半導体装置の製造方法の第2実施例を示す図であり
、 第19図はそのブロック構成図、 第20図はそのチップ表面検査装置に適用した場合の処
理方法を示すフローチャート、 第21.22図は従来の半導体装置の製造方法を示す図
であり、 第21図はそのグイボンディングを説明するための図、 第22図はそのチップ表面検査を説明するための図であ
る。 1・・・・・・ウェハ、 2・・・・・・X−Yテーブル、 3・・・・・・カメラ、 4・・・・・・フロッピーディスク、 5・・・・・・エアピンセット、 6・・・・・・分割されたチップ、 7・・・・・・中間テーブル、 8・・・・・・グイコレット、 9・・・・・・パッケージ、 11・・・・・・顕微鏡、 l2・・・・・・ターンテーブル、 13・・・・・・ウェハ、 21・・・・・・n枚目のウェハ、 22・・・・・・n+1枚目のウェハ、23−−Pas
s/ Fail検出部、24・・・・・・Pa5s/F
ailデ一タ格納部、25・・・・・・データ処理部、 26・・・・・・動作パターン格納部、27・・・・・
・グイコレット制御回路、28・・・・・・X−Yテー
ブル動作制御部、29・・・・・・X−Yテーブル動作
機構、30・・・・・・エアピンセット動作制御部、3
1・・・・・・エアピンセット動作機構、32・・・・
・・PT。 33・・・・・・フロッピーディスク、34・・・・・
・ディスクドライブ装置、35・・・・・・再スタート
指示回路、36・・・・・・ターンテーブル動作制御部
、37・・・・・・ターンテーブル動作機構、41〜4
4・・・・・・メモリボード。 原理説明の良品/不良品状態を4チップ単位の第1図 原理説明の移動方向の基本工程を示す図第2図 第1実施例のメモリボードの構成同 第 1 図 第1実施例のチップ端の処理を説明するための図第 3 図 検出走査方向 第1実施例のPa5s/Failデータ領域の設定・格
納を説明するための図 第 2 図 Pa s s/Fa i 1デ一タ 第1実施例のPa5s/Failデータを示す図第 4 図 第 18 図 従来例のチップ表面検査を説明するための同第 2 図
Figures 1 to 4 are diagrams for explaining the present invention in detail. Figure 1 is a diagram showing a mosaic pattern when the non-defective/defective product status is made into a mosaic pattern of 4 chips, and Figure 2 is a diagram showing a mosaic pattern in units of 4 chips. 3 is a diagram showing an example of a pattern in the moving direction, FIG. 4 is a diagram showing a reduction in the number of steps, and FIGS. 5 to 18 are semiconductor devices according to the present invention. FIG. 5 is a diagram for explaining the Gui bonding, FIG. 6 is a diagram showing the movement of the air tweezers, FIG. 7 is a block configuration diagram, Figure 8 is another block configuration diagram, Figure 9 is a diagram showing the weighting of the mosaic pattern in units of 4 chips, Figure 10 is a diagram showing details of its operation pattern, and Figure 11 is a configuration diagram of the memory board. , Figure 12 shows the Pa5s
Figure 13 is a diagram to explain the processing at the chip end. Figure 14 is a diagram showing the Pa5s/Fail data. Figure 15 is the Pa5s data area. /Fail data and operation pattern data, Figure 16 is a diagram showing the operation pattern of the chip end, and Figure 17 is a diagram showing the operation pattern of the chip end.
The figure is a flowchart showing the processing method when applied to the direct die bonding equipment, and Figure 18 is the P
A5s/Fail data, operation pattern data, and operation pattern data are shown in FIGS. 19 and 20, and FIG. , Figure 20 is a flowchart showing the processing method when applied to the chip surface inspection equipment, Figures 21 and 22 are diagrams showing the conventional manufacturing method of semiconductor devices, and Figure 21 explains the Gui bonding. FIG. 22 is a diagram for explaining the chip surface inspection. 1... Wafer, 2... X-Y table, 3... Camera, 4... Floppy disk, 5... Air tweezers, 6...Divided chip, 7...Intermediate table, 8...Guicolet, 9...Package, 11...Microscope, l2 ...Turntable, 13...Wafer, 21...Nth wafer, 22...N+1th wafer, 23--Pas
s/ Fail detection section, 24...Pa5s/F
ail data storage unit, 25...data processing unit, 26...operation pattern storage unit, 27...
・Guicolet control circuit, 28...X-Y table operation control unit, 29...X-Y table operation mechanism, 30...Air tweezers operation control unit, 3
1... Air tweezers operating mechanism, 32...
...PT. 33... Floppy disk, 34...
- Disk drive device, 35...Restart instruction circuit, 36...Turntable operation control section, 37...Turntable operation mechanism, 41-4
4...Memory board. Fig. 1 shows the basic process in the direction of movement to explain the principle. Fig. 2 shows the basic process in the moving direction. Fig. 1 shows the structure of the memory board in the first embodiment. Figure 3 for explaining the process of detection scanning direction Figure 2 for explaining the setting and storage of the Pa5s/Fail data area in the first embodiment Figure 4 shows example Pa5s/Fail data. Figure 18. Figure 2 illustrates conventional chip surface inspection.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  ウェハ上の複数のチップの良品/不良品状態を試験し
、 該試験完了後のウェハ上のチップの良品/不良品状態を
、所定のチップ単位を1グループとするモザイクパター
ンとして認識するとともに、該チップ単位のそれぞれの
チップ位置に重み付けし、 良品から良品への動きを所定の動作パターンに固定し、 良品/不良品の選別を最短工程で実現するようにしたこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
[Claims] A mosaic pattern in which the non-defective/defective states of a plurality of chips on a wafer are tested, and the non-defective/defective states of the chips on the wafer are determined by a predetermined chip unit as one group after the test is completed. The feature is that the chip position of each chip is weighted, the movement from good to good is fixed in a predetermined movement pattern, and the selection of good/defective products is achieved in the shortest process. A method for manufacturing a semiconductor device.
JP26837389A 1989-10-16 1989-10-16 Method for manufacturing semiconductor device Expired - Lifetime JP2888884B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26837389A JP2888884B2 (en) 1989-10-16 1989-10-16 Method for manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26837389A JP2888884B2 (en) 1989-10-16 1989-10-16 Method for manufacturing semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03129851A true JPH03129851A (en) 1991-06-03
JP2888884B2 JP2888884B2 (en) 1999-05-10

Family

ID=17457596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26837389A Expired - Lifetime JP2888884B2 (en) 1989-10-16 1989-10-16 Method for manufacturing semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2888884B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101687117B1 (en) * 2015-10-06 2016-12-15 전현수 Multi-purpose pen for OMR card

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101687117B1 (en) * 2015-10-06 2016-12-15 전현수 Multi-purpose pen for OMR card

Also Published As

Publication number Publication date
JP2888884B2 (en) 1999-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9934565B2 (en) Systems and methods for automatically verifying correct die removal from film frames
TW452915B (en) Method of sorting and investigating automatic semiconductor wafer with extended optical inspection and apparatus for implementing the same
JP4951811B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US6137303A (en) Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing
EP1112550B1 (en) An automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US5834838A (en) Pin array set-up device
WO1998001745A9 (en) Automatic semiconductor wafer sorter/prober with extended optical inspection
KR100814284B1 (en) Vision system for sawing &amp; placement equipment
US6820792B2 (en) Die bonding equipment
US6337221B1 (en) Die bonding method for manufacturing fine pitch ball grid array packages
JPH03129851A (en) Manufacture of semiconductor device
US20050173702A1 (en) Chip mis-position detection method
JP2004055837A (en) Prober and method for inspecting semiconductor device
JP3300264B2 (en) Semiconductor chip recognition method
JPH09148387A (en) Apparatus for processing semiconductor product
KR100819796B1 (en) Sorting method of semiconductor package
JPH05297064A (en) Semiconductor-element inspection apparatus
JPH02265255A (en) Probe apparatus system
JPH06181244A (en) Method and apparatus for inspection of semiconductor device
JP2001249162A (en) Bare chip inspection device and bare chip inspection method
KR100468867B1 (en) Method for inspecting and sorting part
JPS6049642A (en) Inspecting apparatus for semiconductor device
JPS62152138A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH02136760A (en) Method for sorting semiconductor element
JP2765855B2 (en) Inspection method for semiconductor device