JPH03125515A - Integrated circuit - Google Patents

Integrated circuit

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JPH03125515A
JPH03125515A JP1264657A JP26465789A JPH03125515A JP H03125515 A JPH03125515 A JP H03125515A JP 1264657 A JP1264657 A JP 1264657A JP 26465789 A JP26465789 A JP 26465789A JP H03125515 A JPH03125515 A JP H03125515A
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JP
Japan
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bus line
logic circuit
power supply
voltage
circuit
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JP1264657A
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Japanese (ja)
Inventor
Tokuya Fukuda
福田 督也
Tetsuya Senda
仙田 哲也
Hiroaki Matsumoto
松本 浩彰
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce leakage power and undesired radiation in a bus line by providing one or plural C-MOS inverter circuits in cascade connection operating at a lower voltage than a power voltage of an internal logic circuit section as an interface circuit between the logic circuit section and the bus line. CONSTITUTION:One or plural C-MOS inverter circuits 13, 16 in cascade connection operated at a lower voltage than a power voltage Vdd of an internal logic circuit section 20 are provided as an interface circuit between the logic circuit section 20 and the bus line 10. Since the C-MOS inverter circuits 13, 16 for voltage level conversion are provided in this way, a maximum value of a signal sent through the bus line 10 is set lower, while the power voltage Vdd of the logic circuit section 20 is set higher. Thus, the arithmetic speed of the logic circuit section 20 is kept fast and the leakage power and undesired radiation in the bus line 10 are reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば(、−MOS構造等の消費電力の少な
い集積回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an integrated circuit with low power consumption, such as a (-MOS structure).

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、例えばC−M OS構造等の消費電力の少な
い集積回路において、内部の論理回路部の電源電圧より
低い電圧で動作する1個又は縦続接続した複数個のC−
MOSインバータ回路をその論理回路部とバスラインと
のインタフェース回路として有することにより、簡単な
回路構成でその論理回路部の演算速度を犠牲にすること
なくそのバスラインにおける漏れ電力及び不要輻射を低
減できる様にしたものである。また、本発明により動作
電源電圧が大きく異なる集積回路同士をレベルコンバー
タの如き特別な回路を介することなく電気的に接続する
ことができる。
The present invention provides, for example, in an integrated circuit with low power consumption such as a C-MOS structure, one or a plurality of cascade-connected C-MOS devices that operate at a voltage lower than the power supply voltage of an internal logic circuit section.
By having a MOS inverter circuit as an interface circuit between the logic circuit section and the bus line, leakage power and unnecessary radiation in the bus line can be reduced with a simple circuit configuration without sacrificing the operation speed of the logic circuit section. It was made in a similar manner. Further, according to the present invention, integrated circuits having greatly different operating power supply voltages can be electrically connected to each other without using a special circuit such as a level converter.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

C−MOS構造の集積回路(IC)は消費電力が極めて
少ないと共に動作゛速度が比較的高速であることから様
々な用途に広く使用されている。また、標準の(、MO
SのICの電源電圧は5V程度であるが、近時は例えば
1.4μmプロセスにより3V程度の電源電圧で動作す
るICが開発されており、より微細なプロセスが開発さ
れればその電源電圧は更に低くすることができる。
Integrated circuits (ICs) having a C-MOS structure are widely used in various applications because of their extremely low power consumption and relatively high operating speed. Also, the standard (, MO
The power supply voltage of an S IC is about 5V, but recently, ICs that operate with a power supply voltage of about 3V have been developed using, for example, a 1.4μm process, and if a finer process is developed, the power supply voltage will increase. It can be made even lower.

一方、C−MOS構造のICの電源電圧が低下すると動
作速度も低下するため、特に高速演算を要求されるIC
の電源電圧は5v程度に据え置かれている。
On the other hand, when the power supply voltage of an IC with a C-MOS structure decreases, the operating speed also decreases, so ICs that require high-speed calculations in particular
The power supply voltage is kept at around 5V.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、(、MO3構造のICは入出力信号のレ
ベルの最大値が電源電圧と略等しいため、そのように5
V程度の電源電圧でICを駆動した場合には、このIC
の入出力端子と他のICの入出力端子とを接続するた必
に例えばプリント基板上に形成されたバスラインを介し
て最大値が5V程度の比較的高い周波数のデジタル信号
が伝送される。そして、一般にバスラインの浮遊容量や
純抵抗に起因するインピーダンスの絶対値をZ、そのバ
スラインを伝送される所定周波数の信号の最大レベルを
Eとすると、はぼE2/Zに比例して漏れ電力が発生す
る。従って、そのように最大値が5V程度の比較的高い
周波数のデジタル信号がバスラインを伝送される場合に
は、C−MOSのIC自体の消費電力は小さいにも拘ら
ず、そのバスラインにおける漏れ電力が大きくなる不都
合があった。
However, since the maximum input/output signal level of an IC with MO3 structure is approximately equal to the power supply voltage,
When driving an IC with a power supply voltage of about V, this IC
In order to connect the input/output terminals of the IC and the input/output terminals of other ICs, a relatively high frequency digital signal with a maximum value of about 5V is transmitted through a bus line formed on a printed circuit board, for example. In general, if Z is the absolute value of impedance caused by stray capacitance and pure resistance of a bus line, and E is the maximum level of a signal of a predetermined frequency transmitted through that bus line, the leakage will be proportional to E2/Z. Electricity is generated. Therefore, when a relatively high frequency digital signal with a maximum value of about 5V is transmitted through a bus line, leakage occurs in the bus line, even though the power consumption of the C-MOS IC itself is small. There was an inconvenience that the electric power was increased.

更に、バスラインを伝送される比較的高い周波数の信号
の振幅にほぼ比例してそのバスラインにおける不要輻射
が発生するた緬、その信号の最大レベルひいてはその振
幅が大きい場合にはそのバスラインからの不要輻射が大
きくなり他のICに悪影響を与えるおそれがある不都合
があった。
Furthermore, since unnecessary radiation on a bus line occurs approximately in proportion to the amplitude of a relatively high frequency signal transmitted on the bus line, the maximum level of the signal and, if the amplitude is large, the radiation from the bus line. There is a problem in that the unnecessary radiation of the IC increases, which may adversely affect other ICs.

これに関して、(、−MOSのICの電源電圧を低下さ
せた場合であっても、バスライン間に設けたコンデンサ
及び抵抗器より成るバイパスフィルタ回路により信号の
高調波成分を減衰させて動作速度を改善する方法が提案
されているが、外付は部品の数が多くなり、製造コスト
が上昇すると共に動作速度の改善の程度が小さい不都合
がある。
Regarding this, even if the power supply voltage of (-MOS IC is lowered), the operating speed is increased by attenuating the harmonic components of the signal by a bypass filter circuit consisting of a capacitor and resistor installed between the bus lines. Although methods to improve this have been proposed, external attachments have the disadvantages of increasing the number of parts, increasing manufacturing costs, and improving the operating speed to a small extent.

本発明は斯かる点に鑑み、内部の論理回路部の演算速度
を犠牲にすることなくバスラインにおける漏れ電力や不
要輻射を低減できるICを提案することを目的とする。
In view of the above, an object of the present invention is to propose an IC that can reduce leakage power and unnecessary radiation in the bus line without sacrificing the calculation speed of the internal logic circuit section.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明によるICは例えば第1図に示す如く、内部の論
理回路部(20)の電源電圧Vddより低い電圧で動作
する1個又は縦続接続した複数個のCMOSインバータ
回路(13)、 (16)  をその論理回路部(20
)とバスライン(10)とのインタフェース回路として
有するものである。
For example, as shown in FIG. 1, the IC according to the present invention includes one or a plurality of cascaded CMOS inverter circuits (13), (16) that operate at a voltage lower than the power supply voltage Vdd of the internal logic circuit section (20). its logic circuit part (20
) and the bus line (10).

〔作用〕[Effect]

斯かる本発明によれば、電圧レベル変換用のC−MOS
インバータ回路(13)、 (16)  が設けられて
いるので、バスライン(10)を伝送される信号の最大
値を低く設定する一方で論理回路部(20)の電源電圧
V、1.1を高く設定することができる。従って、論理
回路部(20)の演算速度を速く維持できると共に、バ
スライン(10)における漏れ電力や不要輻射を低減で
きる。
According to the present invention, a C-MOS for voltage level conversion
Since the inverter circuits (13) and (16) are provided, the maximum value of the signal transmitted through the bus line (10) is set low, while the power supply voltage V, 1.1 of the logic circuit section (20) is set low. Can be set high. Therefore, the calculation speed of the logic circuit section (20) can be maintained at a high speed, and leakage power and unnecessary radiation in the bus line (10) can be reduced.

この場合、電圧を降下させるときには、降下量が大きく
ともその(、−MOSインバータ回路は通常1個で済ま
すことができる。一方、電圧を昇圧させるときには、C
−MOSインバータ回路を複数個縦続接続しただけの簡
単な回路構成で徐々に電圧を上昇させることによりレベ
ルコンバータの如き特別な回路を使用することなく所望
の量だけ電圧を上昇させることができる。
In this case, when lowering the voltage, one MOS inverter circuit is usually required even if the amount of drop is large.On the other hand, when increasing the voltage,
- By gradually increasing the voltage with a simple circuit configuration in which a plurality of MOS inverter circuits are connected in series, the voltage can be increased by a desired amount without using a special circuit such as a level converter.

更に本発明によれば、動作電源電圧が大きく異なるIC
同士を簡単な回路を付加するだけで電気的に接続するこ
とができる。
Furthermore, according to the present invention, ICs with significantly different operating power supply voltages can be used.
They can be electrically connected by simply adding a simple circuit.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明ICの一実施例につき第1図〜第3図を参
照して説明しよう。本例はプリント基板上に装着され互
いにバスラインで接続された2つのICに本発明を適用
したものである。
Hereinafter, one embodiment of the IC of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. In this example, the present invention is applied to two ICs mounted on a printed circuit board and connected to each other by a bus line.

第1図は本例の回路構成を示し、この第1図において、
(1)及び(2)は夫々全体としてICを示し、第1の
IC(1)の接地端子(1a)及び第2のI C(2)
の接地端子(2a)を夫々接地し、第1のIC(1)の
2個の電源端子(1b)及び(IC)を夫々電圧がVd
d及びVdd  VAの直流電圧電源に接続し、第2の
IC(2)の3個の電源端子(2b)、 (2c)  
及び(2d)を夫々電圧がVdd−vA十VIl、Vd
d−VA+VB十V。及ヒVddの直流電圧電源に接続
する。これらの電圧相互の関係や具体的な数値例につい
ては後述する。
Figure 1 shows the circuit configuration of this example, and in this Figure 1,
(1) and (2) respectively show the IC as a whole, and the ground terminal (1a) of the first IC (1) and the second IC (2)
The grounding terminal (2a) of the first IC (1) is grounded, and the two power supply terminals (1b) and (IC) of the first IC (1) are connected to a voltage of Vd.
d and Vdd VA DC voltage power supply, and the three power terminals (2b), (2c) of the second IC (2)
and (2d), the voltages are Vdd-vA+VIl, Vd, respectively.
d-VA+VB10V. Connect to the DC voltage power supply of Vdd. The relationship between these voltages and specific numerical examples will be described later.

第1のI C(1)において、(3)は電源電圧Vdd
で動作する例えばTTL構造やMOS構造の内部論理回
路を示し、この内部論理回路〔3)を接地端子(1a)
と電源端子 (1b)との間に接続し、この内部論理回
路(3)のデータ出力端子に生じる信号をPチャンネル
MO3型F E T (4)及びNチャシネ9MO3型
F E T (5)の夫々のゲートに共通に供給し、F
ET(4)のソースを電源端子(1b)に接続し、F 
E T (5)のソースを接地端子(1a)に接続し、
F E T (4)及び(5)の夫々のドレインを接続
し、これらドレインに生じる信号をPチャンネルMO3
型F E T (7)及びNチャシネ9MO3型F E
 T (8)の夫々のゲートに共通に供給し、F E 
、T (7)のソースを電源端子(IC)に接続し、F
 E T (8)のソースを接地端子(1a)に接続し
、F E T (7)及び(8)の夫々のドレインを接
続し、これらドレインに生じる信号を出力端子(1d)
に供給する如くなす。F E T (4)及び(5)に
よって第1のC−MOSインバータ回路(6)が形成さ
れ、FET(7)及び(8)によって第2のC−MOS
インバータ回路(9)が形成される。
In the first IC (1), (3) is the power supply voltage Vdd
For example, this internal logic circuit [3] is connected to the ground terminal (1a).
and the power supply terminal (1b), and the signal generated at the data output terminal of this internal logic circuit (3) is connected to the P channel MO3 type FET (4) and the N channel 9MO3 type FET (5). Commonly supplied to each gate, F
Connect the source of ET (4) to the power supply terminal (1b), and
Connect the source of E T (5) to the ground terminal (1a),
The drains of FET (4) and (5) are connected, and the signals generated at these drains are connected to the P-channel MO3.
Type F E T (7) and N Chacinet 9MO3 type F E
Commonly supplied to each gate of T (8), F E
, T (7) is connected to the power supply terminal (IC), and F
The source of E T (8) is connected to the ground terminal (1a), the drains of F E T (7) and (8) are connected, and the signals generated at these drains are connected to the output terminal (1d).
so as to supply it to A first C-MOS inverter circuit (6) is formed by FETs (4) and (5), and a second C-MOS inverter circuit (6) is formed by FETs (7) and (8).
An inverter circuit (9) is formed.

第1のIC(1)の出力端子(1d)をバスライン(1
0)を介して第2のI C(2)の入力端子(2e)に
接続する。
Connect the output terminal (1d) of the first IC (1) to the bus line (1
0) to the input terminal (2e) of the second IC (2).

この第2のI C(2)において、(11)、 (14
)  及び(17)は夫々PチャンネルMO3型F E
 T 、 (12>、 (15)及び(18)は夫々N
チャンネルMO3FETを示し、1対のF E T(1
1)、 (12) 、1対のF E T (1,4)、
 <15>及び1対のF E T(17)、 (18)
  により夫々第3のCMOSインバータ回路(13)
、第4のC−MOSインバータ回路(16)及び第5の
C−MOSインバータ回路(19)を形成する。その第
3のインバータ回路(13)を電源端子(2b)と接地
端子(2a)との間に接続し、第4のインバータ回路(
16)を電源端子(2C)と接地端子(2a)との間に
接続し、第5のインバータ回路(19)を電源端子(2
d)と接地端子(2a)との間に接続する。
In this second IC(2), (11), (14
) and (17) are respectively P channel MO3 type F E
T , (12>, (15) and (18) are respectively N
Channel MO3FET is shown and a pair of FET(1
1), (12), a pair of FET (1,4),
<15> and a pair of FET(17), (18)
respectively the third CMOS inverter circuit (13)
, a fourth C-MOS inverter circuit (16) and a fifth C-MOS inverter circuit (19) are formed. The third inverter circuit (13) is connected between the power supply terminal (2b) and the ground terminal (2a), and the fourth inverter circuit (13) is connected between the power supply terminal (2b) and the ground terminal (2a).
16) between the power supply terminal (2C) and the ground terminal (2a), and the fifth inverter circuit (19) is connected between the power supply terminal (2C) and the ground terminal (2a).
d) and the ground terminal (2a).

また、(20)は電源電圧V d dで動作する内部論
理回路を示し、入力端子(2e)をそれら第3、第4及
び第5のインバータ回路(13)、 (16)、 (1
9)を介してその内部論理回路(20)のデータ入力端
子に接続する。第1のI C(1)中の第1の(、−M
OSインバータ回路(6)及び第2 (7) I C(
2)中の第5のC−Mo5インバ一タ回路(19)は夫
々出力バッファ回路及び入力バノファ回路として動作し
、第1のIC(1)中の第2のC−MOSインバータ回
路(9)並びに第2のI C(2)中の第3及び第4の
C−MOSインバータ回路(13)、 <16>  は
夫々実質的にレベル変換器として動作する。
Further, (20) indicates an internal logic circuit that operates with the power supply voltage V d d, and the input terminal (2e) is connected to the third, fourth, and fifth inverter circuits (13), (16), (1
9) to the data input terminal of its internal logic circuit (20). The first (, -M
OS inverter circuit (6) and second (7) IC (
The fifth C-Mo5 inverter circuit (19) in 2) operates as an output buffer circuit and an input vanofer circuit, respectively, and the second C-MOS inverter circuit (9) in the first IC (1). Also, the third and fourth C-MOS inverter circuits (13) <16> in the second IC (2) each substantially operate as a level converter.

第1図例のブロック図である第2図を参照して本例の動
作につき説明するに、−例として電圧Vdd、VA、V
B 及びVc の値を次のように設定する。
The operation of this example will be described with reference to FIG. 2, which is a block diagram of the example shown in FIG.
The values of B and Vc are set as follows.

Vdd=5V、VA=3V、VB=Vo =IV・・・
・・・(1) このとき第1のI C(1)の電源端子(1b)及び(
1c)には夫々5V及び2Vの電圧が供給され、第2の
I C(2)の電源端子(2b)、 (2c)  及び
(2d)には夫々3V、4V及び5Vの電圧が供給され
る。一般に0M03回路は入出力レベルが電源電圧にほ
ぼ等しいため、第1及び第2のインバータ回路(6)、
 (9)の出力信号J1 及びJ2 の高位側の信号レ
ベルは夫々略5V及び2Vになり、バスライン(10)
を伝送される信号の最大レベルが略2vになる。
Vdd=5V, VA=3V, VB=Vo=IV...
...(1) At this time, the power terminal (1b) of the first IC (1) and (
1c) are supplied with voltages of 5V and 2V, respectively, and power supply terminals (2b), (2c) and (2d) of the second IC (2) are supplied with voltages of 3V, 4V and 5V, respectively. . Generally, the input/output level of the 0M03 circuit is approximately equal to the power supply voltage, so the first and second inverter circuits (6),
The high side signal levels of the output signals J1 and J2 of (9) are approximately 5V and 2V, respectively, and the bus line (10)
The maximum level of the transmitted signal is approximately 2V.

また、一般に電源電圧VのC−MOSインバータ回路の
入出力特性は第3図に示す如くなり、出力電圧がハイレ
ベル゛1″に対応する電圧とローレベル“0”に対応す
る電圧との間の所謂リニア領域に存在するときには、入
力電圧は電圧V/2を中心とした所定の幅の領域(21
)に存在する。そして、出力電圧がローレベル゛0″′
に対応スル電圧であるときの入力電圧の範囲は電圧V−
ΔVと電圧Vとの間の領域(22)であるため、第1図
例において電圧Vs、  Vc及び(VAVs  Vc
) が夫々法の条件式(2)を充足するときには、VI
I<ΔV、vC<△V  (Va  VB  vc)<
ΔV・・・・・(2) 第2のC−MOSインバータ回路(9)の出力信号は第
3、第4及び第5のC−MOSインバータ回路(13)
、 (16)、 (19)にて夫々順次正確に反転され
て内部論理回路(20)に供給される。C−MOSイン
バータ回路においてはΔVはIVを超える値であるた0 め、第2図例の如く電圧VA、VB及びVc の値を式
〔1)のように設定した場合には上述の条件式(2)は
充足される。従って、バスライン(10)を伝送される
高位側のレベルが略2Vの信号J2 は第2のIC(2
)中の第3、第4及び第5のC−M OSインバータ回
路(13)、 (16)、 (19)にて夫々順次反転
されて高位側のレベルが略3V、4V及び5Vの信号J
3. J、、 J5 に変換され、この低位側及び高位
側のレベルが夫々略OV及び5Vの信号J5 が動作電
源電圧が5Vの内部論理回路(20)に供給される。
In general, the input/output characteristics of a C-MOS inverter circuit with a power supply voltage of V are as shown in Figure 3, and the output voltage is between the voltage corresponding to the high level "1" and the voltage corresponding to the low level "0". When the input voltage is in the so-called linear region, the input voltage is in a region (21
) exists in Then, the output voltage is low level ``0'''
The range of input voltage when it is the voltage corresponding to V-
Since the region (22) is between ΔV and voltage V, voltages Vs, Vc and (VAVs Vc
) respectively satisfy conditional expression (2) of the law, then VI
I<ΔV, vC<ΔV (Va VB vc)<
ΔV...(2) The output signal of the second C-MOS inverter circuit (9) is the output signal of the third, fourth and fifth C-MOS inverter circuits (13)
, (16), and (19), the signals are sequentially accurately inverted and supplied to the internal logic circuit (20). In a C-MOS inverter circuit, ΔV is a value exceeding IV, so when the values of voltages VA, VB, and Vc are set as in equation [1] as shown in the example in Fig. 2, the above conditional expression (2) is satisfied. Therefore, the signal J2 having a high level of approximately 2V transmitted through the bus line (10) is transmitted to the second IC (2
) in the third, fourth, and fifth C-MOS inverter circuits (13), (16), and (19), respectively, invert the signals J whose high-order side levels are approximately 3V, 4V, and 5V.
3. The signal J5, whose lower and higher levels are approximately OV and 5V, respectively, is supplied to an internal logic circuit (20) whose operating power supply voltage is 5V.

上述のように第2図例によれば、第1のI C(1,)
中の内部論理回路(3)は夫々5Vの電源電圧で駆動さ
れるため演算速度が速い利益がある。一方、前述シた如
<、バスライン(10)における漏れ電力はこのバスラ
イン(10)を伝送される信号の最大レベルの2乗に比
例し、このバスライン(10)における不要輻射はこの
バスライン(10)を伝送される信号の振幅(本例のよ
うに信号の最小レベルがOVの場合には信号の最大レベ
ル)に比例して増大するが、本例においては第2のC−
MOSインバータ回路(9)によってそのバスライン(
10)を伝送される信号J2 の最大レベルが2V程度
に降下されているため、そのバスライン(10)が長く
引き回されていてもそのバスライン(10)における漏
れ電力や不要輻射が極めて少ない利益がある。
As mentioned above, according to the example in FIG. 2, the first IC(1,)
Since the internal logic circuits (3) inside are each driven by a power supply voltage of 5V, there is an advantage of fast calculation speed. On the other hand, as mentioned above, the leakage power in the bus line (10) is proportional to the square of the maximum level of the signal transmitted through this bus line (10), and the unnecessary radiation in this bus line (10) is The amplitude increases in proportion to the amplitude of the signal transmitted through the line (10) (the maximum level of the signal when the minimum level of the signal is OV as in this example).
The bus line (
10) is lowered to about 2V, so even if the bus line (10) is routed for a long time, leakage power and unnecessary radiation in the bus line (10) are extremely low. There is profit.

更に、本例においては第2のIC(2)の第3、第4及
び第5のC−MOSインバータ回路(13)、 (16
)(19)によってそのバスライン(10)を伝送され
る信号J2が最大レベルが5Vの信号J5 に変換され
て内部論理回路(20)に供給されるため、その内部論
理回路(20)の演算速度も速く維持される利益がある
。この場合、本例では3個のインバータ回路(13)、
 (16) 及び(19)を縦続接続して信号レベルを
IVずつ徐々に上昇するようにしているため、レベルコ
ンバータの如き特別な回路を使用する必要がなく製造コ
ストが低減できる利益がある。
Furthermore, in this example, the third, fourth and fifth C-MOS inverter circuits (13), (16) of the second IC (2)
) (19) converts the signal J2 transmitted through the bus line (10) into a signal J5 with a maximum level of 5V and supplies it to the internal logic circuit (20), so that the calculation of the internal logic circuit (20) Speed also has the benefit of being maintained quickly. In this case, in this example, three inverter circuits (13),
Since (16) and (19) are connected in cascade to gradually increase the signal level by IV, there is no need to use a special circuit such as a level converter, which has the advantage of reducing manufacturing costs.

次に本発明の他の実施例につき第4図を参照して説明し
よう。本例は動作電源電圧の低い第1のICから内部論
理回路の動作電源電圧の高い第2のICにバスラインを
介して信号を伝送するシス1 テムに本発明を適用したものであり、この第4図におい
て第2図に対応する部分には同一符号を付してその詳細
説明は省略する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, the present invention is applied to a system in which a signal is transmitted via a bus line from a first IC with a low operating power supply voltage to a second IC whose internal logic circuit has a high operating power supply voltage. In FIG. 4, parts corresponding to those in FIG. 2 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

この第4図において、(23)は動作電源電圧が3Vの
第1のICを示し、この第1の■c(23)の電源端子
に3Vの直流電圧電源を接続し接地端子を接地する。(
2A)は本例の第2のIC1(2OA)  はこのIC
(2A)の主要部であり動作電源電圧が5Vの内部論理
回路を示し、この第2のIC(2A)においては第2図
例のバッファ回路としてのC−MOSインバータ回路(
19)がその内部論理回路(2OA)  と実質的に一
体化されている。この第2のIC(2A)の他の構成は
第2図の第2のIC(2)と同じであり、本例の第1の
I C(23)の出力端子と第2のIC(2人)の入力
端子(2e)とをバスライン(10)で接続する。
In FIG. 4, (23) indicates a first IC whose operating power supply voltage is 3V, and a 3V DC voltage power supply is connected to the power supply terminal of the first IC (23), and its ground terminal is grounded. (
2A) is the second IC1 (2OA) of this example.
(2A) shows an internal logic circuit with an operating power supply voltage of 5V, which is the main part of the IC (2A). In this second IC (2A), a C-MOS inverter circuit (
19) is substantially integrated with its internal logic circuit (2OA). The other configuration of this second IC (2A) is the same as the second IC (2) in FIG. A bus line (10) is connected to the input terminal (2e) of the person (person).

本例によればバスライン(10)を伝送される最大レベ
ルが3Vの信号が、第2のIC(2A)中の縦続接続さ
れたC、MOSインバータ回路(13)及び(16)に
よって徐々に昇圧されて内部論理回路(2OA)2 に供給されるので、レベルコンバータの如き特別な回路
を使用する必要がなく回路構成が簡単で製造コストが低
減できる利益がある。
According to this example, a signal with a maximum level of 3V transmitted on the bus line (10) is gradually transmitted by the cascade-connected C and MOS inverter circuits (13) and (16) in the second IC (2A). Since the voltage is boosted and supplied to the internal logic circuit (2OA) 2, there is no need to use a special circuit such as a level converter, the circuit configuration is simple, and manufacturing costs can be reduced.

次に、動作電源電圧が高い内部論理回路を有する第1の
ICから動作電源電圧が低い第2のICへバスラインを
介して信号を伝送するシステムに本発明を適用した例を
第5図を参照して説明する。
Next, FIG. 5 shows an example in which the present invention is applied to a system in which signals are transmitted via a bus line from a first IC having an internal logic circuit with a high operating power supply voltage to a second IC having a low operating power supply voltage. Refer to and explain.

この第2図に対応する部分に同一符号を付して示す第5
図において、(IA)は第1のIC,(24)は動作電
源電圧が3Vの第2のICであり、この第2の■c(2
4)の電源端子に3Vの直流電圧電源を接続し接地端子
を接地する。
5. Parts corresponding to those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.
In the figure, (IA) is the first IC, (24) is the second IC whose operating power supply voltage is 3V, and this second
4) Connect a 3V DC voltage power source to the power terminal and ground the ground terminal.

また、(3八)は第1のIC(IA>の主要部であり動
作電源電圧が5Vの内部論理回路を示し、この第1のI
C(LA)においては第2図例のバッファ回路としての
(、−MOSインバータ回路(16)を省略し、電源端
子(IC)に3Vの直流電圧電源を接続する。
Further, (38) indicates an internal logic circuit which is the main part of the first IC (IA>) and has an operating power supply voltage of 5V.
In C(LA), the (-MOS inverter circuit (16) as the buffer circuit in the example of FIG. 2 is omitted, and a 3V DC voltage power source is connected to the power supply terminal (IC).

この第1のIC(LA)の他の構成は第2図の第1のI
 C(1)と同じであり、第1のI C(LA>の出力
端子(1d)をハスライン(10)を介して第2のIC
(24)の3 4 入力端子に接続する。
The other configuration of this first IC (LA) is the first I in FIG.
The output terminal (1d) of the first IC (LA>) is connected to the second IC via the hash line (10).
(24)-3 4 Connect to the input terminal.

第5図例によれば内部論理回路(3A)の最大レベルが
5v程度の信号が、C−MOSインバータ回路(9)に
よって最大レベルが3vの信号に変換されてバスライン
(10)を介して第2のIC(24)に伝送される。即
ち、この第1の■c(IA)中のC−MOSインバータ
回路〔9)はバッファ回路とレベル変m器との2つの機
能を兼用しており、本例によれば回路構成が簡単である
利益がある。
According to the example in FIG. 5, a signal with a maximum level of about 5V from the internal logic circuit (3A) is converted into a signal with a maximum level of 3V by the C-MOS inverter circuit (9), and is transmitted via the bus line (10). It is transmitted to the second IC (24). That is, the C-MOS inverter circuit [9] in the first ■c (IA) has two functions: a buffer circuit and a level transformer, and according to this example, the circuit configuration is simple. There is a certain benefit.

尚、本発明は上述実施例に限定されず本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、その他種々の構成を採り得ることは勿
論である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various other configurations may be adopted without departing from the gist of the present invention.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、内部の論理回路部の電源電圧が高く設
定できる一方でバスラインを伝送される信号の最大レベ
ルが低く設定できるので、その内部の論理回路部の動作
速度を速く維持した上でそのバスラインにおける漏れ電
力や不要輻射を低減できる利益がある。
According to the present invention, the power supply voltage of the internal logic circuit section can be set high while the maximum level of the signal transmitted through the bus line can be set low. This has the advantage of reducing leakage power and unnecessary radiation on the bus line.

更に、1個又は縦続接続した複数個のC−MOSインバ
ータ回路を付加するだけで、動作電源電圧の異なるIC
同士を電気的に接続できる利益がある。
Furthermore, by simply adding one C-MOS inverter circuit or multiple cascaded C-MOS inverter circuits, ICs with different operating power supply voltages can be integrated.
There is an advantage in that they can be electrically connected to each other.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は第1
図例のブロック図、第3図はC−MOSインバータ回路
の人出力特性を示す線図、第4図は本発明の他の実施例
を示す構成図、第5図は本発明の第3実施例を示す構成
図である。 (1)は第1のI C、(2)は第2のIC1(3)は
内部論理回路、(9)、 (13)、 (16)は夫々
(、MOSインバータ回路、(10)はバスライン、(
20)は内部論理回路である。 代  理  人 松  隈  秀  盛 5 6 特開平3 125515 (6) 「 一一 XJ1 「− 一−−] 第 3 の実売例 第5図
FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a diagram showing the human output characteristics of a C-MOS inverter circuit, FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. It is a block diagram which shows an example. (1) is the first IC, (2) is the second IC, (3) is the internal logic circuit, (9), (13), and (16) are each (, MOS inverter circuit, and (10) is the bus line,(
20) is an internal logic circuit. Agent Hideo Hitomatsu Kuma Mori 5 6 JP-A-3 125515 (6) ``11 XJ1 ``-1--'' 3rd actual sales example Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 内部の論理回路部の電源電圧より低い電圧で動作する1
個又は縦続接続した複数個のC−MOSインバータ回路
を上記論理回路部とバスラインとのインタフェース回路
として有することを特徴とする集積回路。
Operates at a voltage lower than the power supply voltage of the internal logic circuit 1
1. An integrated circuit comprising: one or a plurality of cascade-connected C-MOS inverter circuits as an interface circuit between the logic circuit section and a bus line.
JP1264657A 1989-10-11 1989-10-11 Integrated circuit Pending JPH03125515A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6850090B2 (en) 2002-10-31 2005-02-01 Nec Electronics Corporation Level shifter
US7224186B2 (en) 2004-02-19 2007-05-29 Elpida Memory Inc. Semiconductor circuit device

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