JPH03120454A - イオン選択性電極 - Google Patents
イオン選択性電極Info
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- JPH03120454A JPH03120454A JP1258517A JP25851789A JPH03120454A JP H03120454 A JPH03120454 A JP H03120454A JP 1258517 A JP1258517 A JP 1258517A JP 25851789 A JP25851789 A JP 25851789A JP H03120454 A JPH03120454 A JP H03120454A
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- Inert Electrodes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、化学分析の分野において、水性液体試料の中
にあるイオンを定量するのに適した、イオン選択性電極
に間する。
にあるイオンを定量するのに適した、イオン選択性電極
に間する。
「従来の技術」
血液に代表される種々の生物体液中のK”、Na0およ
び01−イオン濃度をポテンショメトリックに測定する
ためのイオン選択電極として、USP4214968に
、導電性金属層の上に金属ハロゲン化物を積層した参照
電極上にハロゲン含、有電解質層イオン選択物質含有層
を積層したイオン選択電極が記載されている。
び01−イオン濃度をポテンショメトリックに測定する
ためのイオン選択電極として、USP4214968に
、導電性金属層の上に金属ハロゲン化物を積層した参照
電極上にハロゲン含、有電解質層イオン選択物質含有層
を積層したイオン選択電極が記載されている。
このイオン選択電極は優れた性能を持ち、高感度でイオ
ン濃度を決定することができるが、高価であり、毒性の
大きいイオン選択物質であるパリノマイシン、メチルモ
ネンシンを多量に使用すること、レスポンスタイムが長
いことなどの欠点を有する。
ン濃度を決定することができるが、高価であり、毒性の
大きいイオン選択物質であるパリノマイシン、メチルモ
ネンシンを多量に使用すること、レスポンスタイムが長
いことなどの欠点を有する。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明の目的は、高価でかつ毒性の大きいイオン選択物
の使用量を減少せしめることによって、にり安く、より
安全なポテンショメトリックな測定を行うイオン選択電
極を提供することにある。
の使用量を減少せしめることによって、にり安く、より
安全なポテンショメトリックな測定を行うイオン選択電
極を提供することにある。
本発明の他の目的は、レスポンスタイムの早いポテンシ
ョメトリックな測定を行うイオン選択電極を提供しよう
とするものである。
ョメトリックな測定を行うイオン選択電極を提供しよう
とするものである。
r問題を解決するための手段」
本発明のこれらの目的は、イオン選択物質を含む薄層/
ポリマーM/イオン選択物質を含む薄層、か6成るイオ
ン選択性膜(ISM)を有することを特徴とするイオン
選択性電極、により達成された。以下に、本発明を更に
詳細に説明する。
ポリマーM/イオン選択物質を含む薄層、か6成るイオ
ン選択性膜(ISM)を有することを特徴とするイオン
選択性電極、により達成された。以下に、本発明を更に
詳細に説明する。
本発明になるイオン選択、性電極は、絶縁性支持体の上
に導電性金属層、該導電性金属のハロゲン化物層、ハロ
ゲン含有電解質層、イオン選択物質を含有する疎水性バ
インダー薄層、ポリマー層、イオン選択物質を含有する
疎水性バインダーi1F’をこの順に積層してなる。
に導電性金属層、該導電性金属のハロゲン化物層、ハロ
ゲン含有電解質層、イオン選択物質を含有する疎水性バ
インダー薄層、ポリマー層、イオン選択物質を含有する
疎水性バインダーi1F’をこの順に積層してなる。
電気絶縁性支持体は、実質的に電気絶縁性の公知の有機
ポリマー又はガラス支持体から適宜選択して用いること
ができる。好ましい電気絶縁性支持体の例として、シー
ト状のビスフェノールAのポリカーボネート、ポリエチ
レンテレフタレート、セルロースエステル(例:セルロ
ーストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネ
ート)等がある。シート状支持体の厚さは約80μm〜
約2mm、好ましくは約100μm〜約1mmの範囲で
ある。
ポリマー又はガラス支持体から適宜選択して用いること
ができる。好ましい電気絶縁性支持体の例として、シー
ト状のビスフェノールAのポリカーボネート、ポリエチ
レンテレフタレート、セルロースエステル(例:セルロ
ーストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネ
ート)等がある。シート状支持体の厚さは約80μm〜
約2mm、好ましくは約100μm〜約1mmの範囲で
ある。
導電性金属層に用いることができる金属の例として、銀
、ニッケル、金、白金等があり、これらの内で好ましい
金属は銀である。導電性金属層は、例えば無電解メツキ
、真空蒸着等の公知の方法により支持体の表面上に被覆
された層を用いることができる。導電性金属層は、厚さ
で約400nm以上、好ましくは約600 nmへ12
μmの範囲、又は被覆量で約100 m g /m2〜
約2.0g/m2の範囲である。
、ニッケル、金、白金等があり、これらの内で好ましい
金属は銀である。導電性金属層は、例えば無電解メツキ
、真空蒸着等の公知の方法により支持体の表面上に被覆
された層を用いることができる。導電性金属層は、厚さ
で約400nm以上、好ましくは約600 nmへ12
μmの範囲、又は被覆量で約100 m g /m2〜
約2.0g/m2の範囲である。
導電性金属のハロゲン化物N(以下、金属ハロゲン化物
層という)は、特開昭52−142584、同56−3
3537、同57−17851等に記載の公知の方法に
より設けることができる。
層という)は、特開昭52−142584、同56−3
3537、同57−17851等に記載の公知の方法に
より設けることができる。
即ち、被覆された金属層をハロゲン化物含有酸化剤で酸
化−ハロゲン化処理する方法、金属ハロゲン化物を真空
蒸着又は化学蒸着する方法等により形成することができ
る。金属ハロゲン化物層の被覆量は約100mg/m2
〜約2.0g/m2の範囲である。導電性金属層、金属
ハロゲン化物層の最も好ましい組合せは銀層−塩化銀層
である。以下において、 (支持体を含めて)導電性金
属層とその上に積層された導電性金属のハロゲン化物の
層からなる半電池(または単極)を参照電極と称するこ
とがある。
化−ハロゲン化処理する方法、金属ハロゲン化物を真空
蒸着又は化学蒸着する方法等により形成することができ
る。金属ハロゲン化物層の被覆量は約100mg/m2
〜約2.0g/m2の範囲である。導電性金属層、金属
ハロゲン化物層の最も好ましい組合せは銀層−塩化銀層
である。以下において、 (支持体を含めて)導電性金
属層とその上に積層された導電性金属のハロゲン化物の
層からなる半電池(または単極)を参照電極と称するこ
とがある。
イオン選択層はポリマーバインダー イオン担体及びイ
オン担体溶媒が含まれる公知のイオン選択層から適宜に
選択して用いることができる。
オン担体溶媒が含まれる公知のイオン選択層から適宜に
選択して用いることができる。
イオン選択層に用いることができるポリマーバインダー
としては、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン−塩化
ビニルコポリマー 塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー
塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール3元コポ
リマー 塩化ビニリデン−アクリロニトリルコポリマー
カルボキシル化ポリ塩化ビニル、ビスフェノールAの
ポリカルボネート等がある。
としては、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン−塩化
ビニルコポリマー 塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー
塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール3元コポ
リマー 塩化ビニリデン−アクリロニトリルコポリマー
カルボキシル化ポリ塩化ビニル、ビスフェノールAの
ポリカルボネート等がある。
イオン担体としてはクラウンエーテル化合物が用いられ
、特に、K0イオンにはパリノマイシンが、Na”イオ
ンにはメチルモネンシンが好ましい。
、特に、K0イオンにはパリノマイシンが、Na”イオ
ンにはメチルモネンシンが好ましい。
イオン担体溶媒としては、ジデシルフタレート、ジイソ
デシルフタレート、ジオクチルフタレート、ジオクチル
セバケート、ジオクチルアジペート、トリオクチルトリ
メリテート、トリス(2−エチルヘキシル)ホスフェー
ト、ジオクチルグルタレート等の常温で液体の種々のポ
リマー可塑剤を用いることができる。
デシルフタレート、ジオクチルフタレート、ジオクチル
セバケート、ジオクチルアジペート、トリオクチルトリ
メリテート、トリス(2−エチルヘキシル)ホスフェー
ト、ジオクチルグルタレート等の常温で液体の種々のポ
リマー可塑剤を用いることができる。
イオン選択層にはこの他に界面活性剤を含有させること
ができる。界面活性剤としては、オクチルフェノキシポ
リエトキシエタノール、p−ノニルフェノキシポリグリ
シドール等のノニオン界面活性剤、ポリ(ジオクチルー
コーメチルフェニルシロキサン)等のポリシロキサン構
造を有するシリコーン系界面活性剤等を用いることがで
きる。
ができる。界面活性剤としては、オクチルフェノキシポ
リエトキシエタノール、p−ノニルフェノキシポリグリ
シドール等のノニオン界面活性剤、ポリ(ジオクチルー
コーメチルフェニルシロキサン)等のポリシロキサン構
造を有するシリコーン系界面活性剤等を用いることがで
きる。
本発明におけるイオン選択層は、イオン選択物質を含む
薄層/ポリマーM/イオン選択物質を含む薄層、03層
から成ることを特徴とする。
薄層/ポリマーM/イオン選択物質を含む薄層、03層
から成ることを特徴とする。
該イオン選択物質を含む薄層の膜厚は、均一に塗布し得
る範囲内において薄い程好ましいが、−船釣には1〜7
.5μm、好ましくは2〜5μmである。ただし、イオ
ン選択層全体の厚さは取扱性の観点から、約10〜50
μm、好ましくは約20〜約40μmの範囲で、用いる
ボリマーバインダーの種類により適宜選択することがで
きる。
る範囲内において薄い程好ましいが、−船釣には1〜7
.5μm、好ましくは2〜5μmである。ただし、イオ
ン選択層全体の厚さは取扱性の観点から、約10〜50
μm、好ましくは約20〜約40μmの範囲で、用いる
ボリマーバインダーの種類により適宜選択することがで
きる。
該ポリマー層としては、イオン選択物質を含む薄層を重
層塗布できるものであれば特に制限は無いが、水溶性液
体の拡散時間が短くなるので、親水性のポリマーを用い
ることがより好ましい。
層塗布できるものであれば特に制限は無いが、水溶性液
体の拡散時間が短くなるので、親水性のポリマーを用い
ることがより好ましい。
親水性ポリマーバインダーとしては、ゼラチン、アガロ
ース、セルロースエステル、ポリビニルアルコール及び
ポリアクリレートーコーアクリルアミドーコーメタクリ
ルアルコール、ポリビニルカルバゾール等の合成ビニル
ポリマー等を用いることができる。
ース、セルロースエステル、ポリビニルアルコール及び
ポリアクリレートーコーアクリルアミドーコーメタクリ
ルアルコール、ポリビニルカルバゾール等の合成ビニル
ポリマー等を用いることができる。
イオン選択層の成分組成比は以下の通りである。
ポリマーバインダー:5.0g〜25gイオン担体
: 1.0g〜25gイオン担体溶媒 :1.
Og〜25gイオン交換体 : 100mg〜lOg
妨害物質排除成分 二〇〜5.0g 界面活性剤 :10mg〜2.5g(添加量0はそ
の成分を含まないことを表す)イオン選択層は特開昭5
2−142584、同56−92442等に記載の公知
の方法に従って設けることができる。イオン担体をイオ
ン担体用溶媒に溶解させたものをポリマーバインダーの
溶液中に溶解あるいは分散させたものをハロゲン化イオ
ンを持つ電解質を有する参照電極の金属ハロゲン化物層
の上に塗布し乾燥させてポリマーバインダーの溶液の溶
媒を除去することにより形成することができる。ポリマ
ーバインダーの溶液に用い得る溶媒としては、メチルエ
チルケトン、2−ブタノン、テトラヒドロフランをはじ
め種々の公知の有機溶媒がある。
: 1.0g〜25gイオン担体溶媒 :1.
Og〜25gイオン交換体 : 100mg〜lOg
妨害物質排除成分 二〇〜5.0g 界面活性剤 :10mg〜2.5g(添加量0はそ
の成分を含まないことを表す)イオン選択層は特開昭5
2−142584、同56−92442等に記載の公知
の方法に従って設けることができる。イオン担体をイオ
ン担体用溶媒に溶解させたものをポリマーバインダーの
溶液中に溶解あるいは分散させたものをハロゲン化イオ
ンを持つ電解質を有する参照電極の金属ハロゲン化物層
の上に塗布し乾燥させてポリマーバインダーの溶液の溶
媒を除去することにより形成することができる。ポリマ
ーバインダーの溶液に用い得る溶媒としては、メチルエ
チルケトン、2−ブタノン、テトラヒドロフランをはじ
め種々の公知の有機溶媒がある。
以下に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
「実施例」
(1)Ag/AgC1電極の作成
厚さ180μmのポリエチレンテレフタレート(P E
T−)フィルムに、厚さ8000Aの銀層を蒸着した
連続蒸着膜を作り、幅24mmに切断した。このフィル
ムの幅方向中央に深さ70μmの溝をナイフの先端を用
いて切り込んだ。また両端に3mmMでポリ塩化ビニル
のトルエン−メチルエチルケトン混合溶液(剥離除去可
能な皮膜形成性マスク用レジスト)を塗布、乾燥し、厚
さ30μmの保護膜を設けた。塩酸60m−mol/1
、重クロム酸カリウム12m−mol/1を含む酸化ハ
ロゲン化処理液中で、30℃で90秒浸漬後、水洗乾燥
し、シート状Ag/AgC1電極を作成した。
T−)フィルムに、厚さ8000Aの銀層を蒸着した
連続蒸着膜を作り、幅24mmに切断した。このフィル
ムの幅方向中央に深さ70μmの溝をナイフの先端を用
いて切り込んだ。また両端に3mmMでポリ塩化ビニル
のトルエン−メチルエチルケトン混合溶液(剥離除去可
能な皮膜形成性マスク用レジスト)を塗布、乾燥し、厚
さ30μmの保護膜を設けた。塩酸60m−mol/1
、重クロム酸カリウム12m−mol/1を含む酸化ハ
ロゲン化処理液中で、30℃で90秒浸漬後、水洗乾燥
し、シート状Ag/AgC1電極を作成した。
(2)ナトリウムイオン選択電極の作成下記組成の溶液
を上記のAg/AgC1電極上に塗布、乾燥して内部参
照電極を作成した。
を上記のAg/AgC1電極上に塗布、乾燥して内部参
照電極を作成した。
塩化ナトリウム 6g水
60gエタノール
40gその後、下記組成の溶液
を乾燥膜厚が2.5μmになるように塗布した。
60gエタノール
40gその後、下記組成の溶液
を乾燥膜厚が2.5μmになるように塗布した。
また、比較例として、同様の溶液で乾燥膜厚25μmに
なるように塗布した試料も作成した。
なるように塗布した試料も作成した。
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体 0.9g(重合比=
90: 10 ユニオンカーバイド社製VYNS) ジオクチルセバケート 1.2gメチルモネ
ンシン 0.1gテトラフェニルはう酸
0.002gナトリウム メチルエチルケトン 5.0g界面活性剤
1% 0.06g(信越化学型 5H5
10) 次に、鹸化度85%のポリビニルアルコールくPVA)
の10%溶液を塗布して乾燥膜厚が15μmとした。乾
燥後、上記のメチルモネンシンを含む組成の溶液を更に
塗布して乾燥膜厚を同じく2.5μmとした。
90: 10 ユニオンカーバイド社製VYNS) ジオクチルセバケート 1.2gメチルモネ
ンシン 0.1gテトラフェニルはう酸
0.002gナトリウム メチルエチルケトン 5.0g界面活性剤
1% 0.06g(信越化学型 5H5
10) 次に、鹸化度85%のポリビニルアルコールくPVA)
の10%溶液を塗布して乾燥膜厚が15μmとした。乾
燥後、上記のメチルモネンシンを含む組成の溶液を更に
塗布して乾燥膜厚を同じく2.5μmとした。
次に、両端部に塗布されているレジスト層を静かにはぎ
とり、銀蒸着面を電気接続端子部として露出させた。こ
れを輻5mmに切断し、ナトリウムイオン選択電極とし
た。
とり、銀蒸着面を電気接続端子部として露出させた。こ
れを輻5mmに切断し、ナトリウムイオン選択電極とし
た。
(3)カリウムイオン選択電極の作成
下記組成の溶液を前記のAg/AgC1電極上に塗布、
乾燥した。
乾燥した。
塩化ナトリウム 2.78g塩化カリウ
ム 2.22gn−プロピルアルコー
ル 32g水
96g界面活性剤 1%
0.06g(信越化手製 5H510) その上に、下記組成の溶液を乾燥膜厚3μmになるよう
に塗布した。
ム 2.22gn−プロピルアルコー
ル 32g水
96g界面活性剤 1%
0.06g(信越化手製 5H510) その上に、下記組成の溶液を乾燥膜厚3μmになるよう
に塗布した。
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体 0.9g(重合比=
90: 10 ユニオンカーバイド社製VYNS) ジオクチルフタレート 2.4gパリノマイ
シン 44mgテトラキスパラクロロ
6mgフェニルはう酸カリウム メチルエチルケトン 5.0g界面活性剤
1% 0.05g(信越化手製 5H5
10) 次に、前記のPVAl0%溶液を塗布して乾燥膜厚25
μmとした。乾燥後、上記パリノマイシンを含む組成の
溶液を更に塗布して乾燥膜厚を同じく3μmとした。
90: 10 ユニオンカーバイド社製VYNS) ジオクチルフタレート 2.4gパリノマイ
シン 44mgテトラキスパラクロロ
6mgフェニルはう酸カリウム メチルエチルケトン 5.0g界面活性剤
1% 0.05g(信越化手製 5H5
10) 次に、前記のPVAl0%溶液を塗布して乾燥膜厚25
μmとした。乾燥後、上記パリノマイシンを含む組成の
溶液を更に塗布して乾燥膜厚を同じく3μmとした。
次に、両端部に塗布されているレジスト層を静かにはぎ
取り、銀蒸着面を電気接続端子として露出させ、カリウ
ムイオン選択電極を完成した。
取り、銀蒸着面を電気接続端子として露出させ、カリウ
ムイオン選択電極を完成した。
また、比較例として、上記パリノマイシンを含む組成の
溶液を乾燥膜厚30μmになるように塗布した試料も作
成した。
溶液を乾燥膜厚30μmになるように塗布した試料も作
成した。
ヘパリン採血した全血60μlを、参照液用の液供給孔
には下記組成の参照液を、同時にそれぞれ点着し、1分
後に発生する電位差を、各電極の端子を介してオリオン
マイクロプロセッサ−モデル901 (Or i o
n社製)により測定した。
には下記組成の参照液を、同時にそれぞれ点着し、1分
後に発生する電位差を、各電極の端子を介してオリオン
マイクロプロセッサ−モデル901 (Or i o
n社製)により測定した。
比較のため、従来の方法で作成したISMを持つイオン
選択電極を用いた電位測定も行った。
選択電極を用いた電位測定も行った。
第1表に点着1分後のイオン選択電極の電位差の5回の
測定から検量線を用いて求めたイオン活tn<平均値)
を示す。
測定から検量線を用いて求めたイオン活tn<平均値)
を示す。
第1表
第1表から明かなように、中間にポリマー層を含む本発
明のISMを用いても、全層が均一な組成のISMを用
いても、同様な結果が得られた。
明のISMを用いても、全層が均一な組成のISMを用
いても、同様な結果が得られた。
このことは、ISMに使用する高価でかつ毒性の高い試
薬の使用量を従来の20〜25%に減少せしめ得ること
を示している。
薬の使用量を従来の20〜25%に減少せしめ得ること
を示している。
(4)レスポンスタイムの測定
本発明のに0電極と、従来法で作成したに9電極のレス
ポンスタイムを比較した。検体及び参照液は、上記と同
一の試料を用い、電位が安定するまでの時間を測定した
。結果を第1図に示す。従来法の疎水性バインダー/オ
イル系でなく、本発明の親水性バインダーを用いること
によフて点着液の通水性が良くなり、レスポンスタイム
が半減していることが判る。これは測定上極めて好まし
いことである。
ポンスタイムを比較した。検体及び参照液は、上記と同
一の試料を用い、電位が安定するまでの時間を測定した
。結果を第1図に示す。従来法の疎水性バインダー/オ
イル系でなく、本発明の親水性バインダーを用いること
によフて点着液の通水性が良くなり、レスポンスタイム
が半減していることが判る。これは測定上極めて好まし
いことである。
第1図は、イオン選択性電極が異なる場合の、測定のレ
スポンスタイムを示す。゛ 本発明の、2Nのイオン選択層の中間にあるポリマー層
が親水性のイオン選択性電極を用いた場合には、従来法
で作成されたイオン選択性電極を用いた場合より、レス
ポンスタイムが短いことが判る。
スポンスタイムを示す。゛ 本発明の、2Nのイオン選択層の中間にあるポリマー層
が親水性のイオン選択性電極を用いた場合には、従来法
で作成されたイオン選択性電極を用いた場合より、レス
ポンスタイムが短いことが判る。
Claims (2)
- (1)イオン選択物質を含む薄層/ポリマー層/イオン
選択物質を含む薄層、から成るイオン選択性膜(ISM
)を有することを特徴とするイオン選択性電極。 - (2)請求項(1)において、該ポリマー層が親水性ポ
リマーであることを特徴とするイオン選択性電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1258517A JPH03120454A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | イオン選択性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1258517A JPH03120454A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | イオン選択性電極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03120454A true JPH03120454A (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=17321312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1258517A Pending JPH03120454A (ja) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | イオン選択性電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03120454A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100381811C (zh) * | 2004-12-20 | 2008-04-16 | 西北师范大学 | 纳米二氧化铈选择性膜电极的制作方法 |
-
1989
- 1989-10-03 JP JP1258517A patent/JPH03120454A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100381811C (zh) * | 2004-12-20 | 2008-04-16 | 西北师范大学 | 纳米二氧化铈选择性膜电极的制作方法 |
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