JPH03119738A - Manufacture of two-layer tab - Google Patents

Manufacture of two-layer tab

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JPH03119738A
JPH03119738A JP25648089A JP25648089A JPH03119738A JP H03119738 A JPH03119738 A JP H03119738A JP 25648089 A JP25648089 A JP 25648089A JP 25648089 A JP25648089 A JP 25648089A JP H03119738 A JPH03119738 A JP H03119738A
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JP
Japan
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layer
lead
substrate
resist
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP25648089A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Takatsu
明郎 高津
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP25648089A priority Critical patent/JPH03119738A/en
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Abstract

PURPOSE:To eliminate a deformation of a substrate and a lead by a method wherein, after the lead is formed on the surface of the substrate, a lead formation face is covered wholly with a metal film whose property is different from that of a metal material used as the lead, a metal layer is formed additionally on the whole surface, a polyimide layer on the rear surface of the substrate is dissolved and processed and, after that, the metal layer on the surface of the substrate is removed. CONSTITUTION:A substratum metal layer 1 is applied to the surface of a polyimide- resin film substrate 2; the layer is coated with a photosensitive resist layer 3; also the rear surface of the substrate 2 is coated with a photosensitive resist layer 4. Then, the layers 3 and 4 are irradiated with light via a photomask; the layer 3 is first developed; a resist pattern 5 is formed on the layer 1; a lead pattern 6 is formed in an exposed part of the layer 1; also the layer 4 on the rear surface of the substrate 2 is developed in the same manner; a resist pattern 7 is formed. After that, the pattern 5 is removed; the substratum metal layer 1 of the pattern 6 is dissolved; a lead 8 is formed; after that, the surface of the lead 8 is covered with a metal film 9. Then, the lead 8 and a polyimide-exposed part on the surface are covered wholly with a metal layer 10.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電子部品に実装される2層TAB  (Tw。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention is a two-layer TAB (Tw.

Layers 丁ape Automated Bon
ding )の製造方法に係るものである。
Layers Dipe Automated Bon
ding).

(従来の技術) 近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており
、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼
性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対
する要求が高まってきている。これに従って、新しい素
子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特に
ICパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ICパッケージにおける多ピン化の
要求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。
(Prior art) In recent years, the electronics industry has been rapidly developing multifunctional devices with low cost and high reliability. There is an increasing demand for small devices that have multiple functions, are lightweight, and thin. Accordingly, the development of new element packaging technology is becoming more and more important day by day, and in particular, miniaturization and diversification of IC packages are being developed as important issues. With the progress of such element mounting technology, there is a demand for finer pin spacing that can meet the demand for increased pin counts in small IC packages.

TABはポリイミド等のテープ状合成樹脂フィルム基板
上に多数のボンディング用金属細密リードパターンを施
したものであり、その特徴としては、テストパッドを有
しているので、ボンディング後にボンディング不良やチ
ップ不良を基板実装前に発見でき、またワイヤーボンデ
ィングに比しICパッドの大きさが小さくてよく、−層
の多ピン化が可能であるなどその利点が多い。
TAB is a tape-shaped synthetic resin film substrate made of polyimide or the like, with many fine metal lead patterns for bonding, and its feature is that it has a test pad, so it can be used to detect bonding defects and chip defects after bonding. It has many advantages, such as being able to be discovered before board mounting, requiring smaller IC pads than wire bonding, and allowing for multiple pins on the negative layer.

TABはその構造上からIITAB 、2層TAB及び
3層重ARの3種類に大別される。1層重ABはパター
ニング処理を施した銅箔等の金属テープのみによって構
成されるものを云うが、金属層自体の厚みがせいぜい数
十μm程度であるために機械的強度に乏しく、施し得る
ピン数に限界があるので高密度化に適さない。この1層
TABの欠点を補うためにグラスチックフィルム基板上
に接着剤を用いて金属箔を張り合せた後、金属箔にパタ
ーニング処理を施した3層TABが開発されたが、この
3層TABにおいては中間層として使用する接着剤の影
響によって、基板にポリイミド樹脂のような絶縁性の高
いプラスチックフィルムを使用していても、ピン間の絶
縁性を十分に確保することができないと云う欠点を有す
る。
TABs are roughly divided into three types based on their structure: IITAB, two-layer TAB, and three-layer AR. Single-layer AB is composed only of patterned metal tape such as copper foil, but since the thickness of the metal layer itself is several tens of micrometers at most, it lacks mechanical strength, and the pins that can be applied to it are poor. Since the number is limited, it is not suitable for high density. In order to compensate for the shortcomings of this one-layer TAB, a three-layer TAB was developed in which a metal foil was laminated onto a glass film substrate using an adhesive, and then the metal foil was patterned. However, due to the influence of the adhesive used as an intermediate layer, even if a highly insulating plastic film such as polyimide resin is used for the substrate, sufficient insulation between the pins cannot be ensured. have

2層重ARは、プラスチックフィルム基板表面に接着剤
によらず、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等によっ
て直接金属層を形成させて、これにパターニング処理を
施したものであって、接着剤を使用しないので、電気絶
縁性についての問題を生ずることなく安定的に使用する
ことができるので将来性が期待されている。
Double-layer AR is a product in which a metal layer is formed directly on the surface of a plastic film substrate by sputtering, vacuum evaporation, plating, etc. without using an adhesive, and then patterned. Because it does not use any electrical insulation, it can be used stably without causing any problems with electrical insulation, so it is expected to have good prospects in the future.

この2層TA8表面のパターニング処理によってリード
を形成する方法には、前述したようにスパッター法、真
空蒸着法の如き乾式表面処理法、または無電解めっき法
の如き湿式表面処理法を用いてプラスチ・ツクフィルム
基板表面に被着させた下地金属層上に、形成させようと
するリードの厚み以上の厚さに感光性レジストを塗布し
ておき、この上にマスキングを施して、露光、現像処理
を行なうことによりレジストパターンを形成した後、電
気めっきによりリードを形成するアディティブ法と、下
地金属層に予めリードの厚みまで電気めっきにより金属
層を形成しておいて、前記と同様な手法でレジストパタ
ーンの形成を行ない、これにエツチングを施すことによ
ってリードを形成するサブトラクティブ法とがある。
As described above, the method for forming leads by patterning the two-layer TA8 surface involves using a dry surface treatment method such as sputtering or vacuum evaporation, or a wet surface treatment method such as electroless plating. A photosensitive resist is coated on the underlying metal layer that is adhered to the surface of the film substrate to a thickness that is greater than the thickness of the leads to be formed, masking is applied on top of this, and exposure and development processing is performed. There is an additive method in which a resist pattern is formed by electroplating, and then leads are formed by electroplating.A metal layer is formed on the underlying metal layer by electroplating in advance to the thickness of the leads, and then a resist pattern is formed by the same method as above. There is a subtractive method in which leads are formed by etching the lead.

何れの場合においても、基体として用いるプラスチック
フィルム基板としては、電気絶縁性が高くまた熱安定性
に優れたポリイミド樹脂が使用され、また被着金属層に
は安価で電気伝導性鋼が通常使用される。
In either case, a polyimide resin with high electrical insulation and excellent thermal stability is used for the plastic film substrate used as the base, and inexpensive and electrically conductive steel is usually used for the deposited metal layer. Ru.

このようにして得られた2層TABをICチップに連続
的にボンディングするためには、テープ送り用の送り穴
(以下「スプロケットホール」と称する)、リード先端
を露出させてICチップと接合させるための穴(以下「
デバイスホール」と称する)、リード後端部を外部回路
に接続するための穴(以下r 01Bホール」と称する
)を化学的エツチングにより設けることが必要である。
In order to continuously bond the two-layer TAB obtained in this way to an IC chip, the tape feed hole (hereinafter referred to as "sprocket hole") and the lead tip are exposed and bonded to the IC chip. Hole for (hereinafter referred to as “
It is necessary to provide a hole (hereinafter referred to as "r01B hole") for connecting the rear end of the lead to an external circuit by chemical etching.

これらの各ホールはテープのポリイミド側上にレジスト
パターンを形成した後、これによって生じるポリイミド
樹脂の露出部を溶解することによって形成する方法が一
般的であるが、先に形成したリード側にもポリイミドの
露出部があるためリード形成直後に、ポリイミドのエツ
チング液に耐えられるような有機樹脂層を塗布してリー
ド側のポリイミドを保護する必要がある。通常この有機
樹脂層の形成は液状の樹脂を塗布したのちに、これを硬
化させる方法が採られており、ポリイミドのエツチング
液には通常強アルカリ液が用いられることから、有機樹
脂液としてはゴム系、エポキシ系の樹脂が一般的に用い
られている。
These holes are generally formed by forming a resist pattern on the polyimide side of the tape and then melting the resulting exposed portion of the polyimide resin. Immediately after forming the leads, it is necessary to apply an organic resin layer that can withstand the polyimide etching solution to protect the polyimide on the lead side. Normally, this organic resin layer is formed by applying a liquid resin and then curing it.Since a strong alkaline solution is usually used as an etching solution for polyimide, the organic resin solution is not suitable for rubber. and epoxy resins are commonly used.

(発明が解決しようとする課題) しかして有機樹脂液をリード側に塗布し、これによって
保護層を形成する場合に、塗布した有機樹脂に強度を持
たせるために加熱乾燥処理を施すことによって溶剤の除
去をはかる必要があるが、多くの場合において、この乾
燥処理には100℃以上の温度での加熱が必要である。
(Problem to be Solved by the Invention) When applying an organic resin liquid to the lead side to form a protective layer, it is necessary to apply a heat drying process to the applied organic resin to give it strength. However, in many cases, this drying process requires heating at a temperature of 100° C. or higher.

このような高温での乾燥処理の結果溶剤除去の目的は達
成されるものの、この際に樹脂層自体が収縮を起して、
その結果これがポリイミド基板の変形を引き起して爾後
の加工作業を困難にするだけでなく、ときとしてはリー
ドの変形をもたらして製品の歩留まりを著しく低下させ
る原因となった。
Although the purpose of removing the solvent is achieved as a result of drying at such high temperatures, the resin layer itself shrinks during this process.
As a result, this not only causes deformation of the polyimide substrate and makes subsequent processing operations difficult, but also sometimes leads to deformation of the leads, causing a significant reduction in product yield.

本発明はリード保護に際しての上記したような問題を解
決し、従来の有機樹脂層に代わる優れた保護層を得る方
法を提供することを目的とするものである。
It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems in lead protection and to provide a method for obtaining an excellent protective layer in place of the conventional organic resin layer.

(課題を解決するための手段) 上記したような目的を達成するための本発明はポリイミ
ドフィルムの片面または両面に接着剤を用いることなく
下地金属層を形成したものを基体として2層TABを得
るに際し、該基体の上面にリードを形成した後、基体の
リード形成面全体をリードとして使用する金属材料とは
異なった性質の第2の金属材料による金属膜で被覆し、
しかる後さらに基体全面に亘って金属層を形成させ、次
に基体下面のポリイミド層の溶解加工を行なった後、基
体上面の金属層を溶解除去することを特徴とする2層T
ABの製造方法である。
(Means for Solving the Problems) To achieve the above-mentioned objects, the present invention obtains a two-layer TAB using a polyimide film with a base metal layer formed on one or both sides of the film as a base without using an adhesive. After forming leads on the upper surface of the base, the entire lead forming surface of the base is covered with a metal film made of a second metal material having different properties from the metal material used as the lead,
After that, a metal layer is further formed over the entire surface of the substrate, and then the polyimide layer on the bottom surface of the substrate is melted, and then the metal layer on the top surface of the substrate is dissolved and removed.
This is a method for manufacturing AB.

(作用) 次に本発明による2層重A8の製造方法についてその詳
細および作用について説明する。
(Function) Next, details and effects of the method for manufacturing the double layer A8 according to the present invention will be explained.

第1図(a)および(b)は本発明の2層TABの製造
方法の概略を工程順をおって図示した説明図であり、第
2図は本発明゛によって得られた2層TABの一例を示
すものの外観を示す部分平面図である。
FIGS. 1(a) and (b) are explanatory diagrams showing the outline of the manufacturing method of the two-layer TAB of the present invention in the order of steps, and FIG. FIG. 2 is a partial plan view showing the appearance of an example.

第1図(a)は第2図におけるX−Y断面に、また(b
)はX’−Y’断面に相当する部分の断面図である。
Figure 1 (a) shows the X-Y cross section in Figure 2, and (b)
) is a cross-sectional view of a portion corresponding to the X'-Y' cross section.

第1図(a)および(b)における左右同列に示される
図面は同一工程での各断面の状態を示すものである。な
お、本説明においては基体としては片面に下地金属層を
形成したポリイミドフィルム基板を用い、リード形成法
としてセミアデイティブ法を採用した場合を例にとった
The left and right drawings in FIGS. 1(a) and 1(b) show the state of each cross section in the same process. In this description, a polyimide film substrate with a base metal layer formed on one side is used as the base, and a semi-additive method is used as the lead forming method.

図において、1は上面下地金属層、2はポリイミド樹脂
基板、3および4はそれぞれ上面下地金属層1およびポ
リイミド基板2下面に形成された感光性レジスト層であ
る。5は上面のレジス1〜層3に主としてリードを形成
するためのマスキングを施し、露光現像することによっ
て形成させたレジスi・パターンである。6はレジスト
パターン5の下地金属層1露出部に電気めっきを施すこ
とによって形成されたリードパターンである。7は下面
のレジスト層に所定のポール形成のためのパターンが得
られるようにマスキングを施して露光現像して得られた
レジストパターンである。
In the figure, 1 is an upper base metal layer, 2 is a polyimide resin substrate, and 3 and 4 are photosensitive resist layers formed on the lower surface of the upper base metal layer 1 and the polyimide substrate 2, respectively. 5 is a resist i pattern formed by masking the resists 1 to 3 on the upper surface mainly for forming leads, and then exposing and developing them. A lead pattern 6 is formed by electroplating the exposed portion of the base metal layer 1 of the resist pattern 5. 7 is a resist pattern obtained by masking the resist layer on the lower surface so as to obtain a pattern for forming a predetermined pole, and then exposing and developing the resist layer.

8はレジストパターン5を除去後、リードパターン6の
間隙にある下地金属層1を溶解除去して電気的に独立し
た状態に形成したリードである。
Reference numeral 8 denotes a lead formed in an electrically independent state by removing the resist pattern 5 and then dissolving and removing the underlying metal layer 1 in the gap between the lead patterns 6.

9はリード8の表面全体に亘って電解することによって
形成した金属膜である。10は基体上面に亘って形成さ
れた金属層である。
A metal film 9 is formed by electrolyzing the entire surface of the lead 8. 10 is a metal layer formed over the top surface of the substrate.

11.12、および13はそれぞれレジストパターン7
に従って露出しなポリイミド層を溶解除去して形成され
たデバイスホール、叶Bホールおよびスプロケットホー
ルである。
11, 12, and 13 are resist patterns 7, respectively.
A device hole, a leaf B hole, and a sprocket hole are formed by dissolving and removing the exposed polyimide layer according to the method.

次に本発明の2層TABの製造方法について工程順に説
明する。
Next, the method for manufacturing the two-layer TAB of the present invention will be explained in order of steps.

先ず初めに金属層1をポリイミド樹脂フィルム基板1の
片面(上面)に形成する。本発明においては基本的に、
基体として上面に下地金属層1を接着剤なしで被着形成
させたテープ状のポリイミド樹脂フィルムを使用するも
のである。
First, a metal layer 1 is formed on one side (upper surface) of a polyimide resin film substrate 1. In the present invention, basically,
A tape-shaped polyimide resin film on which a base metal layer 1 is adhered without an adhesive is used as a base.

ポリイミド樹脂基板2の上面に形成する接着剤なしの下
地金属層1は該基板表面にスパッタ法、真空蒸着法、無
電解めっき法を適用するか、あるいはこれらの方法を組
み合わせることによって金属層の形成を行なうか、また
さらにこのようにして得られた金属層にさらに電解めっ
きを施してもよい。要はポリイミド樹脂2上に接着剤を
施すことなくして、直接的に金属層を確実に被着するこ
とが出来るものであれば、何れの方法を採用してもよい
The adhesive-free base metal layer 1 formed on the upper surface of the polyimide resin substrate 2 is formed by applying sputtering, vacuum evaporation, electroless plating, or a combination of these methods to the surface of the substrate. Alternatively, the metal layer thus obtained may be further subjected to electrolytic plating. In short, any method may be used as long as the metal layer can be directly and reliably deposited on the polyimide resin 2 without applying an adhesive.

下地金属層1に用いられる金属材料は、電気的性能、コ
スト面から一般には銅が採用されるが、ポリイミド層と
銅層との間にクロ、ニッケル等の薄膜を形成させること
により、その被着強度その他の性質の改善をはかるよう
にしてもよい。
Copper is generally used as the metal material for the base metal layer 1 in terms of electrical performance and cost. It is also possible to try to improve adhesion strength and other properties.

下地金属層1の厚みはリードパターン形成に際して行な
われる金属電気めっき時に前処理として行なわれるソフ
トエツチングに耐え得るような厚みであればよく、特に
その厚みに制限はないが後述するようなリード部独立形
成のための下地金属層1の部分的な溶解工程の作業性に
鑑み、05〜2μmの範囲にあることが望ましい。
The thickness of the base metal layer 1 may be such that it can withstand the soft etching that is performed as a pretreatment during metal electroplating that is performed when forming a lead pattern, and there is no particular restriction on the thickness, but the thickness may be such that it can withstand the soft etching that is performed as a pretreatment during metal electroplating that is performed when forming a lead pattern. In view of the workability of the partial melting process of the base metal layer 1 for formation, it is desirable that the thickness be in the range of 0.05 to 2 μm.

次に下地金属層1上に感光性レジスト層3を塗布する。Next, a photosensitive resist layer 3 is applied onto the base metal layer 1.

これに用いるレジストはリードの厚さが35μmである
ことが要求されることから、それ以上の厚塗りが可能で
あるものであればよい。
Since the resist used for this is required to have a lead thickness of 35 μm, any resist that can be coated thicker than that is sufficient.

レジストの種類は上記の如く厚塗りが可能であって、且
つリードパターン形成に際して使用される電気めっき液
に耐え得るものであれば一般市販のもので十分であり、
アクリル樹脂等に感光性の官能基を付与して光照射部分
が現像時に未溶解部分として残存するネガ型レジスト、
ノボラック樹脂等に感光性の官能基を付与して光照射部
分が現像時に溶解するポジ型レジストがあるが、両者は
フォトマスクのパターンを反転することによって何れの
タイプのものでも使用することができる。
As for the type of resist, any commercially available resist is sufficient as long as it can be applied thickly as described above and can withstand the electroplating solution used in forming the lead pattern.
A negative resist in which a photosensitive functional group is added to an acrylic resin or the like so that the light-irradiated portion remains as an undissolved portion during development;
There are positive resists in which a photosensitive functional group is added to a novolac resin etc. so that the light irradiated area dissolves during development, but either type can be used by reversing the photomask pattern. .

また、状態としては液状のものでも固形化したドライフ
ィルム形態のものでも使用が可能である。
Further, it can be used in either a liquid state or a solidified dry film form.

液状レジストを用いる場合には塗布方法としてバーコー
ド法、ディップコ−1・法、スピンコード法等の一般的
塗布方法のほかにレジスト液を帯電させて噴霧状にして
塗布を行なう静電塗装法でもよい。またリード形成に用
いられる電気めっき液に耐え得ることも必要である。
When using a liquid resist, in addition to general coating methods such as the bar code method, dipco-1 method, and spin code method, electrostatic coating methods that charge the resist liquid and apply it in the form of a spray can also be used. good. It also needs to be able to withstand the electroplating solution used for lead formation.

次にポリイミド下面に感光性レジストを塗布しレジスト
層4を形成させる(工程(イ))。ポリイミド面上に形
成されるレジスj・層4はポリイミド溶解除去に際して
使用される溶解液に耐え得るものであればよい。一般的
にポリイミド溶解液は強アルカリ性であるから、ゴム系
レジストが好適である。レジスト層4の厚さも特に制限
はないが、溶解後のポリイミドのパターン精度を考慮に
いれるならば2〜10μm程度とすることが望まれる。
Next, a photosensitive resist is applied to the lower surface of the polyimide to form a resist layer 4 (step (a)). The resist layer 4 formed on the polyimide surface may be of any material as long as it can withstand the solution used to dissolve and remove the polyimide. Generally, a polyimide solution is strongly alkaline, so a rubber resist is suitable. The thickness of the resist layer 4 is also not particularly limited, but if the pattern accuracy of the polyimide after melting is taken into account, it is preferably about 2 to 10 μm.

一般的にレジストによりパターンを形成するにはレジス
ト塗布後にレジスト中に含まれる溶剤をパージしてやる
必要がある。これはレジスト自体に強度をもたせるため
と、基板とレジストの密着性を高める効果を有する。溶
剤の除去は通常加熱乾燥によって行なわれるが、その際
の処理温度はレジストの解像度を低下させない範囲の温
度で行なわれる。また、露光、現像により形成したパタ
ーンをより強固にするために、前述した溶剤除去のなめ
に行なわれる乾燥処理温度よりも高い温度で加熱処理を
行なう方法が採られる。
Generally, in order to form a pattern using a resist, it is necessary to purge the solvent contained in the resist after applying the resist. This has the effect of imparting strength to the resist itself and improving the adhesion between the substrate and the resist. The solvent is usually removed by heating and drying, and the processing temperature at this time is within a range that does not reduce the resolution of the resist. Further, in order to further strengthen the pattern formed by exposure and development, a method is adopted in which heat treatment is performed at a temperature higher than the drying temperature used to remove the solvent described above.

次にレジスト層3、レジスト自体4にそれぞれ適量の光
フォトマスクを介して照射し、最初にレジスト層3を現
像して下地金属層1上にレジストパターン5を形成する
。レジストの感光に用いる光はレジストの特性によって
決定されるが通常紫外線が使用される。また、ここで云
うフォトマスクとはガラスや透過性のプラスティックフ
ィルムに銀等を含む乳剤やクロム等の金属を焼き付けた
ものを云う。
Next, the resist layer 3 and the resist itself 4 are each irradiated with appropriate amounts of light through a photomask, and the resist layer 3 is first developed to form a resist pattern 5 on the base metal layer 1. The light used to expose the resist is determined by the characteristics of the resist, but ultraviolet light is usually used. Furthermore, the photomask referred to herein is one in which an emulsion containing silver or the like or a metal such as chromium is baked onto a glass or transparent plastic film.

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
る密着露光法とレジスト面とフォトマスクを平行に一定
の距離を隔てて行なう投影露光法があるが本発明におい
ては何れの方法を利用してもよい。
Exposure methods include a contact exposure method in which the resist surface and the photomask are brought into close contact, and a projection exposure method in which the resist surface and the photomask are parallel to each other at a certain distance, but either method may be used in the present invention. .

次に基体上面に形成したレジストパターン5に従って生
ずる下地金属層1の露出部に電気めっきによりめっき金
属を積層させてリードパターン6を形成し、基体下面の
レジスト層4を現像してレジストパターン7を形成する
(工程(ロ))。
Next, a lead pattern 6 is formed by electroplating a plated metal on the exposed portion of the base metal layer 1 that is formed according to the resist pattern 5 formed on the upper surface of the substrate, and a resist pattern 7 is formed by developing the resist layer 4 on the lower surface of the substrate. Form (process (b)).

次にレジストパターン5を除去し、リードパターン6の
下地金属層を溶解してリード8を形成する(工程(ハ)
)。このようにして基体上面にリード8を形成した後、
リード8の表面を金属膜9で被覆する。リード8の被覆
に用いる金属膜9はリード自体が電気的な導通性を有し
ているので電気めっきによって析出し得る金属により形
成される。−例としてリード8を銅により形成した場合
には、金属膜を形成する金属材料としては金、銀、ニッ
ケル、錫、鉛、亜鉛等が考えられる。
Next, the resist pattern 5 is removed and the underlying metal layer of the lead pattern 6 is dissolved to form the lead 8 (step (c)).
). After forming the leads 8 on the top surface of the base in this way,
The surface of the lead 8 is coated with a metal film 9. The metal film 9 used to cover the lead 8 is formed of a metal that can be deposited by electroplating since the lead itself has electrical conductivity. - For example, if the lead 8 is made of copper, the metal material for forming the metal film may be gold, silver, nickel, tin, lead, zinc, etc.

次に被覆されたり−ド8および上面のポリイミド露出部
を金属層10によって、全面的に被覆する(工程(ニ)
)。金属層10はリード8上に形成された金属膜9と上
面のリード8間に露出しなポリイミド上に万遍なく形成
させるものである。従ってその形成法は電気的手法によ
らず、スパッタ法、真空蒸着法、無電解めっき法等が適
している。金属層10を形成するための金属材料として
は、このような形成法によって金属層の積層が可能なも
のならばよく、銅、金、銀、ニッケル、クロム等が挙げ
られる。また金属層10の形成は上記の如き形成法を単
独で行なってもよく、組み合わせてもよい。
Next, the metal layer 10 is completely covered with the metal layer 10 (step (d)).
). The metal layer 10 is formed evenly on the polyimide which is not exposed between the metal film 9 formed on the lead 8 and the lead 8 on the upper surface. Therefore, the formation method is not based on an electrical method, but a sputtering method, a vacuum evaporation method, an electroless plating method, etc. are suitable. The metal material for forming the metal layer 10 may be any material as long as metal layers can be stacked by such a formation method, and examples thereof include copper, gold, silver, nickel, and chromium. Further, the metal layer 10 may be formed by the above-described forming methods alone or in combination.

またこのようにして金属層を薄膜状に形成しておき、さ
らに電気めっきによって同種あるいは異種金属を薄膜上
に形成してその厚みを増すようにすることも考えられる
。要するに基体上面にある程度の強度を持つ金属層10
を形成すればよいのである。
It is also conceivable to form the metal layer in the form of a thin film in this manner, and then to increase the thickness by forming the same or different metals on the thin film by electroplating. In short, a metal layer 10 with a certain degree of strength is formed on the upper surface of the base.
All you have to do is form.

リード8、金属膜9および金属層10を形成するための
金属材料種類の組み合わせ方については、リード8を形
成するための金属材料と金属M9を形成する金属材料に
ついては必ず異種のものを用いる必要があるほかは特に
これといっな制限はない。即ち、リード8を形成する金
属材料と金属層を形成する金属材料とは同種でも異種で
もよく、また同様に金属膜9を形成する金属材料と金属
層10を形成する金属材料とが同種でも異種でもよい。
Regarding the combination of metal materials for forming the lead 8, metal film 9, and metal layer 10, it is necessary to use different types of metal materials for forming the lead 8 and metal M9. There are no particular restrictions other than this. That is, the metal material forming the lead 8 and the metal material forming the metal layer may be of the same type or different types, and similarly, the metal material forming the metal film 9 and the metal material forming the metal layer 10 may be of the same type or different types. But that's fine.

次に下面の露出したポリイミドを溶解せしめてデバイス
ホール11、叶8ホール12およびスプロケットホール
13を形成するく工程(ホ))。ポリイミドの溶解は抱
水ヒドラジン、水酸化アルカリ溶液等の強アルカリ性溶
液を単独、あるいは混合したりさらにメチルアルコール
、エチルアルコール、グロビルアルコール等を混合した
溶液で行なうのが一般的である。
Next, the exposed polyimide on the lower surface is melted to form the device hole 11, the leaf hole 12, and the sprocket hole 13 (e). Polyimide is generally dissolved using a strong alkaline solution such as hydrazine hydrate or an alkali hydroxide solution, alone or in combination, or with a solution containing a mixture of methyl alcohol, ethyl alcohol, globil alcohol, etc.

次にレジストパターン6を除去後、金属層10を除去す
る(工程(へ))。この際、金属膜、9を金属層10と
同時に溶解せしめてから用途に応じて再度リード8を別
の金属で被覆しても差し支えない。
Next, after removing the resist pattern 6, the metal layer 10 is removed (step (step)). At this time, the metal film 9 may be melted at the same time as the metal layer 10, and then the leads 8 may be coated with another metal again depending on the application.

金属膜9および金属層10の溶解は通常塩酸、硫酸、硝
酸などの酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅溶液などの金属
塩化物溶液、過硫酸アンモニウム溶液などの過酸化物溶
液で行なうのが一般的である。
The metal film 9 and the metal layer 10 are generally dissolved using an acidic solution such as hydrochloric acid, sulfuric acid, or nitric acid, a metal chloride solution such as an iron chloride solution or a copper chloride solution, or a peroxide solution such as an ammonium persulfate solution. It is.

以上ポリイミド樹脂基板の上面に接着剤を施さずに下地
金属層を形成したものを基体として使用し、セミアデイ
ティブ法によって、リードを形成する場合について述べ
たが、前置てポリイミド基板の片面にリードと同様な厚
みの金属層を接着剤なしで形成し、そのうえにレジスト
パターンを形成して露出した金属層をエツチングしてリ
ードを形成するサブトラクティブ法を採用して場合でも
リード形成後の手順は前記セミアデイティブ法を採用し
た場合と同様な方法を採ることができることは云うまで
もない。また、リード形成方法はアディティブ法、サブ
トラクティブ法何れの方法の適用も可能であるので、本
発明の方法は2層TABの製造に極めて適した方法であ
ると云うことができる。
Above, we have described the case where a base metal layer is formed on the top surface of a polyimide resin substrate without applying an adhesive, and leads are formed by a semi-additive method. Even if the subtractive method is used, in which a metal layer with the same thickness as the lead is formed without adhesive, a resist pattern is formed on top of it, and the exposed metal layer is etched to form the lead, the steps after forming the lead are It goes without saying that a method similar to the case of employing the semi-additive method described above can be employed. Further, since either an additive method or a subtractive method can be applied as a lead forming method, it can be said that the method of the present invention is extremely suitable for manufacturing a two-layer TAB.

尚、上記の説明はポリイミドフィルムの片面における形
成方法に関するものであるが、これを両面における形成
に応用することも容易にできる。
Although the above explanation relates to a method for forming a polyimide film on one side, it can easily be applied to forming a polyimide film on both sides.

(実施例) 次に本発明の実施例について述べる。(Example) Next, examples of the present invention will be described.

実施例1 15■x 15cmの大きさのポリイミド樹脂フィルム
状基体(東し・デュポン社製、カプトン200 H1厚
さ50μm)の上面に対し、硫酸銅10g/’ρ、ED
TA60g/’、11 、ホルマリン6m12/’、f
) 、ジピリジル30■/′ρ、ポリエチレングリコー
ル0.5 g/’、11の組成を有する無電解銅めっき
液を用いてpH12,5として70℃で10分間の浸漬
処理を行ない、銅の無電解めっき被覆を形成した後、さ
らに硫酸銅100g/’fJ 、硫酸180 g/’J
 、の組成を有する電気銅めっき液を用いて電流密度2
A/’dm2で電解を行ない上面に厚さ1μmの銅によ
る金属層を形成した。
Example 1 Copper sulfate 10g/'ρ, ED
TA60g/', 11, formalin 6m12/', f
), dipyridyl 30 g/'ρ, polyethylene glycol 0.5 g/', using an electroless copper plating solution having the composition of After forming the plating coating, further add 100 g/'fJ of copper sulfate and 180 g/'J of sulfuric acid.
Using an electrolytic copper plating solution having a composition of , a current density of 2
Electrolysis was performed at A/'dm2 to form a metal layer of copper with a thickness of 1 μm on the upper surface.

次にその上面にPHER・HC600(東京応化社製、
ネガ型フォトレジスト)を約40μmの厚さに、またポ
リイミド基体下面にFR3(富士薬品社製、ネガ型フォ
トレジスト)を約7μmの厚さにそれぞれバーコーター
を用いて塗布し、それぞれ70℃で30分間乾燥処理し
た後、上面のレジスト層には48隋X 48+nmの大
きさで、インナーリードピッ千160μm、インナーリ
ード巾70μm、リード数244本の丁A8パターンを
田の字形に配列して形成したガラス製のフォトマスクを
レジスト面に密着させて900mJの紫外線を照射し、
下面のレジスト層には上面と同様の大きさのガラス製で
、上面のTABパターンに対応したデバイスホール1個
、叶Bホール4個、スプロケットホール16個8個を形
成したフォトマスクを密着させて100mJの紫外線を
照射して露光を行なった。なお紫外線の照射は超高圧水
銀灯(オーク製作所社製)を使用しな。
Next, put PHER・HC600 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.,
Negative photoresist) was coated to a thickness of approximately 40 μm, and FR3 (manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd., negative photoresist) was coated to a thickness of approximately 7 μm on the lower surface of the polyimide substrate using a bar coater, and each was heated at 70°C. After drying for 30 minutes, an A8 pattern with a size of 48mm x 48+nm, an inner lead pitch of 160 μm, an inner lead width of 70 μm, and 244 leads was formed on the upper resist layer. A glass photomask made of glass was placed in close contact with the resist surface and 900 mJ of ultraviolet rays were irradiated.
A photomask made of glass of the same size as the top surface and having one device hole, four leaf B holes, and 16 sprocket holes, which correspond to the TAB pattern on the top surface, is tightly attached to the bottom resist layer. Exposure was performed by irradiating 100 mJ of ultraviolet light. Please do not use an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Oak Seisakusho Co., Ltd.) for ultraviolet irradiation.

次に上面のレジスト層をP)lEI’?現像液(東京応
化社製)を用いて25℃で7分間現像して所定のパター
ンを得た後、110℃で30分間の加熱処理を行なった
。続いて銅の露出部に電流密度2A/’dm2で50分
間の電気銅めっきを施して厚さ約35μmのリードパタ
ーンを得な。鋼上の残留レジストを水酸化ナトリウム4
%溶液を用いて50℃で1分間処理することによって除
去した後に、上面のリード間にある下地金属層をアンモ
ニア系アルカリ性溶解液でエツチング処理してリードを
電気的に独立した状態にした。しかる後に金めつき液(
NEケムキャット社製) 、 N−44)を用いて電流
密度IA/′dm2で3分間処理してリード表面に約2
μmの金を析出させた。次に前述した無電解銅めっき液
で基体上面全体に銅被覆を形成し、さらにその上に電気
銅めっきによって銅層の厚みが約10μmになるように
厚みの増加調整を行なった。これらの処理によって基体
の歪変形は何等認められなかった。
Next, apply the upper resist layer to P)lEI'? After developing at 25° C. for 7 minutes using a developer (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) to obtain a predetermined pattern, heat treatment was performed at 110° C. for 30 minutes. Subsequently, electrolytic copper plating was applied to the exposed copper portions at a current density of 2 A/'dm2 for 50 minutes to obtain a lead pattern with a thickness of approximately 35 μm. Remove residual resist on steel with sodium hydroxide
% solution at 50° C. for 1 minute, and then the underlying metal layer between the leads on the upper surface was etched with an ammonia-based alkaline solution to make the leads electrically independent. After that, apply gold plating liquid (
(manufactured by NE Chemcat) and N-44) at a current density of IA/'dm2 for 3 minutes to coat the lead surface with approximately 2.
μm of gold was deposited. Next, a copper coating was formed on the entire upper surface of the substrate using the electroless copper plating solution described above, and the thickness was further increased by electrolytic copper plating so that the thickness of the copper layer was about 10 μm. No distortion or deformation of the substrate was observed as a result of these treatments.

次に下面のレジスト層をFI?S−D  (富士薬品社
製)を用いて25℃で50秒間現像しな後130℃で3
0分間の後加熱処理をした。次にエチルアルコールと水
酸化カリウム1規定溶液を容量比で1:1に混合した混
合液を使用して、50℃で4分間露出しなポリイミドの
溶解を行ないデバイスホール、叶Bホール、スプロケッ
1へホールの各貫通ホールを形成し、次いで残留するレ
ジストをFR3#I離液(富士薬品社製)を用いて70
℃で15分間処理することにより除去した。
Next, apply the bottom resist layer to FI? After developing for 50 seconds at 25°C using S-D (manufactured by Fuji Yakuhin Co., Ltd.), developing at 130°C for 3
A post-heat treatment was performed for 0 minutes. Next, using a mixture of ethyl alcohol and 1N potassium hydroxide solution in a volume ratio of 1:1, the polyimide was dissolved without being exposed at 50°C for 4 minutes, and the device hole, leaf B hole, and sprocket 1 were dissolved. After each through-hole is formed, the remaining resist is removed using FR3#I synergist (manufactured by Fuji Yakuhin Co., Ltd.).
It was removed by treatment at °C for 15 minutes.

次に上面の銅層を5%過硫酸アンモニウム溶液を用いて
50℃で7分間溶解して先に形成した金めつきで被覆し
たリードを露出させた。露出したリードには何部変形の
形跡もなく無電解めっきを施す以前のリードの状態と何
等変りがなかっな。
Next, the copper layer on the top surface was dissolved using a 5% ammonium persulfate solution at 50° C. for 7 minutes to expose the leads covered with the gold plating previously formed. There are no signs of deformation in any part of the exposed leads, and the condition is no different from the state of the leads before electroless plating was applied.

実施例2 出発材料として実施例1と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し、その上面にスパッタ法により0
.25μmの厚さの下地銅層を形成し、更に電気銅めっ
きによって厚さを1μmに調整した基体を用い、実施例
1と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例1と
同様な性能を有する2層TABを得ることができた。
Example 2 A polyimide resin film similar to that in Example 1 was used as a starting material as a base, and 0 was applied to the upper surface by sputtering.
.. Using a substrate on which a base copper layer with a thickness of 25 μm was formed and the thickness was further adjusted to 1 μm by electrolytic copper plating, each treatment was performed in the same manner as in Example 1. As a result, the same performance as in Example 1 was obtained. It was possible to obtain a two-layer TAB having the following properties.

実施例3 出発材料として実施例1と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用い、その上面に厚さ1μmの銅下地層
を形成し、さらにその上に電気銅めっきによって銅層の
厚さが35μmになるように銅を析出させた。基体上面
の銅層上に門ERH・HC40(東京応化社製、ネガ型
フォトレジスト)を約5μmの厚さに、また基体下面に
FSR(富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト)を約7
μmの厚さに、それぞれバーコーターを用いて塗布し、
それぞれを70℃で30分間乾燥処理を施した後に実施
例1と同様なTABパターンを有するフォトマスクを施
して、上面のレジスト層には200mJ 、下面のレジ
スi・層には100mJの紫外線を照射した。次に上面
のレジストをP)IER現像液(東京応化社製)を使用
して25℃で2分間現像を行ない所定のレジストパター
ンを形成し、これを110℃で30分間の加熱処理した
。次に上面の銅の露出部を塩化銅200g/′1溶液を
用いて50℃で10分間処理することによって溶解して
リードを形成した。鋼上の残留レジストを水酸化ナトリ
ウムt1%溶液を用いて50℃で1分間処理して除去し
た。
Example 3 Using the same polyimide resin film as in Example 1 as a starting material, a copper base layer with a thickness of 1 μm was formed on its upper surface, and the copper layer was further electrolytically plated on top of it to a thickness of 35 μm. Copper was deposited in such a manner that On the copper layer on the upper surface of the substrate, ERH/HC40 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., negative photoresist) was applied to a thickness of about 5 μm, and on the bottom surface of the substrate was applied FSR (manufactured by Fuji Yakuhin Co., Ltd., negative photoresist) about 7 μm thick.
Coat each using a bar coater to a thickness of μm,
After each was dried at 70°C for 30 minutes, a photomask with a TAB pattern similar to that in Example 1 was applied, and the upper resist layer was irradiated with 200 mJ of ultraviolet rays, and the lower resist I layer was irradiated with 100 mJ of ultraviolet rays. did. Next, the resist on the upper surface was developed at 25° C. for 2 minutes using P) IER developer (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) to form a prescribed resist pattern, which was then heat-treated at 110° C. for 30 minutes. Next, the exposed copper portion on the top surface was treated with a 200 g/'1 solution of copper chloride at 50° C. for 10 minutes to dissolve it and form leads. Residual resist on the steel was removed by treatment with t1% sodium hydroxide solution at 50° C. for 1 minute.

続くリードの金めつき、基体上面の銅被覆の形成、基体
下面のレジストパターンの形成、ポリイミドの溶解、基
体下面の残留レジストの剥離、基体上面の銅層の溶解を
実施例1と同様の手順で行なったところ、実施例1で得
られたと同様の2層TABを得ることが出来な。
Subsequent gold plating of the leads, formation of a copper coating on the upper surface of the substrate, formation of a resist pattern on the lower surface of the substrate, dissolution of polyimide, peeling off of the residual resist on the lower surface of the substrate, and dissolution of the copper layer on the upper surface of the substrate were performed in the same manner as in Example 1. However, a two-layer TAB similar to that obtained in Example 1 could not be obtained.

実施例4 出発材料として実施例1と同様のポリイミド樹脂を基体
として使用し、リード形成までを実施例1と同様の手順
で行なった後、リード表面に電気ニッケルめっきにより
、金属ニッケルを約2μmの厚さに析出させた。次に基
体上面全体に無電解銅めっきで銅層を形成し、さらにそ
の上に電気銅めっきで金属層を形成後に基体下面のレジ
ストパターンの形成からポリイミドの溶解までを実施例
1と同様手順で処理を行ない、その後基体上面に形成し
た金属層を溶解除去して2層TABを製造したところ、
実施例1と同等のものが得られた。
Example 4 The same polyimide resin as in Example 1 was used as the starting material, and the steps up to lead formation were carried out in the same manner as in Example 1. After that, metallic nickel was applied to the lead surface to a thickness of about 2 μm by electro-nickel plating. It was deposited to a thickness. Next, a copper layer is formed on the entire top surface of the substrate by electroless copper plating, and a metal layer is further formed on top of it by electrolytic copper plating.The steps from forming a resist pattern on the bottom surface of the substrate to dissolving the polyimide are performed in the same manner as in Example 1. After processing, the metal layer formed on the top surface of the substrate was dissolved and removed to produce a two-layer TAB.
A product equivalent to Example 1 was obtained.

実施例5 出発材料として実施例1と同様のポリイミド樹脂を基体
として使用し、リード表面の金めつきによる被覆までを
実施例1と同様の手順にて行なった後、基体上面全体に
無電解ニッケルメッキで常法によりニッケルめっき層を
形成し、さらにその上に電気ニッケルめっきにより約5
μmのニッケル層を形成し、基体下面のレジストパター
ンの形成からポリイミドの溶解までを実施例1と同様手
順で処理を行ない、その後基体表面に形成したニッケル
金属層を溶解除去して2層TABを製造したところ、実
施例1と同等のものが得られた。
Example 5 The same polyimide resin as in Example 1 was used as the starting material for the base, and after the lead surface was covered with gold plating in the same manner as in Example 1, electroless nickel was applied to the entire upper surface of the base. A nickel plating layer is formed by plating using a conventional method, and then electrolytic nickel plating is applied on top of the nickel plating layer.
A nickel layer with a thickness of μm is formed, and the steps from forming a resist pattern on the bottom surface of the substrate to dissolving the polyimide are carried out in the same manner as in Example 1. After that, the nickel metal layer formed on the surface of the substrate is dissolved and removed to form a two-layer TAB. When manufactured, a product equivalent to Example 1 was obtained.

比較例 15ay+X15(7)の大きさのポリイミド樹脂フィ
ルム状基体(東し・デュポン社製、カプトン200 )
1、厚さ50μm>4ピースを用い、各ピースの上面に
対して、硫酸銅10g/’、l! 、 EDTA60g
/’ρ、ホルンJ ン6 mQi’D 、ジヒリジル3
0mz/’、ll 、;t”) 工+Lyングリコール
0.5 g/’ρの組成を有する無電解銅めっき液を用
いてpH12,5として70℃で10分間の浸漬処理を
行ない、銅の無電解めっき被覆を形成した後、さらに硫
酸銅100 g/’ρ、硫酸180 g/’ρ、の組成
を有する電気銅めっき液を用いて電流密度2A/’dm
2で電解を行ない上面に厚さ1μmの銅による金属層を
形成しな。次にその上面にPHER。
Comparative Example 1 Polyimide resin film-like substrate with a size of 5ay+X15 (7) (manufactured by Toshi DuPont, Kapton 200)
1. Using 4 pieces with a thickness of 50 μm>10 g/' of copper sulfate, l! , 60g EDTA
/'ρ, Horn J 6 mQi'D, Dihyridyl 3
Using an electroless copper plating solution having a composition of 0mz/', ll, ;t") and 0.5 g/'ρ of copper, the copper After forming the electroless plating coating, a current density of 2 A/'dm was applied using an electrolytic copper plating solution having a composition of 100 g/'ρ of copper sulfate and 180 g/'ρ of sulfuric acid.
2, perform electrolysis to form a 1 μm thick copper metal layer on the top surface. Next, PHER on the top surface.

HC600(東京応化社製、ネガ型フォトレジスト)を
約7μmの厚さにそれぞれバーコーターを用いて塗布し
、それぞれ70℃で30分間乾燥処理した後、上面のレ
ジスト層には48mm X 48mmの大きさで、イン
ナーリードピッチ160μm、インナーリード巾70μ
m、リード数244本のTABパターンを田の字形に配
列して形成したガラス製のフォトマスクをレジスト面に
密着させて900mJの紫外線を照射し、下面のレジス
ト層には上面と同様の大きさのガラス製で、上面のTA
Bパターンに対応したデバイスホール1個、叶Bホール
4個、スプロケットホール16個8個を形成したフォト
マスクを密着させて100mJの紫外線を照射して露光
を行なった。なお紫外線の照射は超高圧水銀灯(オーク
製作所社製〉を使用しな。
HC600 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., negative photoresist) was applied to a thickness of approximately 7 μm using a bar coater, and after drying at 70°C for 30 minutes, the upper resist layer was coated with a 48 mm x 48 mm film. Now, the inner lead pitch is 160μm, and the inner lead width is 70μm.
A glass photomask formed by arranging a TAB pattern with 244 leads in a square shape was brought into close contact with the resist surface and irradiated with 900 mJ of ultraviolet rays. Made of glass, with TA on the top
A photomask in which one device hole corresponding to pattern B, four leaf B holes, and 16 sprocket holes were formed was brought into close contact with the photomask and 100 mJ of ultraviolet rays were irradiated to perform exposure. Do not use an ultra-high pressure mercury lamp (manufactured by Oak Seisakusho Co., Ltd.) for ultraviolet irradiation.

次に上面のレジスト層をP)IER現像液(東京応化社
製)を用いて25℃で7分間現像して所定のパターンを
得、/、:後、110℃で30分間の後加熱処理を行な
った。続いて銅の露出部に電流密度2A/’dm2で5
0分間の電気銅めっきを施して厚さ約35μmの埋する
ことによって除去した後に、上面のリード間にある下地
金属層をアンモニア系アルカリ性溶解液でエツチング処
理してリードを電気的に独立した状態にした。しかる後
に上面全体に前述しなFR3を約20μmの厚さに塗布
し、130℃で30分間乾燥を行なったところフィルム
が上面側に凹面状態に変形し、4つの丁ARピースのう
ち、1つはPSHの変形によって、インナーリードが変
形し、さらにもう一つはFSI?の一部に亀裂が発生し
て上面のポリイミドが露出し次工程のポリイミド溶解時
に表面側のポリイミド露出部が溶解していずれも製品化
できなかった。即ち最初に投入した4ピースのうち2ピ
ースは完成品とならず歩留まりは50%であった。
Next, the upper resist layer was developed using P) IER developer (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) at 25°C for 7 minutes to obtain a predetermined pattern, followed by post-heat treatment at 110°C for 30 minutes. I did it. Subsequently, a current density of 2 A/'dm2 was applied to the exposed part of the copper.
After 0 minutes of electrolytic copper plating and burying to a thickness of about 35 μm, the base metal layer between the leads on the top surface is etched with an ammonia-based alkaline solution to make the leads electrically independent. I made it. After that, the above-mentioned FR3 was applied to the entire top surface to a thickness of about 20 μm and dried at 130°C for 30 minutes. The film deformed into a concave state on the top surface, and one of the four AR pieces was The inner lead is deformed due to the deformation of PSH, and the other is FSI? A crack appeared in a part of the surface, exposing the polyimide on the top surface, and during the next step of melting the polyimide, the exposed polyimide portion on the surface side melted, making it impossible to commercialize any of them. In other words, two of the four pieces initially introduced were not completed products, and the yield was 50%.

(発明の効果) 以上述べたように、本発明による2層TABの製造方法
によれば、2層TABの従来の製造方法におリードの変
形などによる製品歩留まりの低下を解消し得るのでその
効果は絶大である。
(Effects of the Invention) As described above, according to the method for manufacturing a two-layer TAB according to the present invention, it is possible to eliminate the reduction in product yield due to deformation of leads in the conventional method for manufacturing a two-layer TAB. is enormous.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による2層TABの製造方法についてそ
の概略を工程j1@に示した説明図、第2図は本発明に
よって得られた2層TABの外観平面図である。 1・・・下地金属層、2・・・ポリイミド基体、3・・
・しシスト層、 4・・・レジスト層、 8・・・リード、 9・・・金 属膜、10・・・金属層。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of the method for manufacturing a two-layer TAB according to the present invention in step j1@, and FIG. 2 is an external plan view of the two-layer TAB obtained according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Base metal layer, 2... Polyimide base, 3...
- Cyst layer, 4... Resist layer, 8... Lead, 9... Metal film, 10... Metal layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ポリイミドフィルムの片面または両面に接着剤を
用いることなく下地金属層を形成したものを基体として
2層TABを得るに際し、該基体の上面にリードを形成
した後、基体のリード形成面全体をリード形成用の金属
材料とは異なった性質の第2の金属材料による金属膜で
被覆し、しかる後にさらに基体全面に亘って金属層を形
成させ、次に基体下面のポリイミド層の溶解加工を行な
い、次いで基体上面の金属層を溶解除去することを特徴
とする2層TABの製造方法。
(1) When obtaining a two-layer TAB using a base metal layer formed on one or both sides of a polyimide film without using an adhesive, after forming leads on the upper surface of the base, the entire lead-forming surface of the base is is coated with a metal film made of a second metal material with different properties from the metal material for lead formation, and then a metal layer is further formed over the entire surface of the base, and then the polyimide layer on the bottom surface of the base is melted. A method for producing a two-layer TAB, characterized in that the metal layer on the upper surface of the substrate is then dissolved and removed.
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