JPH03111065A - フロンガスの分解方法及びフッ素樹脂膜の形成方法 - Google Patents
フロンガスの分解方法及びフッ素樹脂膜の形成方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Fire-Extinguishing Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフロンガスを分解して回収可能な状態とする方
法及びフロンガスを分解して基板上にフッ素樹脂膜を形
成する方法に関する。
法及びフロンガスを分解して基板上にフッ素樹脂膜を形
成する方法に関する。
〔従来技術及び発明の解決しようとする課題〕フロンは
太陽光の強い紫外線を受けて光分解し、ここで生成され
た塩素ＣＣＱ２）はオゾンと反応して大気圏を取り巻く
オゾン層を破壊し始めている。オゾンの中でも最も破壊
力の強いフロン−１２（ｃｍ２Ｆ、）を例にとって説明
すると、オゾン１２は大気中で非常に安定であるが、太
陽の紫外光を受けるとＣ−ＣＤが切れて、発生したＣＤ
がオゾンを分解し、ｏ２を発生しつづける。これがＯ１
破壊のメカニズムである。このため従来オゾン層が吸収
して地球に届かないようにしていた２００〜３００ｎｍ
の光、即ち生物体のＤＮＡが光分解する波長域の光が地
上に降り注ぐ危険性が問題となっている。
太陽光の強い紫外線を受けて光分解し、ここで生成され
た塩素ＣＣＱ２）はオゾンと反応して大気圏を取り巻く
オゾン層を破壊し始めている。オゾンの中でも最も破壊
力の強いフロン−１２（ｃｍ２Ｆ、）を例にとって説明
すると、オゾン１２は大気中で非常に安定であるが、太
陽の紫外光を受けるとＣ−ＣＤが切れて、発生したＣＤ
がオゾンを分解し、ｏ２を発生しつづける。これがＯ１
破壊のメカニズムである。このため従来オゾン層が吸収
して地球に届かないようにしていた２００〜３００ｎｍ
の光、即ち生物体のＤＮＡが光分解する波長域の光が地
上に降り注ぐ危険性が問題となっている。
このため最近ではフロンの使用が禁止されつつあり、さ
らにフロンを分解して回収しようとする試みがなされて
いるが、いまだ画期的な提案はなされていないのが現状
である。
らにフロンを分解して回収しようとする試みがなされて
いるが、いまだ画期的な提案はなされていないのが現状
である。
本発明は前記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、
その第１の目的はフロンガスを分解して回収可能な状態
とすることであり、第２の目的はフロンガスを分解して
Ｃ，Ｆ４として析出させる方法を提供することにある。
その第１の目的はフロンガスを分解して回収可能な状態
とすることであり、第２の目的はフロンガスを分解して
Ｃ，Ｆ４として析出させる方法を提供することにある。
発明者等は、フロンの光分解に効果的な紫外線の波長を
特定するために、ＣＱｘＦ２ガスを反応セルに満たし、
１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ−光を照射し、その
ＵＶ及びＩＲスペクトルの変化を測定した。このときの
実験結果を第５図において示し、図の横軸は光の波長を
、縦軸は光透過率を示している。但し、図中、符号Ａは
まったくレーザーを照射しないガスの場合（０シヨツト
）、符号Ｂは１０００シヨツトの場合、符号Ｃは５００
ｏシヨツトの場合、符号りは１００００シヨツトの場合
、符号Ｅは１５０００シ巨ツトの場合、符号Ｆは２００
００シヨツトの場合、符号Ｇは２５０００シヨツトの場
合、符号Ｈは３００００シヨツトの場合をそれぞれ示し
ている。
特定するために、ＣＱｘＦ２ガスを反応セルに満たし、
１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ−光を照射し、その
ＵＶ及びＩＲスペクトルの変化を測定した。このときの
実験結果を第５図において示し、図の横軸は光の波長を
、縦軸は光透過率を示している。但し、図中、符号Ａは
まったくレーザーを照射しないガスの場合（０シヨツト
）、符号Ｂは１０００シヨツトの場合、符号Ｃは５００
ｏシヨツトの場合、符号りは１００００シヨツトの場合
、符号Ｅは１５０００シ巨ツトの場合、符号Ｆは２００
００シヨツトの場合、符号Ｇは２５０００シヨツトの場
合、符号Ｈは３００００シヨツトの場合をそれぞれ示し
ている。
この第５図かられかるように、生ガスの場合は。
Ａ曲線に示されるように２３０ｎｍ以下に吸収を示す、
またＣｍ、Ｆｔは光エネルギーを受けて、ＣＱ、Ｆ２→
ＣＦ、＋ＣＱ、と分解され、３３０ｎｍと１９０ｎｍに
ｃｎ、が、２４５ｎｍに非常に安定なＣＦ、ラジカルが
観測される。さらにレーザーを照射しつづけると、２４
５ｎｍの吸収が減少する。ところがＩＲスペクトルから
はそれまで見られなかった１８５０（！ｌ−’付近の吸
収の増加が見られるようになる。これはＣＦ、が重合し
てＣ，Ｆ、が生成されたものと考えられる。
またＣｍ、Ｆｔは光エネルギーを受けて、ＣＱ、Ｆ２→
ＣＦ、＋ＣＱ、と分解され、３３０ｎｍと１９０ｎｍに
ｃｎ、が、２４５ｎｍに非常に安定なＣＦ、ラジカルが
観測される。さらにレーザーを照射しつづけると、２４
５ｎｍの吸収が減少する。ところがＩＲスペクトルから
はそれまで見られなかった１８５０（！ｌ−’付近の吸
収の増加が見られるようになる。これはＣＦ、が重合し
てＣ，Ｆ、が生成されたものと考えられる。
このような実験結果から、前記目的を達成するために次
のような構成を採用した。
のような構成を採用した。
即ち、請求項（１）に係るフロンガスの分解方法におい
ては、フロンガスを耐ハロゲン性反応容器内に入れ、波
長域１７０〜２２０ｎｍの紫外線を照射することにより
ＣＦ、又はＣＦ２の重合体であるＣ、Ｆ４を生成するよ
うにしたものである。
ては、フロンガスを耐ハロゲン性反応容器内に入れ、波
長域１７０〜２２０ｎｍの紫外線を照射することにより
ＣＦ、又はＣＦ２の重合体であるＣ、Ｆ４を生成するよ
うにしたものである。
請求項（２）に係るフッ素樹脂膜の形成方法においては
、内部に析出基板の収容された耐ハロゲン性反応容器内
にフロンガスを入れ、波長域１７０〜２２０ｎｍの紫外
線を照射することによりＣＦ２ラジカルを生成し、さら
に波長域２２０〜２７０ｎｍの紫外線をフロンガス及び
析出基板に照射して基板表面の紫外線照射領域にフッ素
樹脂を析出させるようにしたものである。
、内部に析出基板の収容された耐ハロゲン性反応容器内
にフロンガスを入れ、波長域１７０〜２２０ｎｍの紫外
線を照射することによりＣＦ２ラジカルを生成し、さら
に波長域２２０〜２７０ｎｍの紫外線をフロンガス及び
析出基板に照射して基板表面の紫外線照射領域にフッ素
樹脂を析出させるようにしたものである。
フロンガスが光分解されるために必要な紫外線の波長域
は、第５図に示す発明者等の実験及び種々の公知文献か
ら１７０〜２２０ｎｍであり、光分解によってＣＦ、ラ
ジカルを生成するための紫外線の波長域は第５図に示さ
れるように２２０〜２７０ｎｍの波長の紫外線である。
は、第５図に示す発明者等の実験及び種々の公知文献か
ら１７０〜２２０ｎｍであり、光分解によってＣＦ、ラ
ジカルを生成するための紫外線の波長域は第５図に示さ
れるように２２０〜２７０ｎｍの波長の紫外線である。
またフロンガスが分解されて中間生成物であるＣＣＱＦ
、が生成されるが、このＣＣＱＦ、は還元性が非常に強
いことから、このＣＣ１１Ｆ、をさらに分解するために
は、ＣＣＱＦ、と反応容器とが反応しないようにする必
要がある。従って反応容器を耐ハロゲン性反応容器、即
ち、ハロゲン化物。
、が生成されるが、このＣＣＱＦ、は還元性が非常に強
いことから、このＣＣ１１Ｆ、をさらに分解するために
は、ＣＣＱＦ、と反応容器とが反応しないようにする必
要がある。従って反応容器を耐ハロゲン性反応容器、即
ち、ハロゲン化物。
サファイヤ、テフロンよＪなる容器、あるいは内周面が
テフロンコーティングされた反応容器、ステンレス製容
器等によって構成した。
テフロンコーティングされた反応容器、ステンレス製容
器等によって構成した。
フロンガスは波長域１７０〜２２０ｎｍの紫外線の光エ
ネルギーを受けて、 ＣＣＱ、Ｆ２−＊ＣＣＱＦ、＋Ｃｎ−４ＣＦ、＋ＣＱ２
と光分解する。このときわずかではあるがＣＱＦ。
ネルギーを受けて、 ＣＣＱ、Ｆ２−＊ＣＣＱＦ、＋Ｃｎ−４ＣＦ、＋ＣＱ２
と光分解する。このときわずかではあるがＣＱＦ。
（ＩＩＦ、、Ｃの存在も認められる。なおＣＦ、の生成
過程における中間生成物であるＣＣＱＦ、は非常に還元
性が強いが、反応容器のＣＣＱＦ、との界面は耐ハロゲ
ン性であり、ＣＣＱＦ、と反応しない、さらにＣＦ２ラ
ジカルは光エネルギーを受けて重合体であるＣ、Ｆ４を
生成する。特に２２０〜２７０ｎｍの紫外線の光エネル
ギーによってＣＦ２の生成及びＣＦ、の重合反応が活性
化される。
過程における中間生成物であるＣＣＱＦ、は非常に還元
性が強いが、反応容器のＣＣＱＦ、との界面は耐ハロゲ
ン性であり、ＣＣＱＦ、と反応しない、さらにＣＦ２ラ
ジカルは光エネルギーを受けて重合体であるＣ、Ｆ４を
生成する。特に２２０〜２７０ｎｍの紫外線の光エネル
ギーによってＣＦ２の生成及びＣＦ、の重合反応が活性
化される。
そしてこの安定したＣＦ、＋ＣＱ２のガス状態又はＣ，
Ｆ４＋（１２という粉体とガスの混合状態として回収で
きる。
Ｆ４＋（１２という粉体とガスの混合状態として回収で
きる。
また反応容器内の基板界面は紫外線の照射により励起さ
れており、ＣＦ、ラジカルはこの基板の紫外線照射領域
にＣｚＦ＊（フッ素樹脂）となって析出する。
れており、ＣＦ、ラジカルはこの基板の紫外線照射領域
にＣｚＦ＊（フッ素樹脂）となって析出する。
Ｃ実施例〕
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明方法を実施するための装置の一実施例を
示している。
示している。
この図において、符号１０は、内部にステンレス製の析
出基板１１が収容され、上方に紫外光入射用の窓１２が
形成された反応容器であるチャンバーで、上方に開口す
る円筒容器形状のテフロン製チャンバー本体１３と、こ
のチャンバー本体１３の開口部に密閉状態に固着された
ＭｇＦ、製の透明な窓材１４と、リング状の窓材締結部
材１６とから構成されている。チャンバー本体１３の側
方には５図示しないフロンガス供給機に接続されて、フ
ロンガスをチャンバー１０内に供給するガス流入口１８
と、図示しない処理ガス収容タンクに接続されて、チャ
ンバー１０内のガスを外部に排出するガス排出口１９と
が形成されている。チャンバーの窓１２の上方には、Ａ
ｒＦエキシマレーザ−２０ＡとＫｒＦエキシマレーザ−
２０Ｂとがレーザー光照射方向を直交させて配置されて
おり、それぞれのレーザー光はハーフミラ−２４を介し
てチャンバー１０内に照射されるようになっている。ハ
ーフミラ−２４下方のレーザー光の光路には所定形状の
マスク板２６が配置されている。
出基板１１が収容され、上方に紫外光入射用の窓１２が
形成された反応容器であるチャンバーで、上方に開口す
る円筒容器形状のテフロン製チャンバー本体１３と、こ
のチャンバー本体１３の開口部に密閉状態に固着された
ＭｇＦ、製の透明な窓材１４と、リング状の窓材締結部
材１６とから構成されている。チャンバー本体１３の側
方には５図示しないフロンガス供給機に接続されて、フ
ロンガスをチャンバー１０内に供給するガス流入口１８
と、図示しない処理ガス収容タンクに接続されて、チャ
ンバー１０内のガスを外部に排出するガス排出口１９と
が形成されている。チャンバーの窓１２の上方には、Ａ
ｒＦエキシマレーザ−２０ＡとＫｒＦエキシマレーザ−
２０Ｂとがレーザー光照射方向を直交させて配置されて
おり、それぞれのレーザー光はハーフミラ−２４を介し
てチャンバー１０内に照射されるようになっている。ハ
ーフミラ−２４下方のレーザー光の光路には所定形状の
マスク板２６が配置されている。
マスク板２６には所定形状のパターン（図では所定ピッ
チのスリット２７）が形成されており、レーザー光はス
リット２７を透過してチャンバー１０に入射する。チャ
ンバー１０内には、入射するレーザー光に対し基板１１
が直交配置されており、この基板１１の表面にはスリッ
ト形状に対応する領域だけにレーザー光が照射されて、
基板表面のレーザー光照射領域だけが励起状態となる。
チのスリット２７）が形成されており、レーザー光はス
リット２７を透過してチャンバー１０に入射する。チャ
ンバー１０内には、入射するレーザー光に対し基板１１
が直交配置されており、この基板１１の表面にはスリッ
ト形状に対応する領域だけにレーザー光が照射されて、
基板表面のレーザー光照射領域だけが励起状態となる。
このため光分解により生成されたＣＦ２は励起状態の基
板表面においてＣ，Ｆ４として析出する。
板表面においてＣ，Ｆ４として析出する。
そしてチャンバー内に２０Ｔｏ ｒ ｒのフロン−１２
（Ｃｆｉ、Ｆ、）を封入した後、６０ ｍ Ｊ ／ ａ
ｌ、パルス幅１０ ｎ’ ｓのＡｒＦエキシマレーザ−
光（波長１９３ｎｍ）を入射させ、１００シヨツト照射
によってＣＦ、ラジカルが検出された。さらに同レーザ
ー光を照射しつづけると、ＣＦ、ラジカル量が増加した
６次にＫｒＦエキシマレーザ−光（波長２４９ｎｍ）を
入射させ、ｌｏｏショット照射によって、ＣＦ、が重合
してＣ，Ｆ４が形成され、析出基板１１上にこれが析出
してスリット模様のフッ素樹脂（Ｃ２Ｆ４）膜が形成さ
れた。そして排出口１９からチャンバー１０内のｃＱｚ
を吸引し、バブリングによりＣΩ３を水に吸収させてＣ
Ｆ、を回収する。
（Ｃｆｉ、Ｆ、）を封入した後、６０ ｍ Ｊ ／ ａ
ｌ、パルス幅１０ ｎ’ ｓのＡｒＦエキシマレーザ−
光（波長１９３ｎｍ）を入射させ、１００シヨツト照射
によってＣＦ、ラジカルが検出された。さらに同レーザ
ー光を照射しつづけると、ＣＦ、ラジカル量が増加した
６次にＫｒＦエキシマレーザ−光（波長２４９ｎｍ）を
入射させ、ｌｏｏショット照射によって、ＣＦ、が重合
してＣ，Ｆ４が形成され、析出基板１１上にこれが析出
してスリット模様のフッ素樹脂（Ｃ２Ｆ４）膜が形成さ
れた。そして排出口１９からチャンバー１０内のｃＱｚ
を吸引し、バブリングによりＣΩ３を水に吸収させてＣ
Ｆ、を回収する。
なおＣＦ、ラジカルをフロン樹脂として基板に析出させ
ず、ＣＦ２十ＣＱ、のガス状態、あるいはＣ，Ｆ４＋Ｃ
Ω２の粉体とガスとの混合状態のまま排出口１９から吸
引しＣＲ２やＣ，Ｆ４を水に吸収させて、ＣＦ、だけを
図示しない収容タンクに収容することもできる。
ず、ＣＦ２十ＣＱ、のガス状態、あるいはＣ，Ｆ４＋Ｃ
Ω２の粉体とガスとの混合状態のまま排出口１９から吸
引しＣＲ２やＣ，Ｆ４を水に吸収させて、ＣＦ、だけを
図示しない収容タンクに収容することもできる。
第２図は本発明方法を実施するための装置の第２の実施
例を示している。
例を示している。
前記第１の実施例では、ハーフミラ−２４を使ってＡｒ
Ｆエキシマレーザ−２ＯＡおよびＫｒＦエキシマレーザ
−２０Ｂのレーザー光を同一経路にて入射させるように
構成されていたが５本実施例では、チャンバー本体１３
の側面に第２の窓１２Ａを設け、この第２の窓１２Ａを
介してＡｒＦエキシマレーザ−２０Ａのレーザー光を入
射させるようになっている。この第２のｇ１２Ａから入
射するレーザー光は、析出基板１１と平行に基板上に照
射されるようになっている。符号２５は反射鏡、その他
は前記第１の実施例と同一であり。
Ｆエキシマレーザ−２ＯＡおよびＫｒＦエキシマレーザ
−２０Ｂのレーザー光を同一経路にて入射させるように
構成されていたが５本実施例では、チャンバー本体１３
の側面に第２の窓１２Ａを設け、この第２の窓１２Ａを
介してＡｒＦエキシマレーザ−２０Ａのレーザー光を入
射させるようになっている。この第２のｇ１２Ａから入
射するレーザー光は、析出基板１１と平行に基板上に照
射されるようになっている。符号２５は反射鏡、その他
は前記第１の実施例と同一であり。
重複した説明は省略する。
この実施例では、析出基板１１に対し平行に入射したＡ
ｒＦエキシマレーザ−光（波長１９３ ｎｍ）がフロン
を光分解するエネルギーを付与し、ＫｒＦエキシマレー
ザ−光（波長２４９ｎｍ）がＣＦ、及びＣ，Ｆ、の生成
を活性化するとともに、基板１１の界面を励起させるの
で、Ｃ，Ｆ４の基板１１上への析出速度を速める。
ｒＦエキシマレーザ−光（波長１９３ ｎｍ）がフロン
を光分解するエネルギーを付与し、ＫｒＦエキシマレー
ザ−光（波長２４９ｎｍ）がＣＦ、及びＣ，Ｆ、の生成
を活性化するとともに、基板１１の界面を励起させるの
で、Ｃ，Ｆ４の基板１１上への析出速度を速める。
第３図及び第４図は本発明方法を実施するための装置の
第３の実施例を示すものである。
第３の実施例を示すものである。
前記第１及び第２の実施例では、レーザー光を用いてフ
ロン−１２を光分解させるようになっているが、本実施
例では低圧水銀ランプを用いるようにしたものである。
ロン−１２を光分解させるようになっているが、本実施
例では低圧水銀ランプを用いるようにしたものである。
即ち、符号３０は、放電部である内筒３２の周りに外筒
３４が一体に形成された２重管構造の低圧水銀ランプで
ある。外筒３４にはガス流入口３８とガス排出口３９と
が形成されており、フロンガスの流入及び排出ができる
。
３４が一体に形成された２重管構造の低圧水銀ランプで
ある。外筒３４にはガス流入口３８とガス排出口３９と
が形成されており、フロンガスの流入及び排出ができる
。
またランプ３ｏの外筒内周面及び内筒外周面はテフロン
コーティング３３が施されており、フロン−１２の光分
解による中間生成物であるＣＣＱＦ２と反応しないよう
になっている。また符号３５は放電部である対向電極で
あり、放電部からの１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの紫外線
によってフロンガスが光分解されて、ＣＦ２ラジカル、
さらにＣＦ２ラジカルの重合体であるＣ、Ｆ４が生成さ
れる。
コーティング３３が施されており、フロン−１２の光分
解による中間生成物であるＣＣＱＦ２と反応しないよう
になっている。また符号３５は放電部である対向電極で
あり、放電部からの１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの紫外線
によってフロンガスが光分解されて、ＣＦ２ラジカル、
さらにＣＦ２ラジカルの重合体であるＣ、Ｆ４が生成さ
れる。
なお前記第１〜第３の実施例では、何れも反応容器であ
るチャンバー１０又は低圧水銀ランプ３０の放電管外周
にフロンガスを封入した状態として紫外線を照射して光
分解するようになっているが、反応容器内にフロンガス
を所定速度で連続して流す状態として光分解させるよう
にしてもよい６特に第３の実施例においては、水銀ラン
プを放電状態のまま放置すれば、自動的にフロンが光分
解さ九でＣＦ、（又はＣ２Ｆ４）が得られる。
るチャンバー１０又は低圧水銀ランプ３０の放電管外周
にフロンガスを封入した状態として紫外線を照射して光
分解するようになっているが、反応容器内にフロンガス
を所定速度で連続して流す状態として光分解させるよう
にしてもよい６特に第３の実施例においては、水銀ラン
プを放電状態のまま放置すれば、自動的にフロンが光分
解さ九でＣＦ、（又はＣ２Ｆ４）が得られる。
また前記第１．第２の実施例では、レーザー光をマスク
板２６のスリット２７を透過させることによって、基板
１１上にスリット状のフッ素樹脂（ｃ ｘ Ｆ ４ ）
膜を形成するようになっているが、マスク板２６に形成
するレーザー光透過パターンは自由であり、基板状には
任意のパターンのフッ素樹脂膜を形成することができる
。
板２６のスリット２７を透過させることによって、基板
１１上にスリット状のフッ素樹脂（ｃ ｘ Ｆ ４ ）
膜を形成するようになっているが、マスク板２６に形成
するレーザー光透過パターンは自由であり、基板状には
任意のパターンのフッ素樹脂膜を形成することができる
。
また本発明の改良として、オゾン層より下層の大気中に
微量混存するフロンガスに、２０Ｏｎｍ付近の紫外線を
照射し、フロンを光分解によって還元力の強いＣＦ２Ｏ
とＣｌ２２ガスとにし、フロンガスのオゾン層への拡散
を阻止するようにすることもできる。
微量混存するフロンガスに、２０Ｏｎｍ付近の紫外線を
照射し、フロンを光分解によって還元力の強いＣＦ２Ｏ
とＣｌ２２ガスとにし、フロンガスのオゾン層への拡散
を阻止するようにすることもできる。
一般にＣＦ、ラジカルは非常に安定で、酸素とも反応し
ない。そこでＣＦ、に至る前の還元性の強いＣＣＱＦ、
の状態で積極的に酸素と結合させるようにしたものであ
る。このときの反応式は。
ない。そこでＣＦ、に至る前の還元性の強いＣＣＱＦ、
の状態で積極的に酸素と結合させるようにしたものであ
る。このときの反応式は。
ｃｃｎ□Ｆ２＋％０３→ＣＣＱＦ２＋ルＯ，＋ＣΩ→Ｃ
Ｆ、Ｏ＋ＣＱ、である。
Ｆ、Ｏ＋ＣＱ、である。
このＣＣｌ２．Ｆ、を酸素と結合させる実験例としては
次のとおりである。
次のとおりである。
即ち、前記第１実施例と同様のテフロン製チャンバー１
０の中に、フロン−１２ガス３０Ｔｏｒｒ、酸素７３０
Ｔｏｒｒを入れ、そこにＡｒＦエキシマレーザ−光（４
０ｍ Ｊ ／ａＪ）を入射させる。
０の中に、フロン−１２ガス３０Ｔｏｒｒ、酸素７３０
Ｔｏｒｒを入れ、そこにＡｒＦエキシマレーザ−光（４
０ｍ Ｊ ／ａＪ）を入射させる。
そして第６図に示されるようにレーザーパルスを重ねる
と、ＣＣＱ、Ｆ、は光分解され、３３０ｎｍにＣａ２の
吸収増加が見られるが、第５図のように２５０ｍｎ付近
にはＣＦ、の吸収は見られず。
と、ＣＣＱ、Ｆ、は光分解され、３３０ｎｍにＣａ２の
吸収増加が見られるが、第５図のように２５０ｍｎ付近
にはＣＦ、の吸収は見られず。
しかも赤外線分光分析によってＣＦ、Ｏが形成されたこ
とがわかる。
とがわかる。
以上の説明から明かなように、本発明によればフロンガ
スを光分解して安定したＣＦ、ラジカル（又はＣ５ＦＪ
として回収できるようになる。さらに反応容器内の析出
基板上にＣＦ、の重合体である０２Ｆ、を析出させて所
定形状のフッ素樹脂膜を形成することもできる。
スを光分解して安定したＣＦ、ラジカル（又はＣ５ＦＪ
として回収できるようになる。さらに反応容器内の析出
基板上にＣＦ、の重合体である０２Ｆ、を析出させて所
定形状のフッ素樹脂膜を形成することもできる。
第１図は本発明方法を実施するための装置の第１の実施
例の概要図、第２図は本発明方法を実施するための装置
の第２の実施例の概要図、第３図は本発明方法を実施す
るための装置の第３の実施例の縦断面図、第４図は第３
図に示す線ＩＶ−ＩＶに沿う断面図、第５図はフロン−
１２ガスにレーザー光を照射した場合におけるＵＶスペ
クトルを示す図、第６図はフロン−１２ガスを酸素の存
在下でレーザー光を照射した場合におけるＵＶスペクト
ルを示す図である。 １０・・・反応容器であるチャンバー １１・・・析出基板であるステンレス板、２ＯＡ・・・
ＡｒＦエキシマレーザ− ２０Ｂ・・・ＫｒＦエキシマレーザ− １８，３８・・・ガス流入口、 １９．３９・・・ガス排出口。 ２６・・・マスク板。 ３０・・・反応容器である低圧水銀ランプ、３２・・・
紫外線照射部である内筒。 第２図 １ソ 第 図 ｊと 塑嘴外
例の概要図、第２図は本発明方法を実施するための装置
の第２の実施例の概要図、第３図は本発明方法を実施す
るための装置の第３の実施例の縦断面図、第４図は第３
図に示す線ＩＶ−ＩＶに沿う断面図、第５図はフロン−
１２ガスにレーザー光を照射した場合におけるＵＶスペ
クトルを示す図、第６図はフロン−１２ガスを酸素の存
在下でレーザー光を照射した場合におけるＵＶスペクト
ルを示す図である。 １０・・・反応容器であるチャンバー １１・・・析出基板であるステンレス板、２ＯＡ・・・
ＡｒＦエキシマレーザ− ２０Ｂ・・・ＫｒＦエキシマレーザ− １８，３８・・・ガス流入口、 １９．３９・・・ガス排出口。 ２６・・・マスク板。 ３０・・・反応容器である低圧水銀ランプ、３２・・・
紫外線照射部である内筒。 第２図 １ソ 第 図 ｊと 塑嘴外
Claims (2)
- （１）フロンガスを耐ハロゲン性反応容器内に入れ、波
長域１７０〜２２０ｎｍの紫外線を照射することにより
ＣＦ＿２又はＣＦ＿２の重合体であるＣ＿２Ｆ＿４を生
成することを特徴とするフロンガスの分解方法。 - （２）内部に析出基板の収容された耐ハロゲン性反応容
器内にフロンガスを入れ、波長域１７０〜２２０ｎｍの
紫外線を照射することによりＣＦ＿２ラジカルを生成し
、さらに波長域２２０〜２７０ｎｍの紫外線をフロンガ
ス及び析出基板に照射して基板表面の紫外線照射領域に
フッ素樹脂を析出させることを特徴とするフッ素樹脂膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248170A JPH0687900B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | フロンガスの分解方法及びフッ素樹脂膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248170A JPH0687900B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | フロンガスの分解方法及びフッ素樹脂膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111065A true JPH03111065A (ja) | 1991-05-10 |
| JPH0687900B2 JPH0687900B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=17174254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1248170A Expired - Lifetime JPH0687900B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | フロンガスの分解方法及びフッ素樹脂膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687900B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03221121A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-30 | Central Glass Co Ltd | ハロゲン化炭化水素類の分解方法 |
| JPH067474A (ja) * | 1992-06-27 | 1994-01-18 | Makoto Ogose | ハロゲン化化合物の分解方法及びその分解装置 |
| JPH06190243A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ガス体への光照射方法 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1248170A patent/JPH0687900B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03221121A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-30 | Central Glass Co Ltd | ハロゲン化炭化水素類の分解方法 |
| JPH067474A (ja) * | 1992-06-27 | 1994-01-18 | Makoto Ogose | ハロゲン化化合物の分解方法及びその分解装置 |
| JPH06190243A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ガス体への光照射方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687900B2 (ja) | 1994-11-09 |
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