JPH03105745A - Production of magneto-optical recording medium - Google Patents

Production of magneto-optical recording medium

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Publication number
JPH03105745A
JPH03105745A JP24202889A JP24202889A JPH03105745A JP H03105745 A JPH03105745 A JP H03105745A JP 24202889 A JP24202889 A JP 24202889A JP 24202889 A JP24202889 A JP 24202889A JP H03105745 A JPH03105745 A JP H03105745A
Authority
JP
Japan
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magneto
target
optical recording
rare earth
corrosion resistance
Prior art date
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Pending
Application number
JP24202889A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masabumi Nakao
中尾 正文
Sadaji Miyazaki
宮崎 貞二
Ichiro Doi
一郎 土井
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication of JPH03105745A publication Critical patent/JPH03105745A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To produce magneto-optical recording medium at high yield which can be stored for a long time by sintering an intermetallic compd. of rare earth element, transition metal element and element for improving corrosion resistance, with a simple substance of rare earth, simple substance of transition metal, and simple substance of element for improving corrosion resistance to obtain a target of a fine mixture structure. CONSTITUTION:The medium is produced by a sputtering method in which substrates on a tray travel perpendicularly to the longitudinal line of the target. The target for forming the magneto-optical recording layer has a fine mixture structure obtained by sintering an intermetallic compd. of rare earth element, transition metal element and element for improving corrosion resistance, with a simple substance of rare earth, simple substance of transition metal, and simple substance of element for improving corrosion resistance. The proportion of the element for improving corrosion resistance is <=20atm.% and the area of the intermetallic compd. on the sputtering surface is specified to 10 - 40%. By using this targer, the obtd. medium is suitable for mass production and has repeatability with low error rate and high reliability for long-term storage. This magneto-optical recording medium can be produced at high yield.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光磁気記録媒体の製造方法の改良に関するも
のである。さらに詳しくいえば、本発明は、長期保存に
対する信頼性の高い、基板上に誘電体層と光磁気記録層
と誘電体層とを順次設けた少なくとも3層構造から成る
光磁気記録媒体を、効率よく製造しうる量産に適した光
磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a method of manufacturing a magneto-optical recording medium. More specifically, the present invention provides a highly reliable magneto-optical recording medium for long-term storage, consisting of at least a three-layer structure in which a dielectric layer, a magneto-optical recording layer and a dielectric layer are sequentially provided on a substrate. The present invention relates to a method for manufacturing a magneto-optical recording medium that can be easily manufactured and is suitable for mass production.

従来の技術 近午、光ビームにより情報の記録、再生及び消去が可能
な光記録媒体として、光磁気ディスクなどの光磁気記録
媒体が開発されている。この光磁気記録媒体における情
報を記録するための光磁気記録層には、記録材料として
、従来Mn−Biなどの合金が用いられていたが、今日
ではFaやGoなどの遷移金属とNd, DYSGd,
 Tbなどの希土類との合金が一般的に用いられている
2. Description of the Related Art Recently, magneto-optical recording media such as magneto-optical disks have been developed as optical recording media on which information can be recorded, reproduced and erased using a light beam. In the magneto-optical recording layer for recording information in this magneto-optical recording medium, alloys such as Mn-Bi have traditionally been used as recording materials, but today alloys such as Fa and Go and transition metals such as Nd and DYSGd have been used as recording materials. ,
Alloys with rare earth elements such as Tb are commonly used.

ところで、情報の記録及び消去が可能な光記録媒体とし
ては、他に可逆的な相変化を利用したものが知られてい
るが、磁気光学効果を利用した光記録媒体は、相変化を
利用したものと異なり、記録及び消去を磁化の向きの反
転のみで行うことを特徴としている。すなわち、磁気光
学効果を利用した光記録媒体においては、記録する場合
、まず記録層として用いる磁性体に初期化プロセスとし
てレーザーなどの光ビームを照射しながら外部磁場を連
続的に印加して磁化の向きを揃えたのち、これとは逆向
きの外部磁場を印加しながら光ノくルスを照射してビッ
トを形或し、一方消去する場合には前記初期化プロセス
と同じ操作が行われる。
By the way, optical recording media that utilize reversible phase change are known as optical recording media on which information can be recorded and erased, but optical recording media that utilize magneto-optical effects are optical recording media that utilize phase change. Unlike conventional magnets, recording and erasing are performed only by reversing the direction of magnetization. In other words, when recording on an optical recording medium that utilizes the magneto-optic effect, first, as an initialization process, an external magnetic field is continuously applied to the magnetic material used as the recording layer while irradiating it with a light beam such as a laser to change the magnetization. After aligning the orientation, a light beam is irradiated while applying an external magnetic field in the opposite direction to form or erase the bit, and the same operation as the initialization process is performed.

このような過程は厚子の移動を伴わないので記録履が変
形したり、記録状態や消去状態が変化したりするおそれ
が少ないという利点を有している。
Since such a process does not involve movement of the thickness, it has the advantage that there is little risk that the recording shoe will be deformed or that the recorded state or erased state will change.

しかしながら、このような光磁気記録媒体においては、
通常生産性の点からスパッタ法による皮膜が行われてい
るが、光磁気記録珊に用いるNd,I1)I%Gd, 
Tbなどの希土類元素と、FeSCo, Niなどの遷
移金属元素とが、そのスパッタによる放出角度分布の点
において、全く性質が異なるため、希土類元素と遷移金
属元素との組或比をコントロールしにくいという欠点が
ある。
However, in such magneto-optical recording media,
Coatings are usually formed by sputtering from the viewpoint of productivity, but Nd, I1) I%Gd,
Rare earth elements such as Tb and transition metal elements such as FeSCo and Ni have completely different properties in terms of the emission angle distribution by sputtering, making it difficult to control the composition ratio of rare earth elements and transition metal elements. There are drawbacks.

この光磁気記録媒体の或膜に用いられるスバツタ装置の
構造としては、ターゲットに対向させt;基板を自転及
び公転させ、ディスク面内に膜厚及び組戊の均一化を図
る自公転方式と、ターゲットに対向させた状態でディス
ク基板を取り付けたトレーを通過させる通過方式とがあ
るが、前者の方式においては、膜厚及び組或の均一化は
図りやすいものの、スパッタ或膜ごとにスバツタ入力を
ON−OFFせねばならない上、基板をターゲット上で
静止自公転させるため、膜質の再現性が得られにくく、
かつ自公転の際にトレーに付着したスバツタ堆積物が剥
離して、戊膜する基板に付着し、膜にビンホールが発生
するおそれがあり、量産上好ましくない。
The structure of the sputtering device used for a certain film of this magneto-optical recording medium is that the substrate is opposed to a target; a rotation-revolution method in which the substrate is rotated and revolved to make the film thickness and composition uniform within the disk surface; There is a passing method in which a disk substrate is passed through a tray with the disk substrate facing the target, but in the former method, although it is easy to achieve uniform film thickness and composition, it requires a sputter input for each sputtered film. In addition to having to turn on and off, the substrate is stationary and revolves around the target, making it difficult to obtain reproducibility of film quality.
In addition, there is a risk that the splatter deposits attached to the tray during rotation and revolution may peel off and adhere to the substrate to be coated, resulting in formation of holes in the film, which is undesirable in terms of mass production.

一方、後者の方式においては、成膜時ターゲットに対向
させた状態で連続的にトレーを通過させるため、膜質の
再現性が得られやすく、かつ自公転などの複雑な構造を
用いないため、堆積物が剥離しに<<、量産に適してい
る。しかしながら、この方式は自公転方式に比べて、膜
厚及び組戊、特に組或をコントロールしにくいという欠
点がある。
On the other hand, in the latter method, since the tray is passed continuously while facing the target during film formation, it is easy to obtain reproducibility of film quality. Suitable for peeling objects and mass production. However, this method has the disadvantage that it is difficult to control the film thickness and composition, especially the composition, compared to the rotation-revolution method.

この組戊をコントロールする方法として、光磁気記録層
形或用ターゲットに、NdSDV, Gd..Tbなど
の希土類元素単体と、Fe, Co%Niなどの遷移金
属元素単体と、希土類元素と遷移金属元素との金属間化
合物とを特定の割合で含有するものを用いる方法が提案
されているが(特開昭62 − 205556号公報)
、この方法においては、形戊される記録層は、膜面及び
膜厚方向の全体にわたり、組或が均一化されているもの
の、酸化されやすいFeやNd,Dy%Gd%Tbなど
の希土類元素を用いているため、特に長期保存に対する
信頼性に劣るという欠点がある。
As a method to control this structure, NdSDV, Gd. .. A method has been proposed that uses a rare earth element such as Tb, a transition metal element such as Fe, Co%Ni, and an intermetallic compound of a rare earth element and a transition metal element in a specific ratio. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 1983-205556)
In this method, the recording layer to be formed has a uniform composition throughout the film surface and film thickness direction, but contains rare earth elements such as Fe, Nd, and Dy%Gd%Tb, which are easily oxidized. Because it uses

したがって、量産性に富み、かつ光磁気記録層の膜質を
十分にコントロールすることができる上、長期保存に対
する信頼性の高い光磁気記録媒体を効率よく製造する方
法の確立が望まれていた。
Therefore, it has been desired to establish a method for efficiently manufacturing a magneto-optical recording medium that is mass-producible, allows sufficient control of the film quality of the magneto-optical recording layer, and is highly reliable for long-term storage.

発明が解決しようとする課題 本発明は、このような要望にこたえ、長期保存に対する
信頼性の高い、基板上に誘電体層と光磁気記録層と誘電
体層とを順次設けた少なくとも3層構造から成る光磁気
記録媒体を、効率よく製造しうる量産に適した光磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的としてなされた
ものである。
Problems to be Solved by the Invention The present invention, in response to such demands, provides a highly reliable at least three-layer structure for long-term storage, in which a dielectric layer, a magneto-optical recording layer, and a dielectric layer are sequentially provided on a substrate. The purpose of this invention is to provide a method for manufacturing a magneto-optical recording medium that is suitable for mass production and can efficiently manufacture a magneto-optical recording medium consisting of the following.

課題を解決するための手段 本発明者らは、前記目的を達或するために鋭意研究を重
ねた結果、スパッタ方式として基板通過型方式を採用し
、かつ光磁気記録層形或用ターゲットとして、希土類元
素と遷移金属元素と耐食性向上元素とから皮る特定の構
造を有するものを用い、耐食性向上元素の濃度を膜厚方
向に連続的に変化させ、上下の界面における耐食性元素
の濃度を高めた光磁気記録層を形戊させることにより、
その目的を達或しうろことを見出し、この知見に基づい
て本発明を完戊するに至った。
Means for Solving the Problems As a result of extensive research in order to achieve the above object, the present inventors adopted a substrate passing type sputtering method as a sputtering method, and as a target for a magneto-optical recording layer, Using a material with a specific structure composed of rare earth elements, transition metal elements, and corrosion resistance improving elements, the concentration of the corrosion resistance improving elements was continuously varied in the film thickness direction, increasing the concentration of the corrosion resistance elements at the upper and lower interfaces. By shaping the magneto-optical recording layer,
It was discovered that the object could be achieved, and based on this knowledge, the present invention was completed.

すなわち、本発明は、基板上に、誘電体層、光磁気記録
層及び誘電体層を順次設けた少なくとも3層から成る光
磁気記録媒体をスパッタ装置として、矩形のターゲット
と、該基板をこのターゲットに対向させた状態で固定す
る基板トレーと、この基板トレーを該ターゲットの長辺
に対して直角に等速搬送させるだめの搬送機構とを有す
る装置を用いて、基板通過型スパッタ法により製造する
に当り、光磁気記録層形成用ターゲットとして、希土類
元素と遷移金属元素と耐食性向上元素との金属間化合物
、希土類元素単体、遷移金属元素単体及び耐食性向上元
素単体を焼結により結合させた微細な混合組織を有し、
かつ該耐食性向上元素の含有量が20m子%以下の材料
から戊り、そのスパッタ面における前記金属間化合物の
占める面積の割合が10〜40%の範囲にあるものを用
いることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を提供
するものである。
That is, the present invention uses a magneto-optical recording medium consisting of at least three layers, in which a dielectric layer, a magneto-optical recording layer and a dielectric layer are sequentially provided on a substrate, as a sputtering apparatus, and uses a rectangular target and the substrate as the target. Manufactured by a substrate passing sputtering method using a device having a substrate tray that is fixed in a state facing the target, and a transport mechanism that transports the substrate tray at a constant speed perpendicular to the long side of the target. As targets for forming the magneto-optical recording layer, intermetallic compounds of rare earth elements, transition metal elements, and corrosion resistance improving elements, fine particles made by combining rare earth elements, transition metal elements, and corrosion resistance improving elements by sintering are used. has a mixed tissue;
A light source characterized in that the content of the corrosion resistance improving element is 20m% or less, and the ratio of the area occupied by the intermetallic compound on the sputtered surface is in the range of 10 to 40%. A method of manufacturing a magnetic recording medium is provided.

以下、本発明を詳細に説明する。The present invention will be explained in detail below.

本発明方法により得られる光磁気記録媒体は、基板上に
誘電体層、光磁気記録層及び誘電体贋を順次積層した少
なくとも3層から成る構造を有しているが、所望に応じ
、力一回転角を高めるために、光磁気記録層の上に設け
られた誘電体層上lこ、さらにAl2, Ni, Cr
..Auなどの金属から成る反射層を設けてもよい。
The magneto-optical recording medium obtained by the method of the present invention has a structure consisting of at least three layers in which a dielectric layer, a magneto-optical recording layer and a dielectric layer are successively laminated on a substrate. In order to increase the rotation angle, the dielectric layer provided on the magneto-optical recording layer is further coated with Al2, Ni, Cr.
.. .. A reflective layer made of metal such as Au may also be provided.

本発明方法においては、基板通過型スパッタ法により、
光磁気記録媒体を製造するが、この際スパッタ或膜装置
として、矩形のターゲットと、該基板をこのターゲット
に対向させた状態で固定する基板トレーを該ターゲット
の長辺に対して直角に等速搬送させるための搬送機構と
を有する装置が用いられる。このようなスパッタ皮膜装
置の1例の説明図を第1図に示す。基板3は、ターゲッ
トlに対向させた状態で基板トレー2に固定されており
、基板トレー2は矢印の方向に移動する。
In the method of the present invention, by the substrate passing sputtering method,
Magneto-optical recording media are manufactured, and at this time, a sputtering or film device is used that uses a rectangular target and a substrate tray that fixes the substrate facing the target at a constant speed perpendicular to the long side of the target. An apparatus having a conveyance mechanism for conveying is used. An explanatory view of one example of such a sputter coating apparatus is shown in FIG. The substrate 3 is fixed to the substrate tray 2 while facing the target l, and the substrate tray 2 moves in the direction of the arrow.

また、ターゲットの暢dTが基板の取付け位置幅d,よ
り十分に長ければ、d.の範囲においては比較的均一な
スパッタレートが得られる。基板の取付け枚数は、第1
図においては2×2の4枚であるが、ターゲットのdア
の長さとのかねあいから4×4、6×4、6×6など適
宜選ぶことができる。
Also, if the width dT of the target is sufficiently longer than the mounting position width d of the board, d. A relatively uniform sputtering rate can be obtained within this range. The number of boards installed is
In the figure, there are four sheets of 2×2, but depending on the length of the target, 4×4, 6×4, 6×6, etc. can be selected as appropriate.

さらに、光磁気記録媒体を多層構戊とする場合は、スパ
ッタチャンバーを連結して多チャンバー化すればよい。
Furthermore, when the magneto-optical recording medium has a multilayer structure, sputtering chambers may be connected to form multiple chambers.

第2図はスパッタチャンバーを連結して、多チャンバー
化しt;スパッタ戊膜装置のl例を示す説明図であって
、図中の符号は前記と同じ意味をもつ。
FIG. 2 is an explanatory view showing an example of a sputter film apparatus in which sputter chambers are connected to form a multi-chamber system, and the symbols in the figure have the same meanings as above.

該光磁気記録媒体における基板としては、通常の記録材
料の基板に慣用されている材料から成るものの、例えば
ガラス、ガラスやプラスチック上に紫外線などで硬化す
るボリマー贋を設けたもの、アクリル樹脂、スチレン樹
脂、ポリカーポネート樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニ
ル、ポリオレフィン樹脂などの透明基板、あるいはアル
ミニウムなどの不透明材料から戊る基板が用いられる。
The substrate of the magneto-optical recording medium is made of materials commonly used for substrates of ordinary recording materials, such as glass, glass or plastic with a polymeric material that is cured by ultraviolet light, acrylic resin, styrene, etc. A transparent substrate made of resin, polycarbonate resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride, polyolefin resin, or the like, or a substrate made of opaque material such as aluminum is used.

これらの基板にはアドレス情報や、レーザービームがト
ラッキングを行うための溝などが射出戊形や2P法、食
刻などの方法で形威されていてもよい。
Address information and grooves for laser beam tracking may be formed on these substrates by methods such as injection molding, the 2P method, and etching.

前記基板上に設けられる光磁気記録層としては、Gds
 Tbs Dy%HaSTIIs Nds Sm及びE
『などの中から選ばれた少なくとも1種の希土類元素と
Fe, Co及びN五などの中から選ばれた少なくとも
1種の遷移金属元素との合金で、かっ保磁カHcが高く
、磁化Msの小さな材料から成るアモルファスの垂直磁
化膜が用いられる。このようなものとしては、例えばT
bFeSGdTbFe, TbFeCo, NdDyF
eCo, TbFeNiなどの7エリ磁性膜が好ましく
挙げられる。また、保磁力Hcを調節するために、これ
らの材料を積層化して、交換結合膜としてもよい。これ
らの材料の中で特にTbFeCo及びNdDyFeCo
が好適である。
As the magneto-optical recording layer provided on the substrate, Gds
Tbs Dy%HaSTIIs Nds Sm and E
``It is an alloy of at least one rare earth element selected from among such elements and at least one transition metal element selected from among Fe, Co, N5, etc., which has a high coercive force Hc and a magnetization Ms. An amorphous perpendicularly magnetized film made of a small material is used. For example, T
bFeSGdTbFe, TbFeCo, NdDyF
Preferable examples include 7-element magnetic films such as eCo and TbFeNi. Furthermore, in order to adjust the coercive force Hc, these materials may be laminated to form an exchange coupling film. Among these materials, TbFeCo and NdDyFeCo are especially
is suitable.

さらに、これらの7エリ磁性膜には、前記目的をそこな
わない範囲で、希土類元素としてHo, Tn+,Er
などを添加してもよいし、c/N比などを向上さ仕る目
的でS+++などを添加してもよい。
Furthermore, these 7-element magnetic films contain Ho, Tn+, Er as rare earth elements within the range that does not impair the above purpose.
Alternatively, S+++ or the like may be added for the purpose of improving the c/N ratio.

本発明においては、前記光磁気記録層に、耐食性の向上
を目的として、Cr, Tis AQs Hf, Ta
, V,Nd, In, Zr%PtSRh, Pd及
びAuの中から選ばれた少なくとも1種の耐食性向上元
素を20原子%以下の割合で添加することが必要である
In the present invention, the magneto-optical recording layer contains Cr, Tis AQs Hf, Ta for the purpose of improving corrosion resistance.
, V, Nd, In, Zr%PtSRh, Pd, and Au at a rate of 20 atomic % or less.

光磁気記録媒体における光磁気記録層として、前記の希
土類元素と遷移金属元素と耐食性向上元素とから成る合
金薄膜をスバツタ法で形或する場合、希土類元素と遷移
金属元素と耐食性向上元素とを、別々のターゲットから
共スバツタする方法と、耐食性向上元素を含有するTb
FeCo, NdDyFeCoなどの複合合金ターゲッ
トからスバツタする方法とがあるが、本発明においては
通過型スバツタ方式を採用するので、膜組成のコントロ
ール性の点から、後者の複合合金ターゲントを用いる方
法がとられる。
When forming an alloy thin film consisting of the above rare earth element, transition metal element, and corrosion resistance improving element as a magneto-optical recording layer in a magneto-optical recording medium by a sputtering method, the rare earth element, transition metal element, and corrosion resistance improving element are Method of splicing together from separate targets and Tb containing corrosion resistance improving elements
There is a method of sputtering from a composite alloy target such as FeCo, NdDyFeCo, etc., but since the present invention uses a passing sputtering method, the latter method using a composite alloy target is used from the viewpoint of controllability of the film composition. .

このターゲットの構造については、希土類元素と遷移金
属元素及び耐食性向上元素とでは、次に示すようにスパ
ッタ原子の放出角度に大きな差異があるため、特異な工
夫が必要である。例えば全体が希土類元素と遷移金属元
素との金属間化合物から成る合金材料で作られたターゲ
ットを用いてスパッタを行うと、第3図(a)に示すよ
うな希土類元素及び遷移金属元素の飛量分布となり、第
3図(b)のように、ターゲットの中心直上から周辺に
向かって希土類元素の割合が著しく増大することになる
。ここで第3図(a)は該金属間化合物ターゲットを用
いた場合の希土類元素及び遷移金属元素のスパッタ放出
角度分布の1例を示すグラフであり、実線は遷移金属ス
パッタ放出角度分布を、点線は希土類元素スパッタ放出
角度分布を、4は金属間化合物ターゲットを表わす。ま
た、第3図(b)は該金属間化合物ターゲットを用いた
場合の希土類元素/遷移金属元素(RE/TM)原子比
のターゲット中心からの分布のl例を示すグラフである
Regarding the structure of this target, special measures are required because there is a large difference in the emission angle of sputtered atoms between rare earth elements, transition metal elements, and corrosion resistance improving elements, as shown below. For example, when sputtering is performed using a target made entirely of an alloy material consisting of an intermetallic compound of rare earth elements and transition metal elements, the amount of rare earth elements and transition metal elements scattered as shown in Figure 3 (a) is As shown in FIG. 3(b), the ratio of rare earth elements increases significantly from directly above the center of the target toward the periphery. Here, FIG. 3(a) is a graph showing an example of the sputter emission angle distribution of rare earth elements and transition metal elements when using the intermetallic compound target, where the solid line indicates the transition metal sputter emission angle distribution, and the dotted line 4 represents the rare earth element sputter emission angle distribution, and 4 represents the intermetallic compound target. Further, FIG. 3(b) is a graph showing an example of the distribution of the rare earth element/transition metal element (RE/TM) atomic ratio from the center of the target when the intermetallic compound target is used.

このような状況の中で、トレーを通過させて戊膜を行う
と、希土類元素の濃度が膜厚方向に対して濃→淡→濃と
連続的に変化する記録層を或膜することができる。
Under such circumstances, if film is formed by passing through a tray, it is possible to form a recording layer in which the concentration of rare earth elements changes continuously from dark to light to dark in the film thickness direction. .

一方、金属間化合物を含まず全体が焼結材料から成るタ
ーゲットを用いてスパッタを行うと、第4図(a)に示
すように、前記とは逆の傾向となり、第4図(l))に
示すように、ターゲット中心直上から周辺に向かって希
土類元素の割合が著しく減少することになる。ここで、
第4図(a)は、該焼結材料から成るターゲットを用い
た場合の希土類元素及び遷移金属元素のスパッタ放出角
度分布のl例を示すグラフであり、実線は遷移金属スバ
ツタ放出角度分布を、点線は希土類元素スバツタ放出角
度分布を、4′は焼結材料から戊るターゲットを表わす
。また、第4図(b)は該焼結材料から成るターゲット
を用いた場合の希土類元素/遷移金属元素(RE/TM
) ji(子比のターゲット中心からの分布のl例を示
すグラフである。
On the other hand, when sputtering is performed using a target that does not contain intermetallic compounds and is entirely made of sintered material, the tendency is opposite to that described above, as shown in Figure 4 (a), and Figure 4 (l)) As shown in , the proportion of rare earth elements decreases significantly from directly above the center of the target toward the periphery. here,
FIG. 4(a) is a graph showing an example of the sputter emission angle distribution of rare earth elements and transition metal elements when using a target made of the sintered material, and the solid line indicates the transition metal sputter emission angle distribution. The dotted line represents the rare earth element scattering release angle distribution, and 4' represents the target cut out from the sintered material. Moreover, FIG. 4(b) shows rare earth elements/transition metal elements (RE/TM) when using a target made of the sintered material.
) ji (This is a graph showing an example of the distribution of the child ratio from the target center.

このような状況の中で、トレーを通過させて戊膜を行う
と、希土類元素の濃度が、膜厚方向に対して淡→濃一淡
と前記とは逆方向の連続的に変化する記録層を或膜する
ことができる。
Under such circumstances, when film-forming is performed by passing through the tray, the recording layer is formed in which the concentration of the rare earth element changes continuously in the direction of the film thickness from light to dark, in the opposite direction. can be coated with a certain film.

一方、耐食性向上元素は、前記遷移金属元素と同様なス
パッタ放出角度分布を有し、同様な挙動を示す。したが
って、本発明のように、光磁気記録層形或用ターゲット
として、希土類元素と遷移金属元素と耐食性向上元素と
の金属間化合物、る土類元素単体、遷移金属元素単体及
び耐食性向上元素単体を焼結させた微細な混合組織を有
する材料から戊るものを用い、各或分の割合を適宜選ぶ
ことにより、膜厚方向に連続的な組戊変化をもった光磁
気記録層が得られる。
On the other hand, the corrosion resistance improving element has a sputter emission angle distribution similar to that of the transition metal element and exhibits similar behavior. Therefore, as in the present invention, an intermetallic compound of a rare earth element, a transition metal element, and a corrosion resistance improving element, an earth element alone, a transition metal element alone, and a corrosion resistance improving element alone may be used as a magneto-optical recording layer type target. By using a sintered material having a fine mixed structure and appropriately selecting a certain proportion of each part, a magneto-optical recording layer having a continuous structure change in the film thickness direction can be obtained.

さらに、本発明においては、前記ターゲットのスパッタ
面における該金属間化合物の占める面積の割合が10〜
40%の範囲で選ばれる。これにより、光磁気記録層に
おける耐食性向上元素の組戊を、その膜厚方向に対して
濃一淡一濃と連続的に変化させ、上下の界面において耐
食性向上元素濃度を高めることができる。その結果、界
面において高い濃度で存在する耐食性向上元素は、該光
磁気記@贋の上下に設けられる誘電体層中に存在する、
あるいは誘電体層を透過してくる酸化性因子により一部
酸化されて強固な不動態様の皮膜を形或し、該誘電体贋
と共に、光磁気記録層を保護する。
Furthermore, in the present invention, the ratio of the area occupied by the intermetallic compound on the sputtering surface of the target is 10 to 10.
Selected within a range of 40%. Thereby, the composition of the corrosion resistance improving element in the magneto-optical recording layer can be continuously changed in the direction of the film thickness, increasing the concentration of the corrosion resistance improving element at the upper and lower interfaces. As a result, the corrosion resistance improving element present at a high concentration at the interface is present in the dielectric layer provided above and below the magneto-optical recorder.
Alternatively, it is partially oxidized by an oxidizing factor passing through the dielectric layer to form a strong passive-like film, which protects the magneto-optical recording layer as well as the dielectric counterfeit.

ターゲントのスパッタ面における金属間化合物の占める
面積の割合が10%未満では、膜厚方向の組或差が大き
くなりすぎて、記録再生特性、特にC/N比が低下する
おそれがあるし、40%を超えると膜厚方向の組戊差が
少なくなり、その結果光磁気記録層の上下に設けられる
誘電体贋との界面における耐食性向上元素の濃度が低く
なって、本発明の効果が十分に発揮されなくなる。
If the ratio of the area occupied by the intermetallic compound on the sputtered surface of the target is less than 10%, the difference in composition in the film thickness direction will become too large, which may lead to a decrease in recording and reproducing characteristics, especially the C/N ratio. %, the compositional difference in the film thickness direction decreases, and as a result, the concentration of the corrosion resistance improving element at the interface with the dielectric material provided above and below the magneto-optical recording layer becomes low, and the effect of the present invention is not sufficiently achieved. It will no longer be effective.

該光磁気記録層の上下に設けられる誘電体層には、例え
ばSiNx, SiNxOy, SiOxSSiA(2
Nx,SiA(loxNy,kQNx, A(10xN
y. ZnSなどの材料が用いられる。この誘電体層は
前記化合物をターゲットとしてスパッタリングして設け
てもよいし、Si%Af2などの金属や半金属をターゲ
ットとし、反応性スパッタ法により設けてもよい。
The dielectric layers provided above and below the magneto-optical recording layer include, for example, SiNx, SiNxOy, SiOxSSiA (2
Nx, SiA(loxNy, kQNx, A(10xN
y. Materials such as ZnS are used. This dielectric layer may be provided by sputtering using the above compound as a target, or may be provided by reactive sputtering using a metal or metalloid such as Si%Af2 as a target.

発明の効果 本発明によると、再現性を有し、かつエラー発生の少な
いl産に適した基板通過型スパッタ法により、長期保存
に対する信頼性の高い光磁気記録媒体を効率よく製造す
ることができる。
Effects of the Invention According to the present invention, a magneto-optical recording medium that is highly reliable for long-term storage can be efficiently manufactured using a substrate-passing sputtering method that is suitable for production with high reproducibility and low error occurrence. .

実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
Examples Next, the present invention will be explained in more detail with reference to examples.
The present invention is not limited in any way by these examples.

実施例l 射出戊形により或形した130關径、厚さ1.211+
1のポリカーボ不一ト基板を用い、通過型スパッタ法に
より以下の手順に従い、光磁気記録媒体を作製し、記録
再生特性としてのC/N比、長期信頼性としての80℃
、90%RH下における1000時間経過後のピットエ
ラーレート(BER)変化率を測定して比較を行った。
Example 1: 130 diameter, 1.211+ thickness, formed by injection molding
A magneto-optical recording medium was prepared using the polycarbon amorphous substrate No. 1 according to the following procedure by the pass-through sputtering method, and the C/N ratio as recording and reproducing characteristics and 80°C as long-term reliability were determined.
The pit error rate (BER) change rate after 1000 hours under 90% RH was measured and compared.

通過型スパッタ装置は基板ターゲット間距離が80m+
i、ターゲットの形状は長辺460開x短辺130關の
矩形であり、ターゲットに対抗させるトレーとしては、
基板の取付け位置輻d,が280m+mで、径130m
mの基板が4枚装着可能なものを用い、また、履構或に
応じて4層まで連続して形或可能な構造となっている。
Pass-through sputtering equipment has a distance between substrate targets of 80m+
i. The shape of the target is a rectangle with long sides 460 mm wide x short sides 130 mm wide, and as a tray to oppose the target,
The installation position radius d of the board is 280m+m, and the diameter is 130m.
The structure is such that up to four layers can be formed in succession depending on the structure.

さらにトレーは、戊膜中にはその端部同士が重なり合い
、ターゲットから見るとあたかも連続的にひとつづきの
トレーが流れるかのように戊膜されるようになっている
Further, the ends of the trays overlap each other in the membrane, so that when viewed from the target, the trays appear to be membraned as if they were flowing one after the other.

光磁気記録層形成用ターゲットとしては、希土類元素T
b単体、遷移金属元素Fe1Co単体、耐食性向上元素
Cr単体及びそれらの金属間化合物を焼結により結合さ
せたCr5原子%を含有するTbFeCo複合材料から
威るもの5種、すなわちスパッタ面における金属間化合
物の占める面積の割合がO%のもの(ターゲソトA)、
10%のもの(ターゲットB)、25%のもの(ターゲ
ットC)、40%のもの(ターゲットD)及び55%の
もの(ターゲツ}E)を用意した。それぞれのターゲッ
トを用い、記録屠の組戊比がほぼTb+s(Feo. 
ecoa. +)y1crsになるように、ターゲット
の組戊及びスバツタガス圧、パワーなどの戊膜条件を選
び戊膜した。
As a target for forming the magneto-optical recording layer, rare earth element T
5 types of TbFeCo composite materials containing 5 at. The proportion of the area occupied by is 0% (Target Soto A),
A 10% target (Target B), a 25% target (Target C), a 40% target (Target D), and a 55% target (Target E) were prepared. Using each target, the composition ratio of recorded slaughter was approximately Tb+s (Feo.
ecoa. +) Filming conditions such as target assembly, sputtering gas pressure, and power were selected so as to yield y1crs.

まず、基板上に、SiNxから戊る誘電体層を1000
Aの厚さに或膜したのち、ターゲットAを用いて、Tb
FeCo−Crから成る光磁気記録層を250人の厚さ
にFR膜し、次いでSiNxから成る誘電体層を350
人の厚さに、さらにA12から成る反射層を600人の
厚さに或膜し、連統してl00トレー400面の光磁気
ディスクを作製した。
First, a dielectric layer made of SiNx is placed on the substrate with a thickness of 1000
After forming a film to a thickness of A, using target A, Tb
A magneto-optical recording layer made of FeCo-Cr is formed into a FR film with a thickness of 250 mm, and then a dielectric layer made of SiNx is formed with a thickness of 350 mm.
In addition, a reflective layer made of A12 was formed to a thickness of 600 mm, and a magneto-optical disk with 400 sides of a 100 tray was fabricated.

次に、前記ターゲットAをターゲットBに切り換えて、
全く同一の層構造で同じ<iooトレー400面の光磁
気ディスクを作製した。
Next, switch the target A to target B,
Magneto-optical disks with exactly the same layer structure and the same <ioo tray 400 sides were manufactured.

さらに、ターゲットC1ターゲットD1ターゲットEに
ついても同様に同数の光磁気ディスクを作製した。
Furthermore, the same number of magneto-optical disks were similarly produced for the target C1 target D1 target E.

このようにして、それぞれのターゲットから作製した光
磁気ディスクを任意に10面ほど抽出し、記録再生特性
として、最適感度におけるC/N比を測定し、平均値を
求めた。なお、C/N比の測定は、基板を1800rp
mで回転させ、最内周(半径30mm)の位置において
記録周波数3.7MHzで行った。それぞれのターゲッ
トに対するC/N比を第5図にグラフで示す。この図か
ら、ターゲットのスパッタ面における金属間化合物の占
める面積の割合が10%より少なくなると,C/N比は
低下し、45dBを下回ることが分かる。
Approximately 10 magneto-optical disks produced from each target were arbitrarily extracted in this manner, and the C/N ratio at the optimum sensitivity was measured as the recording and reproducing characteristics, and the average value was determined. Note that the C/N ratio was measured by rotating the substrate at 1800 rpm.
The recording frequency was 3.7 MHz at the innermost circumference (radius 30 mm). The C/N ratio for each target is shown graphically in FIG. From this figure, it can be seen that when the ratio of the area occupied by the intermetallic compound on the sputtering surface of the target becomes less than 10%, the C/N ratio decreases and becomes less than 45 dB.

次に、それぞれのサンプルを80゜C1 90%RH恒
温恒湿槽に入れ、1000時間経過後のピットエラーレ
ート変化率(BER) lo。。/ (BER)。((
BER),は初期のピットエラーレート、( BER)
 ..。。はl000時間経過後のピットエラーレート
である〕を求めた。その結果を第6図にグラフで示す。
Next, each sample was placed in an 80° C1 90% RH constant temperature and humidity chamber, and the pit error rate change rate (BER) lo was measured after 1000 hours had elapsed. . / (BER). ((
BER), is the initial pit error rate, (BER)
.. .. . . is the pit error rate after 1000 hours] was calculated. The results are shown graphically in FIG.

この図から、ターゲットのスパッタ面における金属間化
合物の占める面積の割合が増加するピットエラーレート
変化率は増大し、特に40%を超えるとその傾向が顕著
であることが分かる。
From this figure, it can be seen that the rate of change in pit error rate increases as the proportion of the area occupied by intermetallic compounds on the sputtering surface of the target increases, and this tendency is particularly noticeable when it exceeds 40%.

以上の結果から、C/N比が45dB以上で、かつ高温
高湿加速テストにおいて、ピットエラーレートが増加し
ないためには、ターゲットのスパッタ面における金属間
化合物の占める面積の割合が10〜40%の範囲にある
ことが必要なことが判明しtこ。
From the above results, in order for the C/N ratio to be 45 dB or more and for the pit error rate to not increase in high temperature and high humidity acceleration tests, the area ratio occupied by intermetallic compounds on the sputtering surface of the target must be 10 to 40%. It turns out that it is necessary to be within the range of t.

また、ターゲットCを用いて作製しI;光磁気ディスク
を任意に100面抜きとり、C/N比及びC/N比の最
大値の得られる記録感度のバラツキを求め、さらに全面
のエラーレートを測定したところ、C/N比の最大最小
差はldB以下であり、感度のバラッキは0.5所W以
下、全面のエラーレートはすべて2xio−’以下であ
った。
In addition, 100 sides of the magneto-optical disk prepared using target C were arbitrarily cut out, the C/N ratio and the variation in the recording sensitivity obtained at the maximum value of the C/N ratio were determined, and the error rate of the entire surface was determined. As a result of measurement, the maximum and minimum differences in C/N ratio were 1 dB or less, sensitivity variations were 0.5 W or less at some points, and error rates over the entire surface were all 2xio-' or less.

以上により、光磁気記録媒体の製造方法として、長期保
存性がよく、かつ媒体間のバラッキの少ない量産性に富
む製造方法を確立したことが確認された。
As a result of the above, it has been confirmed that a manufacturing method for magneto-optical recording media that has good long-term storage stability and is highly mass-producible with little variation between media has been established.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第l図及び第2図は、それぞれ本発明方法を実施するた
めのスパッタ或膜装置の異なった例の説明図であって、
図中符号1はターゲット、2は基板トレー、3は基板で
ある。 第3図(a)及び(b)は、それぞれ金属間化合物から
成るターゲットを用いた場合における、希土類元素と遷
移金属元素のスパッタ放出角度分布の1例及び希土類元
素/遷移金属元素(RE/TM)原子比のターゲット中
心からの分布の1例を示すグラ7、第4図(a)及び(
b)は、それぞれ金属間化合物を含まない焼結材料から
成るターゲットを用いた場合における、希土類元素と遷
移金属元素のスパッタ放出角度分布の1例及び希土類元
素/遷移金属元素(RE/TM) 原子比のターゲット
中心からの分布の1例を示すグラフ、第5図は、ターゲ
ットのスパッタ面における金属間化合物の占める面積の
割合とC/N比との関係の1例を示すグラフ、第6図は
、ターゲットのスパッタ面における金属間化合物の占め
る面積の割合と80’C,90%RHの条件で1000
時間経過後のピットエラーレートの変化率との関係の1
例を示すグラフである。 第I図
FIGS. 1 and 2 are explanatory diagrams of different examples of sputtering or film apparatuses for carrying out the method of the present invention, respectively,
In the figure, numeral 1 is a target, 2 is a substrate tray, and 3 is a substrate. Figures 3 (a) and (b) show an example of the sputter emission angle distribution of rare earth elements and transition metal elements, and a rare earth element/transition metal element (RE/TM) when using a target made of an intermetallic compound, respectively. ) Figure 7, Figure 4(a) and (
b) is an example of the sputter emission angle distribution of rare earth elements and transition metal elements and rare earth element/transition metal element (RE/TM) atoms when using targets made of sintered materials that do not contain intermetallic compounds. Figure 5 is a graph showing an example of the distribution of the ratio from the center of the target, and Figure 6 is a graph showing an example of the relationship between the ratio of the area occupied by intermetallic compounds on the sputtering surface of the target and the C/N ratio. is the ratio of the area occupied by the intermetallic compound on the sputtering surface of the target and the ratio of 1000 at 80'C and 90% RH.
Relationship 1 with the rate of change in pit error rate over time
Figure 2 is a graph showing an example. Figure I

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 基板上に、誘電体層、光磁気記録層及び誘電体層を
順次設けた少なくとも3層から成る光磁気記録媒体をス
パッタ装置として、矩形のターゲットと、該基板をこの
ターゲットに対向させた状態で固定する基板トレーと、
この基板トレーを該ターゲットの長辺に対して直角に等
速搬送させるための搬送機構とを有する装置を用いて、
基板通過型スパッタ法により製造するに当り、光磁気記
録層形成用ターゲットとして、希土類元素と遷移金属元
素と耐食性向上元素との金属間化合物、希土類元素単体
、遷移金属元素単体及び耐食性向上元素単体を焼結によ
り結合させた微細な混合組織を有し、かつ該耐食性向上
元素の含有量が20原子%以下の材料から成り、そのス
パッタ面における前記金属間化合物の占める面積の割合
が10〜40%の範囲にあるものを用いることを特徴と
する光磁気記録媒体の製造方法。 2 希土類元素がGd、Tb、Dy、Ho、Tm、Nd
、Sm及びErの中から選ばれた少なくとも1種、遷移
金属元素がFe、Co及びNiの中から選ばれた少なく
とも1種及び耐食性向上元素がCr、Ti、Al、Hf
、Ta、V、Nb、In、Zr、Pt、Rh、Pd及び
Auの中から選ばれた少なくとも1種である請求項1記
載の製造方法。
[Claims] 1. A magneto-optical recording medium consisting of at least three layers, in which a dielectric layer, a magneto-optical recording layer and a dielectric layer are sequentially provided on a substrate, is used as a sputtering device, and a rectangular target and the substrate are connected to the sputtering device. a substrate tray fixed in a state facing the target;
Using a device having a transport mechanism for transporting the substrate tray at a constant speed perpendicular to the long side of the target,
In manufacturing by the substrate passing sputtering method, intermetallic compounds of rare earth elements, transition metal elements, and corrosion resistance improving elements, rare earth elements alone, transition metal elements alone, and corrosion resistance improving elements alone are used as targets for forming the magneto-optical recording layer. It is made of a material that has a fine mixed structure bonded by sintering and has a content of the corrosion resistance improving element of 20 at % or less, and the proportion of the area occupied by the intermetallic compound on the sputtered surface is 10 to 40%. A method for producing a magneto-optical recording medium, characterized in that a magneto-optical recording medium is used. 2 Rare earth elements are Gd, Tb, Dy, Ho, Tm, Nd
, at least one selected from Sm and Er, the transition metal element is at least one selected from Fe, Co and Ni, and the corrosion resistance improving element is Cr, Ti, Al, Hf.
, Ta, V, Nb, In, Zr, Pt, Rh, Pd, and Au.
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