JPH0310305B2 - - Google Patents
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- JPH0310305B2 JPH0310305B2 JP58040912A JP4091283A JPH0310305B2 JP H0310305 B2 JPH0310305 B2 JP H0310305B2 JP 58040912 A JP58040912 A JP 58040912A JP 4091283 A JP4091283 A JP 4091283A JP H0310305 B2 JPH0310305 B2 JP H0310305B2
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 17
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- -1 CdCl 2 Chemical class 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は真空蒸着法，スパツタ法，化学的析出
法，化学スプレー法等によつて形成された−
族化合物半導体であるCdS，CdS−CdSeまたは
CdSeなどの薄膜を活性化して光導電性を付与す
る光導電性薄膜の製造方法に関するものである。
法，化学スプレー法等によつて形成された−
族化合物半導体であるCdS，CdS−CdSeまたは
CdSeなどの薄膜を活性化して光導電性を付与す
る光導電性薄膜の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来からCdS，CdSeまたはCdS−CdSe薄膜な
どの活性化方法としては、被活性化膜上に、それ
と同一材料の粉末にあらかじめドナーおよびアク
セプタ不純物が適切にドープされたもので被覆し
て熱処理する方法や、特公昭42−17865号公報に
開示される様に、５つの面を有する陶製の覆いの
上部内面にドナーおよびアクセプタ不純物をドー
プした粉末の焼結膜を被着し、被活性化膜を覆い
の中に収納した状態で覆い内の温度を上げること
により焼結膜を蒸発させて活性化する方法があ
る。
どの活性化方法としては、被活性化膜上に、それ
と同一材料の粉末にあらかじめドナーおよびアク
セプタ不純物が適切にドープされたもので被覆し
て熱処理する方法や、特公昭42−17865号公報に
開示される様に、５つの面を有する陶製の覆いの
上部内面にドナーおよびアクセプタ不純物をドー
プした粉末の焼結膜を被着し、被活性化膜を覆い
の中に収納した状態で覆い内の温度を上げること
により焼結膜を蒸発させて活性化する方法があ
る。
前者の方法においてはドナー不純物とアクセプ
タ不純物を添加した活性化粉末を製造するために
粉末の混合、焼成、粉砕等の工程が必要で、手間
がかかるのと、不純物の均一な混入が困難である
等の問題を有している。更に被活性化膜と活性化
粉末とが直接接触するため、不純物の均一性が非
常に重要な影響を及ぼすばかりでなく、活性化粉
末の非経済的な使用や被活性化膜に活性化粉末が
結着する等の欠点をも有している。
タ不純物を添加した活性化粉末を製造するために
粉末の混合、焼成、粉砕等の工程が必要で、手間
がかかるのと、不純物の均一な混入が困難である
等の問題を有している。更に被活性化膜と活性化
粉末とが直接接触するため、不純物の均一性が非
常に重要な影響を及ぼすばかりでなく、活性化粉
末の非経済的な使用や被活性化膜に活性化粉末が
結着する等の欠点をも有している。
後者の方法においても、活性化粉末を製造する
手間がかかることは勿論、これら粉末を陶製の覆
いの内面に焼結膜として被着する作業が困難であ
るばかりでなく、使用回数と共に不純物含有量が
減少して活性化能力が小さくなつたり、剥離、ク
ラツクが生じたりして、そのつど新しい焼結膜と
交換する必要があり、焼結膜の寿命の点や再現性
の点で問題がある。又、大面積基板上の被活性化
膜を活性化する場合には、焼結膜の大きなものが
必要となるが、この様な方法では、膜厚及び焼結
を均一にした大きな焼結膜を得ることは非常に困
難である。
手間がかかることは勿論、これら粉末を陶製の覆
いの内面に焼結膜として被着する作業が困難であ
るばかりでなく、使用回数と共に不純物含有量が
減少して活性化能力が小さくなつたり、剥離、ク
ラツクが生じたりして、そのつど新しい焼結膜と
交換する必要があり、焼結膜の寿命の点や再現性
の点で問題がある。又、大面積基板上の被活性化
膜を活性化する場合には、焼結膜の大きなものが
必要となるが、この様な方法では、膜厚及び焼結
を均一にした大きな焼結膜を得ることは非常に困
難である。
上記二つの従来の方法の欠点を改善する方法と
して特開昭56−45085号公報に開示されるように
あらかじめアクセプター不純物を添加した被活性
化膜を気密または半気密容器中で被活性化膜と同
一材料の粉体とハロゲン化合物を混合仮焼した粉
末を分離した状態で加熱することによつて活性化
する方法もあるが、この場合も活性化粉末の製造
に手間がかかるばかりでなく、活性化粉末を均一
に容器内にセツトすることが困難であることと、
使用回数と共にハロゲン化物の含有量が減少して
活性化能力が小さくなるために再現性の点で問題
がある。
して特開昭56−45085号公報に開示されるように
あらかじめアクセプター不純物を添加した被活性
化膜を気密または半気密容器中で被活性化膜と同
一材料の粉体とハロゲン化合物を混合仮焼した粉
末を分離した状態で加熱することによつて活性化
する方法もあるが、この場合も活性化粉末の製造
に手間がかかるばかりでなく、活性化粉末を均一
に容器内にセツトすることが困難であることと、
使用回数と共にハロゲン化物の含有量が減少して
活性化能力が小さくなるために再現性の点で問題
がある。
発明の目的
本発明はかかる従来の欠点を解決し、光導電特
性の均一な光導電性薄膜を容易に再現性よく得ら
れる活性化方法を提供することを目的とするもの
である。
性の均一な光導電性薄膜を容易に再現性よく得ら
れる活性化方法を提供することを目的とするもの
である。
発明の構成
即ち、本発明の光導電性薄膜の製造方法は、従
来の活性化粉末のかわりに、ハロゲン化合物を含
浸させた多孔質の磁器とあらかじめアクセプタ不
純物を添加した被活性化膜とを共存させて気密ま
たは半気密容器中に入れ、活性を与えるのに充分
な温度と時間で加熱するものであり、被活性化膜
にハロゲン化合物蒸気との気相反応によつてドナ
ー不純物をドープすると同時に被活性化膜とハロ
ゲン化合物との共晶反応によつて結晶成長を起こ
させ光感度が高く光応答速度の速い光導電性薄膜
を得ることができる。
来の活性化粉末のかわりに、ハロゲン化合物を含
浸させた多孔質の磁器とあらかじめアクセプタ不
純物を添加した被活性化膜とを共存させて気密ま
たは半気密容器中に入れ、活性を与えるのに充分
な温度と時間で加熱するものであり、被活性化膜
にハロゲン化合物蒸気との気相反応によつてドナ
ー不純物をドープすると同時に被活性化膜とハロ
ゲン化合物との共晶反応によつて結晶成長を起こ
させ光感度が高く光応答速度の速い光導電性薄膜
を得ることができる。
本発明の光導電性薄膜の製造方法ではその具体
的な実施例としてハロゲン化物を適当な濃度の水
溶液とし、多孔質の磁器製の板または棒をその水
溶液中に浸漬して飽和するまで含浸させた後、引
出して水分を乾燥させたものを気密または半気密
の耐熱容器中にアクセプタ不純物をあらかじめド
ープした被活性化膜を分離した状態で共存させ、
ハロゲン化物と被活性化膜との共晶温度以上の温
度で加熱することによつて活性化させる。
的な実施例としてハロゲン化物を適当な濃度の水
溶液とし、多孔質の磁器製の板または棒をその水
溶液中に浸漬して飽和するまで含浸させた後、引
出して水分を乾燥させたものを気密または半気密
の耐熱容器中にアクセプタ不純物をあらかじめド
ープした被活性化膜を分離した状態で共存させ、
ハロゲン化物と被活性化膜との共晶温度以上の温
度で加熱することによつて活性化させる。
本発明の方法は大形の基板に微細成形された被
活性化膜が多数存在するような場合に基板全面に
わたつてその光導電特性が均一な膜が再現性よく
得られる方法を提供するもので、例えば光導電体
として−族化合物半導体薄膜を用いたフアク
シミリ用の大形イメージセンサ（例えば原稿サイ
ズと１：１に対応する）を製造する場合などの化
合物薄膜に光導電性を付与するための活性化処理
の方法として最も適しているものである。
活性化膜が多数存在するような場合に基板全面に
わたつてその光導電特性が均一な膜が再現性よく
得られる方法を提供するもので、例えば光導電体
として−族化合物半導体薄膜を用いたフアク
シミリ用の大形イメージセンサ（例えば原稿サイ
ズと１：１に対応する）を製造する場合などの化
合物薄膜に光導電性を付与するための活性化処理
の方法として最も適しているものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
ここでは光導電体にCdS−CdSe固溶体薄膜を用
いたフアクシミリ用の大形イメージセンサの製造
工程の中の活性化処理方法の一例について説明す
る。
いたフアクシミリ用の大形イメージセンサの製造
工程の中の活性化処理方法の一例について説明す
る。
製造方法は、まず(1)ガラス基板上に真空蒸着ま
たはスパツタ法等によつてあらかじめアクセプタ
不純物としてCuを微量ドープしたCdS−CdSe固
溶体薄膜を厚さ0.2〜1.0μm程度に一様に形成す
る。
たはスパツタ法等によつてあらかじめアクセプタ
不純物としてCuを微量ドープしたCdS−CdSe固
溶体薄膜を厚さ0.2〜1.0μm程度に一様に形成す
る。
次に(2)ホトエツチング技術によりこの固溶体膜
を100μm×100μm程度の小さな光導電素子膜の配
列とする。
を100μm×100μm程度の小さな光導電素子膜の配
列とする。
次に(3)ホトエツチされたガラス基板を第１図
ａ，ｂに示すようなアルミナ磁器製のポート１の
中に光導電素子膜面を上向きにして水平にセツト
し、ボートの底に断面が四角な多孔質のアルミナ
磁器棒３にハロゲン化物としてCdCl2を適当な濃
度の水溶液の形で含浸させ乾燥したものをガラス
基板２と平行に設置し、アルミナ磁器製で小さな
孔４が一定間隔で一例に開いた蓋５をしてCdS−
CdSe固溶体とCdCl2の共晶温度である520℃以上
の温度で例えばベルト炉で熱処理することによつ
て活性化させる。この場合、余分なCdCl2は蒸発
して、ボートの蓋の孔４から逃げ去る。
ａ，ｂに示すようなアルミナ磁器製のポート１の
中に光導電素子膜面を上向きにして水平にセツト
し、ボートの底に断面が四角な多孔質のアルミナ
磁器棒３にハロゲン化物としてCdCl2を適当な濃
度の水溶液の形で含浸させ乾燥したものをガラス
基板２と平行に設置し、アルミナ磁器製で小さな
孔４が一定間隔で一例に開いた蓋５をしてCdS−
CdSe固溶体とCdCl2の共晶温度である520℃以上
の温度で例えばベルト炉で熱処理することによつ
て活性化させる。この場合、余分なCdCl2は蒸発
して、ボートの蓋の孔４から逃げ去る。
次に(4)活性化により光導電性が付与された各素
子の両側にホトリソ技術によつてNiCr−Auなど
の電極を形成する。
子の両側にホトリソ技術によつてNiCr−Auなど
の電極を形成する。
第２図ａ，ｂは本発明の方法により形成したイ
メージセンサの受光部である。他の配線は省略し
てある。
メージセンサの受光部である。他の配線は省略し
てある。
第２図ａ，ｂで２はガラス基板、６は島状に形
成されたCds−Cdse固溶体光導電素子列、７は電
極である。
成されたCds−Cdse固溶体光導電素子列、７は電
極である。
光導電素子列６に光が照射されると抵抗値が変
化し、外部に接続した駆動回路によりその抵抗変
化を読み出すものである。
化し、外部に接続した駆動回路によりその抵抗変
化を読み出すものである。
上記の実施例では光導電体がCdS−CdSe固溶
体薄膜である場合について述べたが、勿論CdS単
独またはCdSe単独の場合でも同じ方法で活性化
できる。活性化ボートおよび多孔質のハロゲン化
合物含浸棒の材質はアルミナ以外のものでも高温
の状態でハロゲン化物に犯されない耐熱材料であ
ればよい。多孔質の磁器棒の形状は丸棒でもよく
また板状のものでもよい。ハロゲン化合物として
はCdのハロゲン化物であるCdCl2，CdBr2，CdI2
のいずれでも活性化温度を適当に選べば同様の効
果が得られる。
体薄膜である場合について述べたが、勿論CdS単
独またはCdSe単独の場合でも同じ方法で活性化
できる。活性化ボートおよび多孔質のハロゲン化
合物含浸棒の材質はアルミナ以外のものでも高温
の状態でハロゲン化物に犯されない耐熱材料であ
ればよい。多孔質の磁器棒の形状は丸棒でもよく
また板状のものでもよい。ハロゲン化合物として
はCdのハロゲン化物であるCdCl2，CdBr2，CdI2
のいずれでも活性化温度を適当に選べば同様の効
果が得られる。
発明の効果
以上説明したように本発明の方法は、従来の活
性化法では不可欠な被活性化膜と同一の粉体とハ
ロゲン化合物粉体の混合物より成る活性化粉末を
用いるかわりにハロゲン化合物を水溶液の形で含
浸させ乾燥させた多孔質の磁器を用いることによ
つて大形の基板に微細な被活性化膜が多数配列さ
れたようなものでも均一に、しかも再現性よく活
性化できる工業的にも優れた効果を奏する。
性化法では不可欠な被活性化膜と同一の粉体とハ
ロゲン化合物粉体の混合物より成る活性化粉末を
用いるかわりにハロゲン化合物を水溶液の形で含
浸させ乾燥させた多孔質の磁器を用いることによ
つて大形の基板に微細な被活性化膜が多数配列さ
れたようなものでも均一に、しかも再現性よく活
性化できる工業的にも優れた効果を奏する。
すなわち、従来の方法では活性化に必要なハロ
ゲン化合物を被活性化膜と同一の粉末に少量混入
してできるだけ均一に分散させるようにしていた
が、粉末を均一に分散させることが困難なために
活性化された光導電膜の光導電特性の均一性およ
び再現性が悪かつた。また、分散剤を用いないで
ハロゲン化合物のみの粉末を活性化剤として用い
る場合には、多量の粉末を必要とするばかりでな
く一回の活性化処理で粉末が結晶化して、二回目
からは蒸発し難くなるなどの問題があつたが、本
発明の方法によれば、ハロゲン化合物の水溶液の
濃度を自由に変えることができるので、少量のハ
ロゲン化合物でも長尺の多孔質の棒に均一にしか
も再現性よく含浸させることができるので、大形
基板上の被活性化膜でも均一に活性化することが
容易にできる利点がある。同じ気孔率の多孔質の
棒を同時に大量にハロゲン化合物の水溶液中に浸
漬し含浸させることによつて、１回の活性化で含
浸したハロゲン化物を全部蒸発させても多孔質の
磁器棒は何回でも繰返し使用できるので量産性の
点でも問題ない。
ゲン化合物を被活性化膜と同一の粉末に少量混入
してできるだけ均一に分散させるようにしていた
が、粉末を均一に分散させることが困難なために
活性化された光導電膜の光導電特性の均一性およ
び再現性が悪かつた。また、分散剤を用いないで
ハロゲン化合物のみの粉末を活性化剤として用い
る場合には、多量の粉末を必要とするばかりでな
く一回の活性化処理で粉末が結晶化して、二回目
からは蒸発し難くなるなどの問題があつたが、本
発明の方法によれば、ハロゲン化合物の水溶液の
濃度を自由に変えることができるので、少量のハ
ロゲン化合物でも長尺の多孔質の棒に均一にしか
も再現性よく含浸させることができるので、大形
基板上の被活性化膜でも均一に活性化することが
容易にできる利点がある。同じ気孔率の多孔質の
棒を同時に大量にハロゲン化合物の水溶液中に浸
漬し含浸させることによつて、１回の活性化で含
浸したハロゲン化物を全部蒸発させても多孔質の
磁器棒は何回でも繰返し使用できるので量産性の
点でも問題ない。
第１図ａ，ｂは本発明の方法に用いる活性化ボ
ートの正面および側面の断面図、第２図ａ，ｂは
本発明の一実施例の方法で製造されたフアクシミ
リ用大形イメージセンサの部分拡大図である。 １……ボート、２……ガラス基板、３……多孔
質磁器棒、４……排気孔、５……蓋、６……光導
電素子列、７……電極。
ートの正面および側面の断面図、第２図ａ，ｂは
本発明の一実施例の方法で製造されたフアクシミ
リ用大形イメージセンサの部分拡大図である。 １……ボート、２……ガラス基板、３……多孔
質磁器棒、４……排気孔、５……蓋、６……光導
電素子列、７……電極。
Claims (1)
- １ アクセプタ不純物を添加したCdS，CdS−
CdSeまたはCdSe等よりなる化合物半導体薄膜と
cdのハロゲン化物を含浸した多孔質磁器とを容
器内に収納し、所定時間熱処理することにより前
記化合物半導体薄膜を活性化することを特徴とす
る光導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040912A JPS59165067A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040912A JPS59165067A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165067A JPS59165067A (ja) | 1984-09-18 |
| JPH0310305B2 true JPH0310305B2 (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=12593709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040912A Granted JPS59165067A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165067A (ja) |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP58040912A patent/JPS59165067A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59165067A (ja) | 1984-09-18 |
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