JPH0310166A - 荷電ビーム検出方法 - Google Patents
荷電ビーム検出方法Info
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- JPH0310166A JPH0310166A JP14422289A JP14422289A JPH0310166A JP H0310166 A JPH0310166 A JP H0310166A JP 14422289 A JP14422289 A JP 14422289A JP 14422289 A JP14422289 A JP 14422289A JP H0310166 A JPH0310166 A JP H0310166A
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- magnetic field
- charged beam
- coils
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- magnetic
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- Pending
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Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産２４１−の利用分野１
本発明はビーム電流値が小さい荷電ビームが通っている
か否か、りなわらイ１４電ビームのオン・オフをビーム
を散乱させることなしに高速に測定するｒＮ １ｉｔビ
ーム検出方法に関するものである。
か否か、りなわらイ１４電ビームのオン・オフをビーム
を散乱させることなしに高速に測定するｒＮ １ｉｔビ
ーム検出方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、荷電ビームを検出するには■ビームの経路（：蛍
光材料を塗布した板を挿入してその発光を検出りる、■
物体に当たって反射してくる６４電粒子を検出する、■
荷電ビームに対しで感光する材料を塗布した板を荷電ビ
ームに当て、その後この感光材を現像して確認Ｊる、■
荷電ビームの近傍に接地から浮いた電極を設置し、荷電
粒子により誘起された静電誘導により電極に生じる電位
差を検出する方法が使われている。
光材料を塗布した板を挿入してその発光を検出りる、■
物体に当たって反射してくる６４電粒子を検出する、■
荷電ビームに対しで感光する材料を塗布した板を荷電ビ
ームに当て、その後この感光材を現像して確認Ｊる、■
荷電ビームの近傍に接地から浮いた電極を設置し、荷電
粒子により誘起された静電誘導により電極に生じる電位
差を検出する方法が使われている。
［発明が解決しようとりる課題］
前記従来の技術■、■、■ぐは荷電ビームの検出中に荷
電ビームを散乱さけてしまう。さらに、■の検出ｌｉ法
においでは感光材の現像過程が必要であり、検出に１１
．１間がｌトかる。また、■の検出す法ではｂ１電ビー
ムの電流値が小さいと１を極に生じる電（◇差が非常に
小さくなり、この微小な電位差を高速に検出することは
熱雑音等にＪ、り非常に困難である。
電ビームを散乱さけてしまう。さらに、■の検出ｌｉ法
においでは感光材の現像過程が必要であり、検出に１１
．１間がｌトかる。また、■の検出す法ではｂ１電ビー
ムの電流値が小さいと１を極に生じる電（◇差が非常に
小さくなり、この微小な電位差を高速に検出することは
熱雑音等にＪ、り非常に困難である。
本発明は、前記課題を解決Ｊるためにビーム電流値が小
さい荷電ビームにおいてビームのオン・オフをビームを
散乱さＵることなしに高速に検出できる＋６ｉ ？１ｆ
ビーム検出Ｊｊ法を促供せんとするものである。
さい荷電ビームにおいてビームのオン・オフをビームを
散乱さＵることなしに高速に検出できる＋６ｉ ？１ｆ
ビーム検出Ｊｊ法を促供せんとするものである。
［！！Ｒ題を解決乃るための手段］
本発明における検出方法は、荷電ビームにより生じる磁
界を５ＱＵＩＤＩａ東計等の高感度な磁束計Ｃ検出Ｊ°
ることにより？１η雷ビームのＡ゛ン・オフを検出する
ことを最も主要な特徴とする。
界を５ＱＵＩＤＩａ東計等の高感度な磁束計Ｃ検出Ｊ°
ることにより？１η雷ビームのＡ゛ン・オフを検出する
ことを最も主要な特徴とする。
［作 川］
荷電ビームの電流値が１［Δ］の１５、ビームからの距
離がｒ ［ｍｌの点には磁束密度１３ （＝ （μｏ／
２π） （１／ｒ））［Ｔ］の磁界が生じる。
離がｒ ［ｍｌの点には磁束密度１３ （＝ （μｏ／
２π） （１／ｒ））［Ｔ］の磁界が生じる。
したがって、この磁界の有無を高感度４ｃ磁束■１によ
っ（検出りれば、／＋η電ビームのＡ°ン・Ａ“）を検
ｊ！ｔ ！ｌｌることがｉσ能である。ビームによって
生じる磁界を測定づ°ることは非接触であるので、ビー
ムを散乱することはない。また、ジ１セフソン接合を利
用しているＳＱＵ［１ｌｔ１束、１１を用いれば、検出
感度が非常に高く、かつ応答特性が良く磁界を測定でき
る。
っ（検出りれば、／＋η電ビームのＡ°ン・Ａ“）を検
ｊ！ｔ ！ｌｌることがｉσ能である。ビームによって
生じる磁界を測定づ°ることは非接触であるので、ビー
ムを散乱することはない。また、ジ１セフソン接合を利
用しているＳＱＵ［１ｌｔ１束、１１を用いれば、検出
感度が非常に高く、かつ応答特性が良く磁界を測定でき
る。
［実施例〕
以下に、本発明の実施例を図面に基づき訂述する。
第１図は５ＱＬＩＩＤ磁束計を用いた本発明の実／１１
ｉＶＡの構成図である。尚、同図において！Ｉ！直破線
より左側は真空、右側は大気中である。
ｉＶＡの構成図である。尚、同図において！Ｉ！直破線
より左側は真空、右側は大気中である。
図中１はＳ Ｑ （Ｊ ［ｌ） 磁束計Ｌしクトロニク
ス、２はジョセノソン素子等が収納されている５ＱＵ１
１〕磁束、ｉ１ブＵ−ノであり、この［レフト［１ニク
ス１とプローブ２の二つで５ＱＵＩＤｔａ束ｈ１Δが構
成される。３は超伝導線′Ｃ−ｆ’ｉ−られでいるピッ
クアップコイルであり、本実施例では互いに逆方向に巻
かれた二個の」イルＬ１．Ｌ２を同一平面上に配置した
平面型の１数機分ハリである。４はピック７ツブー］イ
ル３とＳＱＵ［ｌ）磁束計１１−１−ブ２を超伝導現象
が起きる（少低温に保つためのデ：Ｉ−ワーであり、ア
ユ１ノー４内部には液体ヘリウム５が満たされている。
ス、２はジョセノソン素子等が収納されている５ＱＵ１
１〕磁束、ｉ１ブＵ−ノであり、この［レフト［１ニク
ス１とプローブ２の二つで５ＱＵＩＤｔａ束ｈ１Δが構
成される。３は超伝導線′Ｃ−ｆ’ｉ−られでいるピッ
クアップコイルであり、本実施例では互いに逆方向に巻
かれた二個の」イルＬ１．Ｌ２を同一平面上に配置した
平面型の１数機分ハリである。４はピック７ツブー］イ
ル３とＳＱＵ［ｌ）磁束計１１−１−ブ２を超伝導現象
が起きる（少低温に保つためのデ：Ｉ−ワーであり、ア
ユ１ノー４内部には液体ヘリウム５が満たされている。
このデユワ−４は磁界に対しく透磁性であるように非磁
性材料で製作されている。６は金属箔製の輻射熱シール
ドであり、回りからの輻射熱によりデユワ−４の温度が
上がるのを防ぐ。７はμメタル製の電磁シールドであり
、ピックアップコイル３が６９電ビー１ｘ ８以外から
発生した磁界（地磁気、電燈線からの磁気２Ｉｔ ＊等
）を検出Ｊることを防止する。５ａ、７ａは荷電ビーム
通過口である。
性材料で製作されている。６は金属箔製の輻射熱シール
ドであり、回りからの輻射熱によりデユワ−４の温度が
上がるのを防ぐ。７はμメタル製の電磁シールドであり
、ピックアップコイル３が６９電ビー１ｘ ８以外から
発生した磁界（地磁気、電燈線からの磁気２Ｉｔ ＊等
）を検出Ｊることを防止する。５ａ、７ａは荷電ビーム
通過口である。
以上のように構成された実施例についてその動作を説明
する。
する。
荷電ビーム通過口６８．７ａを通過する荷電ビーム８に
より生じる磁界９は荷電ビーム８を中心に同心円状であ
り、この磁界９はピックアップコイル３と鎖交する。ビ
ック７ツＩ」イル３には、鎖交した磁界９を打ち消ｉＩ
’ ｌｊ向に電流が流れる。
より生じる磁界９は荷電ビーム８を中心に同心円状であ
り、この磁界９はピックアップコイル３と鎖交する。ビ
ック７ツＩ」イル３には、鎖交した磁界９を打ち消ｉＩ
’ ｌｊ向に電流が流れる。
この電流はＳＱＵ［Ｉ）磁束ｉ１ブＬＪ−ブ２の中で電
圧に変換され、５ＱＵＩＤ磁束計エレクトロニクスｉ’
ｃｔａ界９の磁束密度に換算・表示される。このように
して５ＱＬＪＩＤｌａ束計Ａにより磁界９の有無を測定
すれば、荷電ビーム８のＡ゛ン・オフを検出することが
できる。本実施例で使用している・Ｐ内型の１次像分型
ピックアップ」イル３では、二個のコイルＬ１．Ｌ２の
それぞれと鎮交する磁束の差分に相当する電流が流れる
。したがって、１数機分型のピックアップコイル３を用
いれば地磁気のような静磁界に対しては出力電流は零と
なるので、通常の微分型ではないピックアップコイル３
を、使用したのに比べてｎ Ｓ Ｎ比の測定をｔ７うこ
とができる。
圧に変換され、５ＱＵＩＤ磁束計エレクトロニクスｉ’
ｃｔａ界９の磁束密度に換算・表示される。このように
して５ＱＬＪＩＤｌａ束計Ａにより磁界９の有無を測定
すれば、荷電ビーム８のＡ゛ン・オフを検出することが
できる。本実施例で使用している・Ｐ内型の１次像分型
ピックアップ」イル３では、二個のコイルＬ１．Ｌ２の
それぞれと鎮交する磁束の差分に相当する電流が流れる
。したがって、１数機分型のピックアップコイル３を用
いれば地磁気のような静磁界に対しては出力電流は零と
なるので、通常の微分型ではないピックアップコイル３
を、使用したのに比べてｎ Ｓ Ｎ比の測定をｔ７うこ
とができる。
［発明の効果］
かくして、本発明によれば、他の非接触計測方法では検
出が困難な微小％ｌｉ流値の荷電ビームにおいてもビー
ムのオン・オフを高速に検出でき、じかもビームに対す
る彩りがばとんど烈い。したがって、本発明は雷了ビー
ム描画装茸に適用することが可能で、その場合ショツト
数を実時間でｌｉｆ測することができるのでショット扱
けの監視に用いることがＣき、これは電子ビーム１１５
画装置の１ａ頼性を荷電させる。本実施例では、ピック
アップ−１イルとして平面型の１次微分ゲ！を用いたが
、１’ ｉｒ＋ｉ望以外の型式（鞍型 等）や２次以上
の高次微分ｊｌ’ｌを用いても同様な効果を得ることが
できる。また、荷電ビームが比較的高い周波数のパルス
列状の場合は、ピックアップコイルに超伝導線を使用し
なくても同様な効果を得ることができる。
出が困難な微小％ｌｉ流値の荷電ビームにおいてもビー
ムのオン・オフを高速に検出でき、じかもビームに対す
る彩りがばとんど烈い。したがって、本発明は雷了ビー
ム描画装茸に適用することが可能で、その場合ショツト
数を実時間でｌｉｆ測することができるのでショット扱
けの監視に用いることがＣき、これは電子ビーム１１５
画装置の１ａ頼性を荷電させる。本実施例では、ピック
アップ−１イルとして平面型の１次微分ゲ！を用いたが
、１’ ｉｒ＋ｉ望以外の型式（鞍型 等）や２次以上
の高次微分ｊｌ’ｌを用いても同様な効果を得ることが
できる。また、荷電ビームが比較的高い周波数のパルス
列状の場合は、ピックアップコイルに超伝導線を使用し
なくても同様な効果を得ることができる。
第１図は５ＱＬＩＩＤ磁束計を用いた本発明の−実施例
の構成図である。 Ａ・・・ＳＱＵ［Ｄｌｉｉ束計 Ｌｌ、Ｌ２・・・コ
イルト・・５ＱＵＩＤ！ｉ束訂エレクトロニクス２・・
・５ＱｔＪ［Ｄ磁束計プローブ ３・・・ピックアップ−１イル（１次像分型）４・・・
デ１１ノー ５・・・液体ヘリウム６・・・
ｌｅｔ射熱シールド ７・・・電磁シールド８・・
・荷電ビーム ９・・・磁界第１図
の構成図である。 Ａ・・・ＳＱＵ［Ｄｌｉｉ束計 Ｌｌ、Ｌ２・・・コ
イルト・・５ＱＵＩＤ！ｉ束訂エレクトロニクス２・・
・５ＱｔＪ［Ｄ磁束計プローブ ３・・・ピックアップ−１イル（１次像分型）４・・・
デ１１ノー ５・・・液体ヘリウム６・・・
ｌｅｔ射熱シールド ７・・・電磁シールド８・・
・荷電ビーム ９・・・磁界第１図
Claims (1)
- １、荷電ビームにより生じる磁界を磁束量子干渉計（Ｓ
ＱＵＩＤ磁束計）を用いて測定することにより、前記荷
電ビームのオン・オフを検出する荷電ビーム検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14422289A JPH0310166A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 荷電ビーム検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14422289A JPH0310166A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 荷電ビーム検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310166A true JPH0310166A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15357085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14422289A Pending JPH0310166A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 荷電ビーム検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0310166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394155C (zh) * | 2003-11-04 | 2008-06-11 | 松下电器产业株式会社 | 负荷传感器及其制造方法 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14422289A patent/JPH0310166A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394155C (zh) * | 2003-11-04 | 2008-06-11 | 松下电器产业株式会社 | 负荷传感器及其制造方法 |
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