JPH0298186A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH0298186A JPH0298186A JP63250492A JP25049288A JPH0298186A JP H0298186 A JPH0298186 A JP H0298186A JP 63250492 A JP63250492 A JP 63250492A JP 25049288 A JP25049288 A JP 25049288A JP H0298186 A JPH0298186 A JP H0298186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mode
- refractive index
- light
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/14—Semiconductor lasers with special structural design for lasing in a specific polarisation mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既要〕
半導体発光装置に係り、特にＴＥモードの光を発振する
半導体レーザに関し。
半導体レーザに関し。
ＴＭモードの光を抑制して安定なＴＥモードの光の単一
スペクトル発振が可能な半導体レーザの捉供を目的とし
。
スペクトル発振が可能な半導体レーザの捉供を目的とし
。
〔１〕第１クラッド層と光ガイド層と活性層と第２クラ
ッド層と高屈折率層がこの順に積層された構造を有する
半導体発光装置であって、該第１クラッド層と該光ガイ
ド層の境界に１／４波長位相シフト構造を持つ回折格子
が形成され且つ該高屈折率層の屈折率は該第２クラッド
層の屈折率より大きい半導体発光装置と、〔２〕第１ク
ラッド層と光ガイド層と活性層と第２クラッド層がこの
順に積層された構造を有する半導体発光装置であって、
該第１クラッド層と該光ガイド層の境界に回折格子が形
成され且つ該第２クラッド層の一部に設けられた該第２
クラッド層の屈折率より大きい屈折率を有する高屈折率
領域により該高屈折率領域と該活性層の間の第２クラ、
ラド層の層厚が狭められている半導体発光装置により構
成する。
ッド層と高屈折率層がこの順に積層された構造を有する
半導体発光装置であって、該第１クラッド層と該光ガイ
ド層の境界に１／４波長位相シフト構造を持つ回折格子
が形成され且つ該高屈折率層の屈折率は該第２クラッド
層の屈折率より大きい半導体発光装置と、〔２〕第１ク
ラッド層と光ガイド層と活性層と第２クラッド層がこの
順に積層された構造を有する半導体発光装置であって、
該第１クラッド層と該光ガイド層の境界に回折格子が形
成され且つ該第２クラッド層の一部に設けられた該第２
クラッド層の屈折率より大きい屈折率を有する高屈折率
領域により該高屈折率領域と該活性層の間の第２クラ、
ラド層の層厚が狭められている半導体発光装置により構
成する。
本発明は半導体発光装置に係り、特にＴＥモードの光を
発振する半導体レーザに関する。
発振する半導体レーザに関する。
高速の光通信において、高速変調時に安定に単一スペク
トル発振するレーザが要求されている。
トル発振するレーザが要求されている。
このため、かかる要求に応える半導体レーザを開発する
必要がある。
必要がある。
従来、安定な単一モード発振のレーザとして。
１／４波長位相シフト構造を有する分布帰還型（ＤＦＢ
）レーザが研究開発されてきている。
）レーザが研究開発されてきている。
第４図に従来例としてかかるＤＦＢレーザの断面図を示
す。第４図において、１は第１クラツド層、２は光ガイ
ド層、３は活性層、４は第２クラツド層、７はコンタク
ト層、８１はｎ電極、８２はｐ電極、９１及び９２は無
反射コートを表す。
す。第４図において、１は第１クラツド層、２は光ガイ
ド層、３は活性層、４は第２クラツド層、７はコンタク
ト層、８１はｎ電極、８２はｐ電極、９１及び９２は無
反射コートを表す。
第１クラッド層１と光ガイド層２の境界に１／４波長位
相シフト構造を有する回折格子が形成されている。
相シフト構造を有する回折格子が形成されている。
このＤＦＢレーザは回折格子の位相を１／４波長だけシ
フトさせることにより単一モードの光を発振するように
したもので、ＴＥモモ−間、或いは７Ｍモード間で大き
な利得差が得られるため高速変調時でも単一スペクトル
発振ができるものと期待されていた。しかし、このレー
ザはＴＥモモ−間、或いは７Ｍモード間で大きな利得差
が得られるものの、ＴＥモードと７Ｍモードの間では利
得差が小さいので、高速変調時に７Ｍモードを抑制する
ことができず、７Ｍモードが瞬間的に発生して、ファイ
バ伝送時にエラーが発生するといった問題があった。
フトさせることにより単一モードの光を発振するように
したもので、ＴＥモモ−間、或いは７Ｍモード間で大き
な利得差が得られるため高速変調時でも単一スペクトル
発振ができるものと期待されていた。しかし、このレー
ザはＴＥモモ−間、或いは７Ｍモード間で大きな利得差
が得られるものの、ＴＥモードと７Ｍモードの間では利
得差が小さいので、高速変調時に７Ｍモードを抑制する
ことができず、７Ｍモードが瞬間的に発生して、ファイ
バ伝送時にエラーが発生するといった問題があった。
〔発明が解決しようとする課題］
従って、７Ｍモードを確実に抑えることのできる１／４
波長位相シフト型のＤＦＢレーザの実現が強く要求され
ている。
波長位相シフト型のＤＦＢレーザの実現が強く要求され
ている。
本発明は、７Ｍモードを抑え安定なＴＥモードの単一ス
ペクトルの光を発振する１／４波長位相シフト型のＤＦ
Ｂレーザとして、 〔１〕回折格子に１／４波長位相シ
フト構造を有するＤＦＢレーザと、〔２〕クラッド層の
一部に１／４波長位相シフトを生じる構造を有するＤＦ
Ｂレーザを提供することを目的とする。
ペクトルの光を発振する１／４波長位相シフト型のＤＦ
Ｂレーザとして、 〔１〕回折格子に１／４波長位相シ
フト構造を有するＤＦＢレーザと、〔２〕クラッド層の
一部に１／４波長位相シフトを生じる構造を有するＤＦ
Ｂレーザを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
第１図及び第３図は本発明の実施例である。それらの図
を参照しながら上記課題を解決するための手段について
説明する。
を参照しながら上記課題を解決するための手段について
説明する。
上記課題は、〔ｌ〕第１クラッド層１と光ガイド層２と
活性層３と第２クラッド層４と高屈折率層５がこの順に
積層された構造を有する半導体発光装置であって、該第
１クラッド層１と該光ガイド層２の境界に１／４波長位
相シフト構造を持つ回折格子が形成され且つ該高屈折率
層５の屈折率は該第２クラッド層４の屈折率より大きい
半導体発光装置と、〔２〕第１クラッド層１と光ガイド
層２と活性層３と第２クラッド層４がこの順に積層され
た構造を有する半導体発光装置であって。
活性層３と第２クラッド層４と高屈折率層５がこの順に
積層された構造を有する半導体発光装置であって、該第
１クラッド層１と該光ガイド層２の境界に１／４波長位
相シフト構造を持つ回折格子が形成され且つ該高屈折率
層５の屈折率は該第２クラッド層４の屈折率より大きい
半導体発光装置と、〔２〕第１クラッド層１と光ガイド
層２と活性層３と第２クラッド層４がこの順に積層され
た構造を有する半導体発光装置であって。
該第１クラッド層１と該光ガイドＮ２の境界に回折格子
が形成され且つ該第２クラッド層４の一部に設けられた
該第２クラッド層４の屈折率より大きい屈折率を有する
高屈折率領域６により該高屈折率領域６と該活性層３の
間の第２クランド層４の層厚が狭められている半導体発
光装置によって解決される。
が形成され且つ該第２クラッド層４の一部に設けられた
該第２クラッド層４の屈折率より大きい屈折率を有する
高屈折率領域６により該高屈折率領域６と該活性層３の
間の第２クランド層４の層厚が狭められている半導体発
光装置によって解決される。
〔作用］
本発明では放射モード型の導波路がＴＥモードの光より
も７Ｍモードの光に大きな損失を与えることを利用して
７Ｍモードの光を抑制するようにしている。
も７Ｍモードの光に大きな損失を与えることを利用して
７Ｍモードの光を抑制するようにしている。
第２図に本発明による放射モード型導波路構造を有する
ＤＦＢレーザの縮方向（レーザ光の出射方向に垂直な方
向）の屈折率分布と発光強度を示す。この導波路は活性
層３に接する第２クラッド層４内に活性層３に近づけて
第２クラッド層４の屈折率より大きい屈折率を持つ高屈
折率層５或いは高屈折率領域６を設けており、この高屈
折率層５或いは高屈折率領域６により導波路は放射モー
ド型となる。即ち、第２クラッド層４と高屈折率層５或
いは高屈折率領域６の境界で光は屈折と反射を生じるが
、ＴＥモードの光の反射率は７Ｍモードの光の反射率よ
り大きいのでＴＥモードの光は導波路内に閉じ込められ
７Ｍモードの光は導波路の外部に放射する割合が大きく
なる。
ＤＦＢレーザの縮方向（レーザ光の出射方向に垂直な方
向）の屈折率分布と発光強度を示す。この導波路は活性
層３に接する第２クラッド層４内に活性層３に近づけて
第２クラッド層４の屈折率より大きい屈折率を持つ高屈
折率層５或いは高屈折率領域６を設けており、この高屈
折率層５或いは高屈折率領域６により導波路は放射モー
ド型となる。即ち、第２クラッド層４と高屈折率層５或
いは高屈折率領域６の境界で光は屈折と反射を生じるが
、ＴＥモードの光の反射率は７Ｍモードの光の反射率よ
り大きいのでＴＥモードの光は導波路内に閉じ込められ
７Ｍモードの光は導波路の外部に放射する割合が大きく
なる。
それゆえ、この放射モード型導波路は７Ｍモードの光に
大きな損失を与えて７Ｍモードの光を抑制し、ＴＥモー
ドの単一スペクトル発振を維持するように作用する。
大きな損失を与えて７Ｍモードの光を抑制し、ＴＥモー
ドの単一スペクトル発振を維持するように作用する。
なお、第２クラッド層４の一部に設けられた高屈折率領
域６により高屈折率領域６と活性層３の間の第２クラッ
ド層４の層厚が狭められている場合はそこを通過する光
の伝播定数が変化し、その長さを選択することにより１
／４波長位相シフトを与えることが可能となる。
域６により高屈折率領域６と活性層３の間の第２クラッ
ド層４の層厚が狭められている場合はそこを通過する光
の伝播定数が変化し、その長さを選択することにより１
／４波長位相シフトを与えることが可能となる。
以下１本発明の実施例について説明する。
第１図は実施例■である。第１図において、１は第１ク
ラツド層、２は光ガイド層、３は活性層。
ラツド層、２は光ガイド層、３は活性層。
４は第２クラツド層、５は高屈折率層、７はコンタクト
層、８１はｎ電極、８２はｐ電極、９１及び９２は無反
射コートを表す。
層、８１はｎ電極、８２はｐ電極、９１及び９２は無反
射コートを表す。
第１クラッド層ｌから高屈折層５に至る積層構成は次の
如くである。
如くである。
１、第１クラッド層
２、光ガイド層
３、活性層
４、第２クラッド層
−ＩｎＰ
ＩｎＧａＡｓＰ λ＝１．１５μｍ
ＩｎＧａＡｓＰ λ＝ｌ、３ μｍ厚さ０．１５μ
ｍ ＩｎＰ 厚さ０．２〜０．５ μｍ ５、高屈折率層 １ｎＧａＡｓＰ λ＝１．２〜１．２５μｍ 厚さ ２〜３ μｍ 第１クラッド層１と光ガイド層２の境界には１／４波長
位相シフト構造を持つ回折格子が形成されている。
ｍ ＩｎＰ 厚さ０．２〜０．５ μｍ ５、高屈折率層 １ｎＧａＡｓＰ λ＝１．２〜１．２５μｍ 厚さ ２〜３ μｍ 第１クラッド層１と光ガイド層２の境界には１／４波長
位相シフト構造を持つ回折格子が形成されている。
かかる構成により、７Ｍモードの光の減衰係数がＴＥモ
ードの光の減衰係数より２０〜３０ｃｍ−程度大きくな
って７Ｍモードの光が失われ、安定なＴＥモードの光の
単一発振を実現することができる。
ードの光の減衰係数より２０〜３０ｃｍ−程度大きくな
って７Ｍモードの光が失われ、安定なＴＥモードの光の
単一発振を実現することができる。
第３図に実施例■を示す。第３図中の符号は第２図中の
符号と同一のものを表し、さらに６は高屈折率領域を表
す。
符号と同一のものを表し、さらに６は高屈折率領域を表
す。
第１クラッド層１から高屈折領域６に至る積層構成は次
の如くである。
の如くである。
１、第１クラッド層 ｎ −１ｎＰ
２、光ガイド層 ＩｎＧａＡｓＰ λ＝１．１５μ
ｍ３、活性層 １ｎＧａＡｓＰ λ＝１．３
ｐｍ厚さ０．１５μｍ ４、第２クラッド層 Ｉ） ＩｎＰ 高屈折率領域下の厚さ０．２〜０．５μｍ６、高屈折率
領域 １ｎＧａＡｓＰ λ＝１．２〜１．２５μｍ 厚さ ２〜３μｍ 長さ ３０〜６０μｍ 本実施例では第１クラッド層１と光ガイド層２の境界に
形成されている回折格子は１／４波長位相シフト構造を
持たない。１／４波長位相シフトと同様の効果を得るた
めに、レーザの中央部に高屈折率領域６を形成し、３０
〜６０μｍの長さにわたりその部分の有効屈折率を変化
させて光の伝播定数を変化させ、それにより光の位相を
π／２（１／４波長）だけ変化させている。
ｍ３、活性層 １ｎＧａＡｓＰ λ＝１．３
ｐｍ厚さ０．１５μｍ ４、第２クラッド層 Ｉ） ＩｎＰ 高屈折率領域下の厚さ０．２〜０．５μｍ６、高屈折率
領域 １ｎＧａＡｓＰ λ＝１．２〜１．２５μｍ 厚さ ２〜３μｍ 長さ ３０〜６０μｍ 本実施例では第１クラッド層１と光ガイド層２の境界に
形成されている回折格子は１／４波長位相シフト構造を
持たない。１／４波長位相シフトと同様の効果を得るた
めに、レーザの中央部に高屈折率領域６を形成し、３０
〜６０μｍの長さにわたりその部分の有効屈折率を変化
させて光の伝播定数を変化させ、それにより光の位相を
π／２（１／４波長）だけ変化させている。
さらに、この部分を放射子−ド構造にすることにより、
７Ｍモードの光の損失が大きくなって７Ｍモードの光が
抑制され、ＴＥモードの光の単一発振が可能となる。
７Ｍモードの光の損失が大きくなって７Ｍモードの光が
抑制され、ＴＥモードの光の単一発振が可能となる。
なお、高屈折率層５或いは高屈折率領域６の屈折率は第
２クラッド層４より大きいことは必須であるが、活性層
３の屈折率よりは小さいことが望ましい。高屈折率層５
或いは高屈折率領域６の屈折率が大き過ぎると光吸収が
大きくなり効率が悪くなる。
２クラッド層４より大きいことは必須であるが、活性層
３の屈折率よりは小さいことが望ましい。高屈折率層５
或いは高屈折率領域６の屈折率が大き過ぎると光吸収が
大きくなり効率が悪くなる。
両実施例とも第１クラッド層１としてｎ −１ｎＰ基板
またはその上に成長したｎ−１ｎＰ層を使用することが
でき、また、レーザ全体の導電型を本実施例と逆に構成
することもできる。
またはその上に成長したｎ−１ｎＰ層を使用することが
でき、また、レーザ全体の導電型を本実施例と逆に構成
することもできる。
以上説明した様に１本発明によれば、１／４波長位相シ
フトＤＦＢレーザのＴＥモードと７Ｍモードの利得差を
大きく取って７Ｍモードを抑制することができるため、
高速変調時においてもＴＥモードの光の単一スペクトル
発振を維持することができる。
フトＤＦＢレーザのＴＥモードと７Ｍモードの利得差を
大きく取って７Ｍモードを抑制することができるため、
高速変調時においてもＴＥモードの光の単一スペクトル
発振を維持することができる。
かかる半導体発光装置は、高速の光通信に寄与するとこ
ろが大きい。
ろが大きい。
第１図は実施例Ｉ。
第２図は導波路の屈折率分布と発光強度。
第３図は実施例Ｈ８
第４図は従来例
である。図において。
■は第１クランド層。
２は光ガイド層。
３は活性層。
４は第２クラッド層。
５は高屈折率層。
６は高屈折率領域。
７はコンタクト層。
８１は電極であってｎ−電極。
８２は電極であってｐ−電極。
９１９２は無反射コート
を表す。
つＸＴ浴テ
３眸子シち１±−イ列 丁
大ト胞イク１」 圧
番 ３ ■
＊三斥ど恥７シＥ−’ｉず「ケ喧臣と季℃ちうｂシ１≧
、ｉミε第 ２ 乙 従 七ト５ イナリ 寥 ４ ■
、ｉミε第 ２ 乙 従 七ト５ イナリ 寥 ４ ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕第１クラッド層（１）と光ガイド層（２）と活性
層（３）と第２クラッド層（４）と高屈折率層（５）が
この順に積層された構造を有する半導体発光装置であっ
て、該第１クラッド層（１）と該光ガイド層（２）の境
界に１／４波長位相シフト構造を持つ回折格子が形成さ
れ且つ該高屈折率層（５）の屈折率は該第２クラッド層
（４）の屈折率より大きいことを特徴とする半導体発光
装置。 〔２〕第１クラッド層（１）と光ガイド層（２）と活性
層（３）と第２クラッド層（４）がこの順に積層された
構造を有する半導体発光装置であって、該第１クラッド
層（１）と該光ガイド層（２）の境界に回折格子が形成
され且つ該第２クラッド層（４）の一部に設けられた該
第２クラッド層（４）の屈折率より大きい屈折率を有す
る高屈折率領域（６）により該高屈折率領域（６）と該
活性層（３）の間の第２クラッド層（４）の層厚が狭め
られていることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250492A JPH0298186A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250492A JPH0298186A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298186A true JPH0298186A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17208673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63250492A Pending JPH0298186A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298186A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0668642A1 (en) * | 1994-02-18 | 1995-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillation polarization mode selective semiconductor laser, light transmitter and optical communication system using the laser |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP63250492A patent/JPH0298186A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0668642A1 (en) * | 1994-02-18 | 1995-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillation polarization mode selective semiconductor laser, light transmitter and optical communication system using the laser |
| US5790581A (en) * | 1994-02-18 | 1998-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillation polarization mode selective semiconductor laser, light transmitter and optical communication system using the laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4796273A (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| US4786132A (en) | Hybrid distributed bragg reflector laser | |
| JPH10506756A (ja) | 一次元周期誘導体導波路を使用する共振微小空洞 | |
| EP0125608B1 (en) | Single longitudinal mode semiconductor laser | |
| JP3186705B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPS60260024A (ja) | 光変調素子 | |
| CA1284205C (en) | High-power, fundamental transverse mode laser | |
| JP2002084033A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| US4787086A (en) | High-power, fundamental transverse mode laser | |
| US5276700A (en) | 2-D monolithic coherent semiconductor laser array | |
| EP3949043A1 (en) | Variable-confinement monolithic master oscillator power amplifier | |
| JPS59163886A (ja) | 結合空胴レ−ザ | |
| KR100456670B1 (ko) | 광 모드 크기 변환기와 분포 궤환형 레이저 다이오드가일체화된 분포 반사형 레이저 다이오드 | |
| KR20050107439A (ko) | 주파수 변환장치 및 변환방법 | |
| JPH0298186A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0720359A (ja) | 光デバイス | |
| JPS6232680A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS6114787A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| WO2021148121A1 (en) | Dfb laser with angled central waveguide section | |
| WO2021148120A1 (en) | Single-mode dfb laser | |
| JP3595677B2 (ja) | 光アイソレータ、分布帰還型レーザ及び光集積素子 | |
| KR20040034351A (ko) | 반도체 레이저 및 광통신용 소자 | |
| JP3368607B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPH084179B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6295886A (ja) | 分布帰還構造半導体レ−ザ |