JPH0295270A - 高速光サンプリング装置 - Google Patents
高速光サンプリング装置Info
- Publication number
- JPH0295270A JPH0295270A JP63247614A JP24761488A JPH0295270A JP H0295270 A JPH0295270 A JP H0295270A JP 63247614 A JP63247614 A JP 63247614A JP 24761488 A JP24761488 A JP 24761488A JP H0295270 A JPH0295270 A JP H0295270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sampling
- optical
- double
- energy
- sampling device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は超高速電気信号を高速光パルスを用いて計測
するサンプリング装置に関するものである。
するサンプリング装置に関するものである。
第５図は例えば、０ 、１１ 、オーストンとＰ、Ｒ，
スミスによりアプライド フィジクス レターズ第４１
巻、５９９頁（１９８２年）に示された従来の光サンプ
リング装置の構成図であり、図において、１はフォトダ
イオード、２は光パルス、３は光パルス２に適当な可変
の遅延を与えた光パルス、４は光伝導スイッチ素子、５
ａ、５ｂ、５ｃはストリップラインである。
スミスによりアプライド フィジクス レターズ第４１
巻、５９９頁（１９８２年）に示された従来の光サンプ
リング装置の構成図であり、図において、１はフォトダ
イオード、２は光パルス、３は光パルス２に適当な可変
の遅延を与えた光パルス、４は光伝導スイッチ素子、５
ａ、５ｂ、５ｃはストリップラインである。
次に動作について説明する。光伝導サンプリングで高速
ｐｉｎフォトダイオード１のレスポンスを測定する配置
を図に示している。この装置ではモード同期色素レーザ
からのｔｐ＝４ｐｓの光パルス列が使われた。光パルス
を２分して、一方の光パルス２でｐｉｎフォトダイオー
ドを照射し、他方の光パルス３で光伝導スイッチ４を照
射する。
ｐｉｎフォトダイオード１のレスポンスを測定する配置
を図に示している。この装置ではモード同期色素レーザ
からのｔｐ＝４ｐｓの光パルス列が使われた。光パルス
を２分して、一方の光パルス２でｐｉｎフォトダイオー
ドを照射し、他方の光パルス３で光伝導スイッチ４を照
射する。
両パルスは適当な可変の相互遅延を与えられるようにな
ってい、る、フォトダイオード１と光伝導スイッチ素子
４がサイドから接続されている中央のストリップライン
５ａは両端が整合終端されていて、反射による波形の乱
れを防いでいる。光伝導スイッチ素子４はプロトン照射
されたバルクＧａＡｓ結晶であり、ゲート時間ｔｇは１
２ｐｓである。光パルスで誘起されたフォトダイオード
１の応答波形は、ストリップライン上を伝搬し、適当な
遅延の後、光伝導スイッチ素子４で同期サンプルされる
。遅延を掃引すれば、フォトダイオードの原応答波形に
対応するサンプリング波形が得られる。
ってい、る、フォトダイオード１と光伝導スイッチ素子
４がサイドから接続されている中央のストリップライン
５ａは両端が整合終端されていて、反射による波形の乱
れを防いでいる。光伝導スイッチ素子４はプロトン照射
されたバルクＧａＡｓ結晶であり、ゲート時間ｔｇは１
２ｐｓである。光パルスで誘起されたフォトダイオード
１の応答波形は、ストリップライン上を伝搬し、適当な
遅延の後、光伝導スイッチ素子４で同期サンプルされる
。遅延を掃引すれば、フォトダイオードの原応答波形に
対応するサンプリング波形が得られる。
従来の光伝導サンプリング装置は以上のように構成され
、光伝導スイッチ素子のゲート時間ｔｇが光励起キャリ
アの寿命で決まるため光パルス幅ｔｐより大きくなる関
係にあり、分解時間でＳはｔｇで決められてしまうため
に、超短光パルスの持つ真の超高速性が生かされないと
いう問題点があった。
、光伝導スイッチ素子のゲート時間ｔｇが光励起キャリ
アの寿命で決まるため光パルス幅ｔｐより大きくなる関
係にあり、分解時間でＳはｔｇで決められてしまうため
に、超短光パルスの持つ真の超高速性が生かされないと
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、超短光パルスの持つ真の超高速性を生かした
高速光サンプリング装置を得ることを目的とする。
たもので、超短光パルスの持つ真の超高速性を生かした
高速光サンプリング装置を得ることを目的とする。
この発明に係る高速光サンプリング装置は、光サンプリ
ング機能部を２重障壁トンネルダイオードより構成し、
該サンプリング機能部に超短光パルスを照射し２重障壁
にはさまれる量子井戸構造内に形成される量子準位のエ
ネルギーをＡＣシュタルク効果により変化させ、これに
より電流を制御してサンプリングを行なうようにしたも
のである。
ング機能部を２重障壁トンネルダイオードより構成し、
該サンプリング機能部に超短光パルスを照射し２重障壁
にはさまれる量子井戸構造内に形成される量子準位のエ
ネルギーをＡＣシュタルク効果により変化させ、これに
より電流を制御してサンプリングを行なうようにしたも
のである。
この発明においては、２重障壁トンネルダイオードで構
成されたサンプリング機能部に超短光パルスを照射し２
重障壁にはさまれる量子井戸構造内に形成される量子準
位のエネルギーをＡＣシュタルク効果により変化させ、
これにより電流を制御してサンプリングを行なう構成と
したから、超短光パルスの持つ真の超高速性を生かした
超高、速サンプリングが可能となる。
成されたサンプリング機能部に超短光パルスを照射し２
重障壁にはさまれる量子井戸構造内に形成される量子準
位のエネルギーをＡＣシュタルク効果により変化させ、
これにより電流を制御してサンプリングを行なう構成と
したから、超短光パルスの持つ真の超高速性を生かした
超高、速サンプリングが可能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において１，２，３．５ａ、５ｂ、５Ｃは第３図と同
様の部分であり、６は２重障壁トンネルダイオードで構
成された光感応部分である。
図において１，２，３．５ａ、５ｂ、５Ｃは第３図と同
様の部分であり、６は２重障壁トンネルダイオードで構
成された光感応部分である。
第２図は第１図の■−■断面図であり、２重障壁トンネ
ルダイオード６の構造の詳細を示している。図において
、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２３は２重障壁トンネ
ルバリヤ−として機能するＡＡ、Ｇａ、−、Ａｓ層、２
４はその間に挟まれたＩ ｎ、Ｇｓ １−ｙＡｓ量子
井戸層、２２．２５はＮ゛ＧａＡｓｊｔ！である。
ルダイオード６の構造の詳細を示している。図において
、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２３は２重障壁トンネ
ルバリヤ−として機能するＡＡ、Ｇａ、−、Ａｓ層、２
４はその間に挟まれたＩ ｎ、Ｇｓ １−ｙＡｓ量子
井戸層、２２．２５はＮ゛ＧａＡｓｊｔ！である。
第３図は２重障壁トンネルダイオードのエネルギーバン
ド構造を示す図である。２重障壁２３でかこまれた量子
井戸層２４に形成される量子準位の位置を破線で示す。
ド構造を示す図である。２重障壁２３でかこまれた量子
井戸層２４に形成される量子準位の位置を破線で示す。
破線のエネルギー位置はＮ゛−ＧａＡｓＮ２２．２５の
伝導帯エネルギー位置より下にあり、非共鳴的であり、
この場合は伝導帯に電流は流れない。しかし、この２重
障壁トンネルダイオード６に量子準位間遷移のエネルギ
ーＥＯ（角周波数換算でω。）より小さいエネルギーＥ
、（角周波数換算でω。）の超短光パルスを照射すると
光パルスにより破線のエネルギー準位が実線の位置まで
シフトする。この現象はＡＣシュタルク効果として知ら
れている。シフトした状態ではＮ”−ＧａＡｓＮ２２．
２５の伝導体エネルギーと量子井戸層２４中の量子準位
エネルギーが一致し、伝導体に電流が流れる。光パルス
による量子準位のシフトは、光の存在する時間だけ持続
するので光パルス幅を狭くすればそれに応じて超高速に
ダイオード電流を制御することが可能である。
伝導帯エネルギー位置より下にあり、非共鳴的であり、
この場合は伝導帯に電流は流れない。しかし、この２重
障壁トンネルダイオード６に量子準位間遷移のエネルギ
ーＥＯ（角周波数換算でω。）より小さいエネルギーＥ
、（角周波数換算でω。）の超短光パルスを照射すると
光パルスにより破線のエネルギー準位が実線の位置まで
シフトする。この現象はＡＣシュタルク効果として知ら
れている。シフトした状態ではＮ”−ＧａＡｓＮ２２．
２５の伝導体エネルギーと量子井戸層２４中の量子準位
エネルギーが一致し、伝導体に電流が流れる。光パルス
による量子準位のシフトは、光の存在する時間だけ持続
するので光パルス幅を狭くすればそれに応じて超高速に
ダイオード電流を制御することが可能である。
なお、上記実施例では光パルスの存在するときにガリウ
ム電流が流れる場合について説明したが、第４図に示す
様に光パルスの無い状態でＮ” −ＧａＡｓ層２２．２
５の伝導帯と量子準位エネルギーが一致する様にしてお
げは、光パルスの照射により電流をｏｆｆ状態にするこ
とも可能である。
ム電流が流れる場合について説明したが、第４図に示す
様に光パルスの無い状態でＮ” −ＧａＡｓ層２２．２
５の伝導帯と量子準位エネルギーが一致する様にしてお
げは、光パルスの照射により電流をｏｆｆ状態にするこ
とも可能である。
また、上記実施例ではフォトダイオードの応答速度を測
定する場合について説明したが、他のＨＥＭＴ等の超高
速電子素子の応答速度の測定にも適用できる。
定する場合について説明したが、他のＨＥＭＴ等の超高
速電子素子の応答速度の測定にも適用できる。
以上のように、この発明によれば高速光サンプリング装
置において、光サンプリング機能部を２重障壁トンネル
ダイオードより構成し、該サンプリング機能部に超短光
パルスを照射し２重障壁にはさまれる量子井戸構造内に
形成される量子準位のエネルギーをＡＣシュタルク効果
により変化させ、これにより該ダイオードを流れる電流
を制御してサンプリングを行なう構成としたから、光ス
ィッチのキャリアの寿命による応答速度に左右されるこ
となく光パルスの持つ真の超高速性を生かした光サンプ
リング装置が得られる効果がある。
置において、光サンプリング機能部を２重障壁トンネル
ダイオードより構成し、該サンプリング機能部に超短光
パルスを照射し２重障壁にはさまれる量子井戸構造内に
形成される量子準位のエネルギーをＡＣシュタルク効果
により変化させ、これにより該ダイオードを流れる電流
を制御してサンプリングを行なう構成としたから、光ス
ィッチのキャリアの寿命による応答速度に左右されるこ
となく光パルスの持つ真の超高速性を生かした光サンプ
リング装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による高速光サンプリング
装置を示す構成図、第２図は第１図の■−■断面図、第
３図は２重障壁トンネルダイオードのエネルギーバンド
構造と光パルスによる量子準位のシフトの様子を示す図
、第４図はこの発明の他の実施例の動作を示すエネルギ
ーバンド構造図、第５図は従来の高速光サンプリング装
置の構成図。 １はＰＩＮフォトダイオード、２はレーザパルス、６は
２重障壁トンネルダイオード、７は非共鳴レーザパルス
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
装置を示す構成図、第２図は第１図の■−■断面図、第
３図は２重障壁トンネルダイオードのエネルギーバンド
構造と光パルスによる量子準位のシフトの様子を示す図
、第４図はこの発明の他の実施例の動作を示すエネルギ
ーバンド構造図、第５図は従来の高速光サンプリング装
置の構成図。 １はＰＩＮフォトダイオード、２はレーザパルス、６は
２重障壁トンネルダイオード、７は非共鳴レーザパルス
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）２重障壁トンネルダイオードより構成された光サン
プリング機能部を備え、 該光サンプリング機能部に非共鳴超短光パルスを照射し
２重障壁にはさまれる量子井戸構造内に形成される量子
準位のエネルギーをＡＣシュタルク効果により変化させ
て該ダイオードに流れる電流を制御してサンプリングを
行なうことを特徴とする高速光サンプリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247614A JPH0295270A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 高速光サンプリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247614A JPH0295270A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 高速光サンプリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0295270A true JPH0295270A (ja) | 1990-04-06 |
Family
ID=17166128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63247614A Pending JPH0295270A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 高速光サンプリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0295270A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02231777A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-09-13 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 共鳴トンネル光電素子 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63247614A patent/JPH0295270A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02231777A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-09-13 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 共鳴トンネル光電素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1212749A (en) | Light modulation device | |
| US4689793A (en) | Optical logic and memory apparatus | |
| US4900134A (en) | Optical device | |
| JP2628956B2 (ja) | 光スイッチ | |
| CA1197290A (en) | Soliton sampler | |
| US5126553A (en) | Bistable optically switchable resonant-tunneling device and its use in signal processing | |
| JPH0295270A (ja) | 高速光サンプリング装置 | |
| US6246350B1 (en) | Optoelectronic analog-to-digital converter | |
| US3452222A (en) | Circuits employing semiconductive devices characterized by traveling electric field domains | |
| US4972069A (en) | Direct generation of ultrafast electrical pulses | |
| JP2002054998A (ja) | 光サンプリングシステム | |
| US4922091A (en) | Direct generation of ultrafast electrical pulses | |
| US3509351A (en) | Laser controlled high speed pulse generator | |
| Andersson et al. | Phase and amplitude characteristics of InP: Fe modified interdigitated gap photoconductive microwave switches | |
| US20120148252A1 (en) | Encoding an optical signal using a radio-frequency signal | |
| US3573469A (en) | Optically controlled phase adjustment for electrical signals | |
| US5459604A (en) | Coherent switch of currents in semiconductors | |
| EP0813776A1 (en) | Method and apparatus for conditioning optical solitons | |
| JPH08204225A (ja) | 光素子の製造方法 | |
| JPH05136734A (ja) | 光変調装置 | |
| Liu et al. | Nanoscale metal–semiconductor–metal photodetectors with subpicosecond response time fabricated using electron beam lithography | |
| US7088170B2 (en) | Multiplexer and demultiplexer | |
| NL8801561A (nl) | Inrichting voor optische signaalverwerking met transistorwerking. | |
| JP2798137B2 (ja) | 光信号の同期方法 | |
| Mourou | Impact Of Ultrafast Optics In High-Speed Electronics |