JPH0286118A - Vertical stepper - Google Patents

Vertical stepper

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JPH0286118A
JPH0286118A JP63237807A JP23780788A JPH0286118A JP H0286118 A JPH0286118 A JP H0286118A JP 63237807 A JP63237807 A JP 63237807A JP 23780788 A JP23780788 A JP 23780788A JP H0286118 A JPH0286118 A JP H0286118A
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JP
Japan
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wafer
mask
stage
exposure
sor
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Pending
Application number
JP63237807A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumio Tabata
文夫 田畑
Hidenori Sekiguchi
英紀 関口
Toru Kamata
徹 鎌田
Yuji Sakata
裕司 阪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to US07/409,713 priority patent/US4979195A/en
Priority to EP89117492A priority patent/EP0360272B1/en
Priority to DE89117492T priority patent/DE68911084T2/en
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make it possible to expose and transfer reliably a pattern to an extent of submicrons with a shynchrotron radiant light (SOR) which is radiated horizontally by a method wherein with the threedimensional relative position of a mask and a wafer conformed strictly, a step and repeat operation is performed in a vertical plane. CONSTITUTION:A pretreatment wafer 2 is taken out from a wafer stocker 24 by a wafer loader 26 and is sucked using vacuum on a prealignment stage 21. Here, after a rough alignment of the wafer 2 is performed using an image processing technique or a photoelectric conversion element, such as a laser diode and the like, the wafer is transferred up to a wafer stage 18 by a wafer loader 22 and is sucked using vacuum. Then, after the stage 18 is moved to an exposure position to conform strictly the relative position of the wafer and a mask 3, a SOR is irradiated to expose and transfer a pattern on the mask to the wafer 2. Moreover, the whole surface of a the wafer 2 is subjected to exposure by the step and repeat operation of the stage 18. The wafer 2 finished an exposure is again housed in a wafer stocker 25 by the loaders 20 and 22 and an exposure of one sheet of the wafer 2 is finished.

Description

【発明の詳細な説明】 [目次] 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 発明の効果 [概要〕 シンクロトロン放射光(以下SORと略す)を光源とし
てマスク上の回路パターンをウェハ上に転写する縦型ス
テッパーに関し、 水平に放射されるSORでサブミクロンのパターンを確
実に露光転写するため、マスクとウェハの3次元的な相
対位置を厳密に合わせることができ、且つ鉛直面内にス
テップアンドリピート動作が可能な縦型ストッパを提供
することを目的とし、光源にシンクロトロン放射光(S
OR)を使用してマスク上に描かれた回路パターンをウ
ェハ上に露光転写に用いる縦型ステッパであって、前記
ウェハをステップ状に移動させるウェハ粗動ステージと
前記ウェハに微動な動きをさせてマスクとの精密な位置
合わせを行うウェハ微動ステージと、マスクを傾けるマ
スク傾斜機能とマスクとウェハの間隔を調整する機能、
さらにマスクをその面内に回転させる機能を持ったマス
ク回転ステージと、マスクとウェハを一体化したマスク
ステージをシンクロトロン放射光(S OR)と垂直な
方向に走査する機構と、ウェハ粗動機構のなかで鉛直方
向の自由度を持つ可動部の自重をエアシリンダで補償す
る機構と、マスクステージのシンクロトロン放射光(S
 OR)走査時の可動部の自重をエアシリンダーで補償
する機構と、ステッパーの設置環境から発生する振動が
ウェハ粗微動ステージとマスクステージに伝播するのを
防止する防振台と、ウェハを搭載したウェハ微動ステー
ジを真空吸着によりマスクステージに吸着させて一体化
する吸着機構と、露光転写前のウェハをストックするウ
ェハストッカ■と、露光転写後のウェハをストックする
ウェハストッカ■と、露光転写前のウェハをそのオリエ
ンテーションフラットか或いはV溝を基準として面内位
置を合わせるプリアライメントステージと、露光転写前
のウェハをウェハストッカ■から取り出し、プリアライ
メントステージまで搬送する或いはその逆の動作を行う
ウェハロータと、プリアライメントステージ上のウェハ
をウェハ微動ステージ上まで搬送或いはその逆の動作を
行うウェハローダ■と、複数のマスクをストックできる
マスクマガジンと、マスクマガジンから必要なマスクを
抜き出し、マスクステージ上まで搬送或いはその逆の動
作を行うマスクロータとを有して構成する。
[Detailed description of the invention] [Table of contents] Overview Industrial field of application Conventional technology Problems to be solved by the invention Means for solving the problems Effects of the invention [Summary] Synchrotron radiation (hereinafter referred to as SOR) Regarding the vertical stepper that transfers the circuit pattern on the mask onto the wafer using a light source (abbreviated), in order to reliably expose and transfer the submicron pattern using horizontally emitted SOR, the three-dimensional relative position of the mask and the wafer is The purpose of this project is to provide a vertical stopper that can be precisely aligned and that can perform step-and-repeat operation in the vertical plane.
This vertical stepper is used to expose and transfer a circuit pattern drawn on a mask onto a wafer using a wafer (OR), and includes a coarse wafer movement stage that moves the wafer in steps, and a wafer coarse movement stage that makes fine movements of the wafer. A wafer fine movement stage that precisely aligns the mask with the mask, a mask tilt function that tilts the mask, and a function that adjusts the distance between the mask and the wafer.
Furthermore, there is a mask rotation stage that has the function of rotating the mask within its plane, a mechanism that scans the mask stage that integrates the mask and wafer in a direction perpendicular to the synchrotron radiation (SOR), and a wafer coarse movement mechanism. A mechanism that uses an air cylinder to compensate for the weight of a movable part that has a degree of freedom in the vertical direction, and a synchrotron radiation (S) mechanism for the mask stage.
OR) A mechanism that uses an air cylinder to compensate for the weight of the movable part during scanning, a vibration isolation table that prevents vibrations generated from the stepper installation environment from propagating to the wafer coarse and fine movement stage and the mask stage, and a wafer mounted. A suction mechanism that attaches and integrates the wafer fine movement stage to the mask stage using vacuum suction, a wafer stocker ■ that stocks wafers before exposure and transfer, a wafer stocker ■ that stocks wafers after exposure and transfer, and a wafer stocker ■ that stores wafers before exposure and transfer. A pre-alignment stage that aligns the in-plane position of the wafer based on its orientation flat or V-groove; a wafer rotor that takes out the wafer before exposure and transfer from the wafer stocker and transports it to the pre-alignment stage or vice versa; A wafer loader that transports the wafer on the pre-alignment stage to the wafer fine movement stage and vice versa, a mask magazine that can stock multiple masks, and a mask magazine that extracts the necessary masks from the mask magazine and transports them onto the mask stage or vice versa. and a mask rotor that performs the opposite operation.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、シンクロトロン放射光(以下SORと略す)
を光源としてマスク上の回路パターンをウェハ上に転写
する縦型ステッパーに関する。
The present invention uses synchrotron radiation (hereinafter abbreviated as SOR)
This invention relates to a vertical stepper that uses a light source to transfer a circuit pattern on a mask onto a wafer.

近年、16Mビット以上の超LSIの製造手段としてS
ORによるX線露光方式が注目されている。
In recent years, S
An X-ray exposure method using OR is attracting attention.

この露光方式は、従来の紫外線露光方式と比較して露光
光源の波長が短く且つ平行性が良いため、サブミクロン
のパターン転写に適しているばかりでなく、SORの強
度が大きいため高いスループットが期待できるなどの特
長を持っている。
This exposure method is not only suitable for submicron pattern transfer because the exposure light source has a shorter wavelength and better parallelism than conventional ultraviolet exposure methods, but also has high SOR intensity, so high throughput is expected. It has features such as being able to

しかし、水平に放射されるSORでサブミクロンのパタ
ーンを確実に露光転写するためには、マスフとウェハの
3次元的な相対位置を厳密に合わせることができ、且つ
鉛直面内にステップアンドリピート動作が可能な縦型ス
テッパーを必要とする。
However, in order to reliably expose and transfer submicron patterns using horizontally emitted SOR, the three-dimensional relative positions of the mask and wafer must be precisely aligned, and step-and-repeat operations in the vertical plane are required. Requires a vertical stepper that is capable of

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の紫外線を用いた半導体製造用露光装置(縮小投影
露光装置)には、通常第17図に示すような水平型ステ
ッパが用いられている。第17図は水平型ステッパを説
明する図、第18図はその一部の従来のウェハ位置決め
用XYステージの斜視図である。
A horizontal stepper as shown in FIG. 17 is usually used in a conventional exposure apparatus (reduction projection exposure apparatus) for semiconductor manufacturing using ultraviolet rays. FIG. 17 is a diagram illustrating a horizontal stepper, and FIG. 18 is a perspective view of a part of the conventional XY stage for positioning a wafer.

第17図において、1はウェハ2を載せるウェハ位置決
め用ステージで、XY方向に移動可能である。該ウェハ
2の上方に位置し、縮小光学露光系を通してウェハ2を
露光するためのマスク3 (レチクル)が、マスク移動
ステージ4に保持されている。
In FIG. 17, reference numeral 1 denotes a wafer positioning stage on which a wafer 2 is placed, and is movable in the X and Y directions. A mask 3 (reticle) located above the wafer 2 and used to expose the wafer 2 through a reduction optical exposure system is held on a mask moving stage 4.

マスク移動ステージ4に保持されたマスク上のパターン
を、露光用光源(水銀灯)5によりウェハ位置決め用ス
テージ1に保持されたウェハ2上に縮小露光する。この
露光の場合、マスク3とウェハ2の位置合わせを行う必
要がある。
A pattern on a mask held on a mask moving stage 4 is reduced and exposed onto a wafer 2 held on a wafer positioning stage 1 by an exposure light source (mercury lamp) 5. In the case of this exposure, it is necessary to align the mask 3 and the wafer 2.

従来、上記位置合わせに用いられているXYステージと
しては、例えば第18図のような水平型のものがある。
Conventionally, as an XY stage used for the above-mentioned positioning, there is a horizontal type as shown in FIG. 18, for example.

第18図において、XYステージはボールネジ6とサー
ボモータ7により水平方向に移動するX軸ステージ8と
、ボールネジ9とサーボモータIOによりX軸に対し直
角方向に移動するY軸ステージ11からなる。12は台
、13はX軸案内機構、14はY軸案内機構である。又
、各々のステージ位置検出には、レーザ測長器(図示せ
ず)を用いている。
In FIG. 18, the XY stage consists of an X-axis stage 8 that moves horizontally by a ball screw 6 and a servo motor 7, and a Y-axis stage 11 that moves in a direction perpendicular to the X-axis by a ball screw 9 and a servo motor IO. 12 is a stand, 13 is an X-axis guide mechanism, and 14 is a Y-axis guide mechanism. Further, a laser length measuring device (not shown) is used to detect the position of each stage.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来、紫外線によりマスクパターンをウェハ上に縮小投
影露光する場合に、第18図のような水平型のXYステ
ージが用いられていた。
Conventionally, a horizontal XY stage as shown in FIG. 18 has been used when reducing and exposing a mask pattern onto a wafer using ultraviolet rays.

ところが、超LSIの製造手段としてSORによるX線
露光方式が注目されており、この露光方式は、従来の紫
外線露光方式に比べ、光源の波長が短く且つ平行性がよ
く、サブミクロンのパターン転写に適し、さらにSOR
の強度が大きいため高いスループットが期待できる等の
特長を有する。
However, the X-ray exposure method using SOR is attracting attention as a means of manufacturing VLSIs, and this exposure method has a shorter wavelength and better parallelism of the light source than conventional ultraviolet exposure methods, and is suitable for submicron pattern transfer. Suitable and also SOR
Because of its high strength, high throughput can be expected.

SOR光の断面は第19図、第20図に示すような細長
い形状であり、露光するエリアを1回でカバー出来ない
ので、−回の露光時に縦方向の走査と共に、さらにステ
ップアンドリピート動作でウェハを移動させて、ウェハ
全面を露光する必要がある。
The cross section of the SOR light has a long and narrow shape as shown in Figures 19 and 20, and since the exposed area cannot be covered in one time, it is necessary to perform step-and-repeat operation in addition to vertical scanning during the -times of exposure. It is necessary to move the wafer and expose the entire surface of the wafer.

SOR光は第19図に示すように、図示しない加速器で
加速されてストレージリング15に入射された電子は、
偏向磁石16によって軌道を曲げられながら真空のスト
レージリング15中を周回する。この偏向磁石工6で電
子軌道が曲げられた部分から、接線方向にSOR光が出
る。このSOR光に図示しないフィルタやBe窓等によ
り露光に必要な波長以外の光をカットして露光に必要な
SOR光を得る。
As shown in FIG. 19, the SOR light is accelerated by an accelerator (not shown) and the electrons incident on the storage ring 15 are
It orbits in the vacuum storage ring 15 while its trajectory is bent by the deflection magnet 16. SOR light is emitted in the tangential direction from the portion where the electron trajectory is bent by the deflection magnet 6. The SOR light necessary for exposure is obtained by cutting off light having wavelengths other than those necessary for exposure using a filter, a Be window, etc. (not shown).

この様にSORは、その発光原理上水平方向に放射され
るので、SORで露光するステッパは、必然的に鉛直方
向の自由度を持つ縦型でなければならない。
As described above, since SOR emits light in the horizontal direction due to its light emission principle, a stepper for exposing with SOR must necessarily be of a vertical type with a degree of freedom in the vertical direction.

そこで、本発明は水平に放射されるSOR光でサブミク
ロンのパターンを確実に露光転写するため、マスクとウ
ェハの3次元的な相対位置を厳密に合わせることができ
、且つ鉛直面内にステップアンドリピート動作が可能な
縦型ステッパを提供することを目的とする。
Therefore, the present invention reliably exposes and transfers a submicron pattern using horizontally emitted SOR light, making it possible to precisely match the three-dimensional relative positions of the mask and wafer, and to perform step-and-transfer operations in the vertical plane. The purpose of the present invention is to provide a vertical stepper capable of repeating operations.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図、第2図を用いて本発明の詳細な説明する。以下
、各機構要素の作用について述べる。
The present invention will be explained in detail using FIGS. 1 and 2. The operation of each mechanical element will be described below.

第2図において、17は防振台で、地面からの振動を遮
断する機能を持つ台。
In Figure 2, 17 is a vibration isolation table, which has the function of blocking vibrations from the ground.

18はウェハステージで、ウェハ2を装着してウェハ全
面に露光を行うためのステップ・アンド・リピートステ
ージであり、X−Y軸方向の自由度を有する。なお、鉛
直面内の自由度に対しては、ステージの自重がアクチュ
エータの負荷とならない様に自重を相殺する自重補償機
構を有する。
A wafer stage 18 is a step-and-repeat stage for mounting the wafer 2 and exposing the entire surface of the wafer, and has a degree of freedom in the X-Y axis directions. Note that for the degree of freedom in the vertical plane, a self-weight compensation mechanism is provided to offset the self-weight of the stage so that it does not become a load on the actuator.

19はマスクステージで、マスク3を装着してウェハ2
との間隔及び相対的な姿勢の制御を行うための第1図に
示すZ軸方向の自由度(Z軸方向、X軸回り回転、Y軸
回り回転)とウェハ2との相対的な面内回転変位を補正
する自由度(θ軸回転方向)、さらに細長い棒状の断面
を持つSOR光をマスク3全面にわたって照射するため
、SOR光を上下に動かすか、マスクとウェハの相対位
置を何らかの方法で固定して上下に動かすY軸方向のビ
ーム走査機構を有するステージから構成される。なお、
ビーム走査機構にも自重補償機構がある。
19 is a mask stage, on which mask 3 is attached and wafer 2 is placed.
The degree of freedom in the Z-axis direction (Z-axis direction, rotation around the X-axis, rotation around the Y-axis) shown in FIG. In order to irradiate the entire surface of the mask 3 with SOR light that has a degree of freedom to correct rotational displacement (θ-axis rotation direction) and an elongated rod-shaped cross section, it is necessary to move the SOR light up and down or change the relative position of the mask and wafer in some way. It consists of a stage that is fixed and has a beam scanning mechanism in the Y-axis direction that moves up and down. In addition,
The beam scanning mechanism also has a self-weight compensation mechanism.

20はウェハロータで、遠隔操作でウェハストッカ■2
4にストックされている露光前のウェハ2を、後述のプ
リアライメントステージ21まで搬送することができる
搬送機である。
20 is a wafer rotor, which can be remotely controlled as a wafer stocker ■2
This is a transport machine that can transport unexposed wafers 2 stocked at 4 to a pre-alignment stage 21, which will be described later.

21はプリアライメントステージで、ウェハ2をウェハ
ステージ18に装着する前に、自動的にウェハ2の概略
の位置合わせを行うためのステージで、X−Y−θ軸方
向の自由度を有する。
A pre-alignment stage 21 is a stage for automatically roughly aligning the wafer 2 before it is mounted on the wafer stage 18, and has degrees of freedom in the X-Y-θ axis directions.

22はウェハローダ■で、プリアライメントステージ2
1で位置合わせを行ったウェハ2を、遠隔操作でウェハ
ステージまで搬送することができるアーム型の回転機構
である。
22 is a wafer loader ■, pre-alignment stage 2
This is an arm-type rotation mechanism that can transport the wafer 2 aligned in step 1 to a wafer stage by remote control.

23はマスクロータで、遠隔操作で図示しないマスクマ
ガジンにストックされているマスクの中から1枚を選択
して、点線矢印のように穴aを通りマスク交換のために
、最も上側の位置迄上昇して来たマスクステージ19ま
で搬送する搬送機である。
Reference numeral 23 is a mask rotor, which selects one mask from among the masks stocked in a mask magazine (not shown) by remote control, passes through hole a as indicated by the dotted line arrow, and ascends to the uppermost position for mask replacement. This is a transport machine that transports the mask to the mask stage 19.

24はウェハストッカ■で、処理前のウェハが収納され
ている。25はウェハストッカ■で、露光終了したウェ
ハを収納する。
A wafer stocker 24 stores unprocessed wafers. A wafer stocker 25 stores exposed wafers.

以上の機能を備えた本発明の縦型ステッパーにより上記
問題点を解決することができる。
The above problems can be solved by the vertical stepper of the present invention having the above functions.

〔作用〕[Effect]

次に本発明の縦型ステッパーにおいて、ウェハ2が露光
される手順について述べる。
Next, the procedure for exposing the wafer 2 in the vertical stepper of the present invention will be described.

まず、ウェハストッカ■24からウェハロータ20によ
って処理前のウェハ2を取り出し、プリアライメントス
テージ21上に真空吸着する。ここで、画像処理の手法
或いはレーザダイオード等の光電変換素子を用いてウェ
ハ2の概略位置合わせを行った後、ウェハローダ■22
によってウェハステージ1日まで搬送し、真空吸着する
。(マスクステージ19は上方に退避、している) 次に、ウェハステージ18を露光位置まで移動させてマ
スク3との相対位置を厳密に合わせた後、(マスクステ
ージ19は上方より下降しウェハステージ18に対向す
る)SORを照射してマスク3上のパターンをウェハ2
に露光転写する。
First, the unprocessed wafer 2 is taken out from the wafer stocker 24 by the wafer rotor 20 and vacuum-adsorbed onto the pre-alignment stage 21. After roughly aligning the wafer 2 using an image processing method or a photoelectric conversion element such as a laser diode, the wafer loader 22
The wafer is transported to the wafer stage for 1 day, and vacuum suction is carried out. (The mask stage 19 is retracted upward.) Next, the wafer stage 18 is moved to the exposure position and the relative position with the mask 3 is precisely adjusted, (the mask stage 19 is lowered from above and the wafer stage 18 is moved to the exposure position). 18) irradiates the pattern on the mask 3 onto the wafer 2.
Transfer to exposure to light.

さらに、ウェハステージ18をステップ移動させて露光
を繰り返す、所謂ステップ・アンド・リピート動作によ
りウェハ2の全面に露光を行う。露光が終了したウェハ
2は、再びウェハローダの20、ウェハローダ■22に
よってウェハストッカ■25に収納し、1枚のウェハ2
の露光を終了する。
Further, the entire surface of the wafer 2 is exposed by a so-called step-and-repeat operation in which the wafer stage 18 is moved step by step to repeat the exposure. After exposure, the wafer 2 is stored in the wafer stocker 25 again by the wafer loader 20 and the wafer loader 22, and one wafer 2
Finish the exposure.

次に、マスク3をマスクステージ19に装着する手順を
示す。
Next, a procedure for mounting the mask 3 on the mask stage 19 will be described.

まず、マスクロータ23が必要なマスクを図示しないマ
スクマガジンから抜き出し、(マスクステージ19は上
方にあり、点線矢印のように穴aを通し)マスクステー
ジ19まで搬送し、マスクステージ19が下降し、ここ
で、位置決めを行った後、真空吸着によってマスク3を
マスクステージ19上に固定する。
First, the mask rotor 23 extracts a necessary mask from a mask magazine (not shown), transports it to the mask stage 19 (the mask stage 19 is located above, and passes through the hole a as indicated by the dotted line arrow), and the mask stage 19 descends. After positioning, the mask 3 is fixed on the mask stage 19 by vacuum suction.

次に、前記の手順によってウェハ2のローディングを行
ない必要な枚数の露光を行った後、マスク3は再びマス
クロータ23によってマスクマガジンに格納される。
Next, after the wafers 2 are loaded and the necessary number of wafers are exposed according to the procedure described above, the masks 3 are stored in the mask magazine by the mask rotor 23 again.

〔実施例〕〔Example〕

SOR用縦型ステッパーに必要な各機能を実現する具体
的な実施例について述べる。なお、全図を通じて同一符
号は同一対象物である。
A specific example that realizes each function required for a vertical stepper for SOR will be described. Note that the same reference numerals represent the same objects throughout the figures.

(1) S ORはその発生原理上水平方向に放射され
るため、マスクとウェハを垂直に保持しな(ではならな
い。従って、ステージは゛垂直方向の自由度を有するの
で、その可動部の自重を補償する自重補償機構を必要と
する。
(1) Because SOR is emitted horizontally due to its generation principle, the mask and wafer must not be held vertically. Therefore, since the stage has a degree of freedom in the vertical direction, Requires a self-weight compensation mechanism to compensate.

即ち、鉛直方向の自由度に対しては、第3図に示すよう
なエアーシリンダー28による自重補償機構を用いる。
That is, for the degree of freedom in the vertical direction, a self-weight compensation mechanism using an air cylinder 28 as shown in FIG. 3 is used.

鉛直方向に自由度を持つステージ29には、案内機構3
0、アクチュエータ(この例では、回転型DCサーボモ
ータ26十ボールネジ27)及びエアーシリンダー28
を備えており、エアーシリンダー28に常に一定の圧力
の気体を供給することにより、可動部(ステージ29)
の位置にかかわらずステージの自重を相殺することがで
きる。本実施例では、第4図に示すように可動部を挟み
込む4本のエアーシリンダー28 (A、B、C,、D
)の差圧(PI = P2)が自重に等しくなるように
空気圧が設定されており、空気圧が変化しても差圧は変
動せず、常に安定した自重補償を行うことができる。
The stage 29, which has a degree of freedom in the vertical direction, has a guide mechanism 3.
0, actuator (in this example, a rotary DC servo motor 26 and a ball screw 27) and an air cylinder 28
By constantly supplying gas at a constant pressure to the air cylinder 28, the movable part (stage 29)
The stage's own weight can be offset regardless of its position. In this embodiment, as shown in FIG. 4, four air cylinders 28 (A, B, C, D
) The air pressure is set so that the differential pressure (PI = P2) is equal to the dead weight, and even if the air pressure changes, the differential pressure does not fluctuate, and stable dead weight compensation can always be performed.

また、エアーシリンダー28は、気体自身が持つダンパ
ーの効果でウェハステージのサーボ系を安定化させ、且
つカウンターウェイトによる自重補償の欠点である可動
部質量が倍増するということがないと云う特徴をもつ。
In addition, the air cylinder 28 has the feature that it stabilizes the servo system of the wafer stage by the damper effect of the gas itself, and does not double the mass of the moving parts, which is a disadvantage of self-weight compensation using a counterweight. .

29aは粗動X軸可動部、30aは粗動X軸案内機構を
示す。
29a is a coarse movement X-axis movable part, and 30a is a coarse movement X-axis guide mechanism.

(2)ウェハステージとしては、第3図に示すような粗
動XYステージ上に、点線で示す微動XYステージ31
が搭載された2段重ねのステージ構成を採用する。即ち
、粗動XYステージは図示しない金属コロ案内軸受、回
転型DCサーボモータ26とボールネジ27を組み合わ
せせたアクチュエータ、DCサーボモータ26に直結さ
れた回転型ロータリーエンコーダの位置検出器(図示せ
ず)を持ちフィードバック制御を行うことにより、ミク
ロンオーダの位置決めを可能とする。これ以外にも粗動
XYステージのアクチュエータとして、多極型のリニア
DCモータ、位置検出器としてリニアスケールやレーザ
干渉計を用いてもよい。また、微動XYステージ31は
、第5図に示すように平行板バネ案内32と圧電素子3
3を組み合わせた1軸のステージを、2段に積み重ねた
第6図のような微動X軸、Y軸回動部42.41の構成
を持ち、レーザ干渉計や差動トランス等の高分解能の位
置検出器(図示せず)で微動X軸可動部の変位量ΔX、
ΔYを検出してフィードバック制御することにより、サ
ブミクロンの位置決めを可能とする。これ以外にも第7
図(イ)(ロ)に示すXY軸一体型の案内機構を用いて
もよい。
(2) As a wafer stage, a fine movement XY stage 31 shown by a dotted line is placed on a coarse movement
Adopts a two-stage stage configuration equipped with. That is, the coarse movement XY stage includes a metal roller guide bearing (not shown), an actuator that combines a rotary DC servo motor 26 and a ball screw 27, and a position detector (not shown) of a rotary rotary encoder directly connected to the DC servo motor 26. By using feedback control, positioning on the micron order is possible. In addition to this, a multipolar linear DC motor may be used as the actuator of the coarse movement XY stage, and a linear scale or laser interferometer may be used as the position detector. Further, the fine movement XY stage 31 includes a parallel plate spring guide 32 and a piezoelectric element 3 as shown in FIG.
It has a configuration of fine X-axis and Y-axis rotation parts 42 and 41 as shown in Figure 6, in which a single-axis stage combining 3 is stacked in two stages, and is used for high-resolution devices such as laser interferometers and differential transformers. A position detector (not shown) detects the displacement ΔX of the fine X-axis movable part,
By detecting ΔY and performing feedback control, submicron positioning is possible. In addition to this, the seventh
An XY-axis integrated guide mechanism shown in FIGS. (a) and (b) may also be used.

図において、■、■、■、■は粗動XYステージへの取
付部、32aは4枚の板バネで構成された平行板バネ案
内で、4カ所にあって微動XYステージ可動部31を支
持する。第8図にその動作原理を示す。即ち、圧電素子
によりFlO力が加えられると、部材■■■がそれらを
支える平行板バネ案内32aの曲げ変形によりΔYだけ
変位する。X軸方向の変位に対しても同様である。第9
図はX、Y軸2方向に同時に変位した例を示す。これら
の微動ステージは、後述のSOR走査時にマスクステー
ジに真空吸着できるように、粗動ステージから離脱可能
な構造となっている。
In the figure, ■, ■, ■, ■ are attachment parts to the coarse movement XY stage, and 32a is a parallel plate spring guide composed of four leaf springs, which are located at four locations and support the fine movement XY stage movable part 31. do. FIG. 8 shows its operating principle. That is, when the FlO force is applied by the piezoelectric element, the members ■■■ are displaced by ΔY due to the bending deformation of the parallel leaf spring guide 32a that supports them. The same applies to displacement in the X-axis direction. 9th
The figure shows an example of simultaneous displacement in two directions of the X and Y axes. These fine movement stages have a structure that allows them to be separated from the coarse movement stage so that they can be vacuum-adsorbed to the mask stage during SOR scanning, which will be described later.

このような粗動XYステージと微動ステージを積み重ね
た構性にすることにより、高速ステップ・アンド・リピ
ート動作と精密な位置決め動作の両立を可能とする。
By having such a structure in which the coarse movement XY stage and the fine movement stage are stacked, it is possible to achieve both high-speed step-and-repeat operation and precise positioning operation.

また、マスクステージ側には、第1図の21〜’23軸
方向の自由度及びθ軸方向の自由度を与え、露光位置に
おけるマスクとウェハの3次元的な相対位置合わせを容
易にする。具体的には、21〜23軸方向の自由度は、
第10図の斜視図及び第11図の断面図に示すように、
可動部はドーナツ状のダイアフラム型板バネ34で案内
され、ステージ可動部中心0を中心とする円上の3カ所
に、等間隔に配置された圧電素子33の伸縮によって第
12図に示すようにマスクとウェハの間隔及び相対的な
傾きの補正を行うことが可能である。なお、位置検出は
、差動トランスかリニアスケール(図示せず)を使用す
るのが適当である。35はマスクチャック、45はマス
クステージへの固定部である。
Further, the mask stage side is provided with degrees of freedom in the 21 to 23 axis directions in FIG. 1 and degrees of freedom in the θ axis direction to facilitate three-dimensional relative positioning of the mask and the wafer at the exposure position. Specifically, the degrees of freedom in the 21st to 23rd axis directions are:
As shown in the perspective view of FIG. 10 and the sectional view of FIG.
The movable part is guided by a doughnut-shaped diaphragm-shaped leaf spring 34, and is moved as shown in FIG. It is possible to correct the spacing and relative tilt of the mask and wafer. Note that for position detection, it is appropriate to use a differential transformer or a linear scale (not shown). 35 is a mask chuck, and 45 is a part fixed to the mask stage.

もし、圧電素子の可動範囲が小さすぎる時は、第13図
に示すように3つの圧電素子を組み合わせて、尺取り主
運動を行わせ、可動範囲を拡大してもよい。また、θ方
向の自由度は、−例としては第14図に示すように金属
コロ或いは金属玉を用いた回転型のベアリング36を持
った可動部46の一部(突起47)を、圧電素子33で
駆動することにより実現可能である。可動範囲が小さす
ぎる場合には、Zl−23軸の場合と同様、3本の圧電
素子33を組み合わせて尺取り虫運動を行わせてもよい
。48′は位置検出器である。
If the movable range of the piezoelectric element is too small, the movable range may be expanded by combining three piezoelectric elements to perform the main movement as shown in FIG. 13. Furthermore, the degree of freedom in the θ direction is - For example, as shown in FIG. This can be realized by driving with 33. If the movable range is too small, the inchworm movement may be performed by combining three piezoelectric elements 33, as in the case of the Zl-23 axis. 48' is a position detector.

(3)SORの走査機構に対しては、第15図に示すよ
うな走査機構を採用する。即ち、リニアガイド機構によ
り案内されたマスクステージ19とウェハの相対位置を
厳密に保持したまま回転型サーボモータ37とネジ38
により鉛直方向に走査することにより、露光エリア全体
にSORを照射することができる。この場合のマスクス
テージ19の位置検出は、回転型サーボモータ37に直
結されたロータリーエンコーダ(図示せず)により行わ
れる。46はリニアガイド、47は基盤部、4日は金属
コロ案内軸受用レールである。
(3) For the SOR scanning mechanism, a scanning mechanism as shown in FIG. 15 is adopted. That is, the rotary servo motor 37 and the screw 38 are moved while strictly maintaining the relative positions of the mask stage 19 and the wafer guided by the linear guide mechanism.
By scanning in the vertical direction, the entire exposure area can be irradiated with SOR. In this case, the position of the mask stage 19 is detected by a rotary encoder (not shown) directly connected to the rotary servo motor 37. 46 is a linear guide, 47 is a base portion, and 4th is a rail for a metal roller guide bearing.

(4)防振機構に対しては、(第2図参照)環境からの
振動によって位置決め精度が低下するマスクステージ1
9、ウェハステージ18を防振台17上に設置し、地面
からの振動を遮断する。また、第16図(a)(b)に
示すようにSORの走査時は、ウェハ2の微動ステージ
部39が、粗動ステージ部40から離脱してマスクステ
ージ19側に真空吸着され、マスク3とウェハ2を一体
化して相対振動の低減をはかる。なお、この場合ウェハ
2の微動ステージ39部は、粗動ステージ40部から完
全に離脱して走査してもよいし、その一部がつながった
まま、ウェハ2の粗動ステージ40の鉛直方向の自由度
を解放してマスクステージ19に引きずられる形で走査
してもよい。49は真空吸着用吸着器である。
(4) Regarding the vibration isolation mechanism (see Figure 2), the positioning accuracy of the mask stage 1 is reduced due to vibrations from the environment.
9. Place the wafer stage 18 on the vibration isolation table 17 to block vibrations from the ground. Further, as shown in FIGS. 16(a) and 16(b), during SOR scanning, the fine movement stage part 39 of the wafer 2 is separated from the coarse movement stage part 40 and vacuum-adsorbed to the mask stage 19 side, and the mask 3 and wafer 2 are integrated to reduce relative vibration. In this case, the fine movement stage 39 of the wafer 2 may be completely detached from the coarse movement stage 40 for scanning, or may be partially connected to the coarse movement stage 40 of the wafer 2 in the vertical direction. It is also possible to scan while being dragged by the mask stage 19 with the degree of freedom released. 49 is an absorber for vacuum adsorption.

(5)SORは人体に有害であるため、露光中に縦型ス
テッパーを設置しであるサーマルチャンバー内に立ち入
ることができない。従って、ウェハ2の搬送、着脱、マ
スクの搬送、着脱、ウェハのプリアライメントはすべて
自動化され、チャンバー外に設置されたコントローラか
らの指令によって遠隔操作される。
(5) Since SOR is harmful to the human body, it is not possible to enter the thermal chamber where a vertical stepper is installed during exposure. Therefore, the transportation, attachment and detachment of the wafer 2, the transportation and attachment and detachment of the mask, and the pre-alignment of the wafer are all automated and remotely controlled by commands from a controller installed outside the chamber.

以上の機構を縦型ステッパーに設けることにより、マス
クとウェハの3次元的な相対位置を厳密に合わせること
ができ、且つ鉛直面内にステップアンドリピート動作が
できるので、水平に放射されるSORでサブミクロンの
パターンを確実に露光転写することができる。
By providing the above mechanism in a vertical stepper, it is possible to precisely align the three-dimensional relative positions of the mask and wafer, and step-and-repeat operations can be performed in the vertical plane. Submicron patterns can be reliably exposed and transferred.

(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、水平に放射される
SORを光源とする実用的な露光システムを構成するこ
とができ、今後爆発的な需要が見込める16Mビフトル
以上のDRAMに代表される超LSIの製造手段を提供
できる効果は大きい。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, it is possible to configure a practical exposure system using horizontally emitted SOR as a light source, and it is possible to construct a practical exposure system using a horizontally emitted SOR as a light source, and it is possible to construct a DRAM of 16M biftles or more, for which explosive demand is expected in the future. The effect of being able to provide a means of manufacturing VLSIs as typified by the following is significant.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の自由度の振り分は図、第2図は本発明
の縦型ステッパーの構成図、第3図は本発明の2段重ね
のステージ構成図、第4図は第3図の自重相殺手段の図
、 第5図は本発明の仮バネと圧電素子の組合わせの1軸ス
テージの図、 第6図は本発明の2段重ねステージの斜視図、第7図(
イ)(ロ)は本発明のXY軸一体型の案内機構図、 第8図は第7図の動作原理図、 第9図は第7図のxy軸軸方方向同時変位した図、 第10図は本発明のマスク側ステージの斜視図、第11
図は第10図の断面図、 第12図は第11図の動作状態図、 第13図は本発明の尺取生形移動機構の動作原理図、 第14図は本発明の回転型のベアリングを持った可動部
の斜視図、 第15図は本発明のビーム走査機構図、第16図は本発
明の微動XYステージの吸着を説明する図、 第17図は従来の水平型ステッパーを説明する図、第1
8図は従来のXYステージの斜視図、第19図はシンク
ロトロン放射光(SOR)の形状を示す図、 第20図は露光エリアとSOR光の関係図である。 図において、 2はウェハ、 3はマスク、 17は防振台、 18はウェハステージ、 19はマスクステージ、 20はウェハローダ、 21はプリアライメントステージ、 23はマスクロータ、 24はウェハストッカ■、 25はウェハストッカ■、 26は回転型DCサーボモータ、 27はボールネジ、 28はエアーシリンダ、 29はステージ、 30は案内機構、 31は微動X−Yステージ、 32.32aは平行板バネ案内、 33は圧電素子、 34はダイアフラム型板バネ、 35はマスクチャック、 ト 2 口 36は回転型ベアリング、 40は粗動xyステージ、 41は微動Y軸可動部、 42は微動X軸可動部、 43はステージ可動部、 45はステージ固定部、 46は可動部、 47は突起、 48′は位置検出器、 第36の自V昶暇1す9の図 、溪   +   2 32+fi、吸ハ゛ネ架、a 本脚g旧Q版バ卆と斤′窒青阪テの紙合約吃ejP  
 y    咄 紺ステージ’I>0 A(発明c)XYj←的−イ1!唱z6り濱;C04よ
1艷不−Gり4f−’7[2 第7図■蛎答厘理口 %  8 口 J!; 106a−面図 5間ニー  1)  C本:) 業1j配[F]動作状勢[F] 年 t2  El 率 り ■ 本完声月0マス2剰ステージ゛の#判20寥  70 
2 寥 秦 ■ 51 ノ5 n 寮 B /6 15、ストレージ゛1ノ′/2°。 秦 q ? ’tbfs’I’17と5(JF?’t30)Mlイ糸
ノ華 1θ 口
Fig. 1 is a diagram showing the distribution of the degrees of freedom of the present invention, Fig. 2 is a block diagram of the vertical stepper of the present invention, Fig. 3 is a block diagram of the two-tiered stage of the present invention, and Fig. 4 is a diagram of the third 5 is a diagram of a uniaxial stage combining a temporary spring and a piezoelectric element according to the present invention, FIG. 6 is a perspective view of a two-stage stacked stage according to the present invention, and FIG.
(a) and (b) are diagrams of the guide mechanism of the integrated XY axis type of the present invention, Figure 8 is a diagram of the operating principle of Figure 7, Figure 9 is a diagram of Figure 7 with simultaneous displacement in the x and y axis directions, and Figure 10. The figure is a perspective view of the mask side stage of the present invention, No. 11.
The figure is a sectional view of Fig. 10, Fig. 12 is an operating state diagram of Fig. 11, Fig. 13 is a diagram of the operating principle of the length straight type moving mechanism of the present invention, and Fig. 14 is a rotary type bearing of the present invention. Fig. 15 is a diagram of the beam scanning mechanism of the present invention, Fig. 16 is a diagram illustrating the adsorption of the fine movement XY stage of the present invention, and Fig. 17 is a diagram illustrating a conventional horizontal stepper. Figure, 1st
FIG. 8 is a perspective view of a conventional XY stage, FIG. 19 is a diagram showing the shape of synchrotron radiation (SOR), and FIG. 20 is a diagram showing the relationship between the exposure area and the SOR light. In the figure, 2 is a wafer, 3 is a mask, 17 is a vibration isolation table, 18 is a wafer stage, 19 is a mask stage, 20 is a wafer loader, 21 is a pre-alignment stage, 23 is a mask rotor, 24 is a wafer stocker, 25 is a Wafer stocker ■, 26 is a rotary DC servo motor, 27 is a ball screw, 28 is an air cylinder, 29 is a stage, 30 is a guide mechanism, 31 is a fine movement X-Y stage, 32.32a is a parallel plate spring guide, 33 is a piezoelectric element, 34 is a diaphragm leaf spring, 35 is a mask chuck, 36 is a rotary bearing, 40 is a coarse movement xy stage, 41 is a fine movement Y-axis movable part, 42 is a fine movement X-axis movable part, 43 is a stage movable part 45 is a stage fixed part, 46 is a movable part, 47 is a protrusion, 48' is a position detector, 36th automatic V leisure time 1-9 diagram, kei + 2 32 + fi, suction rack, a main leg g Paper agreement between the old Q version and the original Q version
y Dark blue stage 'I>0 A (invention c) XYj←target-I1! Shouz6rihama;C04yo1艷ふ-Gri4f-'7[2 Fig. 7■蛎 Answer厘り口% 8 口J! 106a - Plane 5 Knees 1) Book C:) Work 1j Arrangement [F] Motion Situation [F] Year t2 El Lead■ Book Complete Voice Month 0 Squares 2 Surplus Stage ゛ # Size 20 70
2 Hohata■ 51 ノ5 n Dormitory B /6 15, storage ゛1ノ'/2°. Qinq? 'tbfs'I'17 and 5 (JF?'t30) Ml Ito no Hana 1θ Mouth

Claims (1)

【特許請求の範囲】 光源にシンクロトロン放射光(SOR)を使用してマス
ク(3)上に描かれた回路パターンをウェハ(2)上に
露光転写に用いる縦型ステッパであって、 前記ウェハ(2)をステップ状に移動させるウェハ粗動
ステージとウェハ(2)に微動な動きをさせて前記マス
ク(3)との精密な位置合わせを行うウェハ微動ステー
ジ(18)と マスク(3)を傾けるマスク傾斜機能とマスク(3)と
ウェハ(2)の間隔を調整する機能、さらにマスク(3
)をその面内に回転させる機能を持ったマスク移動ステ
ージと、 マスク(3)とウェハ(2)を固定したマスクステージ
(19)をシンクロトロン放射光(SOR)と垂直な方
向に走査する機構と、 ウェハ粗動機構のなかで鉛直方向の自由度を持つ可動部
の自重をエアシリンダで補償する機構と、マスクステー
ジ(19)のシンクロトロン放射光(SOR)走査時の
可動部の自重をエアシリンダーで補償する機構と、 ステッパーの設置環境から発生する振動がウェハ粗微動
ステージ(18)とマスクステージ(19)に伝播する
のを防止する防振台(17)と、 ウェハ(2)を搭載したウェハ微動ステージを真空吸着
によりマスクステージ(19)に吸着させて一体化する
吸着機構と、 露光転写前のウェハ(2)をストックするウェハストッ
カ(1)(24)と、 露光転写後のウェハ(2)をストックするウェハストッ
カ(2)(25)と、 露光転写前のウェハ(2)をそのオリエンテーションフ
ラットか或いはV溝を基準として面内位置を合わせるプ
リアライメントステージ(21)と、露光転写前のウェ
ハ(2)をウェハストッカ(1)(24)から取り出し
、プリアライメントステージ(21)まで搬送する或い
はその逆の動作を行うウェハロータ(1)(20)と、 プリアライメントステージ(21)上のウェハをウェハ
微動ステージ上まで搬送或いはその逆の動作を行うウェ
ハロータ2(22)と、 複数のマスク(3)をストックできるマスクマガジンと
、 マスクマガジンから必要なマスク(3)を抜き出し、マ
スクステージ(19)上まで搬送或いはその逆の動作を
行うマスクロータ(23)とを有することを特徴とする
縦型ステッパー。
[Scope of Claims] A vertical stepper that uses synchrotron radiation (SOR) as a light source to expose and transfer a circuit pattern drawn on a mask (3) onto a wafer (2), comprising: A wafer coarse movement stage (2) that moves the wafer (2) in steps, a wafer fine movement stage (18) that makes fine movements of the wafer (2) and precisely aligns it with the mask (3), and a mask (3). A function to tilt the mask, a function to adjust the distance between the mask (3) and the wafer (2), and a function to adjust the distance between the mask (3) and the wafer (2).
) within its plane, and a mechanism that scans the mask stage (19) on which the mask (3) and wafer (2) are fixed in a direction perpendicular to the synchrotron radiation (SOR). A mechanism that uses an air cylinder to compensate for the weight of the movable part that has a degree of freedom in the vertical direction in the wafer coarse movement mechanism, and a mechanism that compensates for the weight of the movable part during synchrotron radiation (SOR) scanning of the mask stage (19). A compensation mechanism using an air cylinder, a vibration isolation table (17) that prevents vibrations generated from the installation environment of the stepper from propagating to the wafer coarse/fine movement stage (18) and the mask stage (19), and the wafer (2). A suction mechanism that suctions and integrates the mounted wafer fine movement stage onto the mask stage (19) using vacuum suction, a wafer stocker (1) (24) that stocks wafers (2) before exposure and transfer, and wafer stockers (1) and (24) that store wafers (2) before exposure and transfer. A wafer stocker (2) (25) for stocking wafers (2), a pre-alignment stage (21) for aligning the in-plane position of the wafer (2) before exposure transfer based on its orientation flat or V-groove, and an exposure A wafer rotor (1) (20) that takes out the wafer (2) before transfer from the wafer stocker (1) (24) and transports it to the pre-alignment stage (21) or vice versa, and a pre-alignment stage (21). A wafer rotor 2 (22) that transports the upper wafer to the wafer fine movement stage and vice versa, a mask magazine that can stock a plurality of masks (3), and a mask magazine that extracts the necessary mask (3) from the mask magazine and stores the mask. A vertical stepper characterized by having a mask rotor (23) that carries the mask up to the stage (19) or vice versa.
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EP89117492A EP0360272B1 (en) 1988-09-22 1989-09-21 Stepper for circuit pattern formation
DE89117492T DE68911084T2 (en) 1988-09-22 1989-09-21 Sequence device for forming circuits.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011180089A (en) * 2010-03-03 2011-09-15 Fukuoka Univ Shaft body support device

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