JPH0285804A - 波長分波検出器 - Google Patents
波長分波検出器Info
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- JPH0285804A JPH0285804A JP63236215A JP23621588A JPH0285804A JP H0285804 A JPH0285804 A JP H0285804A JP 63236215 A JP63236215 A JP 63236215A JP 23621588 A JP23621588 A JP 23621588A JP H0285804 A JPH0285804 A JP H0285804A
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Landscapes
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は波長か多重化されている導波光を各波長域毎に
分渡し、各波長域毎の出力を検出する波長分波検出器に
関する。
分渡し、各波長域毎の出力を検出する波長分波検出器に
関する。
（従来の技術〕
第７図は従来の波長分波検出器の構造を示す図である。
基板１０１上にはバッファ層１０２、スラブ梨導波路１
０３か設けうわている。スラブ型先導波路１０３には光
ファイバ１０６が端面カップリングされており、その上
面には光検出器１０４．〜１Ｏ４３およびグレーティン
グ１０５．〜１０５３が形成されている。光ファイバ＋
０６は波長が多重化された信号光を導波するもので、該
信号光は前述の端面カップリングによりスラブ型光導波
路＋０３に導波される。カスケードにアレイ化されて設
けられた反射型フィルりであるグレーティング１０５．
〜１０５３は、各々に入射される光のうち、入射角と周
期とがそれぞれのブラッグ条件を満たす波長の光のみを
回折し、各自に対して設けられている光検出器１０４．
〜１０４３に入射させることにより光信号の分波検出が
行なわれていた。
０３か設けうわている。スラブ型先導波路１０３には光
ファイバ１０６が端面カップリングされており、その上
面には光検出器１０４．〜１Ｏ４３およびグレーティン
グ１０５．〜１０５３が形成されている。光ファイバ＋
０６は波長が多重化された信号光を導波するもので、該
信号光は前述の端面カップリングによりスラブ型光導波
路＋０３に導波される。カスケードにアレイ化されて設
けられた反射型フィルりであるグレーティング１０５．
〜１０５３は、各々に入射される光のうち、入射角と周
期とがそれぞれのブラッグ条件を満たす波長の光のみを
回折し、各自に対して設けられている光検出器１０４．
〜１０４３に入射させることにより光信号の分波検出が
行なわれていた。
従来の波長分波検出器においては、グレーティングを用
いて分波を行ない、各波長毎に光検出器を設けているた
め、以下に記載するような欠点がある。
いて分波を行ない、各波長毎に光検出器を設けているた
め、以下に記載するような欠点がある。
（＋） 分波する光の波長によってはグレーティング
の周期が非常に小さくなるので作製が困難となる。
の周期が非常に小さくなるので作製が困難となる。
（２）各光検出器は、クロストークが生じないようにあ
る一定以上の問題を持たせて設置する必要があるため、
多くの波長が多重化されている光信号の場合には、それ
に応じて光検出器も増加し、したがってデバイスも大型
化してしまうという欠点かある。
る一定以上の問題を持たせて設置する必要があるため、
多くの波長が多重化されている光信号の場合には、それ
に応じて光検出器も増加し、したがってデバイスも大型
化してしまうという欠点かある。
（３） グレーティングか２次元的広がりを持つため
、導波路を微細な３次元導波路にする事が出来ない。
、導波路を微細な３次元導波路にする事が出来ない。
（４） グレーティングの長さが１００−〜数１０〇
−と長くなるため、こわ以上、小型化できない。
−と長くなるため、こわ以上、小型化できない。
本発明は、容易に作製することができる波長分波検出器
を提供することを目的とする。
を提供することを目的とする。
本発明の波長分波検出器は、
導波光が伝搬される導波層と、該導波層の上下に設けら
れ、少なくとも一方は、導波光の進光方向に対してその
厚みが階段状に減少する第１のクラッド層および第２の
クラッド層と、 クラッド層の各段毎に設けられ、各段での検出される光
とカップリングを行ない、上下方向の光閉じ込めを段階
的に制御する吸収層および該吸収層とカップリングした
検出光を吸収電流として取り出すための電極とを有する
。
れ、少なくとも一方は、導波光の進光方向に対してその
厚みが階段状に減少する第１のクラッド層および第２の
クラッド層と、 クラッド層の各段毎に設けられ、各段での検出される光
とカップリングを行ない、上下方向の光閉じ込めを段階
的に制御する吸収層および該吸収層とカップリングした
検出光を吸収電流として取り出すための電極とを有する
。
（作 用）
導波層に入射した波長多重光は、クラッド層の厚みを変
えた領域において、伝播波長の電界分布の差から、各ク
ラッド層上部に設けられた各吸収層に特定波長の信号光
のみか吸収されて電気信号として取り出される。
えた領域において、伝播波長の電界分布の差から、各ク
ラッド層上部に設けられた各吸収層に特定波長の信号光
のみか吸収されて電気信号として取り出される。
第１図は本発明の第１の実施例の外観を示す図、第２図
はその構造を示す断面図である。
はその構造を示す断面図である。
まず、本実施例の作成手順について説明する。
ｎ形ＧａＡｓである基板１上に、バッファ層２としてｎ
形ＧａＡｓを０．５μ量結晶成長させ、次に、クラッド
層３としてｎ形Ａ１ｏ ６Ｇａｏ５Ａｓを２μｍ成長さ
せた。続いて、ノンドープＧａＡｓ ：１０人とノン
ドープＡｎ 。、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ ６０人を交
互に３０対積層し、厚さ０．２７μの導波層４とした。
形ＧａＡｓを０．５μ量結晶成長させ、次に、クラッド
層３としてｎ形Ａ１ｏ ６Ｇａｏ５Ａｓを２μｍ成長さ
せた。続いて、ノンドープＧａＡｓ ：１０人とノン
ドープＡｎ 。、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ ６０人を交
互に３０対積層し、厚さ０．２７μの導波層４とした。
さらに、上部クラッド層５としてＰ形ΔＡ ｏ５Ｇａ、
、 ｓＡｓを１ｕ＋結晶成長させた。なお、結晶成長法
としては、分子線エピタキシー法や存機金属ＣＶＤ法等
を使用した。
、 ｓＡｓを１ｕ＋結晶成長させた。なお、結晶成長法
としては、分子線エピタキシー法や存機金属ＣＶＤ法等
を使用した。
面述のように成膜したウェハーを通常のフォトリソグラ
フィーとエツチング、例えばＨ２Ｏ２：ＮＨ４１１＝
２００： １のエッチャントを用いて、上部クラッド層
５のＡ ７ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓをエツチングし
、図に示すように階段上の段差を設けた。その後、面述
の各段上に吸収層であるど−ＧａＡｓ ６．７．８を再
成長させ、ざらに導波光の各層の垂直方向に対する光閉
し込めを効率良くするために、ウェハーＬ面をリッジ形
構造とし、三次元導波路を形成した。その後、各段上に
上部型８ｉｌｏ、１１． ＋２を設け、ウェハー底面に
下部電極１３を形成した。各部の寸法を略記すると、上
記クラッド層５の各段の厚さは、検出する導波光を７５
０ｍｍ、 ８００Ｄｌ［Ｑ、 ８５０ｎ＋ｍの３波長多
重として考え、それぞれ０．３μ。
フィーとエツチング、例えばＨ２Ｏ２：ＮＨ４１１＝
２００： １のエッチャントを用いて、上部クラッド層
５のＡ ７ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓをエツチングし
、図に示すように階段上の段差を設けた。その後、面述
の各段上に吸収層であるど−ＧａＡｓ ６．７．８を再
成長させ、ざらに導波光の各層の垂直方向に対する光閉
し込めを効率良くするために、ウェハーＬ面をリッジ形
構造とし、三次元導波路を形成した。その後、各段上に
上部型８ｉｌｏ、１１． ＋２を設け、ウェハー底面に
下部電極１３を形成した。各部の寸法を略記すると、上
記クラッド層５の各段の厚さは、検出する導波光を７５
０ｍｍ、 ８００Ｄｌ［Ｑ、 ８５０ｎ＋ｍの３波長多
重として考え、それぞれ０．３μ。
０．２７μｍ、 ０．２５μ思とした。またリッジ部の
幅は約３μで、各検出部の電極の大きさは、３−Ｘ
１００μである。本実施例においては絶縁膜等を介して
電極を形成する際にワイヤーボンディング等を用いて形
成することか十分可能な大きさとしている。
幅は約３μで、各検出部の電極の大きさは、３−Ｘ
１００μである。本実施例においては絶縁膜等を介して
電極を形成する際にワイヤーボンディング等を用いて形
成することか十分可能な大きさとしている。
次に、動作について、第２図中の右端面から左端面に向
って波長多重化された光が進行するものとして説明する
。
って波長多重化された光が進行するものとして説明する
。
クラッド層３．５の各屈折率ｎ、、ｎｃと導波路３の屈
折率ｎ、との関係を次式に示す。
折率ｎ、との関係を次式に示す。
ｎ、＞ｎ、 ≧ｎｃ
屈折率が上記の関係になっていれば、端面人射時におけ
る０、７５ｐ 、 ０．８＝ 、 ０．ｆ１５ｕ （
以下、順にλ１．λ２．λ３と称する）の各波長が多重
化された導波光は、導波路内に閉じこもっており、減衰
量は導波路損失だけによる。導波光か電極６のト部の吸
収帯に届くと、入、の電界分布Ｄλ、のすそが吸収層６
にかかり、急、速にえ、のエネルギーは吸収されて減衰
する。そして吸収層６により′π子とホールになったλ
、の信号は電極１０と１３より吸収電流として取り出さ
れ、信号が検出される。このとき、光のエネルギーは長
波長側の方が低いため、え、およびλ、の電界分布Ｄλ
２゜Ｄλ３のすそは、吸収層６に届かず、λ２およびλ
３のエネルギーは朱なわ第１ない。同様な事かλ２、λ
３の導波光においても吸収帯１８．１９に：おいて起こ
り、そわぞわλ２の吸収電流が電極ＩＩと１３間で、λ
３の吸収電流か電極ｉ２と１３間で取り出され、λ２．
＾３の信号か検出さ才する事となる。
る０、７５ｐ 、 ０．８＝ 、 ０．ｆ１５ｕ （
以下、順にλ１．λ２．λ３と称する）の各波長が多重
化された導波光は、導波路内に閉じこもっており、減衰
量は導波路損失だけによる。導波光か電極６のト部の吸
収帯に届くと、入、の電界分布Ｄλ、のすそが吸収層６
にかかり、急、速にえ、のエネルギーは吸収されて減衰
する。そして吸収層６により′π子とホールになったλ
、の信号は電極１０と１３より吸収電流として取り出さ
れ、信号が検出される。このとき、光のエネルギーは長
波長側の方が低いため、え、およびλ、の電界分布Ｄλ
２゜Ｄλ３のすそは、吸収層６に届かず、λ２およびλ
３のエネルギーは朱なわ第１ない。同様な事かλ２、λ
３の導波光においても吸収帯１８．１９に：おいて起こ
り、そわぞわλ２の吸収電流が電極ＩＩと１３間で、λ
３の吸収電流か電極ｉ２と１３間で取り出され、λ２．
＾３の信号か検出さ才する事となる。
第３図は本発明の第２の実施例の構造を示す断面図であ
るゆここで、第２図と同一の部材には同一の符号を付し
、計細な説明は省略する。本実施例は、第１の実施例で
用いた吸収層６７．８の構成を変える事により、導波光
の波長を長波長個迄検出できる様にし・たものである。
るゆここで、第２図と同一の部材には同一の符号を付し
、計細な説明は省略する。本実施例は、第１の実施例で
用いた吸収層６７．８の構成を変える事により、導波光
の波長を長波長個迄検出できる様にし・たものである。
第３図中の吸収層３０．３１．３２は第４図に示す様に
Ｐドーパンｔ−ＧａＡｓ層４１とｎｌ・−バントＧａＡ
ｓ層４２よ５よびノンドープＧａＡｓ層４３とを交互に
積層しｊ＝ｎｉｐｉ構造を採用する事により、各吸収層
のエネルギーギャップを等価的に小さくし、ＧａＡｓの
吸収端どして知ら打ている０、８７μｍよりもエネルギ
ーの低い長波長側の光を検出する事が可能となった。
Ｐドーパンｔ−ＧａＡｓ層４１とｎｌ・−バントＧａＡ
ｓ層４２よ５よびノンドープＧａＡｓ層４３とを交互に
積層しｊ＝ｎｉｐｉ構造を採用する事により、各吸収層
のエネルギーギャップを等価的に小さくし、ＧａＡｓの
吸収端どして知ら打ている０、８７μｍよりもエネルギ
ーの低い長波長側の光を検出する事が可能となった。
第５図は本発明の第３の実施例の構造を示１゛断面図で
ある。本実施例は吸収層５０．５１．５２に、第６図に
示すよつな１ｎＧａＡｓ層６１とＧａＡｓ層６２からな
る超格子構造を採用し、１０の混晶比を変える事とＩｎ
ＧａＡＳ井戸層とＧａＡｓ障壁層の組合わせにより受光
波長を変化させる！ドを可能としたものである。
ある。本実施例は吸収層５０．５１．５２に、第６図に
示すよつな１ｎＧａＡｓ層６１とＧａＡｓ層６２からな
る超格子構造を採用し、１０の混晶比を変える事とＩｎ
ＧａＡＳ井戸層とＧａＡｓ障壁層の組合わせにより受光
波長を変化させる！ドを可能としたものである。
本発明は、以トの実施例に限らず種りの応用かｉｉＪ能
となる。例えば、導波路層にＩｎＧａＡｓ１ｎＰ系を採
用する場合には、吸収層として、混晶比の異なる！ｎＧ
ａＡＳＰを用いわば、本発明と同様な汁涯検出が長波長
帯においても出来る。また、吸収層として、Ｓｉ、 Ｇ
ｅの結晶成長を行う事も＝ｉｒ能である。また、三次元
導波路としては、埋込み形、拡散形等でも同様である。
となる。例えば、導波路層にＩｎＧａＡｓ１ｎＰ系を採
用する場合には、吸収層として、混晶比の異なる！ｎＧ
ａＡＳＰを用いわば、本発明と同様な汁涯検出が長波長
帯においても出来る。また、吸収層として、Ｓｉ、 Ｇ
ｅの結晶成長を行う事も＝ｉｒ能である。また、三次元
導波路としては、埋込み形、拡散形等でも同様である。
〔発明の効果〕
以−１−説明したように本発明は、クラット層の厚みを
４波光の進行方向に応じて階段状に減少させ、各段毎に
吸収層および電極を設けることにより、導波光を各波長
域毎に分波することができ、従来用いられていたグレー
ティングを用いたものに比へて作製を大幅に簡略化する
ことができる効果かある。
４波光の進行方向に応じて階段状に減少させ、各段毎に
吸収層および電極を設けることにより、導波光を各波長
域毎に分波することができ、従来用いられていたグレー
ティングを用いたものに比へて作製を大幅に簡略化する
ことができる効果かある。
第１図は本発明の第１の実施例の外観を示す図、第２図
は第１図の光検出部の構造を示す図、第３図は本発明の
第２の実施例の構造を示す図、第４図は第３図中の吸収
層３０．３１．３２の構造を示す図、第５図は本発明の
第３の実施例の構造を示す図、第６図は第５図中の吸収
層５０．５１．５２の構造を示す図、第７図は従来例で
ある。 １・・・基板、 ２・・・バッファ層、 ３．５・・・クラット層、 ４・・・導波層、 ６、７．８．３０，３１，３２，５０，５１，５２・・
・吸収層、１０、１１．１２−・・電極、 ４１・・・ＰドーパントＧ８ＡＳ層、 ４２−ｎドーバンＧａ／ｉｓ層。 ４３・・・ノンドープＧａＡｓ層、 ５１・１ｎＧａＡｓ層、 ６２−ＧａＡｓ層。 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忍第１図 第３図 第５図 第６図
は第１図の光検出部の構造を示す図、第３図は本発明の
第２の実施例の構造を示す図、第４図は第３図中の吸収
層３０．３１．３２の構造を示す図、第５図は本発明の
第３の実施例の構造を示す図、第６図は第５図中の吸収
層５０．５１．５２の構造を示す図、第７図は従来例で
ある。 １・・・基板、 ２・・・バッファ層、 ３．５・・・クラット層、 ４・・・導波層、 ６、７．８．３０，３１，３２，５０，５１，５２・・
・吸収層、１０、１１．１２−・・電極、 ４１・・・ＰドーパントＧ８ＡＳ層、 ４２−ｎドーバンＧａ／ｉｓ層。 ４３・・・ノンドープＧａＡｓ層、 ５１・１ｎＧａＡｓ層、 ６２−ＧａＡｓ層。 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忍第１図 第３図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、波長が多重化された導波光を波長域毎に分波し、各
波長域毎の光出力信号を検出する波長分波検出器であっ
て、 導波光が伝搬される導波層（４）と、該導波層の上下に
設けられ、少なくとも一方は、導波光の進光方向に対し
てその厚みが階段状に減少する第１のクラッド層（３）
および第２のクラッド層（５）と、 厚みが階段状に減少するクラッド層の各段毎に設けられ
、各段で検出される光とカップリングを行ない、上下方
向の光閉じ込めを段階的に制御する吸収層（６、７、８
）および該吸収層とカップリングした検出光を吸収電流
として取り出すための電極（１０、１１、１２）とを有
する波長分波検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236215A JP2620329B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 波長分波検出器 |
| US07/410,513 US5032710A (en) | 1988-09-22 | 1989-09-21 | Photodetector to detect a light in different wavelength regions through clad layer having different thickness portions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236215A JP2620329B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 波長分波検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285804A true JPH0285804A (ja) | 1990-03-27 |
| JP2620329B2 JP2620329B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=16997485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63236215A Expired - Fee Related JP2620329B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 波長分波検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2620329B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5375323A (en) * | 1991-10-30 | 1994-12-27 | Nsk Ltd. | Method for securing shaft of cam follower device for valve action mechanism |
| US6167070A (en) * | 1996-12-05 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63236215A patent/JP2620329B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5375323A (en) * | 1991-10-30 | 1994-12-27 | Nsk Ltd. | Method for securing shaft of cam follower device for valve action mechanism |
| US6167070A (en) * | 1996-12-05 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6383829B1 (en) | 1996-12-05 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2620329B2 (ja) | 1997-06-11 |
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