JPH028291B2 - - Google Patents
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- JPH028291B2 JPH028291B2 JP56037368A JP3736881A JPH028291B2 JP H028291 B2 JPH028291 B2 JP H028291B2 JP 56037368 A JP56037368 A JP 56037368A JP 3736881 A JP3736881 A JP 3736881A JP H028291 B2 JPH028291 B2 JP H028291B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、2個の平行な支持プレートと、該支
持プレートの向い合つた面上で互いに交差する細
条状の電極パターンと、前記支持プレートの間に
配置したコレステリツク液晶層とを具え、前記液
晶層が、電界強度E1以下でほぼ透明なプレーナ
コニツク組織又は光散乱性フオーカルコニツク組
織を有し、電界強度E2以上で透明なホメオトロ
ピツクネマチツク組織を有し、前記電界強度E1
とE2との間の電界強度で光散乱性フオーカルコ
ニツク組織又は透明なホメオトロピツクネマチツ
ク組織を有する液晶表示装置に関するものであ
る。
持プレートの向い合つた面上で互いに交差する細
条状の電極パターンと、前記支持プレートの間に
配置したコレステリツク液晶層とを具え、前記液
晶層が、電界強度E1以下でほぼ透明なプレーナ
コニツク組織又は光散乱性フオーカルコニツク組
織を有し、電界強度E2以上で透明なホメオトロ
ピツクネマチツク組織を有し、前記電界強度E1
とE2との間の電界強度で光散乱性フオーカルコ
ニツク組織又は透明なホメオトロピツクネマチツ
ク組織を有する液晶表示装置に関するものであ
る。
ここでコレステリツク液晶の語は、一定量のコ
レステリツク液晶が添加されその混合物がコレス
テリツク組織を有するネマチツク液晶を意味す
る。
レステリツク液晶が添加されその混合物がコレス
テリツク組織を有するネマチツク液晶を意味す
る。
この種の表示装置は既知である(“Speichere−
ffekte in cholesterinischen Fliissigkeitenmit
positiver DK−anisotropie”、Berichteder
Bunsen−gesellschaft78、No.9、1974、P912〜
914)。この論文には、コレステリツク液晶を示す
双安定効果が用いられており、この効果について
最初に説明する。螺旋軸が支持プレートの表面に
垂直であるほぼ透明なフオーカルコニツクコレス
テリツク組織から始める。一定の電界強度限界値
Eth以上で、殆ど透明なプレーナコニツクコレス
テリツク組織は、螺旋軸が支持プレートの表面に
平行に延在する光散乱性フオーカルコニツク組織
に変化する。電界強度が増加すると螺旋はねじれ
がなくなり、液晶分子の配向が支持プレートの表
面に対し垂直になると電界強度E2以上で光散乱
性フオーカルコニツク組織は透明なホメオトロピ
ツクネマチツク組織に変化する。電界強度に対す
る透過特性のヒステリシスの結果として、透明ホ
メオトロピツクネマチツク組織は電界強度E1が
電界強度E2より小さい場合にのみ再度光散乱フ
オーカルコニツク組織に変化する。
ffekte in cholesterinischen Fliissigkeitenmit
positiver DK−anisotropie”、Berichteder
Bunsen−gesellschaft78、No.9、1974、P912〜
914)。この論文には、コレステリツク液晶を示す
双安定効果が用いられており、この効果について
最初に説明する。螺旋軸が支持プレートの表面に
垂直であるほぼ透明なフオーカルコニツクコレス
テリツク組織から始める。一定の電界強度限界値
Eth以上で、殆ど透明なプレーナコニツクコレス
テリツク組織は、螺旋軸が支持プレートの表面に
平行に延在する光散乱性フオーカルコニツク組織
に変化する。電界強度が増加すると螺旋はねじれ
がなくなり、液晶分子の配向が支持プレートの表
面に対し垂直になると電界強度E2以上で光散乱
性フオーカルコニツク組織は透明なホメオトロピ
ツクネマチツク組織に変化する。電界強度に対す
る透過特性のヒステリシスの結果として、透明ホ
メオトロピツクネマチツク組織は電界強度E1が
電界強度E2より小さい場合にのみ再度光散乱フ
オーカルコニツク組織に変化する。
上記論文に記載されたマトリツクス表示装置で
は、この双安定効果を次のように用いている。電
極を平行な細状形態で支持プレートに設ける。一
方の支持プレートの電極を他の支持プレートの電
極に交差させる。一方の支持プレートの電極はい
わゆるマトリツクスの列を構成し、他の支持プレ
ートの電極はいわゆるマトリクスの行を構成す
る。絵素は列電極と行電極との交差点にある。電
極間に十分に高い電圧を印加すると液晶層間に
E2以上の電界が生じ、マトリクスの絵素はすべ
て透明なホメオトロピツクネマチツク組織に変化
する。次ぎに、全ての絵素間に電圧を印加する
と、E1とE2との間の電界強度EHが発生する。そ
こで液晶層は少しの間、透明ホメオトロピツクネ
マチツク状態のままの性質を有する。列電極を順
次駆動して情報を1列ずつ行に書き込む。散乱状
態に変化すべき絵素に対し、ホメオトロピツクネ
マチツク組織がフオーカルコニツク組織に変化す
るまで電圧をゼロにする。書き込み中の列の残り
の絵素の電圧を電界強度がEHより大きいかまた
は等しくなるように保持し、その結果、絵素は透
明ホメオトロピツクネマチツク組織に維持され
る。液晶層間に電界強度EHを生ずる電圧を再度、
列の全ての絵素にわたつて印加する。
は、この双安定効果を次のように用いている。電
極を平行な細状形態で支持プレートに設ける。一
方の支持プレートの電極を他の支持プレートの電
極に交差させる。一方の支持プレートの電極はい
わゆるマトリツクスの列を構成し、他の支持プレ
ートの電極はいわゆるマトリクスの行を構成す
る。絵素は列電極と行電極との交差点にある。電
極間に十分に高い電圧を印加すると液晶層間に
E2以上の電界が生じ、マトリクスの絵素はすべ
て透明なホメオトロピツクネマチツク組織に変化
する。次ぎに、全ての絵素間に電圧を印加する
と、E1とE2との間の電界強度EHが発生する。そ
こで液晶層は少しの間、透明ホメオトロピツクネ
マチツク状態のままの性質を有する。列電極を順
次駆動して情報を1列ずつ行に書き込む。散乱状
態に変化すべき絵素に対し、ホメオトロピツクネ
マチツク組織がフオーカルコニツク組織に変化す
るまで電圧をゼロにする。書き込み中の列の残り
の絵素の電圧を電界強度がEHより大きいかまた
は等しくなるように保持し、その結果、絵素は透
明ホメオトロピツクネマチツク組織に維持され
る。液晶層間に電界強度EHを生ずる電圧を再度、
列の全ての絵素にわたつて印加する。
ラインの透明ホメオトロピツクネマチツク状態
が安定な間、他のラインを駆動することができ
る。しかし、電界強度EHで透明なホメオトロピ
ツクネマチツクの安定性は絵素の周囲がフオーカ
ルコニツク状態にあるように制限される。実際に
フオーカルコニツク組織はホメオトロピツクネマ
チツク組織に成長する性質を有し、光散乱効果を
妨げることになる。この結果、書込みのできるラ
インの数が制限されるばかりでなく、表示装置の
記憶時間も制限されるため情報を繰返し書き込む
必要がある。従つて、情報を長時間記憶しなけれ
ばならないような文字数字式表示装置に応用する
には、この種のマトリクス表示装置は適当ではな
い。
が安定な間、他のラインを駆動することができ
る。しかし、電界強度EHで透明なホメオトロピ
ツクネマチツクの安定性は絵素の周囲がフオーカ
ルコニツク状態にあるように制限される。実際に
フオーカルコニツク組織はホメオトロピツクネマ
チツク組織に成長する性質を有し、光散乱効果を
妨げることになる。この結果、書込みのできるラ
インの数が制限されるばかりでなく、表示装置の
記憶時間も制限されるため情報を繰返し書き込む
必要がある。従つて、情報を長時間記憶しなけれ
ばならないような文字数字式表示装置に応用する
には、この種のマトリクス表示装置は適当ではな
い。
また、上記論文から判るように、書込み後に絵
素間の電圧を極めて迅速にゼロにする場合、準安
定な透明ホメオトロピツクネマチツク状態にある
絵素は極めて迅速に安定なほぼ透明なプレーナコ
ニツク状態に変化する。しかし、この迅速な変化
はコレステリツク液晶が僅かな濃度のコレステリ
ツク物質を含む場合にのみ生ずる。すなわち、コ
レステリツク物質の濃度が、液晶層の層の厚さd
とプレーナコニツク組織のピツチpとの比が実質
的にd/p=5以下であるような場合である。し
かし、電界が生じていない状態では光散乱フオー
カルコニツクメモリ状態が比較的迅速に透明プレ
ーナコニツク組織に戻り、記憶時間を制限する欠
点がある。
素間の電圧を極めて迅速にゼロにする場合、準安
定な透明ホメオトロピツクネマチツク状態にある
絵素は極めて迅速に安定なほぼ透明なプレーナコ
ニツク状態に変化する。しかし、この迅速な変化
はコレステリツク液晶が僅かな濃度のコレステリ
ツク物質を含む場合にのみ生ずる。すなわち、コ
レステリツク物質の濃度が、液晶層の層の厚さd
とプレーナコニツク組織のピツチpとの比が実質
的にd/p=5以下であるような場合である。し
かし、電界が生じていない状態では光散乱フオー
カルコニツクメモリ状態が比較的迅速に透明プレ
ーナコニツク組織に戻り、記憶時間を制限する欠
点がある。
記憶時間はd/pと共に指数関数的に増加する
ため、コレステリツク物質の濃度の場加は記憶時
間が増加することを意味する。しかし、この場
合、準安定な透明ホメオトロピツクネマチツク状
態から安定な殆ど透明なプレーナコニツク状態へ
の迅速な変化は生じない。透明ホメオトロピツク
ネマチツク状態は最初、光散乱フオーカルコニツ
ク中間状態に迅速に変化し、次いで殆ど透明なプ
レーナコニツク組織にゆつくりと変化する。この
変化の間に、書き込み情報はあまり可視的でな
く、あるいは全く可視的でない。この結果、実際
には表示装置に適さない。
ため、コレステリツク物質の濃度の場加は記憶時
間が増加することを意味する。しかし、この場
合、準安定な透明ホメオトロピツクネマチツク状
態から安定な殆ど透明なプレーナコニツク状態へ
の迅速な変化は生じない。透明ホメオトロピツク
ネマチツク状態は最初、光散乱フオーカルコニツ
ク中間状態に迅速に変化し、次いで殆ど透明なプ
レーナコニツク組織にゆつくりと変化する。この
変化の間に、書き込み情報はあまり可視的でな
く、あるいは全く可視的でない。この結果、実際
には表示装置に適さない。
従つて本発明の目的は長い記憶時間を有し、書
き込み後の情報が連続的に可視化される表示装置
を提供するにある。
き込み後の情報が連続的に可視化される表示装置
を提供するにある。
この目的のために、本発明による液晶層表示装
置は、上記表示装置において、前記コレステリツ
ク液晶層が、前記電界の臨界周波数以下の周波数
で正の誘電異方性を有し前記臨界周波数以上の周
波数で負の誘電異方性を有し、コレステリツク液
晶層に臨界周波数以上の周波数を有する電界を加
えてホメオトロピツクネマチツク組織を透明なプ
レーナネマチツク組織に変化させ、次ぎにコレス
テリツク液晶層にほぼ透明なプレーナコニツク組
織を生成させるように構成したことを特徴とす
る。
置は、上記表示装置において、前記コレステリツ
ク液晶層が、前記電界の臨界周波数以下の周波数
で正の誘電異方性を有し前記臨界周波数以上の周
波数で負の誘電異方性を有し、コレステリツク液
晶層に臨界周波数以上の周波数を有する電界を加
えてホメオトロピツクネマチツク組織を透明なプ
レーナネマチツク組織に変化させ、次ぎにコレス
テリツク液晶層にほぼ透明なプレーナコニツク組
織を生成させるように構成したことを特徴とす
る。
本発明は以下の認識に基づくものである。情報
を書込む前に、E2以上の電界強度及び臨界周波
数以下の周波数を有する電界によつてすべての絵
素を透明なホメオトロピツクネマチツク状態にす
る。次いでE1とE2の間の電界強度EHを生ずる電
圧を全ての絵素に印加する。光散乱状態にされる
べき列の絵素を所定時間に亘つて0ボルトに維持
し、光散乱性フオーカルコニツク組織を生成す
る。次に、絵素に形成されているE1とE2の間の
電界強度EHが光散乱性フオーカルコニツク組織
に維持されるように前記絵素に印加されて電圧を
増大させる。書き込み中に駆動される列の残余の
絵素を、EHに等しいか又はこれより大きい電界
強度で透明ホメオトロピツクネマチツク状態に維
持する。このようにして列の全部に情報を書き込
んだ後、臨界周波数以上の周波数を有する電界を
全絵素にわたつて印加し、この臨界周波数以上の
周波数によりコレステリツク液晶を負の誘電異方
性状態にする。この結果、透明絵素のホメオトロ
ピツクネマチツク組織はプレーナネマチツク組織
に変化する。前記電界の存在する間、前記絵素の
螺旋のねじれが生じ、これら絵素はプレーナネマ
チツク状態になる。電界をオフした後、前記組織
はほぼ透明なプレーナコニツク組織に変化する。
これらの変化により情報は連続して可視状態に維
持される。臨界周波数以上の周波数を有する電界
の値及び印加時間は光散乱状態にある素子のフオ
ーカルコニカル組織が乱されない値及び期間とす
る。さらに、透明ホメオトロピツクネマチツク状
態から光散乱性フオーカルコニツクな中間状態へ
の変化が起こらないので、コレステリツク物質を
さらに大きい濃度で液晶に添加することができ
る。この結果、さらに長い記憶時間を得ることが
できる。特に、前記論文の913ページでは、一定
の臨界周波数以上で負となる誘電異方性を液晶の
組織変化によるものとしているが、実際には液晶
の全く異なる電界依存性に関係するものであるこ
とに銘記されたい。液晶混合物のコレステリツク
物質が極めて低い濃度では、事実、ホメオトロピ
ツクネマチツク状態からフオーカルコニツク状態
への変化はほとんど生じない。一方誘電異方性の
変化を用いることによりさらに前記変化を安定し
て発生させることができる。
を書込む前に、E2以上の電界強度及び臨界周波
数以下の周波数を有する電界によつてすべての絵
素を透明なホメオトロピツクネマチツク状態にす
る。次いでE1とE2の間の電界強度EHを生ずる電
圧を全ての絵素に印加する。光散乱状態にされる
べき列の絵素を所定時間に亘つて0ボルトに維持
し、光散乱性フオーカルコニツク組織を生成す
る。次に、絵素に形成されているE1とE2の間の
電界強度EHが光散乱性フオーカルコニツク組織
に維持されるように前記絵素に印加されて電圧を
増大させる。書き込み中に駆動される列の残余の
絵素を、EHに等しいか又はこれより大きい電界
強度で透明ホメオトロピツクネマチツク状態に維
持する。このようにして列の全部に情報を書き込
んだ後、臨界周波数以上の周波数を有する電界を
全絵素にわたつて印加し、この臨界周波数以上の
周波数によりコレステリツク液晶を負の誘電異方
性状態にする。この結果、透明絵素のホメオトロ
ピツクネマチツク組織はプレーナネマチツク組織
に変化する。前記電界の存在する間、前記絵素の
螺旋のねじれが生じ、これら絵素はプレーナネマ
チツク状態になる。電界をオフした後、前記組織
はほぼ透明なプレーナコニツク組織に変化する。
これらの変化により情報は連続して可視状態に維
持される。臨界周波数以上の周波数を有する電界
の値及び印加時間は光散乱状態にある素子のフオ
ーカルコニカル組織が乱されない値及び期間とす
る。さらに、透明ホメオトロピツクネマチツク状
態から光散乱性フオーカルコニツクな中間状態へ
の変化が起こらないので、コレステリツク物質を
さらに大きい濃度で液晶に添加することができ
る。この結果、さらに長い記憶時間を得ることが
できる。特に、前記論文の913ページでは、一定
の臨界周波数以上で負となる誘電異方性を液晶の
組織変化によるものとしているが、実際には液晶
の全く異なる電界依存性に関係するものであるこ
とに銘記されたい。液晶混合物のコレステリツク
物質が極めて低い濃度では、事実、ホメオトロピ
ツクネマチツク状態からフオーカルコニツク状態
への変化はほとんど生じない。一方誘電異方性の
変化を用いることによりさらに前記変化を安定し
て発生させることができる。
さらには表示装置の実施には、コレステリツク
液晶が、50重量%の4−n−ペンチルフエニル−
2−クロロ−4−(4−n−ペンチルベンゾイル
オキシ)ベンゾエートおよび50重量%の4−n−
オクチルフエニル−2−クロロ−4−(4−n−
ヘプチルベンゾイルオキシ)ベンゾエートから成
るネマチツク液晶混合物に、コレステリツク液晶
の5重量%の4−シアノ−4′−(2−メチルブチ
ル)ビフエニルを添加して成ることを特徴とす
る。一般に、コレステリツクタイプの液晶を使用
することができ、これは負の誘電異方性に対する
正の誘電異方性の緩和を示し、そのピツチは層の
厚さの1/50以下である。
液晶が、50重量%の4−n−ペンチルフエニル−
2−クロロ−4−(4−n−ペンチルベンゾイル
オキシ)ベンゾエートおよび50重量%の4−n−
オクチルフエニル−2−クロロ−4−(4−n−
ヘプチルベンゾイルオキシ)ベンゾエートから成
るネマチツク液晶混合物に、コレステリツク液晶
の5重量%の4−シアノ−4′−(2−メチルブチ
ル)ビフエニルを添加して成ることを特徴とす
る。一般に、コレステリツクタイプの液晶を使用
することができ、これは負の誘電異方性に対する
正の誘電異方性の緩和を示し、そのピツチは層の
厚さの1/50以下である。
以下、本発明を図面に基づき詳細に説明する。
第1図は本発明による表示装置の線図的断面図
である。本表示装置は2枚のガラス支持プレート
1,2を有している。支持プレート1は酸化イン
ジウムの細条電極パターン3を有する。支持プレ
ート2は酸化インジウムの細条電極パターン5を
有し、この電極5は電極3とほぼ直角に交差す
る。本例では、電極3は絵素マトリクスの例えば
列を形成し、電極5は行を形成する。支持プレー
ト1,2をポリエチレン箔の封止リム6により相
手から10μmの距離に保持する。支持プレート1
の界面で液晶分子の垂直方位を得るために、表面
を、例えばパーフルオロシランのヘキサン溶液で
処理する。液晶8の層は、例えば、50重量%の4
−n−ペンチルフエニル−2−クロロ−4−(4
−n−ペンチルベンゾイルオキシ)ベンゾエート
および50重量%の4−n−オクチルフエニル−2
−クロロ−4−(4−n−ヘプチルベンゾイルオ
キシ)ベンゾエートから成る(イーストマンコダ
ツク社製)ネマチツク液晶混合物に、コレステリ
ツク液晶の5重量%の4−シアノ−4′−(2−メ
チルブチル)ビフエニル(BDHケミカル社製の
CB15)を添加したものである。この正の誘電異
方性から負の誘電異方性に変化する混合物の臨界
周波数は3200Hzである。この混合物は50Hzで+
5.9の誘電異方性を示し、30kHzで−2.4の誘電異
方性を示す。これらの値は25℃の温度で測定した
ものである。
である。本表示装置は2枚のガラス支持プレート
1,2を有している。支持プレート1は酸化イン
ジウムの細条電極パターン3を有する。支持プレ
ート2は酸化インジウムの細条電極パターン5を
有し、この電極5は電極3とほぼ直角に交差す
る。本例では、電極3は絵素マトリクスの例えば
列を形成し、電極5は行を形成する。支持プレー
ト1,2をポリエチレン箔の封止リム6により相
手から10μmの距離に保持する。支持プレート1
の界面で液晶分子の垂直方位を得るために、表面
を、例えばパーフルオロシランのヘキサン溶液で
処理する。液晶8の層は、例えば、50重量%の4
−n−ペンチルフエニル−2−クロロ−4−(4
−n−ペンチルベンゾイルオキシ)ベンゾエート
および50重量%の4−n−オクチルフエニル−2
−クロロ−4−(4−n−ヘプチルベンゾイルオ
キシ)ベンゾエートから成る(イーストマンコダ
ツク社製)ネマチツク液晶混合物に、コレステリ
ツク液晶の5重量%の4−シアノ−4′−(2−メ
チルブチル)ビフエニル(BDHケミカル社製の
CB15)を添加したものである。この正の誘電異
方性から負の誘電異方性に変化する混合物の臨界
周波数は3200Hzである。この混合物は50Hzで+
5.9の誘電異方性を示し、30kHzで−2.4の誘電異
方性を示す。これらの値は25℃の温度で測定した
ものである。
本発明の表示装置の操作原理を第2図に基づき
説明する。第2a図は表示装置の印加電圧Vに対
する透過特性φを示す図である。第2b図に図式
的に示したようなほぼ透明なプレーナコニツク組
織Aから出発する。支持プレートの表面で液晶分
子の長手軸線を表面に対し垂直方向に向ける。螺
旋のピツチはネマチツクコレステリツク液晶の組
成および使用したコレステリツク物質に依存す
る。電極間に臨界周波数以下の周波数を有する電
圧を印加すると、プレーナコニツク組織は一定の
限界電圧Vth以上で光散乱性のフオーカルコニツ
ク組織Bに変化する。これを第2c図に示す。螺
旋軸は支持プレートに平行な方向になるように回
転する。臨界周波数以下の周波数で電圧がさらに
一定の値V3以上に増加すると、螺旋はねじれの
ない状態になり、正の誘電異方性の結果として、
第2d図に示したように、透明ホメオトロピツク
ネマチツク組織Cを形成する。電圧がゆくりと減
少する場合、電圧V1<V<V3範囲で透明ホメオ
トロピツクネマチツク組織Dに維持され、電圧
V1以下になると(ラインEを経て)、再び光散乱
性フオーカルコニツク組織Fになる。臨界周波数
以下の周波数を有する電圧V2において、ここで
V1<V2<V3で、V3を越える電圧から電圧降下さ
せた場合液晶層は透明ホメオトロピツクネマチツ
ク状態になることができ、或はV1以下の電圧か
ら電圧上昇させた場合光散乱性フオーカルコニツ
ク状態になることができる。液晶層がホメオトロ
ピツクネマチツク状態Dにある場合、臨界周波数
以上の周波数で十分に大きな電圧を一時的に加え
ることにより、殆ど透明なプレーナコニツク状態
Aに極めて短時間で到達させることができる。臨
界周波数以上で生じる負の誘電異方性の結果とし
て、第2e図に示したように、ホメオトロピツク
ネマチツク組織はプレーナネマチツク組織に変化
する。この電界が存在する間、螺旋は再び自発的
にねじれ、スイツチをオフにした後ほぼ透明なプ
レーナコニツク組織が形成される。
説明する。第2a図は表示装置の印加電圧Vに対
する透過特性φを示す図である。第2b図に図式
的に示したようなほぼ透明なプレーナコニツク組
織Aから出発する。支持プレートの表面で液晶分
子の長手軸線を表面に対し垂直方向に向ける。螺
旋のピツチはネマチツクコレステリツク液晶の組
成および使用したコレステリツク物質に依存す
る。電極間に臨界周波数以下の周波数を有する電
圧を印加すると、プレーナコニツク組織は一定の
限界電圧Vth以上で光散乱性のフオーカルコニツ
ク組織Bに変化する。これを第2c図に示す。螺
旋軸は支持プレートに平行な方向になるように回
転する。臨界周波数以下の周波数で電圧がさらに
一定の値V3以上に増加すると、螺旋はねじれの
ない状態になり、正の誘電異方性の結果として、
第2d図に示したように、透明ホメオトロピツク
ネマチツク組織Cを形成する。電圧がゆくりと減
少する場合、電圧V1<V<V3範囲で透明ホメオ
トロピツクネマチツク組織Dに維持され、電圧
V1以下になると(ラインEを経て)、再び光散乱
性フオーカルコニツク組織Fになる。臨界周波数
以下の周波数を有する電圧V2において、ここで
V1<V2<V3で、V3を越える電圧から電圧降下さ
せた場合液晶層は透明ホメオトロピツクネマチツ
ク状態になることができ、或はV1以下の電圧か
ら電圧上昇させた場合光散乱性フオーカルコニツ
ク状態になることができる。液晶層がホメオトロ
ピツクネマチツク状態Dにある場合、臨界周波数
以上の周波数で十分に大きな電圧を一時的に加え
ることにより、殆ど透明なプレーナコニツク状態
Aに極めて短時間で到達させることができる。臨
界周波数以上で生じる負の誘電異方性の結果とし
て、第2e図に示したように、ホメオトロピツク
ネマチツク組織はプレーナネマチツク組織に変化
する。この電界が存在する間、螺旋は再び自発的
にねじれ、スイツチをオフにした後ほぼ透明なプ
レーナコニツク組織が形成される。
本発明のマトリクス表示装置の駆動方法を第3
図の実施例により説明する。AおよびBはn個の
列を有するマトリクス表示装置の2個の列電極を
示し、C,DおよびEは3個の行電極を示す。絵
素は列と行の電極の交差点にある。表示装置を最
初イレースするために、行電極に臨界周波数以下
の周波数を有する電圧VAを加え、列電極に臨界
周波数以下の周波数を有する電圧VBを加えて、
全絵素をホメオトロピツクネマチツク状態にす
る。これを第3a図に円で示した。全電圧VA−
VBは第2a図に示した電圧V3よりも大きい。10μ
m厚さの所定の層および使用したコレステリツク
液晶では、電圧VA=17Vrns、50HzおよびVB=−
8Vrns、50Hzに、2秒間イイレースするために保
持する。電圧VAは第2図に示した電圧V2に相当
する。次いで列電極Aを電圧+VAで駆動すると
共に、行電極に+VA又は−V4を印加して情報を
書き込む。実施例では情報を書き込むため約60m
秒必要であつた。全電圧零が印加されている絵素
はフオーカルコニツク状態になり光散乱状態にな
る。第3b図において、これらの絵素を点で示
す。2VAの電圧が印加されている絵素は透明ホメ
オトロピツクネマチツク状態に維持される。この
ようにして、全ての列に順次情報が形成される。
次ぎに、第3c図に示すように、臨界周波数以上
の周波数を有する電圧VCを、全絵素にわたつて
印加する。本例では電圧VC=+20Vrns、30kHzを
600m秒の間印加した。その結果、透明絵素のホ
メオトロピツクネマチツク状態はプレーナネマチ
ツク状態に変化する。前記電圧が存在する間、螺
旋は自発的にねじれ、電圧をオフにした後でも、
ほぼ透明なプレーナコニツク状態が形成される。
高周波電圧VCは光散乱状態になる絵素のフオー
カルコニツク状態にほとんど影響を及ぼさない。
電圧をオフにした後、実施例では数日以上の極め
て長い期間に亘つて情報は可視状態に維持され
た。
図の実施例により説明する。AおよびBはn個の
列を有するマトリクス表示装置の2個の列電極を
示し、C,DおよびEは3個の行電極を示す。絵
素は列と行の電極の交差点にある。表示装置を最
初イレースするために、行電極に臨界周波数以下
の周波数を有する電圧VAを加え、列電極に臨界
周波数以下の周波数を有する電圧VBを加えて、
全絵素をホメオトロピツクネマチツク状態にす
る。これを第3a図に円で示した。全電圧VA−
VBは第2a図に示した電圧V3よりも大きい。10μ
m厚さの所定の層および使用したコレステリツク
液晶では、電圧VA=17Vrns、50HzおよびVB=−
8Vrns、50Hzに、2秒間イイレースするために保
持する。電圧VAは第2図に示した電圧V2に相当
する。次いで列電極Aを電圧+VAで駆動すると
共に、行電極に+VA又は−V4を印加して情報を
書き込む。実施例では情報を書き込むため約60m
秒必要であつた。全電圧零が印加されている絵素
はフオーカルコニツク状態になり光散乱状態にな
る。第3b図において、これらの絵素を点で示
す。2VAの電圧が印加されている絵素は透明ホメ
オトロピツクネマチツク状態に維持される。この
ようにして、全ての列に順次情報が形成される。
次ぎに、第3c図に示すように、臨界周波数以上
の周波数を有する電圧VCを、全絵素にわたつて
印加する。本例では電圧VC=+20Vrns、30kHzを
600m秒の間印加した。その結果、透明絵素のホ
メオトロピツクネマチツク状態はプレーナネマチ
ツク状態に変化する。前記電圧が存在する間、螺
旋は自発的にねじれ、電圧をオフにした後でも、
ほぼ透明なプレーナコニツク状態が形成される。
高周波電圧VCは光散乱状態になる絵素のフオー
カルコニツク状態にほとんど影響を及ぼさない。
電圧をオフにした後、実施例では数日以上の極め
て長い期間に亘つて情報は可視状態に維持され
た。
第4a,4b図には、第3図に示した駆動期間
の時間関数として、光散乱状態にある素子及び透
明状態にある素子に印加される全電圧の変化を線
図的に示す。臨界周波数以下の周波数の電圧を実
線で示し、臨界周波数以上の周波数の電圧を破線
で示す。図面上、twは1列につき情報を書き込む
に要する時間、n×twはn列に情報を書き込むに
要する時間である。
の時間関数として、光散乱状態にある素子及び透
明状態にある素子に印加される全電圧の変化を線
図的に示す。臨界周波数以下の周波数の電圧を実
線で示し、臨界周波数以上の周波数の電圧を破線
で示す。図面上、twは1列につき情報を書き込む
に要する時間、n×twはn列に情報を書き込むに
要する時間である。
第1図は本発明の表示装置の断面図、第2図は
本発明の表示装置の操作原理を示す説明図、第3
図は本発明の表示装置の駆動を示す説明図、第4
図a及びbは光散乱状態にある素子及び透明状態
にある素子に印加される電圧変化を時間の関数と
して示す線図である。 1,2……支持プレート、3,5……電極、6
……封止リム、8……液晶。
本発明の表示装置の操作原理を示す説明図、第3
図は本発明の表示装置の駆動を示す説明図、第4
図a及びbは光散乱状態にある素子及び透明状態
にある素子に印加される電圧変化を時間の関数と
して示す線図である。 1,2……支持プレート、3,5……電極、6
……封止リム、8……液晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 2個の平行な支持プレートと、該支持プレー
トの向い合つた面上で互いに交差する細条状の電
極パターンと、前記支持プレートの間に配置した
コレステリツク液晶層とを具え、前記液晶層が、
電界強度E1以下でほぼ透明なプレーナコニツク
組織又は光散乱性フオーカルコニツク組織を有
し、電界強度E2以上で透明なホメオトロピツク
ネマチツク組織を有し、前記電界強度E1とE2と
の間の電界強度で光散乱性フオーカルコニツク組
織又は透明なホメオトロピツクネマチツク組織を
有する液晶表示装置において、前記コレステリツ
ク液晶層が、前記電界の臨界周波数以下の周波数
で正の誘電異方性を有し前記臨界周波数以上の周
波数で負の誘電異方性を有し、コレステリツク液
晶層に臨界周波数以上の周波数を有する電界を加
えてホメオトロピツクネマチツク組織を透明なプ
レーナネマチツク組織に変化させ、次ぎにコレス
テリツク液晶層にほぼ透明なプレーナコニツク組
織を生成させるように構成したことを特徴とする
液晶表示装置。 2 前記コレステリツク液晶が、50重量%の4−
n−ペンチルフエニル−2−クロロ−4−(4−
n−ペンチルベンゾイルオキシ)ベンゾエート
と、50重量%の4−n−オクチルフエニル−2−
クロロ−4−(4−n−ヘプチルベンゾイルオキ
シ)ベンゾエートとを有するネマチツク液晶混合
物に、5重量%のコレステリツク液晶4−シアノ
−4′−(2−メチルブチル)ビフエニルを添加し
てなる特許請求の範囲第1項記載の液晶表示装
置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8001556A NL8001556A (nl) | 1980-03-17 | 1980-03-17 | Weergeefinrichting met vloeibaar kristal. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56143414A JPS56143414A (en) | 1981-11-09 |
JPH028291B2 true JPH028291B2 (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=19835002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3736881A Granted JPS56143414A (en) | 1980-03-17 | 1981-03-17 | Liquid crystal display unit |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4447132A (ja) |
EP (1) | EP0036678B1 (ja) |
JP (1) | JPS56143414A (ja) |
AT (1) | ATE13361T1 (ja) |
CA (1) | CA1205170A (ja) |
DE (1) | DE3170465D1 (ja) |
NL (1) | NL8001556A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03103688U (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-28 |
Families Citing this family (23)
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GB201416385D0 (en) * | 2014-09-17 | 2014-10-29 | Vlyte Innovations Ltd | A chiral nematic liqid crystal light shutter |
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- 1981-02-19 EP EP81200191A patent/EP0036678B1/en not_active Expired
- 1981-02-19 AT AT81200191T patent/ATE13361T1/de not_active IP Right Cessation
- 1981-02-19 DE DE8181200191T patent/DE3170465D1/de not_active Expired
- 1981-03-12 CA CA000372833A patent/CA1205170A/en not_active Expired
- 1981-03-17 US US06/244,543 patent/US4447132A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-03-17 JP JP3736881A patent/JPS56143414A/ja active Granted
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JPH03103688U (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-28 |
Also Published As
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