JPH0279413A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程における写真製版工程で
使用されるレジスト塗布ユニット、現像ユニット等を備
えた半導体製造装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a resist coating unit, a developing unit, etc. used in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process.
第２図は従来のこの種の半導体製造装置の概略構成を示
す平面図で、同図に示す半導体製造装置はレジスト塗布
ユニット、現像ユニット等が工程順に並べられインライ
ン化されている。同図において、１は前工程の半導体ウ
ェハ（以下、単にウェハという）処理装置から搬送装置
２によって搬送されたウェハ（図示せず）を次工程のユ
ニットへ移送するためのローダ−で、このローダ−１は
同図に示す半導体製造装置の最前部に配置されている。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus of this type. In the semiconductor manufacturing apparatus shown in the figure, a resist coating unit, a developing unit, etc. are arranged in line in the order of steps. In the figure, reference numeral 1 denotes a loader for transferring a wafer (not shown) transferred by a transfer device 2 from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as wafer) processing device in the previous process to a unit in the next process. -1 is placed at the forefront of the semiconductor manufacturing apparatus shown in the figure.
３ａはウェハを加熱するための第一のホットプレート、
４はウェハ上にＨＭＤＳをペーパー塗布するためのレジ
スト付着強化ユニット、５はウェハを冷却するためのコ
ールドプレート、６はウェハを回転させた状態でレジス
トを滴下しウェハ上に所定の膜厚をもってレジスト膜を
形成するスピンコーター、３ｂは第二のホットプレート
、７ａは第一のカセットバッファで、これらの各ユニッ
トへのウェハの移送は搬送ベルト（図示せず）等によっ
て行われ、ウェハ毎に順次搬送される。８はウェハ搬送
用カセット（図示せず）を第一の搬送装置９に移載する
ための第一のエレベータ−１１０はウェハ上に所定のパ
ターンを転写するための露光装置、１工は露光後のウェ
ハを搬送するための第二の搬送装置で、この第二の搬送
装置１１は前記露光装置１０のウェハ排出口（図示せず
）と後述するパターン現像ユニット側の第二のエレベー
タ１２に接続されている。１３は前記露光装置１０で転
写されたパターンの現像、およびウェハの水洗を行なう
ための現像ユニットで、前記第二のエレベータ１２に第
二のカセットバッファ７ｂを介して接続されている。１
４は後工程のウェハ処理装置（図示せず）に接続された
搬送装置１５にウェハを移送させるためのアンローダ−
で、このアンローダ−１４は前記現像ユニット１３の下
流側に第三のホットプレート３ｃを介して接続されてお
り、半導体製造装置の最後部に配置されている。前記各
ユニットへのウェハの移送は前記レジスト塗布工程側の
各ユニットと同様にして搬送ベルト（図示せず）等によ
って行われ、ウェハ毎に順次搬送される。すなわち、こ
の半導体製造装置はローダ−１，第一のホットプレート
３ａ、レジスト付着強化ユニット４．コールドプレート
５．スピンコーター６および第二のホントプレート３ｂ
からなるレジスト塗布部１６と、現像ユニット１３およ
び第三のホットプレート３ｃからなる現像部１７とを備
え、これらが第一および第二のカセットバッファ７ａ、
７ｂ、第一および第二のエレベータ８，１２、第一お
よび第二の搬送装置９゜１１を介して露光装置１０に接
続されて構成されている。3a is a first hot plate for heating the wafer;
4 is a resist adhesion strengthening unit for paper-coating HMDS on the wafer, 5 is a cold plate for cooling the wafer, and 6 is a rotating wafer and drips resist onto the wafer to form a predetermined film thickness. A spin coater for forming a film, 3b is a second hot plate, and 7a is a first cassette buffer. Wafers are transferred to each of these units using a conveyor belt (not shown) or the like, and each wafer is sequentially transferred. transported. 8 is a first elevator for transferring a wafer transport cassette (not shown) to the first transport device 9; 110 is an exposure device for transferring a predetermined pattern onto the wafer; 1 is an elevator after exposure; This second transport device 11 is connected to a wafer discharge port (not shown) of the exposure device 10 and a second elevator 12 on the pattern development unit side, which will be described later. has been done. A developing unit 13 is for developing the pattern transferred by the exposure device 10 and washing the wafer with water, and is connected to the second elevator 12 via a second cassette buffer 7b. 1
Reference numeral 4 denotes an unloader for transferring the wafer to a transfer device 15 connected to a wafer processing device (not shown) in the subsequent process.
The unloader 14 is connected to the downstream side of the developing unit 13 via a third hot plate 3c, and is disposed at the rearmost part of the semiconductor manufacturing apparatus. The wafers are transferred to each unit using a conveyor belt (not shown) or the like in the same manner as in each unit in the resist coating process, and each wafer is sequentially conveyed. That is, this semiconductor manufacturing apparatus includes a loader 1, a first hot plate 3a, a resist adhesion strengthening unit 4. Cold plate 5. Spin coater 6 and second real plate 3b
and a developing section 17 consisting of a developing unit 13 and a third hot plate 3c, which are connected to the first and second cassette buffers 7a,
7b, first and second elevators 8 and 12, and first and second transport devices 9 and 11 connected to the exposure apparatus 10.
次に、このように構成された半導体製造装置の動作につ
いて説明する。Next, the operation of the semiconductor manufacturing apparatus configured as described above will be explained.
搬送装置２によってローダ−１に供給されたウェハは第
一のホットプレート３ａで所定温度に加熱され、レジス
ト付着強化ユニット４でＨＭ Ｄ Ｓが塗布される。次
いで、コールドプレート５に移送されて冷却され、スピ
ンコーター６でレジストが塗布される。そして、スピン
コーター６に隣接して配置された第二のホットプレー１
−３ｂによって再ヒ加熱され、第一のカセットバッファ
７ａ、 第一のエレベータ８および第一の搬送装置９を
介して露光装置１０に搬送される。パターン転写後、ウ
ェハは第二の搬送装置１１．第二のエレベータ１２およ
び第二のカセットバッファ７ｂを介して現像ユニット１
３に搬送される。そして、現像ユニット１３で現像、水
洗されたウェハを、この現像ユニット１３の下流側に隣
接して配置された第三のホットプレー ト３ｃで加熱し
て写真製版工程が終了する。しかる後、ウェハはアンロ
ーダ−１４によって搬送装置１５に移送され、後工程の
ウェハ処理装置（図示せず）に搬送されることになる。The wafer supplied to the loader 1 by the transport device 2 is heated to a predetermined temperature by the first hot plate 3a, and HMDS is coated by the resist adhesion strengthening unit 4. Next, it is transferred to a cold plate 5 to be cooled, and a resist is applied by a spin coater 6. A second hot play 1 is placed adjacent to the spin coater 6.
-3b, and is transported to the exposure apparatus 10 via the first cassette buffer 7a, the first elevator 8, and the first transport device 9. After the pattern transfer, the wafer is transferred to the second transport device 11. the developing unit 1 via the second elevator 12 and the second cassette buffer 7b;
3. Then, the wafer developed and washed with water by the developing unit 13 is heated by a third hot plate 3c disposed adjacent to the downstream side of the developing unit 13, thereby completing the photolithography process. Thereafter, the wafer is transferred to the transfer device 15 by the unloader 14, and then transferred to a wafer processing device (not shown) in a subsequent process.
しかるに、このように構成された従来の半導体製造装置
においては、各ユニットが水平方向に並べられて配置さ
れているので、装置を据付けるクリーンルームの床面積
を広く設けなければならず、クリーンルーム自体が大型
化されランニングコストが嵩むという問題があった。However, in conventional semiconductor manufacturing equipment configured in this way, each unit is arranged horizontally, so the clean room in which the equipment is installed must have a large floor area, and the clean room itself is There was a problem that the size increased and the running cost increased.
本発明に係る半導体製造装置は、半導体ウェハにレジス
トを塗布し、露光後の現像を行なう各製造ユニットを上
下に積み重ねて配置し、上下の各ユニットを半導体ウェ
ハ搬送用エレベータで連結し、かつこの半導体ウェハ搬
送用エレベータと各ユニットとの間で半導体ウェハの授
受を行なう半導体ウェハ移送装置を前記半導体ウェハ搬
送用エレベータに連結したものである。The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention has manufacturing units that apply resist to semiconductor wafers and perform development after exposure stacked one on top of the other, and the upper and lower units are connected by an elevator for transporting semiconductor wafers. A semiconductor wafer transfer device for transferring semiconductor wafers between the semiconductor wafer transfer elevator and each unit is connected to the semiconductor wafer transfer elevator.
装置の占存面積が減少されることになり、クリーンルー
ムの上部空間を有効に利用することができる。The area occupied by the device is reduced, and the upper space of the clean room can be used effectively.
以下、本発明の一実施例を第１図によって詳細に説明す
る。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
第１図は本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
平面図で、同図において前記第２図で説明したものと同
一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここに
おいて詳細な説明は省略する。第１図において、レジス
ト付着強化ユニ７）４は第一のホットプレー）３ａの上
方に配設されており、この第一のホットプレート３ａの
隣にはスピンコーター６が配置され、このスピンコータ
ー６の上方にはコールドプレート５が配設されている。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In the same figure, the same or equivalent members as those explained in FIG. Omitted. In FIG. 1, the resist adhesion strengthening unit 7) 4 is arranged above the first hot plate 3a, and a spin coater 6 is arranged next to the first hot plate 3a. A cold plate 5 is disposed above the cold plate 6.
また、前記スピンコーター６の隣には第二のホットプレ
ート３ｂが配置され、その上方には第一〇カセットバッ
ファ７ａが配設されている。さらにまた、第二のカセッ
トバッファ７ｂの上方には現像ユニット１３が配設され
ている。すなわち、レジスト付着強化ユニット４および
第一のホットプレート３ａ、コールドプレート５および
スピンコーター６、第一のカセットバッファ７ａおよび
第二のホットプレー１−３ｂ、現像ユニット１３および
第二のカセットバッファ７ｂはそれぞれ上下二段に積み
重ねられて縦型に形成されており、上下の各ユニット間
はエレベータ２１によって連結されている。また、この
エレベータ２１へのウェハの受は渡しおよび互いに隣合
うユニット間における水平方向へのウェハの移送は０リ
ングを使用したベルト式移送装置（図示せず）等によっ
て行われる。Further, a second hot plate 3b is arranged next to the spin coater 6, and a No. 10 cassette buffer 7a is arranged above it. Furthermore, a developing unit 13 is arranged above the second cassette buffer 7b. That is, the resist adhesion strengthening unit 4 and the first hot plate 3a, the cold plate 5 and the spin coater 6, the first cassette buffer 7a and the second hot plate 1-3b, the developing unit 13 and the second cassette buffer 7b are Each unit is vertically stacked in two levels, and the upper and lower units are connected by an elevator 21. Further, wafers are received and transferred to the elevator 21, and wafers are transferred horizontally between adjacent units by a belt-type transfer device (not shown) using an O-ring.
そして、各ユニットの上層部にはウェハ上へ異物が付着
せぬように、また、保守点検が容易に行えるようにクリ
ーンゾーン（図示せず）が設けられている。A clean zone (not shown) is provided in the upper layer of each unit to prevent foreign matter from adhering to the wafer and to facilitate maintenance and inspection.
このように構成された半導体製造装置においては、搬送
装置２によってローダ−１に供給されたウェハは同図中
矢印Ａに示すように第一のホットプレート３ａに水平移
動され、加熱された後エレベータ２１によってレジスト
付着強化ユニット４に搬送される。そしてＨＭＤＳ塗布
後、ウェハは隣接するコールドプレート５に移送され、
さらにスピンコーター６にエレベータ２１によって移送
される。In the semiconductor manufacturing apparatus configured in this manner, the wafers supplied to the loader 1 by the transport device 2 are horizontally moved to the first hot plate 3a as shown by arrow A in the figure, heated, and then transferred to the elevator. 21 to the resist adhesion strengthening unit 4. After applying HMDS, the wafer is transferred to the adjacent cold plate 5,
Further, it is transferred to a spin coater 6 by an elevator 21.
次いで第二のホットプレート３ｂに移送され、加熱後第
一のカセットバッファ７ａに搬送される。ウェハはその
後第−の搬送装置９により露光装置１０に搬送され、パ
ターン転写後、第二の搬送装置１１によって第二のカセ
ットバッファ７ｂに搬送される。Next, it is transferred to the second hot plate 3b, heated, and then transferred to the first cassette buffer 7a. Thereafter, the wafer is transported to the exposure device 10 by the second transport device 9, and after the pattern is transferred, the wafer is transported to the second cassette buffer 7b by the second transport device 11.
そして、現像ユニット１３を経た後第三のホットプレー
ト３ｃに移送され、加熱後、アンローダ−１４を介して
搬送装置１５に搬送されることになる。After passing through the developing unit 13, the toner is transferred to the third hot plate 3c, heated, and then conveyed to the conveying device 15 via the unloader 14.
なお、本実施例では上下二段に積み重ねた構造とした例
を示したが、本発明はこのような限定にとられれること
なく、例えば三段、四段といった階層構造としてもよく
、またエレベータ２１は、第１図に示すように上下二段
に構成された各ユニットの側部に配置されたものに限ら
ず、工程順序、ウェハの移送方向等を鑑み任意の位置に
配置させることができる。Although this embodiment shows an example of a structure in which the upper and lower layers are stacked, the present invention is not limited to such a limitation, and may have a hierarchical structure such as three or four tiers. 21 is not limited to being placed on the side of each unit configured in upper and lower layers as shown in FIG. 1, but can be placed at any position in consideration of the process order, wafer transfer direction, etc. .
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハにレ
ジストを塗布し、露光後の現像を行なう各製造ユニット
を上下に積み重ねて配置し、上下の各ユニットを半導体
ウェハ搬送用エレベータで連結し、かつこの半導体ウェ
ハ搬送用エレベータと各ユニットとの間で半導体ウェハ
の授受を行なう半導体ウェハ移送装置を前記半導体ウェ
ハ搬送用エレベータに連結したため、装置の占有面積が
減少されることになる。したがって、クリーンルームの
上部空間を有効に利用することができ、クリーンルーム
を小型化することができるから、ランニングコストを低
く抑えることができる。As explained above, according to the present invention, manufacturing units for coating semiconductor wafers with resist and performing development after exposure are stacked vertically, and the upper and lower units are connected by an elevator for transporting semiconductor wafers. In addition, since the semiconductor wafer transfer device that transfers semiconductor wafers between the semiconductor wafer transfer elevator and each unit is connected to the semiconductor wafer transfer elevator, the area occupied by the device is reduced. Therefore, the upper space of the clean room can be used effectively and the clean room can be downsized, so running costs can be kept low.
第１図は本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
平面図、第２図は従来の半導体製造装置の概略構成を示
す平面図である。
１・・・・ローダー、３ａ・・・・第一のホットプレー
ト、３ｂ・・・・第二のホットプレート、３ｃ・・・・
第三のホットプレート、４・・・・レジスト付着強化ユ
ニット、５、、、、コールドプレート、６・・・・スピ
ンコーター、７ａ 、−−−第一のカセットバッファ、
７ｂ・・・・第二のカセットバッファ、１０・・・・露
光装置、１３・・・・現像ユニット、１４・・・・アン
ローダ−１２１・・・・エレベータ−０FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing device according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional semiconductor manufacturing device. 1... Loader, 3a... First hot plate, 3b... Second hot plate, 3c...
Third hot plate, 4...Resist adhesion strengthening unit, 5...Cold plate, 6...Spin coater, 7a, ---First cassette buffer,
7b...Second cassette buffer, 10...Exposure device, 13...Development unit, 14...Unloader-121...Elevator-0
Claims (1)
う各製造ユニットを上下に積み重ねて配置し、上下の各
ユニットを半導体ウェハ搬送用エレベータで連結し、か
つこの半導体ウェハ搬送用エレベータと各ユニットとの
間で半導体ウェハの授受を行なう半導体ウェハ移送装置
を前記半導体ウェハ搬送用エレベータに連結したことを
特徴とする半導体製造装置Each manufacturing unit that applies resist to semiconductor wafers and performs development after exposure is stacked vertically, and the upper and lower units are connected by an elevator for transporting semiconductor wafers, and the elevator for transporting semiconductor wafers and each unit are connected to each other. A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that a semiconductor wafer transfer device for transferring semiconductor wafers between the two is connected to the semiconductor wafer transfer elevator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230807A JP2611372B2 (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230807A JP2611372B2 (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279413A true JPH0279413A (en) | 1990-03-20 |
| JP2611372B2 JP2611372B2 (en) | 1997-05-21 |
Family
ID=16913585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63230807A Expired - Lifetime JP2611372B2 (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611372B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020035935A (en) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635523A (en) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | Coating and developing equipment for resist material |
| JPS6325944A (en) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Nikon Corp | Wafer conveying apparatus with lighting device |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63230807A patent/JP2611372B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS635523A (en) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | Coating and developing equipment for resist material |
| JPS6325944A (en) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Nikon Corp | Wafer conveying apparatus with lighting device |
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| JP2020035935A (en) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN110875227A (en) * | 2018-08-30 | 2020-03-10 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611372B2 (en) | 1997-05-21 |
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