JPH0277645A - 探傷装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は探傷装置に関し、さらに詳細にいえば、鉄板等
の表面に生じた傷から発生する漏洩磁界を磁気光学的に
検出して探傷を行う探傷・装置に関するものである。

〈従来の技術と発明が解決しようとする課題〉鉄板等の
表面に生じた傷を探傷する場合、２つの代表的な探傷法
が知られている。一つは磁粉探傷法、他の一つは漏洩磁
界探傷法である。

前者は、被測定体を磁化して、その表面に細かい鉄粉（
磁粉）をふりかけ、被測定体に傷があった場合に、そこ
から発生する漏洩磁界によって磁粉が盛り上がるのを目
視で測定し、傷の有無を判別する方法である。

この方法では、被測定体の全面を一度に判定できるが、
磁粉の盛り上がる高さが僅かであるため、判定に熟練を
要し、かつ、傷の定量的な評価ができない。

一方、後者は漏洩磁界を磁気検出素子で捕らえて電気信
号に変換し、傷の有無と傷の大きさを判定する方法であ
り、磁気検出素子を具備した探傷装置を用いて実施され
る。磁気検出素子の例として、サーチコイル、半導体ホ
ール素子がある。

サーチコイルは、磁束の変化によりコイルに発生する起
電力を測定するコイルである。このサーチコイルを使用
すれば、簡単で安価に磁気検出素子を作ることができる
。しかし、漏洩磁界探知範囲を狭くして微小な傷を測定
しようと思えば、微小なコイルを作る必要があるが、一
般にこのことは困難である。また、サーチコイルを使用
した探傷装置の検出信号が電気信号であるため、信号を
伝送するときに周囲の電界による静電誘導ノイズ、磁界
による電磁誘導ノイズを受けやすい。加えて、爆発雰囲
気中では、配線等を誤ってショートさせたり、高電圧を
かけたりすると火花が出て爆発する危険がある。

半導体ホール素子は、ホール効果を利用して磁界を検出
するものであり、素子の大きさを極めて小さくでき（１
岨Ｘ　１　ｍｍ　Ｘ　１　ｍｍ程度）、局部的な漏洩磁
界を精度よく測定できる（　１　ｏｅ以下）。しかし、
ホール素子を使用した探傷装置の検出信号が電気信号で
あるため、上記と同様静電誘導ノイズ、電磁誘導ノイズ
の影響を受易く、その結果、検出信号のＳＮ比が悪いと
いう欠点がある。また、半導体ホール素子においても電
気信号を扱うので爆発性の雰囲気下では、スパーク等に
より爆発トラブルの虞れがある。

本発明は、静電誘導、電磁誘導の影響を受けずに良好な
ＳＮ比で精度よく漏洩磁界を検出でき、かつ、スパーク
発生の虞れがなく、爆発雰囲気下でも安全に測定するこ
とのできる探傷装置を提供することを目的とする。゛ く課題を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための本発明の探傷装置は、第１
の光出射手段と、磁化された被測定体の表面上の傷に起
因する漏洩磁界Ｈが分布された状態において被測定体の
表面と対向配置され、上記第１の光出射手段から出射さ
れた光を導入し、被測定体と対向する面に形成した反射
膜により当該導入光を反射させるファラデー回転素子と
、上記反射膜を反射した後ファラデー回転素子から出射
したファラデー回転光を反射させる第１のミラーと、第
１のミラーの反射方向に配置され、入射光のファラデー
回転成分を取り出す第１の検光素子と、第１の検光素子
から取り出された光を受光する第１の受光素子と、第２
の光出射手段と、第２の光出射手段から出射された光を
反射させる第２のミラーと、第２のミラーより反射され
た光を受光する第２の受光素子と、第１の受光素子およ
び第２の受光素子により検出された信号の差分をとる差
信号処理回路とを具備し、かつ、上記第２のミラーと第
２の受光素子との間に第２の検光素子を設け、上記第１
の検光素子および第２の検光素子を、上記被ｎ１定体全
体の磁化に伴い生じる漏洩磁界Ｈ′が第１の検光素子お
よび第２の検光素子を通過する光に与える影響を相殺す
る位置に配置したものである。

く作用〉 この構成の探傷装置によれば、被測定体を磁化して被測
定体面の傷に起因する漏洩磁界Ｈを発生させ、ファラデ
ー回転素子を被測定体に接近させると、第１の光出射手
段から出射され、ファラデー回転素子に導入された光は
漏洩磁界Ｈの影響で偏光面が回転する。この場合、反射
膜の形成により、被測定体の表面に対してほぼ垂直に光
を入射させることができる。したがって、光の軌跡を光
の入射方向から見れば、はぼスポット状の点となリ、微
小な傷の測定に好適となる。また、光をファラデー回転
素子内において往復させるので、角度の回転量を倍加さ
せることができる。そして、上記反射膜を反射した後フ
ァラデー回転素子から出射した光は、第１のミラーで反
射され、第１の検光素子を通り、ファラデー回転した成
分が第１の受光素子により検出される。

一方、第２の光出射手段から出射し、第２のミラーによ
り直接反射された光は、第２の検光素子を通り第２の受
光素子により検出される。

そして、第１の受光素子および第２の受光素子により検
出された光検出信号の差分を取ることにより、上記第１
、第２の受光素子、第１、第２の検光素子等に加えられ
る共通の影響を相殺した差動信号を得ることができる。

さらに詳述すると、もし第２の光出射手段、第２のミラ
ー、第２の検光素子等からなる光学系統を設けなかった
場合、第１の検光素子が被ｎ１定体全体の磁化に伴い生
じる漏洩磁界Ｈ′による影響を受けて、不要なファラデ
ー回転等が生じ、これが測定誤差となることがある。そ
こで、第２の検光素子を設け、第１の検光素子および第
２の検光素子を、上記漏洩磁界Ｈ′が第１の検光素子お
よび第２の検光素子を通過する光に与える影響を相殺す
る位置に配置し、光が第１の検光素子および第２の検光
素子をそれぞれ通過する際に、光検出信号の差分をとる
ことにより漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺することができる
。

上記「漏洩磁界Ｈ′が第１の検光素子および第２の検光
素子を通過する光に与える影響を相殺する位置」とは、
第１の検光素子および第２の検光素子に対して、はぼ強
さの等しい漏洩磁界Ｈ′の分布を実現する位置であり、
例えば、被測定体の表面が平面であるものを想定するな
らば、第１の検光素子および第２の検光素子は、被測定
体の表面から同じ高さの位置となる。

この差動信号により、ファラデ、−回転角を正確に測定
することができる。

このようにして、ファラデー回転角により漏洩磁界Ｈの
強さを推定することができ、ひいては被測定体の微小な
傷の大きさを定量的、かつ高感度で探知することができ
る。

〈実施例〉 次いで、本発明の実施例について図を参照しながら以下
に説明する。

第２図は、探傷装置の基本的構成を示す図であり、光学
素子を収納するセンサケース（１１）の底部に反射型フ
ァラデー回転素子（１）を配置し、ファラデー回転素子
（１）の上部に無偏光ビームスプリッタ（ハーフミラ−
）■、偏光ビームスプリッタ（偏光素子）（３）、ロッ
ドレンズ６）を下から順に設け、ロッドレンズ■の上面
を発光ダイオードωの出射面に対面させている。無偏光
ビームスプリッタ■の水平横側には、光学的バイアスを
与えるｌ／２波長板（１２）、偏光ビームスプリッタ（
検光素子）（４）、ロッドレンズ（６）を設け、受光ダ
イオード（８）の受光面に対向させている。センサケー
ス（１１）の底面は被測定体（１０）の被測定面と対向
する。

ＬＥＤ発光ダイオードのを出た光は、ロッドレンズ（５
）により平行ビーム化され、偏光ビームスプリッタ（３
）により直線偏光成分のみ取り出される。

そして、取り出された直線偏光の光は、無偏光ビームス
プリッタ■を透過してファラデー回転素子（１）の入射
面に垂直に入射する。ファラデー回転素子（１）の底面
はアルミニウム、金等による反射膜（９）が蒸着してあ
り、入射光はこの反射膜（９）により上方に反射して再
度無偏光ビームスプリッタ■に入射する。したがって、
反射膜（９）により、光をファラデー回転素子（１）内
において往復させるので、ファラデー回転角度の回転量
を倍加させることができる。無偏光ビームスプリッタ（
２では、光は一部反射されてｌ／２波長板（１２）に入
り、偏光ビームスプリッタ（４）によりファラデー回転
した偏光のみ透過し、ロッドレンズ（６）により集光さ
れ受光ダイオード（８）に入射する。

ファラデー回転素子（１）の底部に鉄板等の被測定体（
１０）を配置し水平に磁化すると、被測定体（１０）の
表面に傷がなければ、漏洩磁界Ｈは生じない。

ところが、被測定体（ｌＯ）に傷があれば、漏洩磁界Ｈ
が生じる。漏洩磁界Ｈの垂直方向成分は、ファラブー回
転素子（１）を通過する光と相互作用を起こし光の偏光
面は回転する。その回転角はθ、は、θＦ−２Ｖ８Ｈ，
し て与えられる。ここに、■　はベルデ定数、Ｈｅ　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｖはファラデ
ー回転素子（１）内の垂直方向の漏洩磁界Ｈの強さ、Ｌ
はファラデー回転素子（１）の垂直方向の厚みである。

光は、反射膜（９）により反射され往復するので係数２
がついている。ファラデー回転素子（１）を構成する材
料は、ベルデ定数Ｖ　の太きなものが好ましく、例えば
ＣｄＭｎＴｅ、ＹＩＧがあげられる。

このように偏光面の回転した光は、無偏光ビームスプリ
ッタ（２）を反射して偏光ビームスプリッタ（４）を透
過するときに、回転角に応じた減衰を受ける。すなわち
、回転角が０の場合は、光はまったく透過しないように
偏光ビームスプリッタ（４）の偏光方向が調整されてい
る。もし、ファラデー回転角θ、が存在すると、検出光
の振幅Ａは、Ａ−Ａｓ１ｎθＦ となる。Ａ　は、もとの光の振幅である。したがって、
ファラデー回転による変調度ｍは、ｍ　−ｓｌｎ　θＦ となる。したがって、偏光ビームスプリッタ（４）を透
過した光は、上記変調度ｍによる振幅変調を受けること
になる。

次に、第３図を参照して、上記の探傷装置を用いて漏洩
磁界を測定する場合の検出感度等について定量的に説明
する。

被測定体として溶接構造用圧延鉄板（ＳＭ　５０Ａ）（
３１）を用い、これに深さ　０．８Ｍ％幅０．３ｍｍ５
長さ０．３ｍｍの傷（３２）をつける。電磁石（３３）
によりこの鉄板（３１）の長さ方向に飽和磁界（約１５
０００ｏｅ）をかける。この傷による漏洩磁界の大きさ
は、垂直成分Ｈが約６　ｏｅｓ水平成分Ｈが約１２ｏｅ
、磁界ｘ 分布の高さが約０．５Ｍである。

この状態における探傷装置の検出感度を計算する。光の
波長を８５０ｎｔｓ　、ファラデ、一回転素子（１）の
材料としてＣｄ　Ｍ　ｎ　Ｔ　ｅを用いると、ベルデ定
数Ｖ　は１．５ｍ１ｎ１０ｅ　ａｍとなる。　ｗｉｎは
角度の単位（１７６０度）である。ファラデー回転素子
（１）の厚みＬを０．０９ａｏとすると、変調度ｍは、
ｍ−５ｌｎ２ＶＨＬ 一５ｉｎ　　（２Ｘ１．　５Ｘ６Ｘ０．０９Ｘｌ／６０
）−ｓｉｎ　０．０２７　＠−０，０４５％。

通常、変調度ｍ　−０，００４％の場合、３ｄＢのＳＮ
比で検出できるので、ｍ■０．０４５％ならば十分な感
度で検出できることが明らかとなる。

以上のことから、漏洩磁界Ｈの強さを容易に推定するこ
とができ、ひいては被測定体（１０）の表面に生じた微
小な傷の大きさを定量的に探知できることが分かる。

しかも、被測定体（１０）の表面に垂直に光を入射させ
ているので、微小な傷の測定に最適である。

また、光をファラデー回転素子（１）内において往復さ
せるので、角度の回転量を倍加させ、測定感度を上げる
ことができる。

このほか、次のような利点もある。すなわち、探傷時に
被測定体（１０）の全体を外部磁石（３３）で磁化する
ので、被測定体（１０）の表面近傍には、被測定休（ｌ
Ｏ）の表面と平行な漏洩磁界Ｈ′が発生する。

この漏洩磁界Ｈ′は、ファラデー回転素子（１）を進行
する光と垂直である。したがって、光の進行方向と漏洩
磁界Ｈ′とのスカラー積が０となり、ファラデー回転は
生じないので、漏洩磁界Ｈ′の影響をほとんど受けるこ
となく測定することができる。

ところで、ファラデー回転素子（１）から出射した後、
無偏光ビームスプリッタ■で反射された光は、被測定体
（ｌＯ）の表面とほぼ平行に進行するので、偏光ビーム
スプリッタ（４）等を通過するときに上記漏洩磁界Ｈ′
により僅かのファラデー回転が生じ、これが測定に誤差
を与えることがある。第１図は、この点を考慮して構成
された探傷装置を示す構成図である。この探傷装置では
、被測定体（ｌＯ）の全体を外部磁石で磁化したことに
より生じる漏洩磁界Ｈ′の上記悪影響をなくすため、Ｌ
ＥＤ発光ダイオードを１個追加し、この追加したＬＥＤ
発光ダイオードから取り出された光を、漏洩磁界Ｈ′の
影響を打ち消すための補正光として利用している。

同図に示すように、センサケース（１１）の底面に反射
型ファラデー回転素子（１）を置き、その上部に、２枚
のガラス板（２Ｂ）　（２７）を重ねてほぼ斜め４５＠
に配置し、さらにその上部に偏光ビームスプリッタ（２
３）、ロッドレンズ（２２）（２５）を配置し、それぞ
れ第１の発光ダイオード（２１）、第２の発光ダイオー
ド（２４）の出射面に対面させている。ガラス板（２６
）（２７）の片面にはそれぞれ反射膜（２６ａ）　（２
７ａ）がコートされており、これらの反射膜（２８ａ）
　（２７ａ）が互いに向き合っている。ガラス板（２６
）の水平横側には、第２の検光素子である偏光ビームス
プリッタ（１３）、ロッドレンズ（１４）を設け、ロッ
ドレンズ（１４）を第２の受光素子としての受光ダイオ
ード（１５）の受光面に対向させている。また、ガラス
板（２７）の水平横側には第１の検光素子としての偏光
ビームスプリッタ（４）、ロッドレンズ（６）を設け、
第１の受光素子としての受光ダイオード（８）の受光面
に対向させている。（１６）は両受光ダイオード（８）
（１５）の検出信号の差に比例した信号を得る合成器で
ある。

上記偏光ビームスプリッタ（４）、（１３）はセンサケ
ース（１１）の底面から等しい高さに配置されている。

上記第１の発光ダイオード（２１）から照射された光は
、偏光ビームスプリッタ（２３）を通して反射型ファラ
デー回転素子（１）に直接入光できるよう配置され、フ
ァラデー回転素子（１）から反射された光は、第１のミ
ラーとして機能するガラス板（２７）の反射膜（２７ａ
）により反射され、偏光ビームスプリッタ（４）に入射
可能となるよう配置されている。また上記第２の発光ダ
イオード（２４）を出た光は偏光ビームスプリッタ（２
３）を通して、第２のミラーとして機能するガラス板（
２６）の反射膜（２８ａ）により反射され、偏光ビーム
スプリッタ（１３）に入射されるようになっている。

上記のように構成したので、第１の発光ダイオード（２
１）を出た光は、ロッドレンズ（２２）により平行ビー
ム化され、偏光ビームスプリッタ（２３）により直線偏
光成分のみ取り出されｚｏそして、取り出された直線偏
光の光は、ファラデー回転素子（１）の入射面にほぼ垂
直に入射し、反射膜（９）により反射され、ファラデー
回転素子（１）から再び出射される。そして、ガラス板
（２７）の反射膜（２７ａ）により反射され、偏光ビー
ムスプリッタ（４）に入射し、ロッドレンズ（６）を通
して受光ダイオード（８）により受光される。一方、第
２の発光ダイオード（２４）を出た光は、ロッドレンズ
（２５）により平行ビーム化され、偏光ビームスプリッ
タ（２３）により直線偏光成分のみ取り出され、ガラス
板（２Ｂ）の反射膜（２６ａ）により反射される。そし
て、反射光は偏光ビームスプリッタ（１３）に入射し、
ロッドレンズ（１４）を通して受光ダイオードにより受
光される。両受光ダイオード（８）（１５）の検出信号
は合成器（１Ｂ）において差を取られ、差に比例した信
号が合成器（１６）から出力される。

被測定体（ｌＯ）の周囲には、傷による漏洩磁界Ｈの外
に、被７１）Ｊ定休（１０）の全体を磁化したことによ
り生じる漏洩磁界Ｈ′が分布している。これがビームス
プリッタ（４）に作用してファラデー回転を生じさせ、
傷による漏洩磁界Ｈの検出誤差として作用する。そこで
、偏光ビームスプリッタ（４）、偏光ビームスプリッタ
（１３）を利用して、それぞれ漏洩磁界Ｈ′によるほぼ
等量のファラデー回転を生じさせる。そして合成器（１
６）において、受光ダイオード（１５）の出力信号と、
前述した受光ダイオードＢ）の出力信号との差を取り、
合成器（１Ｂ）から差に比例した信号のみを出力するこ
とにより、偏光ビームスプリッタ（４）（１１）を通過
する時に生じるファラデー回転を相殺する。これにより
漏洩磁界Ｈ′の影響をなくすことができ、測定の精度を
さらに向上させることができる。・ 第４図は、第１図の探傷装置と同じ目的を達成する、他
の探傷装置を示す構成図である。この探傷装置では、Ｌ
ＥＤ発光ダイオードを１個のみ使用し、この発光ダイオ
ードから取り出された光を２つに分割して、一方の光を
漏洩磁界Ｈ′の影響を打ち消すための補正光として利用
している。

センサケース（１１）の底部に反射型ファラデー回転素
子（１）を配置し、ファラデー回転素子（１）の上部に
無偏光ビームスプリッタ■、偏光ビームスブリツタ口）
、ロッドレンズ（５）を下から順に設け、ロッドレンズ
（５）の上面を発光ダイオード■の出射面に対面させて
いる。無偏光ビームスプリッタ（２）の水平右側には、
偏光ビームスプリッタ（４）、ロッドレンズ（６）を設
け、受光ダイオード（８）の受光面に対向させている。

一方、無偏光ビームスプリッタ０の水平左側には、偏光
ビームスプリッタ（１３）、ロッドレンズ（１４）を設
け、受光ダイオード（１５）の受光面に対向させている
。偏光ビームスプリッタ（４）と偏光ビームスプリッタ
（１３）とはセンサケース（１１）の底面から同じ高さ
に配置されている。

ＬＥＤ発°光ダイオードのを出た光は、ロッドレンズ（
５）により平行ビーム化され、偏光子（３）により直線
偏光成分のみ取り出される。そして、取り出された直線
偏光した光は、無偏光ビームスプリッタ（２）を透過し
てファラデー回転素子（１）の入射面に垂直に入射し、
反射膜（９）で反射する。反射膜（９）で反射した光は
再度無偏光ビームスプリッタ０に入射する。無偏光ビー
ムスプリッタ■では、光は一部反射されて、偏光ビーム
スプリッタ（４）に入り、ファラデー回転した偏光のみ
透過し、ロッドレンズ（６）を経て受光ダイオード８）
に入射する。

一方、偏光ビームスプリッタ（３）より出射する光は、
無偏光ビームスプリッタ（りにおいて一部が水平方向に
反射され、偏光ビームスプリッタ（１３）を通り、ロッ
ドレンズ（１４）を通して受光ダイオード（１５）で受
光される。したがって、受光ダイオード（１５）には、
漏洩磁界Ｈによる変調を何ら受けない光（補正光）が検
出される。

上記の探傷装置には、傷による漏洩磁界Ｈの外に、被測
定体くｌＯ）の全体を磁化する主磁界の漏洩磁界Ｈ′が
分布している。これが偏光ビームスプリッタ（４）にフ
ァラデー回転等を生じさせ、傷による漏洩磁界Ｈの検出
誤差として作用する。そこで、第１図の実施例と同じく
、偏光ビームスプリッタ（１３）を通過する補正光を利
用して、主磁界の漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺することが
でき、測定精度を向上させることができる。

しかも、第１図の実施例と異な、す、゛単一のＬＥＤ発
光ダイオードを使用し、無偏光ビームスプリッタ（２）
において２つの光束に分割し、１つを補正光として利用
しているので、ＬＥＤ発光ダイオードおよびロッドレン
ズを１組装備すればよく、構成が簡単化されるという利
点がある。

なお、上記の各実施例ではＬＥＤ発光ダイオード（７）
と偏光ビームスプリッタ（３）との組合わせにより光出
射手段を構成していたが、光出射手段は直線偏光光を照
射するレーザ装置であってもよい。

レーザ光線を使用するとビームを絞ることが容易にでき
るので、微小な傷を探傷するのに有利である。その他こ
の発明の要旨を変゛更しない範囲内において、種々の設
計変更を施すことが可能である。

〈発明の効果〉 以上のように、本発明の探傷装置によれば、磁化された
被測定体表面の傷に起因する漏洩磁界に基づく、光学的
なファラデー回転効果を利用して探傷しているので、被
測定体の傷の大きさを良好な感度で定量的に探知するこ
とができる。しかも、光学的に検出を行うので、周囲の
電磁誘導の影響を受けずに済み、かつ、電気のショート
によるスパーク発生の虞れがなく、爆発雰囲気下でも安
全に測定することができる。

また、ファラデー回転素子に反射膜を形成して光を正反
射させることにより、微小な傷の探知も容易になり、ま
た、ファラデー回転角を倍加するので検出感度を向上さ
せることができる。

さらに、光学系統を２つ設け、第１の受光素子および第
２の受光素子により検出された光信号の差分を取ること
により、第１、第２の検光素子に対する漏洩磁界Ｈ′の
影響を相殺した信号を得ることができ、測定の誤差は一
層減少する。

【図面の簡単な説明】

第１図は光源を１つ付加して漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺
する実施例を示す構成図、 第２図は探傷装置の一実施例を示す構成図、第３図は磁
化された被測定体の表面における傷を探知する説明図、 第４図は単一の光源を用いて漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺
する実施例を示す構成図である。 Ｈ・・・傷に起因する漏洩磁界、 Ｈ′・・・被測定体の磁化によって生じる漏洩磁界、（
１）・・・ファラデー回転素子、 （２）・・・無偏光ビームスプリッタ、（３）（４）（
１３）・・・偏光ビームスプリッタ、（７）　（２１）
（２４）・・・ＬＥＤ発光ダイオード、（８）（２０）
・・・受光ダイオード、（９）・・・反射膜、（ｌＯ）
・・・被測定体、（３２）・・・傷特許出願人　住友電
気工業株式会社 第１図 １ら 第２図 第３図 専 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、第１の光出射手段と、磁化された被測定体の表面上
   の傷に起因する漏洩磁界Ｈが分布された状態において被
   測定体の表面と対向配置され、上記第１の光出射手段か
   ら出射された光を導入し、被測定体と対向する面に形成
   した反射膜により当該導入光を反射させるファラデー回
   転素子と、上記反射膜を反射した後ファラデー回転素子
   から出射したファラデー回転光を反射させる第１のミラ
   ーと、第１のミラーの反射方向に配置され、入射光のフ
   ァラデー回転成分を取り出す第１の検光素子と、第１の
   検光素子から取り出された光を受光する第１の受光素子
   と、第２の光出射手段と、第２の光出射手段から出射さ
   れた光を反射させる第２のミラーと、第２のミラーより
   反射された光を受光する第２の受光素子と、第１の受光
   素子および第２の受光素子により検出された信号の差分
   をとる差信号処理回路とを具備し、かつ、上記第２のミ
   ラーと第２の受光素子との間に第２の検光素子を設け、
   上記第１の検光素子および第２の検光素子を、上記被測
   定体全体の磁化に伴い生じる漏洩磁界Ｈ′が第１の検光
   素子および第２の検光素子を通過する光に与える影響を
   相殺する位置に配置したことを特徴とする探傷装置。