JPH0275950A - 質量分析法 - Google Patents
質量分析法Info
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- JPH0275950A JPH0275950A JP22807088A JP22807088A JPH0275950A JP H0275950 A JPH0275950 A JP H0275950A JP 22807088 A JP22807088 A JP 22807088A JP 22807088 A JP22807088 A JP 22807088A JP H0275950 A JPH0275950 A JP H0275950A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、有機物質からなる薄膜試料表面に加速したイ
オンおよびレーザーを照射し、その際に試料表面から発
生するイオンを検出し、有機物質中に含まれる化合物の
種類および量をip+定する質量分析法に関するもので
ある。
オンおよびレーザーを照射し、その際に試料表面から発
生するイオンを検出し、有機物質中に含まれる化合物の
種類および量をip+定する質量分析法に関するもので
ある。
[従来の技術〕
現状で、有機分子の相互作用による規則性を利用したL
B膜はセンサーをはじめ分子デバイスといった分野への
応用が試みられている。このような材料はいずれも薄膜
として用いられており、従来バルク材料として用いられ
てきた材料についても光記録材料として有機色素の薄膜
化や潤滑膜としてふっ素糸のポリマーのスパッタ蒸着に
よる薄膜化の検討がなされている。また従来から、バル
ク材料については質量分析法による有機物の構造らびに
イオン化、の際の物質分解を防ぐため、できるだけ衝撃
の小さいイオン化源が必要なことなどの要請が有り、質
量分析法の検討が遅れていた。
B膜はセンサーをはじめ分子デバイスといった分野への
応用が試みられている。このような材料はいずれも薄膜
として用いられており、従来バルク材料として用いられ
てきた材料についても光記録材料として有機色素の薄膜
化や潤滑膜としてふっ素糸のポリマーのスパッタ蒸着に
よる薄膜化の検討がなされている。また従来から、バル
ク材料については質量分析法による有機物の構造らびに
イオン化、の際の物質分解を防ぐため、できるだけ衝撃
の小さいイオン化源が必要なことなどの要請が有り、質
量分析法の検討が遅れていた。
スタティック(Static)二次イオン質量分析法(
S IMS)およびレーザー励起質量分析法(L IM
S)はスパッタおよびイオン化源に極力ソフトなイオン
源を用いることにより、有機物質を破壊することなくそ
の分子構造に近い分子が検出できる点で有力な分析法と
して期待されている。
S IMS)およびレーザー励起質量分析法(L IM
S)はスパッタおよびイオン化源に極力ソフトなイオン
源を用いることにより、有機物質を破壊することなくそ
の分子構造に近い分子が検出できる点で有力な分析法と
して期待されている。
しかしながら、スタティックSIMSの場合、用いる一
次イオンのエネルギーが700 eV(D、Br1gg
5゜5urf、Inter、Anal、、 9,391
(19811i))以上であり、原子の結合エネルギー
約5eVに比較すると、はるかに高く、イオン化だけで
なく結合の解裂が起こる可能性がある。またLIMSの
場合(J、A。
次イオンのエネルギーが700 eV(D、Br1gg
5゜5urf、Inter、Anal、、 9,391
(19811i))以上であり、原子の結合エネルギー
約5eVに比較すると、はるかに高く、イオン化だけで
なく結合の解裂が起こる可能性がある。またLIMSの
場合(J、A。
Gardella、Jr、、D、M、1Iercule
s and Il、J、l1elnen。
s and Il、J、l1elnen。
5pectro、1.ett、 、 13,347(1
980))には、照射するレーザーの波長は可視光から
紫外光(1〜5Cv)であり、イオン化に必要なエネル
ギーに等しい。しかし、レーザーの光子数は1025
CM−2S−1であり、表面上の原子の数1014n’
に比べれば過剰であり、やはり結合の解裂が起こる可能
性がある。
980))には、照射するレーザーの波長は可視光から
紫外光(1〜5Cv)であり、イオン化に必要なエネル
ギーに等しい。しかし、レーザーの光子数は1025
CM−2S−1であり、表面上の原子の数1014n’
に比べれば過剰であり、やはり結合の解裂が起こる可能
性がある。
上記の質量分析で得られる有機化合物のイオンは、大別
して分子イオン、解裂イオン、およびクラスターイオン
の3つに分けられる。解裂イオンは、上記のようにイオ
ン化源のレーザーおよびイオンが過剰なエネルギーを物
質に与えた場合に、分子のイオン化たけでなく分子内の
結合の解裂が起こることにより生じるイオンのことであ
る。イオン源によりもたらされた過剰のエネルギーによ
り試料表面が(高温10000°C以上になると言われ
ている)になり、プラズマが発生する(D、M。
して分子イオン、解裂イオン、およびクラスターイオン
の3つに分けられる。解裂イオンは、上記のようにイオ
ン化源のレーザーおよびイオンが過剰なエネルギーを物
質に与えた場合に、分子のイオン化たけでなく分子内の
結合の解裂が起こることにより生じるイオンのことであ
る。イオン源によりもたらされた過剰のエネルギーによ
り試料表面が(高温10000°C以上になると言われ
ている)になり、プラズマが発生する(D、M。
11ercules、 Pure and Appl、
Chem、、55.18[19(1983))。クラス
ターイオンは、このプラズマ中でノくラバラになった原
子およびイオンが再結会することにより生じるイオンの
ことである。従って、クラスターイオンに関しては、分
析対称である物質に関する情報が乏しかった( J、A
、Gardel la、 Jr、 andD、M、)I
ercules 、 Spectrmetry Let
ters 、 13.347(1980))。
Chem、、55.18[19(1983))。クラス
ターイオンは、このプラズマ中でノくラバラになった原
子およびイオンが再結会することにより生じるイオンの
ことである。従って、クラスターイオンに関しては、分
析対称である物質に関する情報が乏しかった( J、A
、Gardel la、 Jr、 andD、M、)I
ercules 、 Spectrmetry Let
ters 、 13.347(1980))。
有機物質から発生する分子イオンの安定性を考えた場合
、分子イオンは殆どの場合イオンラジカルであり必ずし
も安定なイオンとはいえない。有機分子の中でアミノ基
等の電子供与性の官能基を有する化合物の場合、正の分
子イオンそのものより、分子イオンにプロトンが結合し
たイオン((M十H)”)が安定なことが知られている
(C,D、Parker and D、M、l1e
rcules、Anal、Chem、57,898(1
985))。一方、カルボン酸等の電子受容性の官能基
を有する化合物の場合、プロトンが取れたイオン((M
−H)−’)が安定なことが知られている。従来より、
分子イオンそものではなく、これらの準分子イオンを積
極的に構造解析に応用しようとする試みがなされていた
が、準分子イオンの収率が十分でない物質が多かった。
、分子イオンは殆どの場合イオンラジカルであり必ずし
も安定なイオンとはいえない。有機分子の中でアミノ基
等の電子供与性の官能基を有する化合物の場合、正の分
子イオンそのものより、分子イオンにプロトンが結合し
たイオン((M十H)”)が安定なことが知られている
(C,D、Parker and D、M、l1e
rcules、Anal、Chem、57,898(1
985))。一方、カルボン酸等の電子受容性の官能基
を有する化合物の場合、プロトンが取れたイオン((M
−H)−’)が安定なことが知られている。従来より、
分子イオンそものではなく、これらの準分子イオンを積
極的に構造解析に応用しようとする試みがなされていた
が、準分子イオンの収率が十分でない物質が多かった。
[発明が解決しようとする課題]
従来の質量分析法により有機薄膜試料の構造解析を行う
場合、分子イオンが不安定な物質の分析では、分子イオ
ンが検出できないか、或は準分子イオンの収率も悪く、
その質量スペクトルから構造解析を行うことが難しいと
いう問題点があった。
場合、分子イオンが不安定な物質の分析では、分子イオ
ンが検出できないか、或は準分子イオンの収率も悪く、
その質量スペクトルから構造解析を行うことが難しいと
いう問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するため、有機薄膜試料に予
めプロトンを供給する酸もしくはプロトンを受容する塩
基を添加して準分子イオンの生成収率を向上させること
により、有機薄膜試料の質量分析による構造解析を可能
にし得る質量分析法を提供することを目的とする。
めプロトンを供給する酸もしくはプロトンを受容する塩
基を添加して準分子イオンの生成収率を向上させること
により、有機薄膜試料の質量分析による構造解析を可能
にし得る質量分析法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段と作用]
本発明は、有機物質からなる試料表面に加速したイオン
、およびレーザーを照射し、その際に試料表面から発生
するイオンを検出し、有機物質中に含まれる化合物の種
類および量をMj定する質ご分析法において、予め薄膜
化された試料にプロトンを供給する酸もしくはプロトン
を受容する塩基を添加した後、その薄膜試料を分析する
ことを特徴とするもので、準分子イオンの生成効率を向
上させることにより、有機薄膜試料の質量分析による構
造解析を可能にしたものである。
、およびレーザーを照射し、その際に試料表面から発生
するイオンを検出し、有機物質中に含まれる化合物の種
類および量をMj定する質ご分析法において、予め薄膜
化された試料にプロトンを供給する酸もしくはプロトン
を受容する塩基を添加した後、その薄膜試料を分析する
ことを特徴とするもので、準分子イオンの生成効率を向
上させることにより、有機薄膜試料の質量分析による構
造解析を可能にしたものである。
尚、前記酸もしくは塩基の添加法として、試料上に酸も
しくは塩基を蒸着させ、薄膜を形成させて、それを分析
することを含み、また、前記酸もしくは塩基の添加法と
して、試料上に酸もしくは塩基の溶液を塗布し、乾燥し
たものを作り、それを分析することを含む。
しくは塩基を蒸着させ、薄膜を形成させて、それを分析
することを含み、また、前記酸もしくは塩基の添加法と
して、試料上に酸もしくは塩基の溶液を塗布し、乾燥し
たものを作り、それを分析することを含む。
[実施例]
(実施例1)
第1図にマラカイト グリーン 契ラクトン(Mala
ehlte green lactone(MGL))
の薄膜試料に有機酸であるフェノールフタレン(Pl+
enol−phthalein(PP))を蒸着させた
ものについてのLIMSによる正イオン分析結果を示す
。(a)に示したように、薄膜をL IMSでそのまま
分析した場合、MGL分子にH+が附加した正の準分子
((M + H) ” 、M/e:373)の他に、M
GLのラクトン環が分解してできた脱COOイオン(M
/e: 330)が観M1され、後者のイオン強度の方
が、前者のイオン強度よりも高くなった。しかし、酸で
あるPPを共存させることにより、(b)に示すごと<
MGLの正の桑分子の強度を脱C00イオンの強度よ
り高めることが可能で、あることが明らかになった。
ehlte green lactone(MGL))
の薄膜試料に有機酸であるフェノールフタレン(Pl+
enol−phthalein(PP))を蒸着させた
ものについてのLIMSによる正イオン分析結果を示す
。(a)に示したように、薄膜をL IMSでそのまま
分析した場合、MGL分子にH+が附加した正の準分子
((M + H) ” 、M/e:373)の他に、M
GLのラクトン環が分解してできた脱COOイオン(M
/e: 330)が観M1され、後者のイオン強度の方
が、前者のイオン強度よりも高くなった。しかし、酸で
あるPPを共存させることにより、(b)に示すごと<
MGLの正の桑分子の強度を脱C00イオンの強度よ
り高めることが可能で、あることが明らかになった。
第2図はMGLの脱COOイオンに対する準分子イオン
の)D対強度をL IMSのレーザー出力に対してプロ
ットしたものである。いずれのレーザー強度においても
、有機酸であるPPを共存させた場合の方が、相対強度
の高くなることが確認できた。
の)D対強度をL IMSのレーザー出力に対してプロ
ットしたものである。いずれのレーザー強度においても
、有機酸であるPPを共存させた場合の方が、相対強度
の高くなることが確認できた。
以上の正の準分子イオン強度の増加は、上記薄111%
I M S分析でul定した結果からも得られた。
I M S分析でul定した結果からも得られた。
また、負の準分子イオン((M−H)−)については、
カルボン酸等の電子受容性の官能基ををする化合物の薄
膜上に塩基を蒸着した膜について、SIMSおよびLI
MS分析を行った際に、塩基による準分子イオンの強度
が増すことにより確認した。
カルボン酸等の電子受容性の官能基ををする化合物の薄
膜上に塩基を蒸着した膜について、SIMSおよびLI
MS分析を行った際に、塩基による準分子イオンの強度
が増すことにより確認した。
(実施例2)
第3図には、ロイ エンケファリン(Leuenkep
hal In(LE))の薄膜上に塩酸を塗布し乾燥し
た後、LIMS分析により測定した結果を、塗布溶液中
HCla度に対する正の準分子イオン((M+ H)
”、M/e:55ft)強度の変化として示した。この
図よりMCIが存在しない場合に比べて、HCIが少量
(例えば0.0IN )存在するだけミで、強度が急激
に増加することがわかった。
hal In(LE))の薄膜上に塩酸を塗布し乾燥し
た後、LIMS分析により測定した結果を、塗布溶液中
HCla度に対する正の準分子イオン((M+ H)
”、M/e:55ft)強度の変化として示した。この
図よりMCIが存在しない場合に比べて、HCIが少量
(例えば0.0IN )存在するだけミで、強度が急激
に増加することがわかった。
以上の正の準分子イオン強度の増加は、上記の薄膜をS
IMS分析で測定した結果からも得られた。
IMS分析で測定した結果からも得られた。
負の準分子イオンに対する同様の効果は、カルボン酸等
の電子受容性の官能基を有する化合物の薄膜上に塩基を
含む溶液を塗布し、乾燥した試料について、SIMSお
よびLIMSによる負イオン分析を行うことにより、同
様に準分子イオンの強度増加が図れた。
の電子受容性の官能基を有する化合物の薄膜上に塩基を
含む溶液を塗布し、乾燥した試料について、SIMSお
よびLIMSによる負イオン分析を行うことにより、同
様に準分子イオンの強度増加が図れた。
[発明の効果]
湊
」二記のように本発明による質量分析牛は、有機物質か
らなる薄膜試料表面に加速したイオンおよびレーザーを
照射し、その際に試料表面から発生するイオンを検出し
、を機物質中に含まれる化合物の種類および量をM1定
する質量分析法において、予め薄膜化された試料にプロ
トンを供給する酸またはプロトンを受容する塩基を添加
することにより、準分子イオンの生成効率が向上するた
め有機薄膜試料の質量分析による構造解析が可能となる
。
らなる薄膜試料表面に加速したイオンおよびレーザーを
照射し、その際に試料表面から発生するイオンを検出し
、を機物質中に含まれる化合物の種類および量をM1定
する質量分析法において、予め薄膜化された試料にプロ
トンを供給する酸またはプロトンを受容する塩基を添加
することにより、準分子イオンの生成効率が向上するた
め有機薄膜試料の質量分析による構造解析が可能となる
。
第1図〜第3図はそれぞれ本発明による分析結果を示し
、第1図はマラカイト グリーン ラクトンの正イオン
分析の一例を示す特性図、第2図はマラカイト グリー
ン ラクトンの準分子イオンのレーザー強度依存性の一
例を示す特性図、第3図はロイ エン温ファリン(a+
ν555)の準分子イオン強度の酸依存性の一例を示す
特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦レープ−t77 第2図
、第1図はマラカイト グリーン ラクトンの正イオン
分析の一例を示す特性図、第2図はマラカイト グリー
ン ラクトンの準分子イオンのレーザー強度依存性の一
例を示す特性図、第3図はロイ エン温ファリン(a+
ν555)の準分子イオン強度の酸依存性の一例を示す
特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦レープ−t77 第2図
Claims (1)
- 有機物質からなる試料表面に加速したイオン、およびレ
ーザーを照射し、その際に試料表面から発生するイオン
を検出し、有機物質中に含まれる化合物の種類および量
を測定する質量分析法において、予め薄膜化された試料
にプロトンを供給する酸もしくはプロトンを受容する塩
基を添加した後、その薄膜試料を分析することを特徴と
する質量分析法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22807088A JPH0275950A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 質量分析法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22807088A JPH0275950A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 質量分析法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0275950A true JPH0275950A (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=16870723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22807088A Pending JPH0275950A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 質量分析法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0275950A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007018761A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Ricoh Co Ltd | 2次電池の充電システム装置 |
JP2009118591A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujitsu Telecom Networks Ltd | バッテリー充電装置 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22807088A patent/JPH0275950A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007018761A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Ricoh Co Ltd | 2次電池の充電システム装置 |
JP2009118591A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujitsu Telecom Networks Ltd | バッテリー充電装置 |
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