JPH027506B2 - - Google Patents
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、走査型電子顕微鏡等の走査型電子
線装置に係り、特に電子線を対物レンズの電子光
学軸に入射させるための調整が容易にできる電子
線装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a scanning electron beam device such as a scanning electron microscope, and more particularly to an electron beam device that can be easily adjusted so that the electron beam is incident on the electron optical axis of an objective lens.
一般に走査型電子顕微鏡等の走査型電子線装置
にあつては、走査コイルで走査された電子線が正
確に対物レンズの電子光学軸に入射しないと、こ
の対物レンズの球面収差の影響で、得られる像の
分解能が低下してしまう等の不具合が発生する。
しかし従来の走査型電子顕微鏡にあつては、この
電子光学軸の軸合せは、電子光学系の機械精度に
依存させ、検鏡前に軸合せの調整を行ない、検鏡
中の調整は行なわれていなかつた。 In general, in scanning electron beam devices such as scanning electron microscopes, if the electron beam scanned by the scanning coil does not enter the electron optical axis of the objective lens accurately, the spherical aberration of the objective lens will cause a loss of gain. Problems such as a decrease in the resolution of the captured image may occur.
However, in conventional scanning electron microscopes, the alignment of the electron optical axis depends on the mechanical precision of the electron optical system, and the alignment is adjusted before microscopy, and is not adjusted during microscopy. I wasn't there.
しかし、近年のように強励磁界や強励電界の対
物レンズが使用される場合には、電子線の対物レ
ンズへの入射位置が対物レンズの電子光学軸と僅
かでもずれていれば、この対物レンズの強い球面
収差の影響で、得られる像は著しく分解能が低下
したものとなる。そこで、これに対処するため、
第１図に示すように、対物レンズ１と走査コイル
２との間にアライメントコイル３を配設して、こ
のアライメントコイル３の横軸（ｘ軸）方向、及
び縦軸（ｙ軸）方向のコイルに流す電流IAx，
IAyの大きさを調節することで対物レンズ１の電
子光学軸に電子線Ｅが入射するようにして上記分
解能の低下を防止するようにしている。なお、図
中符号４はアライメントコイル駆動回路、５は走
査コイル２とCRTデイスプレイ６の偏向ヨーク
７を駆動する走査信号発生回路、８は対物レンズ
を駆動する対物レンズ駆動回路、９は試料１０か
らの二次電子線ｅを検出する検出器、１１はこの
検出器９で検出した信号をCRTデイスプレイ６
上で画像とするための画像処理回路を示す。 However, when an objective lens with a strong excitation magnetic field or strong electric field is used as in recent years, if the incident position of the electron beam on the objective lens is even slightly shifted from the electron optical axis of the objective lens, the objective lens Due to the strong spherical aberration of the lens, the resulting image has a significantly reduced resolution. Therefore, to deal with this,
As shown in FIG. 1, an alignment coil 3 is disposed between the objective lens 1 and the scanning coil 2, and the alignment coil 3 is aligned in the horizontal axis (x-axis) direction and the vertical axis (y-axis) direction. Current IAx flowing through the coil,
By adjusting the magnitude of IAy, the electron beam E is made incident on the electron optical axis of the objective lens 1, thereby preventing the resolution from decreasing. In the figure, reference numeral 4 is an alignment coil drive circuit, 5 is a scanning signal generation circuit that drives the scanning coil 2 and the deflection yoke 7 of the CRT display 6, 8 is an objective lens drive circuit that drives the objective lens, and 9 is a drive circuit from the sample 10. A detector 11 detects the secondary electron beam e of
The image processing circuit for generating an image is shown above.
これらの構成を有する走査型電子顕微鏡におい
て電子線Ｅを対物レンズ１の電子光学軸に入射す
るように調整するには、この対物レンズ１の励磁
力を手動又は自動的に周期的に変化させて焦点距
離を変え、その時の像の動きが最小になるよう
に、または、像の回転移動の回転中心がCRTデ
イスプレイ６に表示される画面の中心に位置する
ようにアライメントコイル３に流す電流IAx，
IAyを調節することによつて行なう。 In order to adjust the electron beam E to be incident on the electron optical axis of the objective lens 1 in a scanning electron microscope having these configurations, the excitation force of the objective lens 1 is periodically changed manually or automatically. A current IAx is applied to the alignment coil 3 so that the focal length is changed and the movement of the image is minimized, or the center of rotation of the image is located at the center of the screen displayed on the CRT display 6.
This is done by adjusting IAy.
しかしながら、係る従来の走査型電子顕微鏡に
あつては、上記像の回転中心が見にくかつたり、
画像の倍率が高い場合には上記回転中心が画像上
には存在しない場合があり、上記アライメントコ
イル３の補正方向が不明瞭な場合があるという不
具合があつた。 However, with such conventional scanning electron microscopes, the center of rotation of the image is difficult to see,
When the magnification of the image is high, the center of rotation may not exist on the image, resulting in a problem that the correction direction of the alignment coil 3 may be unclear.
この発明は、係る不具合に鑑みなされたもので
あつて、その目的とするところは、対物レンズの
軸合せを容易に行なうことができる走査型電子線
装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a scanning electron beam apparatus in which the axis of the objective lens can be easily aligned.
そしてこの目的は、走査コイルと、対物レンズ
と、この対物レンズの電子光学軸に走査電子線を
入射するよう該電子線の入射方向を調整するアラ
イメントコイルとを有する走査型電子線装置のア
ライメントコイルに上記走査コイルの走査信号と
同期した偏向信号を調節時に入力できるようにし
た走査型電子線装置で達成される。 This purpose is to provide an alignment coil for a scanning electron beam device that includes a scanning coil, an objective lens, and an alignment coil that adjusts the incident direction of the scanning electron beam so that the scanning electron beam is incident on the electron optical axis of the objective lens. This is achieved with a scanning electron beam device that allows a deflection signal synchronized with the scanning signal of the scanning coil to be input at the time of adjustment.
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説
明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.
第２図は、走査型電子顕微鏡の一実施例を示す
ブロツク図である。本実施例に係る走査型電子顕
微鏡において、電子光学系は、上述した従来の走
査型電子顕微鏡と同様に、電子線Ｅを発する電子
線源（図示していない）と、この電子線Ｅを最初
に集束するコンデンサレンズ（図示していない）
と、この集束された電子線Ｅを所定方向に走査す
る走査コイル２５と、電子線Ｅを試料２０上に最
終的に集束させる対物レンズ２４と、この対物レ
ンズ２４と走査コイル２５との間に配設されるア
ライメントコイル２１と、電子線Ｅが照射された
試料２０から発せられる二次電子ｅを検出するた
めに、対物レンズ２４の上方及び下方に配設され
た２個の検出器２６，２６とからなる。 FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of a scanning electron microscope. In the scanning electron microscope according to this embodiment, the electron optical system includes an electron beam source (not shown) that emits an electron beam E, and an electron beam source (not shown) that emits an electron beam E, as in the conventional scanning electron microscope described above. condenser lens (not shown) to focus on
, a scanning coil 25 that scans the focused electron beam E in a predetermined direction, an objective lens 24 that finally focuses the electron beam E onto the sample 20, and a structure between the objective lens 24 and the scanning coil 25. An alignment coil 21 is provided, and two detectors 26 are provided above and below the objective lens 24 to detect secondary electrons e emitted from the sample 20 irradiated with the electron beam E. It consists of 26.
走査コイル２５は、走査コイル駆動回路２７で
駆動されて、上記電子線源から照射される電子線
Ｅが試料２０の所定個所を走査して照射するよう
に二方向（ｘ軸方向及びｙ軸方向）に偏向させ
る。そして、この走査コイル駆動回路２７には、
鋸波発生器２９で発生した鋸波と、高圧信号発生
回路３８から上記電子線源に加えられる電圧の値
の平方根に比例した電圧とが加えられている。図
中符号２８は、倍率切換回路で、上記走査コイル
２５からの電子線が試料２０上を走査する範囲を
設定するため、前述の走査コイル駆動回路２７か
らの信号を基準抵抗Rx，Ryを介して接地させて
おき、この基準抵抗Rx，Ryの所望の中間端子間
を短絡することによつて抵抗値を変化させ、走査
コイル２５に流す電流Ix，Iyを変更して倍率を切
換えるものである。 The scanning coil 25 is driven by a scanning coil drive circuit 27 so that the electron beam E emitted from the electron beam source scans and irradiates a predetermined portion of the sample 20 in two directions (x-axis direction and y-axis direction). ). In this scanning coil drive circuit 27,
A sawtooth wave generated by the sawtooth wave generator 29 and a voltage proportional to the square root of the voltage value applied to the electron beam source from the high voltage signal generating circuit 38 are applied. Reference numeral 28 in the figure is a magnification switching circuit, in order to set the range in which the electron beam from the scanning coil 25 scans the sample 20, the signal from the scanning coil drive circuit 27 is sent through the reference resistors Rx and Ry. By short-circuiting desired intermediate terminals of the reference resistors Rx and Ry, the resistance value is changed, and the currents Ix and Iy flowing through the scanning coil 25 are changed to switch the magnification. .
アライメントコイル２１は、アライメントコイ
ル駆動回路２２で駆動される。このアライメント
コイル駆動回路２２は、前記高圧信号発生回路３
８からアライメント調節抵抗Rvx，Rvyの可変端
子を経て得られる電圧と、前述の倍率切換回路２
８の基準抵抗Rx，Ryの最低倍率端子から増幅器
３９及びスイツチSix，Siyを介して得られる電
圧とが、加算器２３で加算されて入力され、アラ
イメントコイル２１を駆動するための信号IAx，
IAyを発生する。 The alignment coil 21 is driven by an alignment coil drive circuit 22. This alignment coil drive circuit 22 includes the high voltage signal generation circuit 3
8 through the variable terminals of the alignment adjustment resistors Rvx and Rvy, and the aforementioned magnification switching circuit 2.
The voltages obtained from the lowest magnification terminals of the reference resistors Rx and Ry of No. 8 through the amplifier 39 and switches Six and Siy are summed by an adder 23 and input, and the signals IAx and IAx for driving the alignment coil 21 are inputted.
Generate IAy.
対物レンズ２４は、対物レンズ駆動回路３３で
駆動され、この対物レンズ駆動回路３３には、対
物レンズ２４に加える電流を周期的に変化させる
ウオーブラー回路３４がスイツチＳ２を介して接
続されている。 The objective lens 24 is driven by an objective lens drive circuit 33, and a wobbler circuit 34 that periodically changes the current applied to the objective lens 24 is connected to the objective lens drive circuit 33 via a switch S2.
二次電子を検出する２個の検出器２６，２６に
は、この上下２個の検出器２６，２６の信号を加
え合せる加算器３５を介してイメージ増幅器３６
が接続され、この出力がCRTデイスプレイ３０
に送られる。このCRTデイスプレイ３０の偏向
ヨーク３２には、上記走査コイル駆動回路２７に
入力される鋸波と同じ信号がCRT偏向回路３１
を通して入力され、電子線Ｅの走査と同期した試
料２０の二次電子線像が表示される。また、上記
イメージ増幅器３６には、上記鋸波発生器２９か
らの信号でCRTデイスプレイ３０上の像の略中
央部で交差する輝度変調された十字線を描く信号
を発するコンパレータ回路３７がスイツチＳ１を
介して接続されている。 The two detectors 26, 26 for detecting secondary electrons are connected to an image amplifier 36 via an adder 35 that adds the signals of the two upper and lower detectors 26, 26.
is connected, and this output is the CRT display 30
sent to. The same signal as the sawtooth wave input to the scanning coil drive circuit 27 is applied to the deflection yoke 32 of the CRT display 30.
A secondary electron beam image of the sample 20 synchronized with the scanning of the electron beam E is displayed. Further, in the image amplifier 36, a comparator circuit 37 which generates a signal drawing a brightness-modulated cross line that intersects approximately at the center of the image on the CRT display 30 using the signal from the sawtooth wave generator 29 switches the switch S1. connected via.
この走査型電子顕微鏡において、電子線Ｅを対
物レンズの電子光学軸に正確に入射させるには、
まずスイツチSix，SiyとスイツチS1とをオン状
態とする。すると、CRTデイスプレイ３０には、
第３図に示すように、試料の像の一部分だけが鮮
明に表示され、他の部分は対物レンズの球面収差
の影響を受け不鮮明に表示されるのに加え、輝度
変調された十字線が表示される。次に、アライメ
ント調整抵抗Rvx，Rvyを調整して、この像の鮮
明部分を第４図に示すように上記十字線の交差上
に移動させてスイツチSix，SiyとスイツチS1と
をオフ状態にする。すると対物レンズ２４の電子
光学軸に電子線Ｅが入射して、CRTデイスプレ
イ３０上には全面にわたり鮮明な像が得られる。 In this scanning electron microscope, in order to make the electron beam E accurately enter the electron optical axis of the objective lens,
First, switches Six and Siy and switch S1 are turned on. Then, on the CRT display 30,
As shown in Figure 3, only a part of the sample image is displayed clearly, and the other part is affected by the spherical aberration of the objective lens and is displayed unclearly, as well as a brightness-modulated crosshair. be done. Next, adjust the alignment adjustment resistors Rvx and Rvy to move the clear part of this image to the intersection of the crosshairs as shown in Figure 4, and turn off switches Six and Siy and switch S1 . do. Then, the electron beam E enters the electron optical axis of the objective lens 24, and a clear image is obtained over the entire surface of the CRT display 30.
これは、走査コイルに入力され、連続的に変化
する走査信号を倍率調整回路２８から取り出し、
アライメントコイル駆動回路２２を介してアライ
メントコイル２１に入力しているから、試料の各
点に照射される電子線は、すべて連続的に異なつ
た対物レンズ２４の電子光学軸に対するずれ量を
有することとなり、必ずいずれか一点は対物レン
ズ２４の電子光学軸に対してずれ量が０となつて
いる点が存在し、この点を基準として全体の補正
を行なつたからである。 This is input to the scanning coil and takes out the continuously changing scanning signal from the magnification adjustment circuit 28,
Since the electron beam is input to the alignment coil 21 via the alignment coil drive circuit 22, the electron beam irradiated to each point on the sample has a continuously different amount of deviation from the electron optical axis of the objective lens 24. This is because there is always one point where the amount of deviation with respect to the electron optical axis of the objective lens 24 is 0, and the entire correction was performed using this point as a reference.
即ち、CRTデイスプレイ３０の画像上におい
て、上記十字線の交点を原点０とし、横線をｘ
軸、縦線をｙ軸とするｘ−ｙ平面上の点をＰ（ｘ，
ｙ）としてこの点Ｐ（ｘ，ｙ）に対応する電子線
の対物レンズ２４への入射位置を、電子光学軸を
原点とし、ｘ−ｙ軸と同方向にＸ−Ｙ軸をとり、
入射地点の位置を表示して、Ｄ（Ｘ，Ｙ）とする
とき、調整前においては、ｘ−ｙ平面のすべての
点Ｐ（ｘ，ｙ）に対応する電子線の対物レンズ２
４への入射位置は一定の個所でＤ（X1，Y1）と表
示できる。 That is, on the image on the CRT display 30, the intersection of the crosshairs is the origin 0, and the horizontal line is x.
P(x,
y), the incident position of the electron beam on the objective lens 24 corresponding to this point P(x, y) is set to the electron optical axis as the origin, and the X-Y axis is taken in the same direction as the x-y axis,
When the position of the incident point is expressed as D(X, Y), before adjustment, the electron beam objective lens 2 corresponding to all points P(x, y) on the x-y plane
4 can be expressed as D(X 1 , Y 1 ) at a certain point.
ここで、走査信号をアライメントコイル２１へ
アライメントコイル駆動回路２２を介して流す
と、この鋸歯状波の信号により、ｘ−ｙ平面上の
各点Ｐ（ｘ，ｙ）に対応する電子線の入射位置は、
Ｄ（X1＋C1x，Y1＋C2y）となる。なおC1及びC2
は定数で増幅器３９の利得等で必要に応じて定め
られる。 Here, when a scanning signal is sent to the alignment coil 21 via the alignment coil drive circuit 22, this sawtooth wave signal causes the incidence of the electron beam corresponding to each point P (x, y) on the x-y plane. The location is
D(X 1 +C 1 x, Y 1 +C 2 y). Note that C 1 and C 2
is a constant and is determined as necessary by the gain of the amplifier 39, etc.
ここでCRTデイスプレイ３０上の点のＰ（−
X1／C1，−Y1／C2）に対応する電子線の入射位
置は、Ｄ（０，０）となり対物レンズの電子光学
軸と一致する。従つて、CRTデイスプレイ３０
上の点Ｐ（−X1／C1，−Y1／C2）の付近は鮮明な
像となり、他の点Ｐ（ｘ，ｙ）に対応する電子線
はＤ（X1＋C1x，Y1＋C2y）に入射して対物レン
ズの球面収差の影響で不鮮明な像となる。 Here, the point P(-
The incident position of the electron beam corresponding to (X 1 /C 1 , -Y 1 /C 2 ) is D(0,0) and coincides with the electron optical axis of the objective lens. Therefore, CRT display 30
The area near the upper point P (-X 1 /C 1 , -Y 1 /C 2 ) is a clear image, and the electron beam corresponding to other points P (x, y) is D (X 1 +C 1 x, Y 1 +C 2 y), resulting in an unclear image due to the spherical aberration of the objective lens.
次にこの不鮮明に表示された個所Ｐ（−X1／
C1，−Y1／C2）に表示された像を十字線の交点即
ち原点０に移動するのであるが、原点０において
は上記Ｄ（Ｘ，Ｙ）におけるC1x，C2yの成分は共
に０であり、（ｘ，ｙが０であるから）、アライメ
ント調整抵抗Rvx，Rvyを調整して上記像を原点
に移動すれば０においては、
Ｄ（X1＋C1x，Y1＋C2y）＝Ｄ（０，０）
となる。ここでC1x＝C2y＝０であるからX1＝０，
Y1＝０となり、原点以外の点Ｐ（ｘ，ｙ）におい
てもX1，Y1成分は消え、入射位置はＤ（C1x，
C2y）となる。更にスイツチSiy，Siyをオフ状態
とすればアライメントコイル２１には走査信号は
入力されず、このC1x，C2yの成分は共に消滅し、
すべての点Ｐ（ｘ，ｙ）に対応する電子線はＤ
（０，０）、即ち対物レンズ２４の電子光学軸に入
射することになり、この調整は終了し、CRTデ
イスプレイ３０には、全面が対物レンズの球面収
差の影響を受けない鮮明な像を得ることができ
る。 Next, this vaguely displayed part P(-X 1 /
The image displayed at C 1 , -Y 1 /C 2 ) is moved to the intersection of the crosshairs, that is, the origin 0. At the origin 0, C 1 x, C 2 y at D(X, Y) are Both components are 0 (since x and y are 0), and if the alignment adjustment resistors Rvx and Rvy are adjusted to move the above image to the origin, at 0, D(X 1 + C 1 x, Y 1 +C 2 y)=D(0,0). Here, since C 1 x=C 2 y=0, X 1 =0,
Y 1 = 0, the X 1 and Y 1 components disappear even at points P (x, y) other than the origin, and the incident position is D (C 1 x,
C 2 y). Furthermore, if the switches Siy and Siy are turned off, no scanning signal is input to the alignment coil 21, and both the C 1 x and C 2 y components disappear.
The electron beam corresponding to all points P(x,y) is D
(0,0), that is, the electron is incident on the optical axis of the objective lens 24, this adjustment is completed, and a clear image is obtained on the entire surface of the CRT display 30, which is not affected by the spherical aberration of the objective lens. be able to.
なお、本実施例においては、アライメントコイ
ル駆動回路には、走査信号を入力したが、他の回
路によつて発生される同様の信号であつてもよ
い。 In this embodiment, a scanning signal is input to the alignment coil drive circuit, but a similar signal generated by another circuit may be used.
また本実施例においては、CRTデイスプレイ
上の十字線を固定して像を移動することで調整を
行なつたが、第５図及び第６図に示すように、
CRTデイスプレイ上の十字線を固定せず、アラ
イメント調整抵抗Rvx，Rvyの電圧信号に応じて
十字線を画像の鮮明な部分に移動させることによ
つて調整を行なつてもよい。更に本実施例におい
てはアライメントコイルの位置は対物レンズと走
査コイルとの間にある場合について説明したが、
アライメントコイルの位置は必ずしもこれに限ら
れず、操作コイルの上方、あるいは操作コイルと
同じ位置であつても本発明は同様に適用される。 Further, in this embodiment, adjustments were made by fixing the crosshair on the CRT display and moving the image, but as shown in FIGS. 5 and 6,
Adjustment may be made by not fixing the crosshair on the CRT display, but by moving the crosshair to a clear part of the image according to the voltage signals of the alignment adjustment resistors Rvx and Rvy. Furthermore, in this embodiment, the alignment coil is located between the objective lens and the scanning coil.
The position of the alignment coil is not necessarily limited to this, and the present invention is similarly applicable even if it is located above the operating coil or at the same position as the operating coil.
以上説明したように、本発明にあつては、走査
型電子線装置のアライメントコイルに走査信号と
同期した偏向信号を調節時に入力できるようにし
たから、従来の走査型電子線装置の電子光学系
は、改造することなく電気的な回路を付加するだ
けで従来のように像の回転運動等に基づいてアラ
イメントコイルを調節するのではなく、CRTデ
イスプレイ上に鮮明に現れる像に基づいてアライ
メントコイルを調節して電子線を対物レンズの電
子光学軸に入射させることができるので、上記ア
ライメントコイルの調節が極めて容易に行うこと
ができるという効果を奏する。 As explained above, in the present invention, since a deflection signal synchronized with a scanning signal can be input to the alignment coil of a scanning electron beam device during adjustment, it is possible to input a deflection signal synchronized with a scanning signal to the alignment coil of a scanning electron beam device. Instead of adjusting the alignment coil based on the rotational movement of the image, etc., as in the past, by simply adding an electrical circuit without modification, the system adjusts the alignment coil based on the image clearly appearing on the CRT display. Since the electron beam can be adjusted to be incident on the electron optical axis of the objective lens, the alignment coil can be adjusted very easily.
第１図は従来の走査型電子顕微鏡を示すブロツ
ク図、第２図は本発明の実施例に係る走査型電子
顕微鏡を示すブロツク図、第３図乃至第６図は本
発明に係る走査型電子線装置のCRTデイスプレ
イの表示を示す図である。
２０…試料、２１…アライメントコイル、２４
…対物レンズ、２５…走査コイル。
FIG. 1 is a block diagram showing a conventional scanning electron microscope, FIG. 2 is a block diagram showing a scanning electron microscope according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 6 are a block diagram showing a scanning electron microscope according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a display on a CRT display of a line device. 20... Sample, 21... Alignment coil, 24
...Objective lens, 25...Scanning coil.
Claims (1)
ズの電子光学軸に走査電子線を入射するよう該電
子線の入射方向を調節するアライメントコイルと
を有する走査型電子線装置において、上記アライ
メントコイルに上記走査コイルの走査信号と同期
した偏向信号を調節時に入力できるようにしたこ
とを特徴とする走査型電子線装置。1. In a scanning electron beam device having a scanning coil, an objective lens, and an alignment coil that adjusts the incident direction of the scanning electron beam so that the scanning electron beam is incident on the electron optical axis of the objective lens, A scanning electron beam device characterized in that a deflection signal synchronized with a scanning signal of a scanning coil can be input during adjustment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP701684A JPS60151946A (en) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | Scanning type electron ray device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP701684A JPS60151946A (en) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | Scanning type electron ray device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60151946A JPS60151946A (en) | 1985-08-10 |
| JPH027506B2 true JPH027506B2 (en) | 1990-02-19 |
Family
ID=11654239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP701684A Granted JPS60151946A (en) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | Scanning type electron ray device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60151946A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2647949B2 (en) * | 1989-02-17 | 1997-08-27 | 日本電子株式会社 | Scanning electron microscope alignment equipment |
| JPH11250850A (en) | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope, microscope method, and interactive input device |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP701684A patent/JPS60151946A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60151946A (en) | 1985-08-10 |
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