JPH0272535A - 電子陰極用素材の先端尖鋭加工方法 - Google Patents
電子陰極用素材の先端尖鋭加工方法Info
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- JPH0272535A JPH0272535A JP63221384A JP22138488A JPH0272535A JP H0272535 A JPH0272535 A JP H0272535A JP 63221384 A JP63221384 A JP 63221384A JP 22138488 A JP22138488 A JP 22138488A JP H0272535 A JPH0272535 A JP H0272535A
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Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、電界放射型陰極材料、熱電子放射型陰掻材料
又は走査型トンネル電子顕微鏡用の走査針材料の先端を
尖鋭加工する方法に関する。
又は走査型トンネル電子顕微鏡用の走査針材料の先端を
尖鋭加工する方法に関する。
(従来の技術及びその問題点)
走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、電子ビーム加工
装置等の電子ビーム応用機器において、最終電子ビーム
径が小さく、かつ高輝度のサブミクロン電子源が要望さ
れている。
装置等の電子ビーム応用機器において、最終電子ビーム
径が小さく、かつ高輝度のサブミクロン電子源が要望さ
れている。
電界放射型陰極は10 ’ A/crA−strという
高輝度の電子ビームが得られるため次世代の電子ビーム
源として期待されており、遷移金属炭化物はこの陰極材
料として優れておりその実用化が急がれている。
高輝度の電子ビームが得られるため次世代の電子ビーム
源として期待されており、遷移金属炭化物はこの陰極材
料として優れておりその実用化が急がれている。
六ホウ化ランタンに代表される希土類ホウ化物の熱電子
放射型陰極は10 ’ A/cd−strの輝度を有し
ているため、既に実用化されている。
放射型陰極は10 ’ A/cd−strの輝度を有し
ているため、既に実用化されている。
上記の電子陰極用素材を陰極として用いるためには、電
界放射型陰極では数千Å以下の先端曲率半径を有する針
に、また熱電子放射型陰極では数十μm以下の先端曲率
半径を有する針に、それぞれ加工する必要がある。
界放射型陰極では数千Å以下の先端曲率半径を有する針
に、また熱電子放射型陰極では数十μm以下の先端曲率
半径を有する針に、それぞれ加工する必要がある。
電子陰極用素材として使用される遷移金属炭化物、希土
類ホウ化物、高融点金属は硬くて脆いため、機械加工に
よる研磨は困難であるので、通常は電解研磨法によって
加工されている。
類ホウ化物、高融点金属は硬くて脆いため、機械加工に
よる研磨は困難であるので、通常は電解研磨法によって
加工されている。
電子陰極用素材の電解研磨方法に関しては、例えば特公
昭57−31247号公報、同57−28177号公報
、特開昭52−19061号公報に見られるように電解
液の改良についての提案が多くされている。また、特公
昭56−33818号公報には、ホウ化ランタンの単結
晶チップの周りに導電性のリングを設け、チ・ノブと導
電性のリングとの間に形成させた電解液の液膜を通して
通電して、チップの先端を尖鋭化加工する方法が記載さ
れている。これら提案の方法においては、直流又は交流
の電流が定常的に流されている。この方法では、電子陰
極用素材の先端の曲率半径を数μm以下にすることがで
きず、゛また再現性よく先端の曲率半径を制御すること
が困難であり、さらに上記素材の結晶面によって研磨速
度が異なる場合には、先端が偏平になるという欠点があ
る。
昭57−31247号公報、同57−28177号公報
、特開昭52−19061号公報に見られるように電解
液の改良についての提案が多くされている。また、特公
昭56−33818号公報には、ホウ化ランタンの単結
晶チップの周りに導電性のリングを設け、チ・ノブと導
電性のリングとの間に形成させた電解液の液膜を通して
通電して、チップの先端を尖鋭化加工する方法が記載さ
れている。これら提案の方法においては、直流又は交流
の電流が定常的に流されている。この方法では、電子陰
極用素材の先端の曲率半径を数μm以下にすることがで
きず、゛また再現性よく先端の曲率半径を制御すること
が困難であり、さらに上記素材の結晶面によって研磨速
度が異なる場合には、先端が偏平になるという欠点があ
る。
(問題点を解決するための技術的手段)本発明は上述し
た公知技術の欠点を解消するものであり、先端の曲率半
径をサブミクロンのオーダーにすることができ、またど
のような電子陰極素材であっても先端が偏平になること
のない、電子陰極用素材の研磨方法を提供する。
た公知技術の欠点を解消するものであり、先端の曲率半
径をサブミクロンのオーダーにすることができ、またど
のような電子陰極素材であっても先端が偏平になること
のない、電子陰極用素材の研磨方法を提供する。
本発明は、遷移金属炭化物、希土類ホウ化物及び高融点
金属からなる群から選ばれる電子陰極用素材を電解研磨
法によって尖鋭化する先端加工において、連続電流を流
して偏平状あるいは任意の曲率半径の先端を有する素材
とする第1工程、及び第1工程で得られる素材にパルス
状の電流を流して、先端を尖鋭化する第2工程からなる
、電子陰極用素材の先端尖鋭加工方法である。
金属からなる群から選ばれる電子陰極用素材を電解研磨
法によって尖鋭化する先端加工において、連続電流を流
して偏平状あるいは任意の曲率半径の先端を有する素材
とする第1工程、及び第1工程で得られる素材にパルス
状の電流を流して、先端を尖鋭化する第2工程からなる
、電子陰極用素材の先端尖鋭加工方法である。
本発明を実施する装置の概略図を示す第1図及び第2図
を参照して以下に本発明を説明する。
を参照して以下に本発明を説明する。
第1工程
第1図に示すように、電子陰極用素材1aはリング状電
極2で同心円状に囲まれており、電解液3の膜が上記素
材1aとリング状電極2との空隙に表面張力を利用して
形成されている。
極2で同心円状に囲まれており、電解液3の膜が上記素
材1aとリング状電極2との空隙に表面張力を利用して
形成されている。
電子陰極用素材1a及びリング状電極2はリード線4及
び5によって電源6に接続されている。
び5によって電源6に接続されている。
電子陰極用素材1aは、遷移金属炭化物、希土類ホウ化
物及び高融点金属からなる群から選ばれる導電性の物質
である。
物及び高融点金属からなる群から選ばれる導電性の物質
である。
遷移金属炭化物の具体例としては、TiC、ZrC1H
fC、、VC,NbC及びTaCが挙げられる。希土類
ホウ化物の具体例としては、LaB、、VB& 、CE
IB&、BuBh及び5IIB6が挙げられる。高融点
金属の具体例としては、H、MO% Ta、 Nb及び
Irが挙げられる。
fC、、VC,NbC及びTaCが挙げられる。希土類
ホウ化物の具体例としては、LaB、、VB& 、CE
IB&、BuBh及び5IIB6が挙げられる。高融点
金属の具体例としては、H、MO% Ta、 Nb及び
Irが挙げられる。
これらの電子陰極用素材1aは、角柱状又は円柱状の形
状で先端加工処理に供される。
状で先端加工処理に供される。
リング状電極2としては一般に白金、ロジウム、レニウ
ムなどの良導電性の金属が使用される。
ムなどの良導電性の金属が使用される。
電解液3としてはそれ自体公知のものをすべて使用する
ことができ、例えば、遷移金属炭化物の場合はフッ酸と
硝酸との混合液が使用され、希土類ホウ化物の場合は硝
酸と塩酸との混合液が使用され、また高融点金属の場合
は水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ性
化合物の水溶液が使用される。電解液3は電子陰極用素
材1aとリング状電極2との間に液膜として供される。
ことができ、例えば、遷移金属炭化物の場合はフッ酸と
硝酸との混合液が使用され、希土類ホウ化物の場合は硝
酸と塩酸との混合液が使用され、また高融点金属の場合
は水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ性
化合物の水溶液が使用される。電解液3は電子陰極用素
材1aとリング状電極2との間に液膜として供される。
あるいは電子陰極用素材1a及びリング状電極2を電解
液3中に浸漬することもできる。
液3中に浸漬することもできる。
第1工程においては、それ自体公知の方法に従い、電源
6からリード線4及び5を介して直流又は交流の電流を
連続的に流し、偏平状あるいは任意の曲率半径の先端を
有する素材を調製する。
6からリード線4及び5を介して直流又は交流の電流を
連続的に流し、偏平状あるいは任意の曲率半径の先端を
有する素材を調製する。
既に述べたように、この第1工程の処理のみでは、所望
の曲率半径を有する陰極を再現性よく得ることが困難で
ある。また、最初から第2工程におけるようにパルス電
流を流して電子陰極用素材の先端を尖鋭化することも考
えられるが、パルス間隔があるため、全体の先鋭化処理
時間が長(なってしまう。
の曲率半径を有する陰極を再現性よく得ることが困難で
ある。また、最初から第2工程におけるようにパルス電
流を流して電子陰極用素材の先端を尖鋭化することも考
えられるが、パルス間隔があるため、全体の先鋭化処理
時間が長(なってしまう。
第2工程
第2工程におし〜ては、第2図に示すように、第1工程
で得られる電子陰極用素材1bの先端部を電解液3に浸
漬し、電圧及び長さが制御されたパルス状の電流が電子
陰極用素材1bとリング状電極2との間に送られ、所望
の曲率半径を有する電子陰極用を調製する。なお、第2
図において、第1図と同じ構成部材には同一の番号が付
されている。
で得られる電子陰極用素材1bの先端部を電解液3に浸
漬し、電圧及び長さが制御されたパルス状の電流が電子
陰極用素材1bとリング状電極2との間に送られ、所望
の曲率半径を有する電子陰極用を調製する。なお、第2
図において、第1図と同じ構成部材には同一の番号が付
されている。
パルスは長方形パルス、台形パルス、三角パルスのいず
れであってもよい。
れであってもよい。
パルスの電圧は電子陰極用素材1bのすべての結晶面に
おいて研磨速度が等しくなるような電圧であることが必
要である。電子陰極用素材1bのそれぞれの結晶面は研
磨されるに要する最低の電流が異なるが、その最低電流
を超えると一様に研磨されるようになる。一般にはパル
ス電圧は、公知の電解研磨の際に用いられる電圧の2倍
以上であり、4■以上であることが好ましい。また、パ
ルスの長さは、電子陰極用素材1bの各結晶面において
不動体が生じないような長さであり、0.5秒以下であ
ることが好ましい。パルスの長さが過度に長いと電子陰
極用素材1bの結晶面に不動体が生成するようになる。
おいて研磨速度が等しくなるような電圧であることが必
要である。電子陰極用素材1bのそれぞれの結晶面は研
磨されるに要する最低の電流が異なるが、その最低電流
を超えると一様に研磨されるようになる。一般にはパル
ス電圧は、公知の電解研磨の際に用いられる電圧の2倍
以上であり、4■以上であることが好ましい。また、パ
ルスの長さは、電子陰極用素材1bの各結晶面において
不動体が生じないような長さであり、0.5秒以下であ
ることが好ましい。パルスの長さが過度に長いと電子陰
極用素材1bの結晶面に不動体が生成するようになる。
電子陰極用素材1bの各結晶面に不動体が生じると、研
磨速度の変化及び特定の結晶面における研磨の阻止が起
こり、、先端の曲率半径の制御が困難となる。尚、パル
スの電圧及び長さは当業者が簡単な予備実験によって容
易に決定することができる。
磨速度の変化及び特定の結晶面における研磨の阻止が起
こり、、先端の曲率半径の制御が困難となる。尚、パル
スの電圧及び長さは当業者が簡単な予備実験によって容
易に決定することができる。
(実施例)
以下に本発明の実施例を示す。各実施例においては、第
1図及び第2図に示す装置を使用した。
1図及び第2図に示す装置を使用した。
実施例1
高周波フローティングゾーン法によって育成した炭化チ
タン単結晶から0.2 X 0.2 X 4 mの角柱
を切り出して試料とした。
タン単結晶から0.2 X 0.2 X 4 mの角柱
を切り出して試料とした。
電解液として、濃度41%のフン酸、濃度63%の硝酸
及び水を、ぞれぞれ、体積比で1:l:3で混合した液
を使用した。
及び水を、ぞれぞれ、体積比で1:l:3で混合した液
を使用した。
電源からパルス1,5■の直流を流し、偏平形状の先端
を有する電子陰極用素材1bを得た。この素材の先端形
状を第3図に示す。
を有する電子陰極用素材1bを得た。この素材の先端形
状を第3図に示す。
ついで、上記素材1bにパルス電圧7■、パルス長さ3
/1000秒のパルスを1個流した。
/1000秒のパルスを1個流した。
得られた陰極先端は滑らかであり、その曲率半径は0.
1.czmであった。陰極先端の形状を第4図に示す。
1.czmであった。陰極先端の形状を第4図に示す。
実施例2
パルスの長さを1/100秒に変えた以外は実施例1と
同様の方法を繰り返した。
同様の方法を繰り返した。
得られた陰極の曲率半径は0.3μmであった。
実施例3
パルスの数を1個から3個に変えた以外は実施例1と同
様の方法を繰り返した。
様の方法を繰り返した。
得られた陰極先端の曲率半径は0.3μmであった。
実施例4
試料としてXeアークイメージ加熱フローティングゾー
ン法によって育成した六ホウ化ランタン単結晶を用い、
さらに電解液として濃度63%の硝酸、濃度35%の塩
酸及び水を体積比で1:l:3に混合した液を使用した
以外は、実施例1と同様の方法を繰り返した。
ン法によって育成した六ホウ化ランタン単結晶を用い、
さらに電解液として濃度63%の硝酸、濃度35%の塩
酸及び水を体積比で1:l:3に混合した液を使用した
以外は、実施例1と同様の方法を繰り返した。
得られた陰極の先端は0018mの曲率半径であり、滑
らかな表面であった。
らかな表面であった。
実施例5
試料として高周波加熱フローティングゾーン法によって
育成したタングステン単結晶から0.2×0、2 X
4 ttmの角柱状に切り出したものを使用し、かつ電
解液として濃度20%の水酸化カリウム水溶液を使用し
た以外は、実施例1と同様の方法を繰り返した。
育成したタングステン単結晶から0.2×0、2 X
4 ttmの角柱状に切り出したものを使用し、かつ電
解液として濃度20%の水酸化カリウム水溶液を使用し
た以外は、実施例1と同様の方法を繰り返した。
得られた陰極の先端は0.1μmの曲率半径であり、滑
らかは表面であった。
らかは表面であった。
第1図は及び第2図は本発明を実施する装置の概略を示
す図であり、第3図及び第4図は、それぞれ、実施例1
の第1工程及び第2工程で得られた試料の先端の状態を
示す図である。 1・・・電子陰極用素材 2・・・リング状電極 3・・・電解液
す図であり、第3図及び第4図は、それぞれ、実施例1
の第1工程及び第2工程で得られた試料の先端の状態を
示す図である。 1・・・電子陰極用素材 2・・・リング状電極 3・・・電解液
Claims (1)
- 遷移金属炭化物、希土類ホウ化物及び高融点金属からな
る群から選ばれる電子陰極用素材を電解研磨法によって
尖鋭化する先端加工において、連続電流を流して偏平状
あるいは任意の曲率半径の先端を有する素材とする第1
工程、及び第1工程で得られる素材にパルス状の電流を
流して、先端を尖鋭化する第2工程からなる、電子陰極
用素材の先端尖鋭加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63221384A JPH0272535A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 電子陰極用素材の先端尖鋭加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63221384A JPH0272535A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 電子陰極用素材の先端尖鋭加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0272535A true JPH0272535A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16765932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63221384A Pending JPH0272535A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 電子陰極用素材の先端尖鋭加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0272535A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1566647A1 (en) * | 2004-02-23 | 2005-08-24 | Zyvex Corporation | Particle beam device probe operation |
US7196454B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-03-27 | Zyvex Corporation | Positioning device for microscopic motion |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5633818A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Fujitsu Ltd | Method for ion implantation |
JPS6132326A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Sony Corp | 電解研摩による針状体の形成方法 |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP63221384A patent/JPH0272535A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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JPS5633818A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Fujitsu Ltd | Method for ion implantation |
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US7196454B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-03-27 | Zyvex Corporation | Positioning device for microscopic motion |
EP1566647A1 (en) * | 2004-02-23 | 2005-08-24 | Zyvex Corporation | Particle beam device probe operation |
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