JPH0268977A - Semiconductor laser diode - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザダイオードに係り、特にその発光
波長の安定化に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a semiconductor laser diode, and particularly to stabilization of its emission wavelength.
（従来の技術）
半導体レーザダイオードは順方向電流により十分なキャ
リアを注入するという極めて簡単な方法で＠起すること
ができ、連続発振が可能であって、小型かつ軽量である
ことから、いろいろな分野での利用が注目されているデ
バイスである。(Prior technology) Semiconductor laser diodes can be activated by an extremely simple method of injecting sufficient carriers with a forward current, are capable of continuous oscillation, and are small and lightweight, so they can be used for various purposes. This is a device that is attracting attention for use in the field.
しかしながら、反転分布状態にまで励起するために必要
とする大電流密度に伴うジュール熱の影響により、寿命
が短くなったり、閾値電流密度の増大、発光出力の減少
、発光波長の変化、発光スペクトル幅の増大等の不都合
を招くことが多いという問題があった。However, due to the effects of Joule heating associated with the high current density required to excite the population to the population inversion state, the lifetime may be shortened, the threshold current density may increase, the emission output may decrease, the emission wavelength may change, and the emission spectrum width may decrease. There has been a problem in that this often leads to inconveniences such as an increase in
このため、温度制御が極めて重大な問題となっており、
ビスマステルル（８１２Ｔｅ３）系の熱電素子を用いた
ペルチエクーラ上に半導体レーザダイオードチップを設
置し、半導体レーザダイオードチップの冷却および恒温
化をはかるようにしたものが提案されている。また、さ
らに出力モニタ用フォトダイオードあるいはサーミスタ
等の温度検出素子を設置したものもある。For this reason, temperature control has become an extremely important issue.
It has been proposed that a semiconductor laser diode chip is placed on a Peltier cooler using a bismuth telluride (812Te3) based thermoelectric element to cool and maintain a constant temperature of the semiconductor laser diode chip. In addition, some devices are further equipped with a temperature detection element such as a photodiode for output monitoring or a thermistor.
しかしながら、このようにペルチエクーラ上に半導体レ
ーザダイオードチップ笠をマウントする構造のちのは、
通常セラミック基板等の支持台上にレーザダイオードチ
ップ、フォトダイオード等をマウン１〜することによっ
て構成される。このため、熱応答性が悪く良好な発光特
性を得ることが困難である上、組み立て工程が繁雑であ
る等の問題があった。However, after the structure in which the semiconductor laser diode chip cap is mounted on the Peltier cooler,
It is usually constructed by mounting a laser diode chip, a photodiode, etc. on a support such as a ceramic substrate. For this reason, there have been problems such as poor thermal response and difficulty in obtaining good light emitting characteristics, as well as a complicated assembly process.
このような問題点を解決するため、第５図に示すように
、レーザダイオードＬを構成するｎ型ガリウムヒ素（Ｇ
ａ Ａ ｓ ） ｉ板１の裏面側に第３の電極２を形
成しこの日型ガリウムヒ素基板１と第３の電極２を構成
する金属との接合によるベルチェ効果を利用したペルチ
エクーラＣを形成し、小形化および発光特性の向上をは
かるようにしたレザ装置も提案されている（ジャーナル
オブライトウエーブテクノロジーＬＴ−２第２号 １９
８４年４月 第１７５ベージ Ｊｏｕｒｎａ １ｏｆ
Ｌｉｑｈｔ ｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ。In order to solve these problems, as shown in Fig. 5, n-type gallium arsenide (G
aA s) A third electrode 2 is formed on the back side of the i-board 1, and a Peltier cooler C is formed using the Bertier effect by bonding this day-type gallium arsenide substrate 1 and the metal constituting the third electrode 2. However, a laser device that is smaller and has improved light emission characteristics has also been proposed (Journal of Lightwave Technology LT-2 No. 2 19
April 1984 175th page Journa 1of
Liqht wave technology.
ＱＶ ＶＯＩ ＬＴ Ｎｏ、２ Ａｐ
ｒｌ＋ １９８４ ｐｐ、１７５） 。QV VOI LT No. 2 Ap
rl+ 1984 pp, 175).
（発明が解決しようとする課題）
しかし、このようなレーザＨｆｆｉでは、ペルチエクー
ラを構成する熱雷素子が半導体−金属間の接合を利用し
たものであり、この第３の電極を断熱状態にすることは
できないため、リード線からの熱流入によって十分な冷
却効果を得ることができず、実用に供し得る程度のもの
ではなかった。(Problem to be Solved by the Invention) However, in such a laser Hffi, the thermal lightning element constituting the Peltier cooler uses a semiconductor-metal junction, and this third electrode is brought into a heat-insulating state. Therefore, it was not possible to obtain a sufficient cooling effect due to heat inflow from the lead wires, and the result was not of a level that could be put to practical use.
また、レーザダイオードのｎ型ガリウムヒ素基板のキセ
リア濃度が、熱雷素子としての最適キャリア濃度と一致
していないため、発光特性を良好に保ちつつ、冷却効果
を高めることは困難であった。Furthermore, since the xeria concentration of the n-type gallium arsenide substrate of the laser diode does not match the optimum carrier concentration for the thermal lightning element, it has been difficult to enhance the cooling effect while maintaining good light emission characteristics.
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、発光波長
が安定でかつ長寿命のレーザダイオード装置を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a laser diode device with a stable emission wavelength and long life.
〔発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
そこで本発明では、半導体基板の一方の面にレザダイオ
ードを形成すると共に、他方の面にペルチエクーラ用の
ｐｎ素子対を形成するようにしている。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) Therefore, in the present invention, a laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and a pn element pair for a Peltier cooler is formed on the other surface. ing.
また、本発明では、レーザダイオードを形成する半導体
基板上に温度検出用の熱電素子を形成している。Furthermore, in the present invention, a thermoelectric element for temperature detection is formed on the semiconductor substrate on which the laser diode is formed.
（作用）
上記構成によれば、レーザダイオードとペルチエクーラ
とは一体化されていながら、電気的には独立であるため
、それぞれに最適のキャリア濃度Ｊ＞よび熱伝導度を持
つように調整することができ、発光特性を犠牲にづるこ
となく、冷却性能を上げることができるうえ、熱応答性
が極めて良好である。(Function) According to the above configuration, although the laser diode and the Peltier cooler are integrated, they are electrically independent, so they can be adjusted to have the optimum carrier concentration J> and thermal conductivity for each. This makes it possible to improve cooling performance without sacrificing light emitting properties, and it also has extremely good thermal response.
また、リード線から外部の熱を吸収するという問題も解
決することができる。Moreover, the problem of absorbing external heat from the lead wires can also be solved.
さらにまた、レーザダイオードを形成する半導体基板上
に温度検出用のＰＩＡ電素子を形成しているため、熱容
但体となるような物体を介することなく温度検出をおこ
なうことができ、高精度の発光制御が可能となる
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。Furthermore, since the PIA electronic element for temperature detection is formed on the semiconductor substrate that forms the laser diode, temperature detection can be performed without using an object such as a heat container, and high precision can be achieved. Light emission control becomes possible (Example) Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
このレーザダイオード装置は、第１図に示す如く、ｎ型
のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１０の表面側に、ベル
チェ効果を用いた熱電素子対からなるペルチエクーラ部
Ｃを形成すると共に、裏面側にホモ接合型レーザダイオ
ードからなるレーザダイオード部りを形成してなる集ｇ
１装置である。As shown in FIG. 1, this laser diode device has a Peltier cooler section C consisting of a pair of thermoelectric elements using the Bertier effect formed on the front side of an n-type gallium arsenide (GaAs) substrate 10, and a Peltier cooler section C formed on the back side. A collection formed by forming a laser diode section consisting of a homojunction laser diode
1 device.
このペルチエクーラ部Ｃは、ｎ型ガリウムヒ素基板１０
の表面に形成された第３の電極１１上に並設されたｐ型
ガリウムアルミニウムヒ素（ＧａＡＩＡｓ）ｔＷ１３ｐ
およびｎ型ガリウムアルミニウムとｉｌ？１ｆｆ１３ｎ
と、これらの上層にそれぞれ形成された電極とから構成
されている。This Peltier cooler section C includes an n-type gallium arsenide substrate 10
P-type gallium aluminum arsenide (GaAIAs) tW13p arranged in parallel on the third electrode 11 formed on the surface of
and n-type gallium aluminum and il? 1ff13n
and electrodes formed respectively on the upper layer thereof.
ざらにレーザダイオード部りは、ｎ型ガリウムヒ素基板
１０の裏面側からエピタキシャル成長によって形成した
ｎ型ガリウムアルミニウムヒ素層２２およびｐ型ガリウ
ムアルミニウムヒ素層２３と第１の電極２１および第２
の電極２４とから構成されており、第１および第２の電
極からの電流供給によりレーザ発振を行うようにしたも
のである。Roughly speaking, the laser diode part consists of an n-type gallium aluminum arsenide layer 22 and a p-type gallium aluminum arsenide layer 23 formed by epitaxial growth from the back side of an n-type gallium arsenide substrate 10, a first electrode 21, and a second electrode.
24, and laser oscillation is performed by supplying current from the first and second electrodes.
次に、このレーザダイオードの製造工程について説明す
る。Next, the manufacturing process of this laser diode will be explained.
まず、第２図（ａ）に示すごとく、比抵抗１０６Ωｃｔ
ｎ厚さ１５０４ｍのｎ型ガリウムヒ素基板１０の両面を
十分に研磨し、一方の而に第３の電極としての金（Ａｕ
）薄膜１１を蒸着する。First, as shown in Figure 2(a), the specific resistance is 106Ωct.
Both sides of the n-type gallium arsenide substrate 10 with a thickness of 1504 m are thoroughly polished, and one side is polished with gold (Au) as the third electrode.
) Depositing a thin film 11.
次いで、第２図（−ｂ）に示すごとく、この金薄膜１１
の上半分に亜ｖＪ（Ｚｎ）薄膜１２ａ１残り半分にゲル
マニウム（Ｇｅ）ｉＪ膜１２ｂを蒸着し、アニールする
。ここで亜鉛薄膜１２ａ１ゲルマニウム薄膜１２ｂを形
成するのは、それぞれこの上層に形成される９層および
ｎ層とのオーミック接触性を高めるためである。Next, as shown in FIG. 2(-b), this gold thin film 11
A sub-vJ (Zn) thin film 12a1 is deposited on the upper half of the substrate, and a germanium (Ge) iJ film 12b is deposited on the remaining half, and annealed. The reason why the zinc thin film 12a and the germanium thin film 12b are formed here is to improve ohmic contact with the 9th layer and the n layer formed above, respectively.
次に、第２図（Ｃ）に示すごとく、この上層に液層エピ
タキシー＜ＬＰＥ）法により高抵抗の高抵抗のｉ型ガリ
ウムアルミニウムヒ素（ＧａＡＡＳ）層１３を形成する
。このＧａＡｌＡｓ層はＧ ａ １−ｘ Ａ Ｉ ｘＡ
ｓにおいてＸ〜０．５となるような組成を持つように
する。この溶容体の熱伝導度は〜ＩＷ／に−ｍ程度に低
くすることができる。Next, as shown in FIG. 2C, a high-resistance i-type gallium aluminum arsenide (GaAAS) layer 13 is formed on this upper layer by liquid layer epitaxy (LPE). This GaAlAs layer is Ga 1-x A I xA
It is made to have a composition such that X~0.5 in s. The thermal conductivity of this melt body can be as low as ~IW/-m.
このため、ペルチエクーラの性能指数を大幅に向上する
ことができる。Therefore, the performance index of the Peltier cooler can be significantly improved.
この後、第２図（（１）に示すごとく、亜鉛薄膜１２ａ
によびゲルマニウム簿膜１２ｂ上に、それぞれに境界域
上を除いて、１項次不純物拡散を行い、ｐ型ガリウムア
ルミニウムヒ素ＩＷ１３ｐおよびｎ型ガリウムアルミニ
ウムヒ素１ｍ １３ ｎを形成する。After this, as shown in FIG. 2 ((1), the zinc thin film 12a
First-order impurity diffusion is performed on the germanium film 12b, except on the boundary region, to form p-type gallium aluminum arsenide IW13p and n-type gallium aluminum arsenide 1m 13n.
このときのキャリア濃度は８×１０１８／Ｃｄとする。The carrier concentration at this time is 8×10 18 /Cd.
そして亜鉛薄膜１２ａとゲルマニウム薄膜１２ｂとの境
界域上には不純物拡散を行わず、高抵抗のｉ型ガリウム
アルミニウムヒ素ｍ１３ｉとする。Impurity diffusion is not performed on the boundary region between the zinc thin film 12a and the germanium thin film 12b, and high resistance i-type gallium aluminum arsenide m13i is used.
続いて、第２図（ｅ）に示すごとく、このｐ型ガリウム
アルミニウムヒ素層１３ｐおよびｎ型ガリウムアルミニ
ウムヒ素１ｉ１１３ｎ上にそれぞれ金亜鉛薄膜１４ａお
よび金ゲルマニウム薄膜１４ｂとからなるオーミック電
極１４を形成し、ペルチエクーラ部Ｃが完成する。Subsequently, as shown in FIG. 2(e), an ohmic electrode 14 consisting of a gold-zinc thin film 14a and a gold-germanium thin film 14b is formed on the p-type gallium aluminum arsenide layer 13p and the n-type gallium aluminum arsenide 1i113n, respectively. Peltier cooler section C is completed.
次に、第２図（ｆ）に示すごとく、このｎ型ガリウムヒ
素基板１０のもう一方の面に、蒸着法により金ゲルマニ
ウムニッケル（ＡｕＧｅＮ ｉ ）ｕ膜２１を堆積し、
７７ｒトリソ法によりパターンニングして第１の電極を
形成する。Next, as shown in FIG. 2(f), a gold germanium nickel (AuGeN i ) u film 21 is deposited on the other surface of this n-type gallium arsenide substrate 10 by a vapor deposition method.
A first electrode is formed by patterning using a 77r trilithography method.
さらに、第２図（ｇ）に示すごとく、この第１の電極か
ら露呈するｎ型ガリウムヒ素基板１０の表面に、ＬＰＥ
法により、ｎ型ガリウムアルミニウムヒ素層２２および
ｐ型ガリウムアルミニウムヒ素層２３を形成する。この
ときのキャリア濃度はそれぞれ１０１８〜１０１９／ｃ
ＩＩとする。Furthermore, as shown in FIG. 2(g), LPE is applied to the surface of the n-type gallium arsenide substrate 10 exposed from this first electrode.
An n-type gallium aluminum arsenide layer 22 and a p-type gallium aluminum arsenide layer 23 are formed by the method. The carrier concentration at this time is 1018 to 1019/c, respectively.
II.
最後に、第２図（ｈ）に示すごとく、こ６のｐ型ガリウ
ムアルミニウムヒ素層２３上に金亜鉛薄膜２４を蒸着し
、第２の電極を形成したのち、更にこの第２の電極から
ｐ型ガリウムアルミニウムヒ素層２３およびｎ型ガリウ
ムアルミニウムヒ素層２２までメサエッチングをおこな
い、メサ型に加工し、レーザダイオード部りが完成する
。Finally, as shown in FIG. 2(h), a gold-zinc thin film 24 is vapor-deposited on the p-type gallium aluminum arsenide layer 23 to form a second electrode. Mesa etching is performed up to the type gallium aluminum arsenide layer 23 and the n type gallium aluminum arsenide layer 22 to form a mesa shape, thereby completing the laser diode portion.
このようにして形成されたレーザダイオード装置のペル
チエクーラ部の、電流−温度特性を第３図に示す。ここ
で縦軸は、ペルチエクーラの高温部と低温部との温度差
Δ丁、横軸は電流とした。FIG. 3 shows the current-temperature characteristics of the Peltier cooler section of the laser diode device thus formed. Here, the vertical axis represents the temperature difference ΔT between the high-temperature part and the low-temperature part of the Peltier cooler, and the horizontal axis represents the current.
この図からも明らかなように、第５図に示した従来のレ
ーザダイオード装置のペルチエクーラに比べ一桁以上の
改善がなされていることがわかる。As is clear from this figure, it can be seen that the Peltier cooler of the conventional laser diode device shown in FIG. 5 has been improved by more than one order of magnitude.
そして温度変化に対する発光波長の変化は０゜０４ ｎ
ｉ／ ’Ｃとなり、通常のへき開面反射型レーザダイオ
ードの場合の０．３ｎｌ′！ｌ／℃に比べ、大幅に改善
され、安定となっていることがわかる。これは、分布帰
還型レーザダイオードの場合と同程度の結果である。And the change in emission wavelength with respect to temperature change is 0°04 n
i/'C, which is 0.3nl' for a normal cleavage plane reflection laser diode! It can be seen that this is significantly improved and stable compared to l/°C. This result is comparable to that of a distributed feedback laser diode.
さらにまた、環境温度の変化に対しても閾値電流の変化
は観測されず、安定であった。Furthermore, no change in threshold current was observed with respect to changes in environmental temperature, and it was stable.
このように、従来の冷却手段では極低温下で連続駆動す
ることは困難であったのに対し、上述の如く、冷却手段
を用いることにより極めてコンパクトで特性が良好で長
時間にわたる連続駆動の可能なレーザダイオード装置を
得ることができる。In this way, it has been difficult to operate continuously at extremely low temperatures with conventional cooling means, but as mentioned above, by using cooling means, it is extremely compact, has good characteristics, and can be operated continuously for long periods of time. It is possible to obtain a laser diode device with a high degree of accuracy.
次に、本発明の第２の実施例として、感温素子を同一基
板上に形成したレーザダイオード装置について説明する
。Next, as a second embodiment of the present invention, a laser diode device in which a temperature sensing element is formed on the same substrate will be described.
このレーザダイオード装置は、第４図に示すように、前
記実施例で示したペルチエクーラ部に替えて、＠温素子
として熱電素子対からなるゼーベック素子Ｚを形成した
ものである。In this laser diode device, as shown in FIG. 4, a Seebeck element Z consisting of a pair of thermoelectric elements is formed as a hot element in place of the Peltier cooler section shown in the above embodiment.
このゼーベック素子は、前記ペルチエクーラ部と同様に
して形成され、＠造も類似しており、ｎ型ガリウムヒ素
基板１０の表面に形成された第３の電・湿３１上に並設
されたｐ型ガリウムアルミニウムヒ素ｔ１３３ｐおよび
ｎ型ガリウムアルミニウムヒ素層３３ｎと、これらの１
岡にそれぞれ形成された電極とから構成されている。This Seebeck element is formed in the same manner as the Peltier cooler section, and is also similar in structure, and is formed in parallel on the third electric/humidifier 31 formed on the surface of the n-type gallium arsenide substrate 10. type gallium aluminum arsenide t133p and n-type gallium aluminum arsenide layer 33n, and these 1
It consists of electrodes formed on each side.
製造に際しても、前記実施例と同様にすればよい。The manufacturing process may be carried out in the same manner as in the above embodiment.
ただし、このｐ幇ガリウムアルミニウムヒ素層３３ｐお
よびｎ型ガリウムアルミニウムヒ素層３３ｎのキャリア
濃度は２ 、５ Ｘ １０”／ｃｍとする。However, the carrier concentration of the p-type gallium aluminum arsenide layer 33p and the n-type gallium aluminum arsenide layer 33n is 2.5 x 10''/cm.
このようにして形成されたゼーベック素子の感度は１３
０２μＶ／”Ｃであった。これはタロメルコンスタンタ
ン熱雷対の感度２０μＶ ／ ”Ｃの２０倍に相当する
。The sensitivity of the Seebeck element formed in this way is 13
02 μV/”C. This corresponds to 20 times the sensitivity of the talomerconstantan thermal lightning pair, which is 20 μV/”C.
このｔ？−ベック素子による温度検出によってレーザダ
イオードへの電流供給を調節するあるいはｆｆｌ境温度
の冷却をはかるようにすれば、安定な出力波長を長期に
わたって得ることが可能となる。This t? - By adjusting the current supply to the laser diode or cooling the ffl boundary temperature by temperature detection using a Beck element, it becomes possible to obtain a stable output wavelength over a long period of time.
なお、ゼーベック素子およびペルチエクーラの両方をレ
ーザダイオードと同一基板上に形成すればなおよいこと
はいうまでもない。It goes without saying that it is even better if both the Seebeck element and the Peltier cooler are formed on the same substrate as the laser diode.
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明によれば、半導体基板
の一方の面にレーザダイオードを形成すると共に、他方
の面にペルチエクーラ用のｐ ｎ素子対を形成するよう
にしているため、高精度の発光制御が可能となる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and a pn element pair for a Peltier cooler is formed on the other surface. This makes it possible to control light emission with high precision.
また、本発明では、レーザダイオードを形成する半導体
基板上に温度検出用のＰ、型素子を形成しているため、
熱応答性が良好となり、高粘度の発光制御が可能となる
。Furthermore, in the present invention, since the P type element for temperature detection is formed on the semiconductor substrate forming the laser diode,
Thermal responsiveness is improved and high viscosity light emission control becomes possible.
第１図は本発明実施例のレーザダイオードＨｆ１ｆｆを
示す図、第２図（ａ）乃至第２図（ｈ）は同レーザダイ
オード装置の製造工程図、第３図はこのレザダイオード
装置のペルチエクーラ部の電流−温度特性を示す図、第
４図は本発明の第２の実施例のレーザダイオード装置を
示す図、第５図は従来例のレーザダイオード装置を示す
図である。
１・・・ｎ型ガリウムヒ素基板、２・・・第３の電極、
１０・・・ｎ型のガリウムヒ素基板、Ｃ・・・ペルチエ
クーラ部、Ｌ・・・レーザダイオード部、１１・・・第
３の電極、１２ａ・・・亜鉛薄膜、１２ｂ・・・ゲルマ
ニウム薄膜、１３ｐ・・・ｐ型ガリウムアルミニウムヒ
素層、１３ｎ・・・ｎ型ガリウムアルミニウムヒ素層、
１３ｉ・・・ｉ型ガリウムアルミニウムヒ素層、１４ａ
・・・金亜鉛薄膜、１４ｂ・・・金ゲルマニウム簿膜、
１４・・・オーミック電極、２１・・・第１の電極、２
２・・・ｎ型ガリウムアルミニウムヒ素層、２３・・・
ｐ型ガリウムアルミニウムヒ素層、２４・・・第２の電
極、３１・・・第３の電極、３３ｐ・・・ｐ型ガリウム
アルミニウムヒ素層、３３ｎ・・・ｎ型ガリウムアルミ
ニウムヒ素層。
第１
図
第２図（ｈ）
第３図
第４図
第５図FIG. 1 is a diagram showing a laser diode Hf1ff according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2(a) to 2(h) are manufacturing process diagrams of the same laser diode device, and FIG. 3 is a Peltier cooler of this laser diode device. FIG. 4 is a diagram showing a laser diode device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing a conventional laser diode device. 1... N-type gallium arsenide substrate, 2... Third electrode,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... N-type gallium arsenide substrate, C... Peltier cooler part, L... Laser diode part, 11... Third electrode, 12a... Zinc thin film, 12b... Germanium thin film, 13p...p-type gallium aluminum arsenide layer, 13n...n-type gallium aluminum arsenide layer,
13i...i-type gallium aluminum arsenide layer, 14a
...Gold-zinc thin film, 14b...Gold-germanium film,
14... Ohmic electrode, 21... First electrode, 2
2... n-type gallium aluminum arsenide layer, 23...
p-type gallium aluminum arsenide layer, 24... second electrode, 31... third electrode, 33p... p-type gallium aluminum arsenide layer, 33n... n-type gallium aluminum arsenide layer. Figure 1 Figure 2 (h) Figure 3 Figure 4 Figure 5
Claims (3)
すると共に他方の面にペルチエクーラを形成してなるこ
とを特徴とする半導体レーザダイオード。(1) A semiconductor laser diode characterized in that a laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate and a Peltier cooler is formed on the other surface.
出を行うようにしたことを特徴とする請求項（１）に記
載の半導体レーザダイオード。(2) The semiconductor laser diode according to claim (1), wherein a pn junction is formed on the semiconductor substrate to detect temperature.
板上に、ｐ−ｎ接合を形成し、温度検出を行うようにし
たことを特徴とする半導体レーザダイオード。(3) A semiconductor laser diode characterized in that a pn junction is formed on the same substrate as the semiconductor substrate constituting the laser diode, and temperature detection is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22157788A JPH0268977A (en) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | Semiconductor laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22157788A JPH0268977A (en) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | Semiconductor laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268977A true JPH0268977A (en) | 1990-03-08 |
Family
ID=16768921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22157788A Pending JPH0268977A (en) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | Semiconductor laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0268977A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001032620A (en) * | 1999-07-05 | 2001-02-06 | Interlock Group Ltd | Window operating device |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22157788A patent/JPH0268977A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001032620A (en) * | 1999-07-05 | 2001-02-06 | Interlock Group Ltd | Window operating device |
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