JPH0255981B2 - - Google Patents

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JPH0255981B2
JPH0255981B2 JP56205075A JP20507581A JPH0255981B2 JP H0255981 B2 JPH0255981 B2 JP H0255981B2 JP 56205075 A JP56205075 A JP 56205075A JP 20507581 A JP20507581 A JP 20507581A JP H0255981 B2 JPH0255981 B2 JP H0255981B2
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JP
Japan
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circuit
semiconductor switch
signal
gate
delay
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JP56205075A
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Japanese (ja)
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Inventor
Hiroyasu Uehara
Mutsuo Kataoka
Yasunobu Inabe
Kanji Mukai
Mitsuo Matsuyama
Kenzo Hasegawa
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M3/00Automatic or semi-automatic exchanges
    • H04M3/02Calling substations, e.g. by ringing
    • H04M3/06Calling substations, e.g. by ringing the calling signal being supplied from the subscriber's line circuit

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Devices For Supply Of Signal Current (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電話交換機の加入者回路に係り、特
に加入者線路を介して加入者端末に呼出し信号を
送出する呼出し信号送出回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a subscriber circuit of a telephone exchange, and more particularly to a paging signal sending circuit that sends a paging signal to a subscriber terminal via a subscriber line.

(従来の技術) 第1図は、従来の呼出し信号送出回路の1例を
示す回路図である。加入者端末1には加入者線路
2を介して電流供給回路3から直流電流が供給さ
れている。加入者端末1への音声情報等の信号の
授受は加入者線路2および電流供給回路3を介し
て図示しない交換機本体との間でなされる。
(Prior Art) FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional calling signal sending circuit. DC current is supplied to the subscriber terminal 1 from a current supply circuit 3 via a subscriber line 2. Signals such as voice information are sent to and received from the subscriber terminal 1 via the subscriber line 2 and the current supply circuit 3 with the exchange main body (not shown).

一方、加入者端末1へ音声情報の信号の授受に
先立つて、呼出し信号を送出するために抵抗R1
スイツチ4を介して呼出し信号源5が一方の線路
6に、抵抗R2を介して負の電源7が他方の線路
8に接続されている。スイツチ4は、呼出し信号
源5と地気とを相互に切換えるように動作するト
ランスフア接点を有している。
On the other hand, in order to send out a paging signal prior to transmitting and receiving the voice information signal to the subscriber terminal 1, a resistor R 1 ,
A ringing signal source 5 is connected to one line 6 via a switch 4, and a negative power supply 7 is connected to the other line 8 via a resistor R2 . The switch 4 has transfer contacts operative to switch between the paging signal source 5 and the ground air.

第2図は、加入者端末1への呼出し信号の送出
状態を示す波形図で、地気を送出する期間9と交
流信号すなわち呼出し信号を送出する期間10と
から成つており、両期間の組合せを適当に選択す
ることにより各種の呼出し信号を実現している。
FIG. 2 is a waveform diagram showing the state of transmission of a paging signal to the subscriber terminal 1, which consists of a period 9 for transmitting earth air and a period 10 for transmitting an alternating current signal, that is, a paging signal, and a combination of both periods. Various call signals are realized by appropriately selecting .

(発明が解決しようとする課題) このような従来の呼出し信号送出回路におい
て、スイツチ4が呼出し信号源5から地気側に切
換わる際に、一定期間線路6は抵抗R1を介して
呼出し信号源5にも、地気にも接続されない状態
が生ずる。その際加入者線路2や加入者端末1な
どの呼出し信号源5と電気的に直前まで導通があ
つた部分には、スイツチ4が開放された時点にお
ける呼出し信号源5の電圧が残存することにな
る。この残存電圧は加入者線路2等の図示しない
リングトリツプ回路を含むリーク抵抗により徐々
に放電を開始するので極めて直流に近い周波数成
分を持つ。このため、抵抗R1の両端に接続され、
かつこの両端の電圧が一定の値を越えたときに動
作して呼出し信号を停止させる図示しないリング
トリツプ回路を誤まつて動作させてしまうという
欠点を有していた。
(Problem to be Solved by the Invention) In such a conventional calling signal sending circuit, when the switch 4 switches from the calling signal source 5 to the earth side, the line 6 transmits the calling signal via the resistor R1 for a certain period of time. A situation arises in which neither the power source 5 nor the earth is connected. At that time, the voltage of the paging signal source 5 at the time the switch 4 was opened remains in the part of the subscriber line 2 or the subscriber terminal 1 that was electrically connected to the paging signal source 5 until just before. Become. This residual voltage gradually starts discharging due to a leak resistance including a ring trip circuit (not shown) in the subscriber line 2, etc., and therefore has a frequency component extremely close to direct current. For this reason, it is connected across the resistor R 1 ,
Moreover, it has the disadvantage that a ring trip circuit (not shown), which is activated and stops the ringing signal when the voltage at both ends thereof exceeds a certain value, may be erroneously activated.

このようにスイツチ4の接点が呼出し信号源5
と地気とのいずれにも接続されない状態をなく
し、しかも小型化を実現するために、電流自己保
持機能を有する半導体スイツチが用いられること
もあつた。しかし、このような電流自己保持機能
を有する半導体スイツチを用いて交互に開放、閉
成動作を行つて2つの信号を切換えるとその切換
えの際、一定期間両者の信号が同時に印加されて
しまう状態が生ずる。
In this way, the contact of the switch 4 is connected to the calling signal source 5.
In order to eliminate the situation where the device is not connected to the earth and the earth, and to achieve miniaturization, semiconductor switches with a self-current holding function were sometimes used. However, when a semiconductor switch with such a current self-holding function is used to alternately open and close two signals to switch between them, a situation occurs in which both signals are simultaneously applied for a certain period of time. arise.

即ち、呼出し信号送出回路の場合には、呼出し
信号と地気信号とが低インピーダンスで短絡され
た形で衝突し、半導体スイツチを破壊させてしま
うという欠点を有していた。
That is, in the case of a calling signal sending circuit, the calling signal and the earth signal collide with each other in a short-circuited state with low impedance, resulting in destruction of the semiconductor switch.

また、従来の回路で、呼出し信号を送出するた
めのスイツチ4として機械接点を有する電磁部品
を使用した場合、駆動時の電力が大きく、しかも
他部品を含めての集積化が困難であつた。
Further, in the conventional circuit, when an electromagnetic component having a mechanical contact is used as the switch 4 for sending out a calling signal, the power required for driving is large, and furthermore, it is difficult to integrate the switch 4 with other components.

本発明の目的は、どのようなタイミングで呼出
し信号の休止を行なつても、直前まで呼出し信号
源と電気的に導通があつた部分を地気以外の電位
に帯電させず、しかも呼出し信号と地気信号との
衝突を回避し、かつ集積化に適した構成を有する
呼出し信号送出回路を提供するにある。
An object of the present invention is to prevent the parts that were electrically connected to the calling signal source until just before from being charged to a potential other than the earth's potential, even if the calling signal is stopped at any timing. It is an object of the present invention to provide a calling signal sending circuit which avoids collision with earth signals and has a configuration suitable for integration.

(課題を解決するための手段) 本発明においては上記の目的を達成するため
に、逆並列接続したpnpnトランジスタ等の電流
自己保持機能を有する一対の半導体素子をスイツ
チとして用い、この一対の半導体スイツチの開閉
状態を検出する検出回路と、この検出回路からの
信号を前記半導体スイツチのターンオフ時間より
も長い時間を持つて遅延させる遅延回路と、この
遅延回路の出力に応答して前記一対の半導体スイ
ツチの相互に一方が開放状態にある期間に他方を
閉成させる排他動作回路とを設けた。
(Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, the present invention uses a pair of semiconductor elements having a current self-holding function such as pnpn transistors connected in antiparallel as a switch, and a detection circuit for detecting the open/closed state of the semiconductor switch; a delay circuit for delaying a signal from the detection circuit by a time longer than the turn-off time of the semiconductor switch; An exclusive operation circuit is provided which closes the other during a period when one of the two is in an open state.

(実施例) 以下、本発明を実施例の図面に基づいて詳細に
説明する。
(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on drawings of examples.

第3図は、本発明の一実施例を示す回路図であ
る。なお以下の図面においては、第1図において
示したと同一部分は同一符号を付して示し、その
説明は省略する。
FIG. 3 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. In the following drawings, the same parts as shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.

11,12はそれぞれ電流自己保持機能を有す
る半導体スイツチで、一対となつて第1図に示し
たスイツチ4に対応するものである。本実施例に
おいては半導体スイツチ11,12はそれぞれ
pnpnトランジスタ11a,11bおよび12a,
12bを逆並列接続して構成している。13は排
他動作回路で、半導体スイツチ11を駆動する第
1ゲート駆動回路13a、半導体スイツチ12を
駆動する第2ゲート駆動回路13b、検出回路1
5、第1遅延ゲート回路21、第2遅延ゲート回
路38および制御回路14とから構成される。
Reference numerals 11 and 12 each designate a semiconductor switch having a current self-holding function, which corresponds to the switch 4 shown in FIG. 1 as a pair. In this embodiment, the semiconductor switches 11 and 12 are
pnpn transistors 11a, 11b and 12a,
12b are connected in antiparallel. 13 is an exclusive operation circuit, which includes a first gate drive circuit 13a that drives the semiconductor switch 11, a second gate drive circuit 13b that drives the semiconductor switch 12, and a detection circuit 1.
5, the first delay gate circuit 21, the second delay gate circuit 38, and the control circuit 14.

検出回路15は、半導体スイツチ11,12の
開放、閉成状態を検出し、その状態を制御回路1
4に伝達する。制御回路14からの制御信号は制
御端子20からの制御信号とともに第1遅延ゲー
ト回路21を介して第1ゲート駆動回路13a
へ、第2遅延ゲート回路38を介して第2ゲート
駆動回路13bへそれぞれ伝達される。
The detection circuit 15 detects the open and closed states of the semiconductor switches 11 and 12, and transmits the states to the control circuit 1.
4. The control signal from the control circuit 14 is sent to the first gate drive circuit 13a via the first delay gate circuit 21 together with the control signal from the control terminal 20.
and are transmitted to the second gate drive circuit 13b via the second delay gate circuit 38, respectively.

第4図は、本実施例の動作を説明するための波
形図である。以下、第3図、第4図に基づいて本
実施例の動作を説明する。
FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of this embodiment. The operation of this embodiment will be explained below based on FIGS. 3 and 4.

加入者端末1への呼出し信号送出時には、制御
端子20から第4図Aに示すようなタイミンング
を有する制御信号Tcontを排他動作回路13に加
える。
When sending a paging signal to the subscriber terminal 1, a control signal Tcont having the timing shown in FIG. 4A is applied from the control terminal 20 to the exclusive operation circuit 13.

この制御信号Tcontの低レベル入力電圧が、半
導体スイツチ11をON、12をOFF、高レベル
入力電圧が、半導体スイツチ11をOFF、12
をONに対応させる制御端子入力に対する制御回
路出力情報〔第4図BのT11〕と、検出回路か
らの半導体スイツチ11に対応する検出回路15
からの出力情報〔第4図CのT12〕を、第1遅
延ゲート回路21に入力し、第1遅延ゲート出力
情報〔第4図DのT13〕を得て、これを第1ゲ
ート駆動回路13aにより波形整形を行ない、第
1ゲート駆動出力情報〔第4図EのT14とFの
T15〕を得る。
The low level input voltage of this control signal Tcont turns the semiconductor switch 11 ON and 12 OFF, and the high level input voltage turns the semiconductor switch 11 OFF and 12.
The control circuit output information corresponding to the control terminal input corresponding to ON (T11 in FIG. 4B) and the detection circuit 15 corresponding to the semiconductor switch 11 from the detection circuit
The output information [T12 in FIG. 4C] is inputted to the first delay gate circuit 21 to obtain the first delay gate output information [T13 in FIG. Waveform shaping is performed by the following, and first gate drive output information [T14 in FIG. 4E and T15 in F] is obtained.

このとき前記T11またはT13は、CR等の
積分時間の設定により、検出回路15からの半導
体スイツチ11に対応する出力情報変化点〔第4
図Cに示す半導体スイツチ12のターンオフ時
間〕よりも動作時間を遅らせ〔第4図D〕、第1
ゲート駆動回路出力情報〔第4図E,F〕の波形
整形出力を、半導体スイツチ11のゲートに入力
し、動作を行なわせる。さらに、この動作によ
り、検出回路15に半導体スイツチ11のON情
報が伝達され、検出回路15から半導体スイツチ
12に対応する出力情報T22〔第4図H〕が出
力される。
At this time, T11 or T13 is the output information change point [fourth
The operation time is delayed compared to the turn-off time of the semiconductor switch 12 shown in FIG.
The waveform-shaped output of the gate drive circuit output information [FIG. 4 E, F] is input to the gate of the semiconductor switch 11 to cause it to operate. Furthermore, by this operation, ON information of the semiconductor switch 11 is transmitted to the detection circuit 15, and output information T22 (FIG. 4H) corresponding to the semiconductor switch 12 is outputted from the detection circuit 15.

そして、制御端子入力に対する制御回路出力情
報〔第4図GのT21〕と検出回路15からの半
導体スイツチ12に対応する前記出力情報〔第4
図HのT22〕を、第2遅延ゲート回路38に入
力し、第2遅延ゲート出力情報〔第4図IのT2
3〕を得て、これを第2駆動ゲート回路13bに
より、波形整形を行ない、第2駆動回路出力情報
〔第4図JのT24〕を得る。
Then, the control circuit output information corresponding to the control terminal input [T21 in FIG. 4G] and the output information corresponding to the semiconductor switch 12 from the detection circuit 15 [the fourth
T22 in FIG. H] is input to the second delay gate circuit 38, and the second delay gate output information [T2 in FIG.
3] is waveform-shaped by the second drive gate circuit 13b to obtain second drive circuit output information [T24 in FIG. 4J].

このとき、前記T21またはT23は、CR等
の積分時間の設定により、検出回路からの半導体
スイツチ12に対応する出力情報変化点〔第4図
Hに示す半導体スイツチ11のターンオフ時間〕
より動作時間を遅らせる〔第4図I〕。
At this time, T21 or T23 is a change point of the output information corresponding to the semiconductor switch 12 from the detection circuit by setting the integration time of CR etc. [the turn-off time of the semiconductor switch 11 shown in FIG. 4H]
The operation time is further delayed [Fig. 4 I].

第2ゲート駆動回路出力情報〔第4図J〕の波
形整形出力を半導体スイツチ12のゲートに入力
し、動作を行なわせる。
The waveform-shaped output of the second gate drive circuit output information [FIG. 4J] is input to the gate of the semiconductor switch 12, and the semiconductor switch 12 is operated.

さらに、この動作により、検出回路15に、半
導体スイツチ12のON情報が伝達され、前記T
12が検出回路15から出力されるので、前記制
御端子入力電圧〔第4図A Tcont〕に対応し
て、排他動作を行なうことができ、出力端子28
に、出力電圧〔第4図LのTout〕を得る。
Further, due to this operation, ON information of the semiconductor switch 12 is transmitted to the detection circuit 15, and the T
12 is output from the detection circuit 15, an exclusive operation can be performed corresponding to the control terminal input voltage [FIG. 4 A Tcont], and the output terminal 28
Then, the output voltage [Tout in Figure 4 L] is obtained.

つまり、第1ゲート駆動回路出力がONしてい
る間は、半導体スイツチ11がON、半導体スイ
ツチ12がOFFで、第2ゲート駆動回路出力が
ONの間は半導体スイツチ11がOFF、半導体ス
イツチ12がONとなる。
In other words, while the first gate drive circuit output is ON, the semiconductor switch 11 is ON, the semiconductor switch 12 is OFF, and the second gate drive circuit output is ON.
While ON, the semiconductor switch 11 is OFF and the semiconductor switch 12 is ON.

従つて、半導体スイツチ11がONしている場
合には、呼出し信号源5から呼出し信号が半導体
スイツチ11→抵抗R1→線路6→加入者線路2
→加入者端末1→加入者線路2→線路8→抵抗
R2→負の電源7→地気のループを通り、加入者
端末1が呼び出される。
Therefore, when the semiconductor switch 11 is ON, a calling signal is sent from the calling signal source 5 to the semiconductor switch 11 → resistor R 1 → line 6 → subscriber line 2.
→ Subscriber terminal 1 → Subscriber line 2 → Line 8 → Resistor
The subscriber terminal 1 is called through a loop of R 2 → negative power supply 7 → earth air.

次に、呼出し信号休止期間、即ち呼出し信号源
5からの信号の送出が休止され、地気信号が加入
者端末1に送出される期間では、第1ゲート駆動
回路出力T14,T15がOFF、第2ゲート駆
動回路出力T24がONとなる。従つて、半導体
スイツチ11が開放され、半導体スイツチ12が
閉成される。このようにして、第1ゲート駆動回
路出力T14,T15のON時には半導体スイツ
チ11が、第2ゲート駆動回路出力T24のON
時には半導体スイツチ12がそれぞれ導通し、加
入者端末1へは、第4図Lに示すような、呼出し
信号、地気信号の繰り出し信号が送出される。こ
の際半導体スイツチ11,12はpnpnトランジ
スタ等の電流自己保持機能を有する半導体素子で
構成されているので、第4図Lに点として示し
たように、第1ゲート駆動回路出力T14,T1
5がONからOFFに、第2ゲート駆動回路出力T
24がOFFからONに切換わつても、半導体スイ
ツチ11に流れる電流は電流自己保持機能により
すぐには零にならない場合がある。
Next, during the paging signal suspension period, that is, the period when the transmission of the signal from the paging signal source 5 is suspended and the earth signal is transmitted to the subscriber terminal 1, the first gate drive circuit outputs T14 and T15 are OFF, 2 gate drive circuit output T24 turns ON. Therefore, semiconductor switch 11 is opened and semiconductor switch 12 is closed. In this way, when the first gate drive circuit outputs T14 and T15 are ON, the semiconductor switch 11 is turned ON when the second gate drive circuit output T24 is ON.
At times, each of the semiconductor switches 12 becomes conductive, and a calling signal and a ground signal as shown in FIG. 4L are sent to the subscriber terminal 1. At this time, since the semiconductor switches 11 and 12 are composed of semiconductor elements having a current self-holding function such as pnpn transistors, the first gate drive circuit outputs T14 and T1 are shown as dots in FIG. 4L.
5 goes from ON to OFF, the second gate drive circuit output T
Even when the switch 24 is switched from OFF to ON, the current flowing through the semiconductor switch 11 may not immediately become zero due to the current self-holding function.

この場合には、半導体スイツチ11がまだ閉成
状態にあるという事を検出回路15が検出して、
第4図Hに示すターンオフ時間経過後の開放状態
になるまで半導体スイツチ12の駆動〔第4図J
のT24〕を行なわない。
In this case, the detection circuit 15 detects that the semiconductor switch 11 is still in the closed state,
Driving the semiconductor switch 12 until it reaches the open state after the turn-off time shown in FIG. 4H [FIG. 4J
T24] is not performed.

従がつて、従来、電流自己保持機能を有する半
導体素子を用いて交互に閉成、開放を繰返して2
つの信号を送出する場合に生じていた両者の信号
の衝突は起こらない。
Therefore, conventionally, semiconductor elements having a current self-holding function are used to repeatedly close and open the current.
Collision between the two signals, which occurs when two signals are sent, does not occur.

第5図は、第3図に示した実施例をさらに詳細
に示した回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing the embodiment shown in FIG. 3 in more detail.

回路構成は、第3図の説明で述べた様に、半導
体スイツチ11,12は、それぞれpnpnトラン
ジスタ11a,11bおよび、12a,12bを
逆並列接続して構成している。排他動作回路13
は制御端子20を有する制御回路14と、制御回
路14からの出力を受けて動作する一対の半導体
スイツチ11,12に対応する一対の第1、第2
遅延ゲート回路21,38と、これら各々の出力
を受けて動作する一対の第1、第2ゲート駆動回
路13a,13bで構成される。さらに、排他動
作回路13は、半導体スイツチ11,12の
pnpnトランジスタの各ゲートに接続したNPNト
ランジスタ33,37と43,45およびPNP
トランジスタ29,34と、これらトランジスタ
の出力を受信する電流ミラー入力回路とを有し、
前記電流ミラー出力回路は、前記制御回路14に
接続されている検出回路15も含む。
As described in the explanation of FIG. 3, the circuit configuration is that the semiconductor switches 11 and 12 are constructed by connecting pnpn transistors 11a and 11b and 12a and 12b in antiparallel, respectively. Exclusive operation circuit 13
A control circuit 14 having a control terminal 20 and a pair of first and second semiconductor switches 11 and 12 corresponding to a pair of semiconductor switches 11 and 12 that operate in response to an output from the control circuit 14.
It is comprised of delay gate circuits 21 and 38, and a pair of first and second gate drive circuits 13a and 13b that operate in response to their respective outputs. Furthermore, the exclusive operation circuit 13 controls the semiconductor switches 11 and 12.
NPN transistors 33, 37 and 43, 45 and PNP connected to each gate of the pnpn transistor
transistors 29, 34 and a current mirror input circuit for receiving the outputs of these transistors;
The current mirror output circuit also includes a detection circuit 15 connected to the control circuit 14.

次に、第5図実施例の動作について説明する。
端子20から第4図Aに示すようなタイミングを
有する制御信号Tcontを排他動作回路13に加え
る。
Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 5 will be explained.
A control signal Tcont having a timing as shown in FIG. 4A is applied from the terminal 20 to the exclusive operation circuit 13.

前記制御信号の低レベル入力電圧が、半導体ス
イツチ11をON、12をOFF、高レベル入力電
圧が半導体スイツチ11をOFF、12をONに対
応させる制御端子入力に対する制御回路出力情報
〔第4図BのT11〕と、検出回路からの半導体
スイツチ11に対応する検出回路15からの出力
情報〔第4図CのT12〕を、第1遅延ゲート回
路21に入力し、第1遅延ゲート出力情報〔第4
図DのT13〕を得て、これを、第1ゲート駆動
回路13aにより波形整形を行ない、第1ゲート
駆動出力情報〔第4図EのT14とFのT15〕
を得て、ダイオード26,27または23,24
を通して半導体スイツチ11のゲートを駆動し、
半導体スイツチ11を導通させる。
Control circuit output information for control terminal inputs where the low level input voltage of the control signal turns semiconductor switch 11 ON and 12 OFF, and the high level input voltage corresponds to semiconductor switch 11 OFF and 12 ON [Figure 4B T11] and the output information from the detection circuit 15 corresponding to the semiconductor switch 11 from the detection circuit [T12 in FIG. 4C] are input to the first delay gate circuit 21, and the first delay gate output information 4
T13 in Figure D] is waveform-shaped by the first gate drive circuit 13a, and the first gate drive output information [T14 in Figure 4 E and T15 in F] is obtained.
and diodes 26, 27 or 23, 24
drive the gate of the semiconductor switch 11 through the
The semiconductor switch 11 is made conductive.

このとき前記T11またはT13は、CR積分
時間の設定により、検出回路15からの半導体ス
イツチ11に対応する出力情報変化点〔第4図C
に示す半導体スイツチ12のターンオフ時間〕よ
りも動作時間を遅らせ〔第4図D〕、第1ゲート
駆動回路出力情報〔第4図E,F〕の波形整形出
力を、半導体スイツチ11のゲートに入力し、動
作を行なわせる。さらに、この動作により、検出
回路15に、半導体スイツチ11のON情報が伝
達され、検出回路15から半導体スイツチ12に
対応する出力情報T22〔第4図H〕が出力され
る。
At this time, T11 or T13 is the output information change point corresponding to the semiconductor switch 11 from the detection circuit 15 depending on the setting of the CR integration time [Fig. 4C
The operation time is delayed than the turn-off time of the semiconductor switch 12 shown in FIG. and make them perform the action. Further, by this operation, ON information of the semiconductor switch 11 is transmitted to the detection circuit 15, and output information T22 (FIG. 4H) corresponding to the semiconductor switch 12 is outputted from the detection circuit 15.

そして、制御端子入力に対する制御回路出力情
報〔第4図GのT21〕と検出回路15からの半
導体スイツチ12に対応する前記出力情報〔第4
図HのT22〕を、第2遅延ゲート回路38に入
力し、第2遅延ゲート出力情報〔第4図IのT2
3〕を得て、これを第2駆動ゲート回路13bに
より、波形整形を行ない、第2駆動回路出力情報
〔第4図JのT24〕を得る。
Then, the control circuit output information corresponding to the control terminal input [T21 in FIG. 4G] and the output information corresponding to the semiconductor switch 12 from the detection circuit 15 [the fourth
T22 in FIG. H] is input to the second delay gate circuit 38, and the second delay gate output information [T2 in FIG.
3] is waveform-shaped by the second drive gate circuit 13b to obtain second drive circuit output information [T24 in FIG. 4J].

このとき、前記T21またはT23は、CR積
分時間の設定により、検出回路からの半導体スイ
ツチ12に対応する出力情報変化点〔第4図Hに
示す半導体スイツチ11のターンオフ時間〕より
動作時間を遅らせる〔第4図I〕。
At this time, T21 or T23 delays the operation time from the output information change point corresponding to the semiconductor switch 12 from the detection circuit [the turn-off time of the semiconductor switch 11 shown in FIG. 4H] by setting the CR integration time. Figure 4 I].

第2ゲート駆動回路出力情報〔第4図J〕の波
形整形出力を半導体スイツチ12のゲートに入力
し、動作を行なわせる。
The waveform-shaped output of the second gate drive circuit output information [FIG. 4J] is input to the gate of the semiconductor switch 12, and the semiconductor switch 12 is operated.

さらに、この動作により、検出回路15に半導
体スイツチ12のON情報が伝達され、前記T1
2が検出回路から出力されるので、前記制御端子
入力電圧〔第4図A Tcont〕に対応して排他動
作を行なうことができ、出力端子28に、出力電
圧〔第4図LのTout〕を得る。
Further, due to this operation, ON information of the semiconductor switch 12 is transmitted to the detection circuit 15, and the T1
2 is output from the detection circuit, an exclusive operation can be performed corresponding to the control terminal input voltage [A Tcont in FIG. 4], and the output voltage [Tout in FIG. 4 L] is output to the output terminal 28. obtain.

つまり、第1ゲート駆動回路出力がONしてい
る間は半導体スイツチ11がON、半導体スイツ
チ12がOFFで、第2ゲート駆動回路出力がON
の間は半導体スイツチ11がOFF、半導体スイ
ツチ12がONとなる。
In other words, while the first gate drive circuit output is ON, the semiconductor switch 11 is ON, the semiconductor switch 12 is OFF, and the second gate drive circuit output is ON.
During this period, the semiconductor switch 11 is turned off and the semiconductor switch 12 is turned on.

次に、排他動作について詳しく説明する。
pnpnトランジスタ11aもしくはpnpnトランジ
スタ11bが導通している時、pnpnトランジス
タ11a,11bの各ゲートと、これに接続され
たトランジスタとは電流ミラー回路を構成してい
るので、pnpnトランジスタ11aが導通してい
る場合には電流はPNPトランジスタ29のコレ
クタ→ダイオード30→検出回路内第1電流ミラ
ー入力点52または検出回路内第2電流ミラー入
力点53→ダイオード32→NPNトランジスタ
33のコレクタへと流れる。
Next, the exclusive operation will be explained in detail.
When the pnpn transistor 11a or the pnpn transistor 11b is conductive, the gates of the pnpn transistors 11a and 11b and the transistors connected thereto form a current mirror circuit, so the pnpn transistor 11a is conductive. In this case, the current flows from the collector of the PNP transistor 29 → the diode 30 → the first current mirror input point 52 in the detection circuit or the second current mirror input point 53 in the detection circuit → the diode 32 → the collector of the NPN transistor 33.

また、pnpnトランジスタ11bが導通してい
る場合にも電流はPNPトランジスタ34のコレ
クタ→ダイオード35→検出回路内の第1電流ミ
ラー入力点52または検出回路内第2電流ミラー
入力点53→ダイオード36→NPNトランジス
タ37のコレクタへと流れ、検出回路15から
は、半導体スイツチ11が導通中であるという出
力情報〔第4図HのT22〕が出力され、第2遅
延ゲート回路38CR積分回路の動作を停止させ
るため、第2ゲート駆動回路13bの動作禁止情
報となる。
Furthermore, even when the pnpn transistor 11b is conductive, the current flows from the collector of the PNP transistor 34 → the diode 35 → the first current mirror input point 52 in the detection circuit or the second current mirror input point 53 in the detection circuit → the diode 36 → The flow flows to the collector of the NPN transistor 37, and the detection circuit 15 outputs the output information [T22 in FIG. 4H] indicating that the semiconductor switch 11 is conducting, and stops the operation of the second delay gate circuit 38CR integration circuit. Therefore, this becomes operation prohibition information for the second gate drive circuit 13b.

また、pnpnトランジスタ12bもしくはpnpn
トランジスタ12aが導通している時、pnpnト
ランジスタ12a,12bの各ゲートと、トラン
ジスタ43,45とは電流ミラー回路を構成して
いるので、pnpnトランジスタ12bが導通して
いる場合には電流は検出回路内第3電流ミラー入
力点54→ダイオード42→NPNトランジスタ
43のコレクタ→エミツタへと流れる。また、
pnpnトランジスタ12aが導通している場合に
は、検出回路内第3電流ミラー入力点54→ダイ
オード44→NPNトランジスタ45のコレクタ
→エミツタへと流れ、検出回路出力T12によつ
て第1遅延ゲート回路21内のCR積分回路を停
止させるため、第1ゲート駆動回路13aの動作
禁止入力情報となることにより、半導体スイツチ
11と12の排他動作が可能になる。
Also, pnpn transistor 12b or pnpn
When the transistor 12a is conductive, the gates of the pnpn transistors 12a and 12b and the transistors 43 and 45 form a current mirror circuit, so when the pnpn transistor 12b is conductive, the current flows to the detection circuit. The current flows from the third mirror input point 54 to the diode 42 to the collector of the NPN transistor 43 to the emitter. Also,
When the pnpn transistor 12a is conductive, the current flows from the third mirror input point 54 in the detection circuit to the diode 44 to the collector of the NPN transistor 45 to the emitter, and the detection circuit output T12 causes the current to flow to the first delay gate circuit 21. In order to stop the CR integration circuit in the first gate drive circuit 13a, exclusive operation of the semiconductor switches 11 and 12 becomes possible by providing operation inhibiting input information for the first gate drive circuit 13a.

いま、半導体スイツチ11を導通状態から非導
通状態に、半導体スイツチ12を非導通状態から
導通状態に移行させようとする場合を考える。制
御端子20に前記の様な制御信号〔第4図Aの
Tcontの低レベル入力電圧から高レベル入力電圧
に変化するとき〕を与えると、検出回路15を介
した半導体スイツチ11のゲートに接続されてい
る各電流ミラー29,33,24,37は、第4
図HのOFF情報T22と、第4図Gの制御回路
出力情報T21とともに第2遅延ゲート回路38
により、半導体スイツチ11のターンオフ時間よ
り大きい遅延時間〔第4図I〕をCR積分回路に
より確保し、第2ゲート駆動回路13bに駆動電
流〔第4図JのT24〕を出力し、駆動端子39
を介して半導体スイツチ12を駆動する。
Now, let us consider a case where the semiconductor switch 11 is to be changed from a conductive state to a non-conductive state, and the semiconductor switch 12 is to be changed from a non-conductive state to a conductive state. The control terminal 20 is supplied with the control signal as described above [see Fig. 4A].
When the input voltage Tcont changes from a low level input voltage to a high level input voltage], each current mirror 29, 33, 24, 37 connected to the gate of the semiconductor switch 11 via the detection circuit 15
The second delay gate circuit 38 together with the OFF information T22 in FIG. H and the control circuit output information T21 in FIG.
Therefore, a delay time [FIG. 4 I] larger than the turn-off time of the semiconductor switch 11 is secured by the CR integration circuit, and a drive current [T24 in FIG. 4 J] is output to the second gate drive circuit 13b, and the drive terminal 39 is
The semiconductor switch 12 is driven through.

また逆に、半導体スイツチ11を非導通状態か
ら導通状態に、半導体スイツチ12を導通状態か
ら非導通状態に移行させようとする場合について
考える。制御端子20に前記の様な制御信号〔第
4図AのTcontの高レベル入力電圧から低レベル
入力電圧に変化するとき〕を与えると、ダイオー
ド42またはダイオード44を介した半導体スイ
ツチ12のトランジスタ43,45で構成される
各電流ミラーは、第4図CのOFF情報T12と、
第4図Bの制御回路出力情報T11とともに第1
遅延ゲート回路21により、半導体スイツチ12
のターンオフ時間より大きい遅延時間〔第4図
D〕をCR積分回路により確保し、第1ゲート駆
動回路13aに駆動電流〔第4図E,FのT1
4,T15〕を出力し、駆動端子22と、駆動端
子25とを介して半導体スイツチ11を駆動す
る。
Conversely, a case will be considered in which the semiconductor switch 11 is to be changed from a non-conducting state to a conducting state, and the semiconductor switch 12 is to be changed from a conducting state to a non-conducting state. When the control signal as described above is applied to the control terminal 20 [when changing from the high level input voltage of Tcont in FIG. 4A to the low level input voltage], the transistor 43 of the semiconductor switch 12 via the diode 42 or , 45, the OFF information T12 of FIG. 4C,
Along with the control circuit output information T11 in FIG. 4B, the first
By the delay gate circuit 21, the semiconductor switch 12
A delay time [FIG. 4D] larger than the turn-off time of 1 is ensured by the CR integration circuit, and the drive current [T1 in FIGS. 4E and F] is supplied to the first gate drive circuit 13a.
4, T15], and drives the semiconductor switch 11 via the drive terminal 22 and the drive terminal 25.

また、半導体スイツチ12を非導通の状態に移
行させる時、駆動端子46からの出力〔第4図K
T25〕は、ダイオード47を介してNPNト
ランジスタ48のベースを駆動することにより
pnpnトランジスタ12bのゲート・カソード間
をクランプし、あるいはダイオード49を介して
NPNダーリントントランジスタ50のベースを
駆動することにより、pnpnトランジスタ12a
のゲートとダイオード51のカソードをクランプ
し、強制的にpnpnトランジスタ12aのPゲー
トから電流を引き出すことにより、積極的にアノ
ード電流をしや断する。
Furthermore, when the semiconductor switch 12 is brought into a non-conductive state, the output from the drive terminal 46 [Fig.
T25] by driving the base of the NPN transistor 48 through the diode 47.
Clamp between the gate and cathode of the pnpn transistor 12b or through the diode 49.
By driving the base of NPN Darlington transistor 50, pnpn transistor 12a
The anode current is actively cut off by clamping the gate of the pnpn transistor 12a and the cathode of the diode 51 and forcibly drawing current from the P gate of the pnpn transistor 12a.

このように本実施例によれば、半導体スイツチ
を構成するpnpnトランジスタの導通、非導通を
検出する手段と、検出出段を制御情報の一つとし
て制御入力部に伝達し、半導体スイツチのターン
オフ時間より大きい遅延時間を発生する遅延回路
21,38とを含む、排他動作回路13を用いる
ことにより、2つの半導体スイツチ11,12の
同時動作がおこらないため、呼出し信号源5と地
気の衝突がない安定な呼出し信号送出回路を得る
ことができる利点がある。
As described above, according to this embodiment, the turn-off time of the semiconductor switch is determined by means for detecting conduction or non-conduction of the pnpn transistor constituting the semiconductor switch, and by transmitting the detection stage as one of the control information to the control input section. By using the exclusive operation circuit 13 including the delay circuits 21 and 38 that generate a larger delay time, the two semiconductor switches 11 and 12 are not operated simultaneously, so that collision between the calling signal source 5 and the ground air is prevented. There is an advantage that a stable paging signal sending circuit can be obtained.

(発明の効果) 以上、詳細に説明したように、本発明によれば
電流自己保持機能を有する半導体スイツチを用い
てしかも送出する信号同志が互に衝突を起こさな
いように制御する回路を設けたので、スイツチを
破壊することなく、またトランスフア接点を有す
る機械スイツチを使用した場合に有していた回路
の残存チヤージによる誤動作をも防止することが
出来るので安定な呼出し信号送出回路を実現出来
る。
(Effects of the Invention) As explained in detail above, according to the present invention, a semiconductor switch having a current self-holding function is used and a circuit is provided to control the signals to be sent so that they do not collide with each other. Therefore, it is possible to realize a stable calling signal sending circuit without destroying the switch and also preventing malfunctions due to residual charge in the circuit that would occur when a mechanical switch with transfer contacts is used.

また、スイツチをすべて半導体で構成したので
周辺回路を含めて集積化しやすいという利点をも
有する。
Furthermore, since the switch is entirely made of semiconductors, it has the advantage of being easy to integrate, including peripheral circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来の呼出し信号送出回路の一例を
示す回路図、第2図は、加入者端末への呼出し信
号の送出状態を示す波形図、第3図は、本発明の
一実施例を示す回路図、第4図は、第3図および
第5図に示した実施例の動作を説明するための波
形図、第5図は、第3図に示した実施例の詳細回
路図である。 1…加入者端末、2…加入者線路、3…電流供
給回路、4…スイツチ、5…呼出し信号源、6,
8…線路、7…負の電源、9…地気送出期間、1
0…呼出し信号送出期間、11,12…半導体ス
イツチ、13…排他動作回路、13a,13b…
ゲート駆動回路、14…制御回路、15…検出回
路、21,38…遅延ゲート回路、28…出力端
子、22,25,39,46…ゲート駆動回路出
力端子、23,24,26,27,30,33,
35,36,40,41,42,44,47,4
9,51…ダイオード、29,33,34,3
7,43,45,48,50…トランジスタ、5
2,53,54…検出回路内電流ミラー入力点。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional paging signal sending circuit, Fig. 2 is a waveform diagram showing a state of sending a paging signal to a subscriber terminal, and Fig. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional paging signal sending circuit. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIGS. 3 and 5, and FIG. 5 is a detailed circuit diagram of the embodiment shown in FIG. 3. . DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Subscriber terminal, 2...Subscriber line, 3...Current supply circuit, 4...Switch, 5...Paging signal source, 6,
8...Line, 7...Negative power supply, 9...Earth air sending period, 1
0...Call signal sending period, 11, 12...Semiconductor switch, 13...Exclusive operation circuit, 13a, 13b...
Gate drive circuit, 14... Control circuit, 15... Detection circuit, 21, 38... Delay gate circuit, 28... Output terminal, 22, 25, 39, 46... Gate drive circuit output terminal, 23, 24, 26, 27, 30 ,33,
35, 36, 40, 41, 42, 44, 47, 4
9, 51...diode, 29, 33, 34, 3
7, 43, 45, 48, 50...transistor, 5
2, 53, 54... Current mirror input points in the detection circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 加入者線路を介して加入者端末へ呼出し信号
と地気信号とを送出する呼出し信号送出回路にお
いて、 呼出し信号源と地気とを前記加入者線路に開閉
可能に接続する一対の第1、第2電流自己保持型
双方向半導体スイツチと、 この一対の相互に一方が開放状態にある期間に
他方を閉成させる排他回路であつて、この回路
は、制御信号が入力される制御端子と、 前記半導体スイツチのPゲートにベースが接続
され、エミツタが抵抗を介して前記半導体スイツ
チのカソードに接続されるNPNトランジスタ、
または前記半導体スイツチのNゲートにベースが
接続され、エミツタが抵抗を介して前記半導体ス
イツチのアノードに接続されるPNPトランジス
タと前記半導体スイツチとから構成されるカレン
トミラー回路を有し、前記一対の半導体スイツチ
の開閉状態を検出する検出回路と、 この検出回路から出力される信号と、制御信号
とを入力し、これらの信号に対応する2組の第
1、第2信号群を出力する制御回路と、 前間第1または第2の信号群をそれぞれ入力
し、前記第1または第2の半導体スイツチのター
ンオフ時間以上の遅延を有する第1、第2の遅延
信号をそれぞれ出力する第1、第2遅延ゲート回
路と、 前記第1または第2の遅延信号をそれぞれ入力
し、前記第1または第2の半導体スイツチをそれ
ぞれ動作させる第1、第2ゲート駆動回路とを具
備する呼出し信号送出回路。
[Scope of Claims] 1. In a paging signal sending circuit that sends a paging signal and a ground signal to a subscriber terminal via a subscriber line, a paging signal source and a ground signal are connected to the subscriber line so as to be openable and closable. a pair of first and second current self-holding type bidirectional semiconductor switches, and an exclusive circuit that closes the other while one of the pairs is in an open state, and this circuit is configured to receive a control signal as input. an NPN transistor whose base is connected to the P gate of the semiconductor switch and whose emitter is connected to the cathode of the semiconductor switch via a resistor;
or a current mirror circuit comprising the semiconductor switch and a PNP transistor whose base is connected to the N gate of the semiconductor switch and whose emitter is connected to the anode of the semiconductor switch via a resistor; a detection circuit that detects the open/closed state of the switch; and a control circuit that receives a signal output from the detection circuit and a control signal and outputs two sets of first and second signal groups corresponding to these signals. , a first and a second delay signal group respectively inputting the first or second signal group and outputting the first and second delayed signals having a delay equal to or longer than the turn-off time of the first or second semiconductor switch, respectively. A calling signal sending circuit comprising: a delay gate circuit; and first and second gate drive circuits that respectively input the first or second delay signal to operate the first or second semiconductor switch.
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