JPH0255576A - Switching power source - Google Patents
Switching power sourceInfo
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- JPH0255576A JPH0255576A JP20605588A JP20605588A JPH0255576A JP H0255576 A JPH0255576 A JP H0255576A JP 20605588 A JP20605588 A JP 20605588A JP 20605588 A JP20605588 A JP 20605588A JP H0255576 A JPH0255576 A JP H0255576A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ス・イツチング電源、特にそのスイッチング
素子であるスイッチングトランジスタに過渡的に印加さ
れる電力をスイッチングトランジスタに印加されないよ
うにして破壊を防止する機能を有するスイッチング電源
に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is directed to a switching power supply, particularly to a switching transistor which is a switching element of the switching power supply, by preventing power from being applied transiently to the switching transistor so as not to damage the switching transistor. The present invention relates to a switching power supply having a function of preventing
従来のスイッチング電源はスイッチングトランジスタが
破壊されないようにスイッチングトランジスタの破壊耐
量を増加させる努力がなされていた。In conventional switching power supplies, efforts have been made to increase the breakdown resistance of switching transistors to prevent them from being destroyed.
次に、従来例について、図面を参照して説明する。Next, a conventional example will be explained with reference to the drawings.
第3図は従来の一例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional example.
第3図に示すスイッチング電源はスイッチングトランジ
スタQ1と、スイッチングトランスT1と、ダイオード
DI、D2と、コンデンサCI七を含んで構成される。The switching power supply shown in FIG. 3 includes a switching transistor Q1, a switching transformer T1, diodes DI and D2, and a capacitor CI7.
スイッチングトランスT1は、一端が入力電源の一方に
接続された一次側主巻線P1と、一端が入力電源の他方
に接続された一次側補助巻線P2と、タイオードD2お
よびコンデンサC1を介して出力回路に出力を供給する
ための二次側出力巻線S1とを含んで構成される。The switching transformer T1 has a primary side main winding P1 whose one end is connected to one side of the input power source, a primary side auxiliary winding P2 whose one end is connected to the other side of the input power source, and an output via a diode D2 and a capacitor C1. It is configured to include a secondary output winding S1 for supplying an output to the circuit.
上述の一次側主巻線P1の他端はスイッチングトランジ
スタQ1のコレクタに接続され、上述の一次側補助巻線
P2の他端はダイオードDIを介してスイッチングトラ
ンジスタQlのベースに接続されている。The other end of the primary main winding P1 is connected to the collector of the switching transistor Q1, and the other end of the auxiliary primary winding P2 is connected to the base of the switching transistor Ql via the diode DI.
また、スイッチングトランジスタQ1のエミッタは一次
側補助巻線P2の一端に接続されている。Further, the emitter of the switching transistor Q1 is connected to one end of the primary side auxiliary winding P2.
スイッチングトランジスタQ1がONからOFFへ遷移
するときに、導通しつつスイッチングトランジスタQ1
のコレクタ電圧が一定値以上の遷移電圧が発生すること
があり、これにより、過大電力がスイッチングトランジ
スタQ1に印加されるとスイッチングトランジスタQ1
が破壊してしまう。When the switching transistor Q1 transitions from ON to OFF, the switching transistor Q1 becomes conductive and
A transition voltage may occur where the collector voltage of the switching transistor Q1 exceeds a certain value, and as a result, when excessive power is applied to the switching transistor Q1,
will destroy it.
しかしながら、このような上述した従来のスイッチング
電源はスイッチングトランジスタの破壊耐量を増すため
に、高耐圧のものや高速のものが必要となり、必然的に
高価となるとともに、スイッチングトランジスタのパル
ス動作を高速化すせるためベース駆動回路が複雑となっ
たり、過渡的に発生する高電圧を抑制するための回路が
必要となるという欠点がある。However, in order to increase the breakdown resistance of the switching transistor, the above-mentioned conventional switching power supply requires a high-voltage power supply and a high-speed power supply, which inevitably makes it expensive. However, there are disadvantages in that the base drive circuit becomes complicated and a circuit for suppressing the transiently generated high voltage is required.
本発明のスイッチング電源はスイッチングトランジスタ
破壊防止回路としてスイッチングトランジスタが導通し
ている状態を検出してONする回路とスイッチングトラ
ンジスタのコレクタに一定値以上の電圧が印加されたこ
とを検出してONする回路とがAND回路構成されてス
イッチングトランジスタに接続されて構成される。The switching power supply of the present invention serves as a switching transistor destruction prevention circuit: a circuit that detects the conduction state of the switching transistor and turns it on; and a circuit that turns it on when it detects that a voltage of a certain value or more is applied to the collector of the switching transistor. are connected to a switching transistor to form an AND circuit.
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.
第1図に示すスイッチング電源はスイッチングトランジ
スタQ1と、スイッチングトランスT1と、ダイオード
DI、D2と、コンデンサC1と、スイッチングトラン
ジスタ破壊防止回路Aとを含んで構成される。The switching power supply shown in FIG. 1 includes a switching transistor Q1, a switching transformer T1, diodes DI and D2, a capacitor C1, and a switching transistor breakdown prevention circuit A.
スイッチングトランスT1は、一端が入力電源の一方に
接続された一次側主巻線P1と、一端が入力電源の他方
に接続された一次側補助巻線P2と、タイオードD2お
よびコンデンサC1を介して出力回路に出力を供給する
ための二次側出力巻線S1とを含んで構成される。The switching transformer T1 has a primary side main winding P1 whose one end is connected to one side of the input power source, a primary side auxiliary winding P2 whose one end is connected to the other side of the input power source, and an output via a diode D2 and a capacitor C1. It is configured to include a secondary output winding S1 for supplying an output to the circuit.
上述の一次側主巻線P1の他端はスイッチングトランジ
スタQ1のコレクタに接続され、上述の一次側補助巻線
P2の他端はダイオードD1を介してスイッチングトラ
ンジスタQ1のベースに接続されている。The other end of the primary main winding P1 is connected to the collector of the switching transistor Q1, and the other end of the primary auxiliary winding P2 is connected to the base of the switching transistor Q1 via the diode D1.
スイッチングトランジスタ破壊防止回路Aは、導通検出
回路Bと、印加電圧制限回路Cとを含んで構成される。The switching transistor destruction prevention circuit A is configured to include a continuity detection circuit B and an applied voltage limiting circuit C.
導通検出回路Bは、スイッチングトランジスタQ1のエ
ミッタと一次側補助巻線P2の一端との間に接続された
エミッタ電流検出抵抗R1と、このエミッタ電流検出抵
抗R1の両端にベースおよびエミッタが接続されたトラ
ンジスタQ3とからなり、スイッチングトランジスタQ
1が導通しているのを検出してONする回路である。The continuity detection circuit B includes an emitter current detection resistor R1 connected between the emitter of the switching transistor Q1 and one end of the primary side auxiliary winding P2, and a base and an emitter connected to both ends of the emitter current detection resistor R1. It consists of a transistor Q3, and a switching transistor Q
This circuit detects that 1 is conductive and turns on.
また、印加電圧制限回路Cはコレクタがスイッチングト
ランジスタQ1のコレクタに接続されエミッタがトラン
ジスタQ3のコレクタに接続されたトランジスタQ2と
、スイッチングトランジスタQ1のコレクタとトランジ
スタQ1のベースとの間に接続された定電圧ダイオード
ZDIとで構成され、導通検出回路BがONしている期
間動作可能であり、スイッチングトランジスタQ1のコ
レクタ電圧が定電圧ダイオードzD1の電圧を超えると
トランジスタQ2が定電圧動作を開始する。The applied voltage limiting circuit C includes a transistor Q2 whose collector is connected to the collector of the switching transistor Q1 and whose emitter is connected to the collector of the transistor Q3, and a constant voltage regulator connected between the collector of the switching transistor Q1 and the base of the transistor Q1. It is configured with a voltage diode ZDI and can operate while the continuity detection circuit B is ON, and when the collector voltage of the switching transistor Q1 exceeds the voltage of the constant voltage diode ZD1, the transistor Q2 starts constant voltage operation.
これにより、スイッチングトランジスタQ1がONから
OFFへ遷移するときに、導通しつつスイッチングトラ
ンジスタQ1のコレクタ電圧が一定値以上とならないよ
うに動作する。Thereby, when the switching transistor Q1 transitions from ON to OFF, it conducts and operates so that the collector voltage of the switching transistor Q1 does not exceed a certain value.
この動作は第2図を参照すれば明瞭なようにスイッチン
グトランジスタQ1がONからOFFに遷移するときに
印加される電力を一定値に保つもので、トランジスタの
破壊耐量を示すパラメータとして知られている第2図に
示す安全動作領域のうち、斜線で示す領域への進入を防
止するよう動作することになり、スイッチングトランジ
スタの過渡印加電力による破壊が防止される。As is clear from Figure 2, this operation maintains the power applied to the switching transistor Q1 at a constant value when it transitions from ON to OFF, and is known as a parameter that indicates the breakdown resistance of the transistor. The operation is performed to prevent entry into the shaded area of the safe operation area shown in FIG. 2, thereby preventing destruction of the switching transistor due to transient applied power.
木発明のスイッチング電源は、スイッチングトランジス
タがONからOFFに遷移するときにスイッチングトラ
ンジスタに印加される電力を一定値に保つことができる
ため、スイッチングトランジスタの過渡印加電力による
破壊を防止することができるという効果がある。The switching power supply invented by Kiyoshi is able to maintain the power applied to the switching transistor at a constant value when the switching transistor transitions from ON to OFF, thereby preventing damage to the switching transistor due to transient applied power. effective.
次側出力巻線、Ql・ ・スイッチングトランジスタ、
ZD]・・ 定電圧ダイオード、R1・・・・エミッタ
電流検出抵抗、Q2.Q3・・・ トランジスタ、DI
、D2・・ ・ダイオード、CI・・・・・コンデンサ
。Next output winding, Ql・・Switching transistor,
ZD]... Constant voltage diode, R1... Emitter current detection resistor, Q2. Q3... Transistor, DI
, D2... - Diode, CI... Capacitor.
Ic・・ コレクタ電流、王。may・・・・・・最大
コレクタ電流、V B E。3 飽和ペースエミッタ
電圧、VCE・・・コレクタ電圧、vcEmax・・・
・・・最大コレクタN圧、VZD・・・・・ツェナー電
圧。Ic... Collector current, King. may...Maximum collector current, VBE. 3 Saturation pace emitter voltage, VCE...collector voltage, vcEmax...
...Maximum collector N pressure, VZD...Zener voltage.
代理人 弁理士 内 原 晋Agent Patent Attorney Susumu Uchihara
第1図は木発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図に示す実施例の動作領域図、第3図は従来の一例を示
す回路図である。
A・・・・・スイソチンクトランジスタ破壊防止回路、
B・・・・導通検出回路、C・・ 印加電圧制限回路。Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the wooden invention, and Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the wooden invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional example. A: Suisochink transistor destruction prevention circuit,
B: Continuity detection circuit, C: Applied voltage limiting circuit.
Claims (1)
イッチングトランスに接続されたスイッチングトランジ
スタと、前記スイッチングトランジスタが導通している
ことを検出する導通検出回路およびこの導通検出回路が
導通を検出しているときにスイッチングトランジスタの
コレクタ印加電圧がある一定値以上になるとONする印
加電圧制限回路とからなるスイッチングトランジスタ破
壊防止回路とを含むことを特徴とするスイッチング電源
。A switching transformer connected to an input power source, a switching transistor connected to the switching transformer, a continuity detection circuit that detects that the switching transistor is conductive, and when the continuity detection circuit detects continuity. 1. A switching power supply comprising: a switching transistor breakdown prevention circuit comprising an applied voltage limiting circuit that turns on when voltage applied to the collector of the switching transistor exceeds a certain value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20605588A JPH0255576A (en) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | Switching power source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20605588A JPH0255576A (en) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | Switching power source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0255576A true JPH0255576A (en) | 1990-02-23 |
Family
ID=16517117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20605588A Pending JPH0255576A (en) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | Switching power source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0255576A (en) |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20605588A patent/JPH0255576A/en active Pending
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