JPH0251259A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 61
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and specifically Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
ル匪立役歪上ヱ
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、さら
に評しくは、リードフレームのパッド部と半導体チップ
とのダイボンディング、および半導体チップとリードフ
レームとのワイヤーボンディングが容易に行なえ、かつ
耐湿性に優れる気密封止式の半導体装置およびその製造
方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the same. The present invention relates to a hermetically sealed semiconductor device that allows easy wire bonding and has excellent moisture resistance, and a method for manufacturing the same.
の ｔらびに の
プラスチック成形体、リードフレーム、半導体チップ、
ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封正式の
半導体装置の製造方法において、従来、プラスチック成
形体を成形する際には、リードフレームを金型内に埋込
んだ後、この金型内にプラスチックを射出成形すること
により、リードフレームとプラスチック成形体とを一体
化する、いわゆるインサート成形を行なうのが一般的で
ある。plastic molded bodies, lead frames, semiconductor chips,
Conventionally, in the manufacturing method of hermetically sealed semiconductor devices consisting of bonding wires and lidding materials, when molding a plastic molded body, the lead frame is embedded in a mold, and then the plastic is injected into the mold. It is common to perform so-called insert molding, in which the lead frame and the plastic molded body are integrated by molding.
しかしながら、このようなインサート成形では、得られ
るプラスチック成形体上に設けられたリードフレームの
表面にプラスチックが廻り込み、プラスチックのパリが
発生する虞がある。このため、半導体チップとＩＣのリ
ードフレームとを接続するダイボンディング、および半
導体チップのパッド部とＩＣのリードフレーム端子とを
接続するワイヤボンディングを容易に行なうことができ
ないという問題点があった。However, in such insert molding, there is a risk that the plastic may wrap around the surface of the lead frame provided on the resulting plastic molded body, causing plastic flakes. Therefore, there has been a problem in that die bonding for connecting the semiconductor chip and the lead frame of the IC and wire bonding for connecting the pad portion of the semiconductor chip and the lead frame terminal of the IC cannot be easily performed.
また、このようなインサート成形を行なうと、得られる
プラスチック成形体とリードフレームとの間に成形不良
による欠陥部が発生して半導体装置の耐湿性を低下させ
る虞があるという問題点があった。Further, when such insert molding is performed, there is a problem that defects may occur between the resulting plastic molded body and the lead frame due to poor molding, which may reduce the moisture resistance of the semiconductor device.
さらに、上記のようなインサート成形では、プラスチッ
ク中に含まれる充填剤によるゴミまたはプラスチックの
パリによるゴミが半導体装置の蓋材の内表面に付着する
ため、半導体装置の蓋材として石英ガラス板、サファイ
ア板などの透明な蓋材を用いるイメージセンサ−ＥＰ−
ＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｌｍ
ａｂｌｅ Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｈｅｎｏｒｙ）などの
半導体装置では、紫外線透過性など光学的透過性が大き
な問題点となる。Furthermore, in the above-mentioned insert molding, dust from the filler contained in the plastic or dust from the plastic particles adheres to the inner surface of the lid material of the semiconductor device. Image sensor using transparent lid material such as plate -EP-
ROM (Erasable and Programmable)
Optical transparency such as ultraviolet ray transparency is a major problem in semiconductor devices such as those capable of reading only 100% of available semiconductors.
九肌立旦ヱ
本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、リードフレームのパッド部と半導体チップと
のダイボンディングおよび半導体チップとリードフレー
ムとのワイヤーボンディングが容易に行なえ、かつ耐湿
性に優れる気密封正式の半導体装置およびその製造方法
を提供することを目的としている。The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and facilitates die bonding between a pad portion of a lead frame and a semiconductor chip, and wire bonding between a semiconductor chip and a lead frame. It is an object of the present invention to provide a hermetically sealed semiconductor device that is easy to operate and has excellent moisture resistance, and a method for manufacturing the same.
九１立且】
本発明に係る半導体装置は、少なくとも１段以上の段差
が設けられている開口凹部を有するプラスチック成形体
と、該プラスチック成形体の開口凹部側表面全面に設け
られた接着剤層を介してプラスチック成形体に接着され
ているリードフレームと、プラスチック成形体の最深凹
部に位置するリードフレームのパッド部にダイボンディ
ングされた半導体チップと、該半導体チップとリードフ
レームとを電気的に接続するボンディングワイヤーと、
シール剤層を介してプラスチック成形体の開口凹部全体
を密閉する蓋材とからなることを特徴としている。[91] A semiconductor device according to the present invention comprises a plastic molded body having an opening recess provided with at least one level difference, and an adhesive layer provided on the entire surface of the plastic molding on the side of the opening recess. The lead frame is bonded to the plastic molded body through the lead frame, the semiconductor chip is die-bonded to the pad part of the lead frame located in the deepest recess of the plastic molded body, and the semiconductor chip and the lead frame are electrically connected. bonding wire,
It is characterized by comprising a lid material that seals the entire opening recess of the plastic molded body through a sealant layer.
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくと
も１段以上の段差が設けられている開口凹部を有するプ
ラスチック成形体の開口凹部側表面全面に熱硬化性樹脂
接着剤を塗布する工程と、該熱硬化性樹脂接着剤の塗布
面にリードフレームを載置した後加圧加熱して該リード
フレームをプラスチック成形体に接着する工程と、リー
ドフレームのパッド部に半導体チップをダイボンディン
グするとともに、該半導体チップとリードフレームとを
ワイヤーボンディングして電気的に接続する工程と、
熱硬化性樹脂シール剤を用いてプラスチック成形体と蓋
材とを接着してプラスチック成形体の開口凹部全体を密
閉する工程とからなることを特徴としている。Further, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of applying a thermosetting resin adhesive to the entire surface of the opening recess of a plastic molded body having an opening recess provided with at least one level difference; A step of placing the lead frame on the surface coated with the thermosetting resin adhesive and then applying pressure and heat to bond the lead frame to the plastic molded body, and die bonding the semiconductor chip to the pad portion of the lead frame, The semiconductor chip and the lead frame are electrically connected by wire bonding, and the plastic molded body and the lid are bonded together using a thermosetting resin sealant to seal the entire opening recess of the plastic molded body. It is characterized by consisting of a process.
ル肛α且体煎立朋
以下、本発明に係る半導体装置およびその製造方法につ
いて具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor device and a method for manufacturing the same according to the present invention will be specifically explained.
まず、本発明に係る半導体装置を図に基づいて説明する
。First, a semiconductor device according to the present invention will be explained based on the drawings.
第１図および第２図は、本発明に係る半導体装置のうち
、代表的な半導体装置の構成を表わす概略図である。1 and 2 are schematic diagrams showing the configuration of a typical semiconductor device among semiconductor devices according to the present invention.
本発明で用いられるプラスチック成形体１は、少なくと
も１段以上の段差が設けられている開口凹部を有し、た
とえば、第１図では２段の段差、第２図では１段の段差
が設けられている開口凹部を有する。The plastic molded body 1 used in the present invention has an opening recessed portion provided with at least one step. For example, in FIG. 1, there are two steps, and in FIG. 2, there is one step. It has an opening recess.
本発明のプラスチック成形体１は、プラスチックに無機
充填剤を加えた混合物を原料として成形されている０本
発明のプラスチック成形体１に用いられるプラスチック
は、耐熱性プラスチックであり、具体的には、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエ
ステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリ
フェニレンオキシド（ｐｐｏ） 、ポリエーテルスルホ
ン（ＰＥＳ） 、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
に）、ポリフェニレンサルファイド（ｐｐｓ） 、ポリ
アリルスルホン、ポリアミド・イミド、ポリスルホン（
ｐｓ）、全芳香族ポリエステル液晶ポリマーなとの熱変
形温度［＋１．０．Ｔ、）が１８０℃以上（無機フィラ
ーを含んで１８０℃以上でも良い）である熱可塑性樹脂
が挙げられる。中でも、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂
、ｐｐｓが好ましい。The plastic molded article 1 of the present invention is molded using a mixture of plastic and an inorganic filler as a raw material.The plastic used for the plastic molded article 1 of the present invention is a heat-resistant plastic, and specifically, Thermosetting resins such as epoxy resins, polyimide resins, phenolic resins, unsaturated polyester resins, silicone resins, polyphenylene oxide (PPO), polyether sulfone (PES), polyether ether ketone (PEE)
), polyphenylene sulfide (pps), polyallylsulfone, polyamide/imide, polysulfone (
ps), heat distortion temperature of fully aromatic polyester liquid crystal polymer [+1.0. Examples include thermoplastic resins in which T, ) is 180° C. or higher (or may be 180° C. or higher including an inorganic filler). Among these, epoxy resin, polyimide resin, and pps are preferred.
本発明では、無機充填剤としては、具体的には、アルミ
ナ粉末、シリカ粉末、ボロンナイトライド粉末、酸化チ
タン粉末、炭化ゲイ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維
などの耐熱性無機充填剤が挙げられる。中でも、アルミ
ナ粉末、シリカ粉末、ボロンナイトライド粉末が好まし
い。In the present invention, specific examples of the inorganic filler include heat-resistant inorganic fillers such as alumina powder, silica powder, boron nitride powder, titanium oxide powder, silicon carbide powder, glass fiber, and alumina fiber. . Among these, alumina powder, silica powder, and boron nitride powder are preferred.
本発明では、粒径０．１〜１００μｍ、好ましくは１〜
４０μｍの無機粉末が用いられる０本発明では、プラス
チック粉末および無機粉末全社に対して、プラスチック
粉末を４０〜５７１ｉ％、好ましくは３５〜１５重量％
の量で用い、無機粉末を６０〜９５重量％、好ましくは
６５〜８５重凰％の量で用いる。In the present invention, the particle size is 0.1 to 100 μm, preferably 1 to 100 μm.
In the present invention, where an inorganic powder of 40 μm is used, the amount of plastic powder is 40 to 571i%, preferably 35 to 15% by weight, based on the total amount of plastic powder and inorganic powder.
The inorganic powder is used in an amount of 60 to 95% by weight, preferably 65 to 85% by weight.
本発明の接着剤層２を構成する接着剤は、エポキシ樹脂
、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂
が用いられる。中でも、エポキシ樹脂が好ましい。As the adhesive constituting the adhesive layer 2 of the present invention, thermosetting resin such as epoxy resin, polyimide resin, silicone resin, etc. is used. Among them, epoxy resin is preferred.
本発明で用いられるリードフレーム３の材料としては、
具体的には、４２％Ｎｉ−Ｆｃ合金、リンＷ８などの金
属が挙げられる。Materials for the lead frame 3 used in the present invention include:
Specifically, metals such as 42% Ni-Fc alloy and phosphorus W8 can be mentioned.
本発明においては、リードフレーム３は、プラスチック
成形体１の開口凹部側表面全面に設番１られた上記接着
剤層２を介してプラスチック成形体１と接着されている
ため、前記インサート成形の場合と異なり、プラスチッ
ク成形体を成形した際に生ずるパリ、またはプラスチッ
ク中に含まれる充填剤などにより生ずるゴミがリードフ
レーム表面に載るということはない。In the present invention, the lead frame 3 is bonded to the plastic molded body 1 through the adhesive layer 2, which is provided on the entire surface of the plastic molded body 1 on the side of the opening recess. Unlike the molded plastic, there is no possibility that dust generated when the plastic molded body is molded or dust generated by fillers contained in the plastic will be deposited on the surface of the lead frame.
本発明で用いられる半導体チップ４は、リードフレーム
のパッド部３ａにダイボンディングされており、半導体
チップ４とリードフレーム３との間はボンディングワイ
ヤー５により電気的に接続されている。The semiconductor chip 4 used in the present invention is die-bonded to the pad portion 3a of the lead frame, and the semiconductor chip 4 and the lead frame 3 are electrically connected by bonding wires 5.
本発明で用いられるボンディングワイヤー５としては１
．具体的には、金線、アルミニウム線などが挙げられる
。The bonding wire 5 used in the present invention is 1
．． Specifically, gold wire, aluminum wire, etc. can be mentioned.
また、第１図に示すような段差が２段以上設けられてい
る開口凹部を有するプラスチック成形体１を用いる半導
体装置においては、通常、プラスチック成形体１の開口
凹部内に設けられているリードフレーム３表面と、半導
体チップ４の上側表面とが同一の高さになるように半導
体チップ４をリードフレームのパッド部３ａにダイボン
ディングするが、本発明では、゛上記リードフレーム３
表面の高さと半導体チップ４の上側表面の高さとが一致
していなくても良い。Further, in a semiconductor device using a plastic molded body 1 having an opening recess with two or more steps as shown in FIG. The semiconductor chip 4 is die-bonded to the pad portion 3a of the lead frame so that the upper surface of the lead frame 3 and the upper surface of the semiconductor chip 4 are at the same height.
The height of the surface and the height of the upper surface of the semiconductor chip 4 do not need to match.
本発明のシール剤層６を構成するシール剤は、上記接着
剤と同じく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコー
ン樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。中でも、エポ
キシ樹脂が好ましい。As the sealant constituting the sealant layer 6 of the present invention, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, or a silicone resin is used, like the adhesive described above. Among them, epoxy resin is preferred.
本発明においては、接着剤として用いる熱硬化性樹脂と
シール剤として用いる熱硬化性樹脂とを同一にして用い
ても良いし、また両者を異にして用いても良い。In the present invention, the thermosetting resin used as the adhesive and the thermosetting resin used as the sealant may be the same, or they may be used differently.
本発明で用いられる蓋材７としては、具体的には、ガラ
ス板、石英ガラス板、サファイア板、透明アルミナ板、
透明プラスチック板などの透明蓋材、着色ガラス板、セ
ラミックス板、金属板、着色プラスチック板などの不透
明蓋材が挙げられる。Specifically, the lid material 7 used in the present invention includes a glass plate, a quartz glass plate, a sapphire plate, a transparent alumina plate,
Examples include transparent lid materials such as transparent plastic plates, opaque lid materials such as colored glass plates, ceramic plates, metal plates, and colored plastic plates.
本発明に係る半導体装置は、上記のような蓋材７でシー
ル剤層６を介してプラスチック成形体１の開口凹部全体
を密閉してなる半導体装置である。The semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device in which the entire opening recess of the plastic molded body 1 is sealed with the lid material 7 as described above via the sealant layer 6.
次に、本発明に係る半導体装置の製造方法を図に基づい
て説明する。Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be explained based on the drawings.
まず本発明に係る半導体装置の製造方法の第１工程とし
て、少なくとも１段以上の段差が設けられている開口凹
部を有するプラスチック成形体１の開口凹部側表面全面
に熱硬化性樹脂接着剤を塗布する。First, as the first step of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a thermosetting resin adhesive is applied to the entire surface of the plastic molded body 1 on the side of the opening recess of the plastic molded body 1 having an opening recess provided with at least one level difference. do.
本発明のプラスチック成形体１は、前記プラスチックと
無機充填剤との混合物を圧力を１０〜２．０００ｋｇ／
ａａ、成形温度を１５０〜３００℃にして射出成形ない
しトランスファー成形すれば得られる。The plastic molded article 1 of the present invention is produced by heating the mixture of the plastic and the inorganic filler at a pressure of 10 to 2.000 kg/
aa, can be obtained by injection molding or transfer molding at a molding temperature of 150 to 300°C.
上記プラスチック成形体１の開口凹部側表面全面に熱硬
化性樹脂接着剤を塗布する方法としては、スプレー、デ
ィッピング、コーティングなどの方法がある。Methods for applying the thermosetting resin adhesive to the entire surface of the opening recess side of the plastic molded body 1 include spraying, dipping, coating, and the like.
次に、本発明に係る製造方法の第２工程として、上記熱
硬化性樹脂接着剤の塗布面にリードフレーム２を載置し
た後加圧加熱してリードフレーム２をプラスチック成形
体１に接着する。Next, as the second step of the manufacturing method according to the present invention, the lead frame 2 is placed on the surface coated with the thermosetting resin adhesive and then heated under pressure to adhere the lead frame 2 to the plastic molded body 1. .
上記加圧加熱の条件は、使用する熱硬化性樹脂接着剤の
種類によって異なるが、通常、圧力１〜５００ｋＩｒ／
ｃｊ、温度６０〜２００℃の条件で加圧加熱を行なう。The conditions for the above pressure heating vary depending on the type of thermosetting resin adhesive used, but usually the pressure is 1 to 500 kIr/
Pressure heating is performed at a temperature of 60 to 200°C.
このように、プラスチック成形体１とリードフレーム３
とを接着剤を介して接着しているため、プラスチック成
形体１の成形時に生ずるパリがリードフレーム３の表面
に載るということはない。In this way, the plastic molded body 1 and the lead frame 3
Since these are bonded to each other through an adhesive, there is no possibility that particles generated during molding of the plastic molded body 1 will be placed on the surface of the lead frame 3.
また、プラスチック成形体１を構成するプラスチック表
面の剥落によるゴミ、またはパリによるゴミが半導体装
置の蓋材７の内表面に付着するということもないし、さ
らにまた、プラスチック成形体１とリードフレーム３と
の間に成形不良による欠陥部が発生することもない。In addition, dust caused by peeling off of the plastic surface constituting the plastic molded body 1 or dust caused by dust will not adhere to the inner surface of the lid member 7 of the semiconductor device, and furthermore, the plastic molded body 1 and the lead frame 3 During this process, defects due to poor molding will not occur.
次に、本発明に係る製造方法の第３工程として、リード
フレームのパッド部３ａに半導体チップ４をグイボンデ
ィングするとともに、半導体チップ４とリードフレーム
３とをワイヤーボンディングして電気的に接続する。Next, as the third step of the manufacturing method according to the present invention, the semiconductor chip 4 is bonded to the pad portion 3a of the lead frame, and the semiconductor chip 4 and the lead frame 3 are electrically connected by wire bonding.
最後に、本発明に係る製造方法の第４工程として、熱硬
化性樹脂シール剤を用いてプラスチック成形体１と蓋材
７とを接着してプラスチック成形体１の開口凹部全体を
密閉する。Finally, as the fourth step of the manufacturing method according to the present invention, the plastic molded body 1 and the lid member 7 are bonded together using a thermosetting resin sealant to seal the entire opening recess of the plastic molded body 1.
ｉユ立皇ｊ
本発明に係る半導体装置は、プラスチック成形体の開口
凹部側表面全面に設けられた接着剤層を介してプラスチ
ック成形体とリードフレームとが接着一体止されてなる
ので、その製造時に、従来のインサート成形の場合のよ
うに、プラスチック成形体の成形時に生ずるパリがリー
ドフレームの表面に載るようなことはなく、その後の工
程で行なうダイボンディングおよびワイヤーボンディン
グが容易に行なえるという効果を有する。また本発明に
係る半導体装置は、耐湿性に優れるという効果、さらに
は、プラスチック成形体を構成するプラスチック中に含
まれる充填剤によるゴミまたはパリによるゴミが蓋材の
内表面に付着するのを防止することができるという効果
を有する。In the semiconductor device according to the present invention, the plastic molded body and the lead frame are bonded together through an adhesive layer provided on the entire surface of the opening recess side of the plastic molded body. Unlike conventional insert molding, the particles generated during molding of the plastic molded body do not land on the surface of the lead frame, making it easier to perform die bonding and wire bonding in subsequent processes. has. Furthermore, the semiconductor device according to the present invention has an effect of being excellent in moisture resistance, and furthermore, it prevents dust from the filler or dust from dust contained in the plastic constituting the plastic molded body from adhering to the inner surface of the lid material. It has the effect of being able to.
また、本発明に係る製造方法によれば、上記のような半
導体装置を容易に得ることができるという効果を有する
。Furthermore, the manufacturing method according to the present invention has the effect that the above-described semiconductor device can be easily obtained.
第１図および第２図は、本発明に係る半導体装置のうち
、代表的な半導体装置の構成を表わす概略図である。
１・・・プラスチック成形体 ２・・・接着剤層３・・
・リードフレーム
３ａ・・・リードフレームのパッド部
４・・・半導体チップ
５・・・ボンディングワイヤー ６・・・シール剤層７
・・・蓋材1 and 2 are schematic diagrams showing the configuration of a typical semiconductor device among semiconductor devices according to the present invention. 1...Plastic molded body 2...Adhesive layer 3...
- Lead frame 3a... Lead frame pad portion 4... Semiconductor chip 5... Bonding wire 6... Sealant layer 7
...Lid material
Claims (1)
部を有するプラスチック成形体と、該プラスチック成形
体の開口凹部側表面全面に設けられた接着剤層を介して
プラスチック成形体に接着されているリードフレームと
、プラスチック成形体の最深凹部に位置するリードフレ
ームのパッド部にダイボンディングされた半導体チップ
と、該半導体チップとリードフレームとを電気的に接続
するボンディングワイヤーと、シール剤層を介してプラ
スチック成形体の開口凹部全体を密閉する蓋材とからな
ることを特徴とする半導体装置。 ２）少なくとも１段以上の段差が設けられている開口凹
部を有するプラスチック成形体の開口凹部側表面全面に
熱硬化性樹脂接着剤を塗布する工程該熱硬化性樹脂接着
剤の塗布面にリードフレームを載置した後加圧加熱して
該リードフレームをプラスチック成形体に接着する工程
と、 リードフレームのパッド部に半導体チップをダイボンデ
ィングするとともに、該半導体チップとリードフレーム
とをワイヤーボンディングして電気的に接続する工程と
、 熱硬化性樹脂シール剤を用いてプラスチック成形体と蓋
材とを接着してプラスチック成形体の開口凹部全体を密
閉する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製
造方法。[Scope of Claims] 1) Plastic molding using a plastic molded body having an opening recess with at least one step or more, and an adhesive layer provided on the entire surface of the plastic molding on the side of the opening recess. a lead frame adhered to the body, a semiconductor chip die-bonded to a pad portion of the lead frame located in the deepest recess of the plastic molded body, and a bonding wire electrically connecting the semiconductor chip and the lead frame; 1. A semiconductor device comprising a lid material that seals the entire opening recess of a plastic molded body through a sealant layer. 2) A step of applying a thermosetting resin adhesive to the entire surface of the opening recess side of the plastic molded body having an opening recess with at least one level difference. A lead frame is applied to the surface to which the thermosetting resin adhesive is applied. A process of bonding the lead frame to the plastic molded body by applying pressure and heating after mounting the lead frame, die bonding the semiconductor chip to the pad portion of the lead frame, and wire bonding the semiconductor chip and the lead frame to connect the lead frame to the plastic molded body. and a step of bonding the plastic molded body and the lid material using a thermosetting resin sealant to seal the entire opening recess of the plastic molded body. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20146588A JPH0251259A (en) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Semiconductor device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20146588A JPH0251259A (en) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251259A true JPH0251259A (en) | 1990-02-21 |
Family
ID=16441538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20146588A Pending JPH0251259A (en) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Semiconductor device and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251259A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06125020A (en) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Kyocera Corp | Package for housing semiconductor element |
| JP2009260280A (en) * | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Resin package and method of manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106653A (en) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20146588A patent/JPH0251259A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106653A (en) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06125020A (en) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Kyocera Corp | Package for housing semiconductor element |
| JP2009260280A (en) * | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Resin package and method of manufacturing the same |
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