JPH0249396A - エレクトロルミネセント素子 - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエレクトロルミネセント素子(以後EL素子と
略称とする)に関し、特に直流電流発光型のELデイス
プレィデバイス等に有用なEL素子に関する。
略称とする)に関し、特に直流電流発光型のELデイス
プレィデバイス等に有用なEL素子に関する。
近年コンピュータの普及に伴い、デイスプレィデバイス
の需要が高まっており、特に、現在量も広く使われてい
るCRT (陰極線管)の厚味が大きすぎると云う欠
点を改善しようと云う動きが盛んである。平面デイスプ
レィ装置として現在実用化の域に達しているものには代
表的なものを挙げるとLCD (液晶デイスプレィ)
、 PD (プラズマデイスプレィ)、ELD(エレ
クトロルミネセントディスプレイ)、螢光表示管の4種
があり、ELDは中でも輝度の高さ、コントラストの良
さ及び視野角の広さに於いて群を抜いている。
の需要が高まっており、特に、現在量も広く使われてい
るCRT (陰極線管)の厚味が大きすぎると云う欠
点を改善しようと云う動きが盛んである。平面デイスプ
レィ装置として現在実用化の域に達しているものには代
表的なものを挙げるとLCD (液晶デイスプレィ)
、 PD (プラズマデイスプレィ)、ELD(エレ
クトロルミネセントディスプレイ)、螢光表示管の4種
があり、ELDは中でも輝度の高さ、コントラストの良
さ及び視野角の広さに於いて群を抜いている。
ところが、現在量産段階にあるELDは二重絶縁型で、
この種の構成は真空成膜によって形成された薄膜を何層
も有しており、それぞれの層を形成する際の歩留りがあ
まり高くならないことから、総合的な歩留りを向上させ
ることが非常に困難である。
この種の構成は真空成膜によって形成された薄膜を何層
も有しており、それぞれの層を形成する際の歩留りがあ
まり高くならないことから、総合的な歩留りを向上させ
ることが非常に困難である。
しかし、現在開発途上にある直流電流を流すことによっ
て発光させる方式のELDでは、直流電流を制限するた
めに設ける層の厚味を厚くしてピンホール生成の可能性
を小さくし、歩留りを上げることが可能である。
て発光させる方式のELDでは、直流電流を制限するた
めに設ける層の厚味を厚くしてピンホール生成の可能性
を小さくし、歩留りを上げることが可能である。
現在知られているこの種のELDの構成は、第1図に示
す様に、ガラス基板上に透明電極を形成し、その上に順
次発光層、電流制限層、背面電極を形成したものであり
(例えば英国特許GB217634OA)、二重絶縁型
に較べて真空成膜によって形成される絶縁膜が二層とも
使用されないことから、歩留りも高くなり、コストも低
下する。
す様に、ガラス基板上に透明電極を形成し、その上に順
次発光層、電流制限層、背面電極を形成したものであり
(例えば英国特許GB217634OA)、二重絶縁型
に較べて真空成膜によって形成される絶縁膜が二層とも
使用されないことから、歩留りも高くなり、コストも低
下する。
しかしながら、上記従来のEL素子においては、電流制
限層の電気抵抗が発光による温度上昇で急激に低下し、
更に大きな電流が流れることによって発熱すると云う悪
循環によって輝度むらや寿命短縮が起こると云う重大な
問題点があった。
限層の電気抵抗が発光による温度上昇で急激に低下し、
更に大きな電流が流れることによって発熱すると云う悪
循環によって輝度むらや寿命短縮が起こると云う重大な
問題点があった。
本発明は、前記従来の問題点を解決するためになされた
ものであって、 透明基板上に、透明電極2発光物質よりなる面電流制限
層、および背面電極を順次積層して成るエレクトロルミ
ネセント素子において、該電流制限層を、 下記a、またはb.の粉末 a、IVa族およびVa族の各元素より選ばれた少くと
も1種の元素の窒化物粉末 b.酸化ルテニウム、酸化イリジウム、カーボンブラッ
クより選ばれる1種もしくは2種以上と絶縁性金属酸化
物微粒子の混合物粉体をバインダー樹脂で固定したもの
としている。
ものであって、 透明基板上に、透明電極2発光物質よりなる面電流制限
層、および背面電極を順次積層して成るエレクトロルミ
ネセント素子において、該電流制限層を、 下記a、またはb.の粉末 a、IVa族およびVa族の各元素より選ばれた少くと
も1種の元素の窒化物粉末 b.酸化ルテニウム、酸化イリジウム、カーボンブラッ
クより選ばれる1種もしくは2種以上と絶縁性金属酸化
物微粒子の混合物粉体をバインダー樹脂で固定したもの
としている。
まず、33群の物質は、バルクの比抵抗は元の金属単体
の比抵抗よりも小さく、バルク状態では高導電体である
が、微粒化によって102Ω・cm〜104Ω・cmの
高抵抗体となるものである。■a族元素(メンプレエフ
周期表、以下同じ)とは、チタン、ジルコニウム、ハフ
ニウムであり、Va族元素とは、バナジウム、ニオブ、
タンタルである。これらの窒化物すなわち、窒化チタン
、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化バナジウム
、窒化ニオブ、窒化タンタルは、それら自体では導電性
の非常に高い物質であるが、これを微粉化することによ
って高抵抗化することが可能であって、しかも、電気抵
抗の温度係数(以下TCPと略す)が正であると云う性
質を有する。これら窒化物粉末の粒径は10nmから1
0μmの範囲が好ましく、より好ましくは1100nか
ら3μmの範囲である。
の比抵抗よりも小さく、バルク状態では高導電体である
が、微粒化によって102Ω・cm〜104Ω・cmの
高抵抗体となるものである。■a族元素(メンプレエフ
周期表、以下同じ)とは、チタン、ジルコニウム、ハフ
ニウムであり、Va族元素とは、バナジウム、ニオブ、
タンタルである。これらの窒化物すなわち、窒化チタン
、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化バナジウム
、窒化ニオブ、窒化タンタルは、それら自体では導電性
の非常に高い物質であるが、これを微粉化することによ
って高抵抗化することが可能であって、しかも、電気抵
抗の温度係数(以下TCPと略す)が正であると云う性
質を有する。これら窒化物粉末の粒径は10nmから1
0μmの範囲が好ましく、より好ましくは1100nか
ら3μmの範囲である。
これらのうち、最も好ましく用いうるちのは窒化ジルコ
ニウムと窒化ニオブである。
ニウムと窒化ニオブである。
また、59群の物質は導電性の高い物質と絶縁物との混
合物である。導電性の高い物質をバインダー樹脂で固定
したものは高い導電性を示すが、バインダー樹脂の比率
を増大させることにより、本発明に於ける電流制限層と
して必要な4〜4 X 105Ω・cllの範囲内の比
抵抗とすることはできるが、ふたつの問題が生じる。
合物である。導電性の高い物質をバインダー樹脂で固定
したものは高い導電性を示すが、バインダー樹脂の比率
を増大させることにより、本発明に於ける電流制限層と
して必要な4〜4 X 105Ω・cllの範囲内の比
抵抗とすることはできるが、ふたつの問題が生じる。
ひとつは、この辺りの比抵抗の、導電性パウダーとバイ
ンダー樹脂の比率に対する変化率は非常に大きく、殆ど
制御が不可能に近いことである。
ンダー樹脂の比率に対する変化率は非常に大きく、殆ど
制御が不可能に近いことである。
もうひとつは、この辺りの比抵抗を有する導電性パウダ
ーとバインダー樹脂組成体中の導電性パウダーの含有率
はかなり低いので、該組成体中を導電性パウダーが動き
まわり、物性の経時変化が起こりやすいことである。
ーとバインダー樹脂組成体中の導電性パウダーの含有率
はかなり低いので、該組成体中を導電性パウダーが動き
まわり、物性の経時変化が起こりやすいことである。
上記2点の問題を解決するため、充填剤として、絶縁性
金属酸化物微粒子を加えて安定化させる。
金属酸化物微粒子を加えて安定化させる。
これはガラス粉でも良いし、SiO□、tl、O3等で
も良いが、塗膜の均一性を考慮すると粒径が小さくて粒
度のそろったSing、 A 1203等のゾルを用い
ることが好ましい。
も良いが、塗膜の均一性を考慮すると粒径が小さくて粒
度のそろったSing、 A 1203等のゾルを用い
ることが好ましい。
本発明に使用する導電性の高い物質は、酸化ルテニウム
、酸化イリジウム、カーボンブラックより選ばれる1種
又は2種以上であるが、これらは電気抵抗の重度係数が
小さく、温度変化によって抵抗が変化しにくい物質であ
る。
、酸化イリジウム、カーボンブラックより選ばれる1種
又は2種以上であるが、これらは電気抵抗の重度係数が
小さく、温度変化によって抵抗が変化しにくい物質であ
る。
これらの導電性の高い物質も、粒径によって抵抗が変化
するが、粉末の取扱い点や均一な発光強度を得るために
、前記窒化物粉末同様10nm〜10μmの粒径とする
ことが好ましい。又、SiO□。
するが、粉末の取扱い点や均一な発光強度を得るために
、前記窒化物粉末同様10nm〜10μmの粒径とする
ことが好ましい。又、SiO□。
A j! 203等の絶縁性金属酸化物粉末も相互に分
散させるために同程度の粒径とすることが好ましく、1
0rv〜10μmの粒径が好まれる。
散させるために同程度の粒径とすることが好ましく、1
0rv〜10μmの粒径が好まれる。
酸化ルテニウム、酸化イリジウム、カーボンブラックよ
りなる導電性の高い物質の粉末と絶縁性金属酸化物粉末
との混合割合によって、作成される電流制限層の電気抵
抗は変化するが、その混合割合を1/9〜9/1として
lXl0’〜lXl06Ω・cmの電気抵抗を有する電
流制限層を作成することが好ましい。
りなる導電性の高い物質の粉末と絶縁性金属酸化物粉末
との混合割合によって、作成される電流制限層の電気抵
抗は変化するが、その混合割合を1/9〜9/1として
lXl0’〜lXl06Ω・cmの電気抵抗を有する電
流制限層を作成することが好ましい。
以上の電流制限層構成成分は、いずれも通常の粉体状又
は溶剤分散性ヅル状で使用され、これらはバインダー樹
脂を用いて固定される。バインダー樹脂としては、通常
の有機高分子物質やシリコーン樹脂を用いることができ
る。
は溶剤分散性ヅル状で使用され、これらはバインダー樹
脂を用いて固定される。バインダー樹脂としては、通常
の有機高分子物質やシリコーン樹脂を用いることができ
る。
これらにはたとえば、ビニル系樹脂、ポリエステル系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、セルロース
系樹脂、ポリウレタン系樹脂、尿素系樹脂、エポキシ系
樹脂、メラミン系樹脂、ジノコーン系樹脂などが挙げら
れるが、特に、極性基を有した高分子材料が好適に用い
られる。
脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、セルロース
系樹脂、ポリウレタン系樹脂、尿素系樹脂、エポキシ系
樹脂、メラミン系樹脂、ジノコーン系樹脂などが挙げら
れるが、特に、極性基を有した高分子材料が好適に用い
られる。
極性基を存した高分子材料としてはたとえば、ビニルア
ルコールやアクリル酸、メタクリル酸、N、N −ジメ
チルアミノメタクリレート残基を有した共重合体、ポリ
オールを当量より過剰に含んだポリウレタンやシリコー
ン樹脂が挙げられる。これらは単独でも、混合物として
も用いることができる。
ルコールやアクリル酸、メタクリル酸、N、N −ジメ
チルアミノメタクリレート残基を有した共重合体、ポリ
オールを当量より過剰に含んだポリウレタンやシリコー
ン樹脂が挙げられる。これらは単独でも、混合物として
も用いることができる。
これらバインダー樹脂を用いて結合される粉体の平均粒
径は10nm〜10μmであることが好ましく、より好
ましくは1100n〜3μmである。
径は10nm〜10μmであることが好ましく、より好
ましくは1100n〜3μmである。
10nmより粒径が小さくなると粉体の表面原子の割合
が大きくなりすぎて本来の特性が得られにくくなり、又
10μmよりも大きくなると、分散性の低下や膜厚むら
の原因となりやすい。
が大きくなりすぎて本来の特性が得られにくくなり、又
10μmよりも大きくなると、分散性の低下や膜厚むら
の原因となりやすい。
また、該粉体の比抵抗は、4〜4XIO’Ω・cfll
であることが好ましく、30群の物質は粉砕によってこ
の範囲の比抵抗に調節し、50群の物質は、導電性物質
である酸化ルテニウム、酸化イリジウム、カーボンブラ
ックと、絶縁性金属酸化物との比率を変化させて調節す
る。81群の物質の比抵抗は粉砕によって分散に好適な
粒径とすることによって、都合良く、その要求される範
囲の値となり、59群の物質の比抵抗は、導電性物質と
絶縁性物質の比を重量で1:99〜5:95の範囲に設
定することによって好適な範囲に納めることができる。
であることが好ましく、30群の物質は粉砕によってこ
の範囲の比抵抗に調節し、50群の物質は、導電性物質
である酸化ルテニウム、酸化イリジウム、カーボンブラ
ックと、絶縁性金属酸化物との比率を変化させて調節す
る。81群の物質の比抵抗は粉砕によって分散に好適な
粒径とすることによって、都合良く、その要求される範
囲の値となり、59群の物質の比抵抗は、導電性物質と
絶縁性物質の比を重量で1:99〜5:95の範囲に設
定することによって好適な範囲に納めることができる。
また、バインダー樹脂と上記粉体の比率は、体積で1=
1とすることが最も安定な複合体を得られるので好まし
いが、おおよそ30ニア 0〜70:30の範囲内なら
ば安定にすることができる。
1とすることが最も安定な複合体を得られるので好まし
いが、おおよそ30ニア 0〜70:30の範囲内なら
ば安定にすることができる。
電流制限層の厚味は1μmを切ると粉体粒子が膜厚に較
べて大きくなってしまい、電気抵抗の均一性がt員われ
るし、100μmを越えると膜にクランクが生じ易くな
り、不安定になる。より好ましい膜厚は、5〜20μm
である。
べて大きくなってしまい、電気抵抗の均一性がt員われ
るし、100μmを越えると膜にクランクが生じ易くな
り、不安定になる。より好ましい膜厚は、5〜20μm
である。
本発明は、前記従来の電流制限層の発熱によるブレーク
ダウンが、電流制限層に使用しているα。
ダウンが、電流制限層に使用しているα。
γ、もしくはδ型の二酸化マンガンの特性によって引き
おこされていることにかんがみなされたものであって、
本発明によれば、電流制限層を構成する抵抗体である無
機質粉体として、ひとつは該電流制限層中でバインダー
樹脂中に安定に分散する粒径にすることによって同時に
望ましい範囲の比抵抗と正のTCPを得られる特定金属
の窒化物を用い、ひとつは正のTCRを有する物質と絶
縁物の比率を変化させることによって望ましい範囲の比
抵抗と正のTCPが得られる混合物を用いているため、
電流制限層の電気抵抗の温度依存性もまた正になり、前
記温度上昇による電流の急激な増加を防止し、EL素子
のブレイクダウンが防止できる。
おこされていることにかんがみなされたものであって、
本発明によれば、電流制限層を構成する抵抗体である無
機質粉体として、ひとつは該電流制限層中でバインダー
樹脂中に安定に分散する粒径にすることによって同時に
望ましい範囲の比抵抗と正のTCPを得られる特定金属
の窒化物を用い、ひとつは正のTCRを有する物質と絶
縁物の比率を変化させることによって望ましい範囲の比
抵抗と正のTCPが得られる混合物を用いているため、
電流制限層の電気抵抗の温度依存性もまた正になり、前
記温度上昇による電流の急激な増加を防止し、EL素子
のブレイクダウンが防止できる。
実施例
実施例1〜4
■ 導電性粉体の調製
以下の手順によりまず導電性粉体l〜4を各々調製した
。
。
粉体1
窒化ジルコニウム粉体(平均粒径6μm)をボールミル
で10時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの窒化ジル
コニウム微粉体を得た。
で10時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの窒化ジル
コニウム微粉体を得た。
粉体2
窒化ニオブ粉体(平均粒径1oμm)をボールミルで1
0時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの窒化ニオブ徽
粉体を得た。
0時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの窒化ニオブ徽
粉体を得た。
粉体3
酸化ルテニウム粉体(平均粒径10μm)をボールミル
で10時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの酸化ルテ
ニウム微粉体を得た。
で10時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの酸化ルテ
ニウム微粉体を得た。
粉体4
酸化珪素フレーク(平均粒径0.1關)をボールミルで
10時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの酸化珪素微
粉体を得た。
10時間かけて粉砕し、平均粒径約1μmの酸化珪素微
粉体を得た。
■ 塗料の調製
以下の手順により塗料A−Dを各々調製した。
塗料A
粉体1 56gとアルミニウム系カップリング剤(AL
−M■:味の素)0.1g、及びメチルエチルケトン(
以下MEKと略記する)48ml、メチルイソブチルケ
トン(以下MIBKと略記する)108ml、イソアミ
ルアセテート(以下i −Ate八Cへ略記する)10
8 m!!、 プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート(以下PGMEAと略記する)72m2を
加えてボールミルで1時間ミルして粉体の表面処理を行
い、分散物を調製し、続いて塩ビー酢ビーポバール三元
共重合体(V A G H■:UCC)のMEK25%
溶液32m溶液3畑均一に分散した塗料を得た。
−M■:味の素)0.1g、及びメチルエチルケトン(
以下MEKと略記する)48ml、メチルイソブチルケ
トン(以下MIBKと略記する)108ml、イソアミ
ルアセテート(以下i −Ate八Cへ略記する)10
8 m!!、 プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート(以下PGMEAと略記する)72m2を
加えてボールミルで1時間ミルして粉体の表面処理を行
い、分散物を調製し、続いて塩ビー酢ビーポバール三元
共重合体(V A G H■:UCC)のMEK25%
溶液32m溶液3畑均一に分散した塗料を得た。
塗料B
粉体lにかえて粉体2を6 7. 2 g用いた他は塗
料Aと同様に行い、均一に分散した塗料を得た。
料Aと同様に行い、均一に分散した塗料を得た。
塗料C
粉体Iにかえて、1.1gの粉体3と1 7. 1 g
の粉体4の混合物を用い、塩ビー酢ビーポバール三元共
重合体に加えて水酸基含有ポリエステル(TP249■
:日本合成)を用いた他は塗料Aと同様に行い、均一に
分散した塗料を得た。
の粉体4の混合物を用い、塩ビー酢ビーポバール三元共
重合体に加えて水酸基含有ポリエステル(TP249■
:日本合成)を用いた他は塗料Aと同様に行い、均一に
分散した塗料を得た。
塗料り
粉体3と粉体4の混合物にかえて、キシレン−ブタノー
ル混合溶媒分散性シリカゾル(シリカ30wt%含有1
日産化学製)57gにカーボンブランク0. 2 4
gを分散させたゾルを用いた他は塗料Cと同様に行い、
均一に分散した塗料を得た。
ル混合溶媒分散性シリカゾル(シリカ30wt%含有1
日産化学製)57gにカーボンブランク0. 2 4
gを分散させたゾルを用いた他は塗料Cと同様に行い、
均一に分散した塗料を得た。
■ ELセルの作製
次にガラス基板等の透明絶縁基板1上にインジウムスズ
酸化物(ITO)をスパッタリング法で成膜し、それを
ストライブ形電極2(透明電極)を形成する様にフォト
リソグラフィーによってパターニングした後、マンガン
をドープしたZnS膜3(発光層)を真空蒸着法で約5
00nm厚成膜した。
酸化物(ITO)をスパッタリング法で成膜し、それを
ストライブ形電極2(透明電極)を形成する様にフォト
リソグラフィーによってパターニングした後、マンガン
をドープしたZnS膜3(発光層)を真空蒸着法で約5
00nm厚成膜した。
塗料A−D(実施例1〜4)をスプレー塗装でZnS膜
上に各々塗布し、乾燥して電流制限層4(約10〜15
μm厚)とした後、更にその上にアルミニウムを真空蒸
着法で約10μm厚成膜し、針でITOのパターンとは
直角に引っかいて電iJt制限層とアルミニウム層を一
緒にかきとってCL型の背面電極5を形成し、封止した
。
上に各々塗布し、乾燥して電流制限層4(約10〜15
μm厚)とした後、更にその上にアルミニウムを真空蒸
着法で約10μm厚成膜し、針でITOのパターンとは
直角に引っかいて電iJt制限層とアルミニウム層を一
緒にかきとってCL型の背面電極5を形成し、封止した
。
以上の様にして作製したドツトマトリクス型ELパネル
を駆動回路に接続して発光させたところ、全面均一に発
光しており、輝度むらも観察されなかった。
を駆動回路に接続して発光させたところ、全面均一に発
光しており、輝度むらも観察されなかった。
比較例1
四三酸化マンガン、−酸化マンガン,カーボンブランク
、及び銀粉末をそれぞれ10g,ニトロセルロースの2
5%hEK溶液を4gと酢酸エチル/トルエン/=1/
1の溶媒30gに添加して分散させた4種類の塗料を調
製し、これを用いて実施例と同様の手順でELセルを作
製し、駆動回路に接続して発光させようとしたが、全く
発光しなかった。
、及び銀粉末をそれぞれ10g,ニトロセルロースの2
5%hEK溶液を4gと酢酸エチル/トルエン/=1/
1の溶媒30gに添加して分散させた4種類の塗料を調
製し、これを用いて実施例と同様の手順でELセルを作
製し、駆動回路に接続して発光させようとしたが、全く
発光しなかった。
比較例2
α−二酸化マンガン及びT−二酸化マンガンを用いて比
較例1の様な手順でELセルを作製した。
較例1の様な手順でELセルを作製した。
一応発光は観測されたが、最初に見られた輝度むらが時
間が経過すると共にだんだん大きくなり、ついには所々
ブレークダウンが起こった。
間が経過すると共にだんだん大きくなり、ついには所々
ブレークダウンが起こった。
本発明によれば、電流制限層を用いたEL素子輝度むら
を改善し、ブレークダウンを防止し、El、素子の信頼
性を向上することができる。
を改善し、ブレークダウンを防止し、El、素子の信頼
性を向上することができる。
4、
第1図は実施例で作製したエレク
ント素子の概略を示す断面図である。
トロルミネセ
第
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (l) 透明基板上に、透明電極,発光物質よりなる層
.電流制限層,および背面電極を順次積層して成るエレ
クトロルミネセント素子において、該電流制限層を下記
a.またはb.の粉末 a.Na族およびVa族の各元素より選ばれた少くとも
1種の元素の窒化物粉末 b.酸化ルテニウム、酸化イリジウム、カーボンブラッ
クより選ばれる1種もしくは2種以上と絶縁性金属酸化
物微粒子 の混合物粉体 をバインダー樹脂で固定したものとしたことを特徴とす
るエレクトロルミネセント素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63199496A JPH0249396A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | エレクトロルミネセント素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63199496A JPH0249396A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | エレクトロルミネセント素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0249396A true JPH0249396A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16408788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63199496A Pending JPH0249396A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | エレクトロルミネセント素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0249396A (ja) |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP63199496A patent/JPH0249396A/ja active Pending
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