JPH024741A - シリカ‐アルミナ触媒を使用するモノ‐オルト‐第3ブチル‐アニリンの製法 - Google Patents
シリカ‐アルミナ触媒を使用するモノ‐オルト‐第3ブチル‐アニリンの製法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C209/00—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C209/68—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton from amines, by reactions not involving amino groups, e.g. reduction of unsaturated amines, aromatisation, or substitution of the carbon skeleton
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリカ−アルミナ触媒を用いてモノ−オルト−
第3−ブチル−アニリンを高い選択率でかつ高い転化率
で製造する方法に関する。
第3−ブチル−アニリンを高い選択率でかつ高い転化率
で製造する方法に関する。
芳香族アミンのアルキル化のために芳香族アミンとオレ
フィンを触媒系の存在下で反応させることは既知である
。芳香族アミンのアルキル化法をシリカ−アルミナ触媒
からなる不均一触媒系の使用により行なう特許は以下の
通りである。
フィンを触媒系の存在下で反応させることは既知である
。芳香族アミンのアルキル化法をシリカ−アルミナ触媒
からなる不均一触媒系の使用により行なう特許は以下の
通りである。
英国特許第421,791号には活性化した水利シリケ
ートの存在下で異性化を行なうことによりN−アルキル
化芳香族アミンを環アルキル化芳香族アミンとする反応
が開示されている。
ートの存在下で異性化を行なうことによりN−アルキル
化芳香族アミンを環アルキル化芳香族アミンとする反応
が開示されている。
仏画特許第1,406,739号には結晶性アルミノ−
シリケートの存在下で芳香族アミンをオレフィンと接触
させることにより、芳香族アミンおよび他の芳香族化合
物の環アルキル化が開示されている。アルキル化に適す
る芳香族炭化水素ノ例トしてアニロとジフェニルアミン
が挙げられている。
シリケートの存在下で芳香族アミンをオレフィンと接触
させることにより、芳香族アミンおよび他の芳香族化合
物の環アルキル化が開示されている。アルキル化に適す
る芳香族炭化水素ノ例トしてアニロとジフェニルアミン
が挙げられている。
カナダ特許第663.698号にはシリカ−アルミナ型
触媒の存在下でアニリンとオレフインヲ接触することに
より、芳香族アミン典型的にはアニリン誘導体のパラ−
アルキル化が開示されている。アニリン−イソブチレン
の反応は約200〜330℃で行なわれ、240〜26
0℃の温度が好ましいとされている。
触媒の存在下でアニリンとオレフインヲ接触することに
より、芳香族アミン典型的にはアニリン誘導体のパラ−
アルキル化が開示されている。アニリン−イソブチレン
の反応は約200〜330℃で行なわれ、240〜26
0℃の温度が好ましいとされている。
米国特許第4.351,951号には鉄酸化物を含有す
る触媒の存在下で芳香族アミンを第1または第2アルコ
ールと反応させることにより芳香族アミンを製造する方
法が開示されている。
る触媒の存在下で芳香族アミンを第1または第2アルコ
ールと反応させることにより芳香族アミンを製造する方
法が開示されている。
英国特許第846.226号にはモンモリロナイト型の
実質的に中性の白土を活性化させたものの存在下に、1
50〜300℃の温度の範囲で、アニリンおよびフェニ
ルアミンをイソブチレンと液相中で反応させることによ
りアルキル化する方法が開示されている。
実質的に中性の白土を活性化させたものの存在下に、1
50〜300℃の温度の範囲で、アニリンおよびフェニ
ルアミンをイソブチレンと液相中で反応させることによ
りアルキル化する方法が開示されている。
Lavroskiらは著書「n−ブテンによるアニリン
の触媒的アルキル化」にシリカ−アルミナ触媒の存在下
でアニリンとn−ブテンを反応させることを示している
。
の触媒的アルキル化」にシリカ−アルミナ触媒の存在下
でアニリンとn−ブテンを反応させることを示している
。
米国特許第2,194,079号には酸で活性化した白
土の存在下でのジフェニルアミンとシクロヘキセンとの
反応が開示されている。
土の存在下でのジフェニルアミンとシクロヘキセンとの
反応が開示されている。
本発明はシリカ−アルミナ触媒の存在下でアニリンをイ
ソブチレンでアルキル化することによりモノ−第3(以
下りと略記)−ブチルアニリンを製造する方法の改良に
関する。
ソブチレンでアルキル化することによりモノ−第3(以
下りと略記)−ブチルアニリンを製造する方法の改良に
関する。
従来の技術で述べた如くアニリンなどの芳香族アミンは
シリカ−アルミナ触媒系を用いることによりオレフィン
でアルキル化される。しかし混合反応生成物が流出物と
して得られていた。
シリカ−アルミナ触媒系を用いることによりオレフィン
でアルキル化される。しかし混合反応生成物が流出物と
して得られていた。
環ジーt−ブチルアニリンの形のジ−t−ブチルアニリ
ンの製造および環およびN−アルキル化ジ−t−ブチル
アニリン誘導体の製造とは異なりモノ−t−ブチルアニ
リンを製造する方法の改良点はアニリンのジ−t−ブチ
ル誘導体を形成させるとき副反応生成物が最少となるよ
うな、細心の反応制御および固定床触媒槽中で反応を行
なうことにある。この反応はアニリンとイソブチレンの
原料がモル比で2〜lO:1となるように触媒させて行
なわれる。温度は160〜180℃に維持し、圧力は平
方インチあたり500〜1500ポンドに維持する。こ
の反応は、撹拌型反応器とは対称をなす、固定床反応器
中で行なわれ、アニリン原料に基づく反応器への空間速
度は時間(時)単位容積(cc)の触媒あたり0.05
〜0.5cc(LSHV)である。
ンの製造および環およびN−アルキル化ジ−t−ブチル
アニリン誘導体の製造とは異なりモノ−t−ブチルアニ
リンを製造する方法の改良点はアニリンのジ−t−ブチ
ル誘導体を形成させるとき副反応生成物が最少となるよ
うな、細心の反応制御および固定床触媒槽中で反応を行
なうことにある。この反応はアニリンとイソブチレンの
原料がモル比で2〜lO:1となるように触媒させて行
なわれる。温度は160〜180℃に維持し、圧力は平
方インチあたり500〜1500ポンドに維持する。こ
の反応は、撹拌型反応器とは対称をなす、固定床反応器
中で行なわれ、アニリン原料に基づく反応器への空間速
度は時間(時)単位容積(cc)の触媒あたり0.05
〜0.5cc(LSHV)である。
アニリンをイソブチレンでアルキル化する場合、種々の
生成物が得られ、これらにはN、N−アルキル化アニリ
ンから環アルキル化アニリン誘導体、および更にNおよ
び環アルキル化アニリン誘導体または環がポリアルキル
化されたアニリン誘導体の組み合わせまでが含まれる。
生成物が得られ、これらにはN、N−アルキル化アニリ
ンから環アルキル化アニリン誘導体、および更にNおよ
び環アルキル化アニリン誘導体または環がポリアルキル
化されたアニリン誘導体の組み合わせまでが含まれる。
を−ブチル基がアミノ基に対してオルトであるアニリン
のモノ−t−ブチル誘導体はすぐれた抗酸化剤として利
用できる。イソブチレンはアニリンと容易に反応し、副
反応により種々の生成物が生成するので、t−ブチル基
がアミンに対してオルトとなっているモノ−t−ブチル
ーアニリンの量を他の副生物を生ずることなく最大にす
る必要がある。N−アルキル化誘導体を環アルキル化ア
ニリン誘導体から分離するのは困難であり、アニリンの
ジ−t−ブチル誘導体は反応物を回収するために分解し
なければならない。
のモノ−t−ブチル誘導体はすぐれた抗酸化剤として利
用できる。イソブチレンはアニリンと容易に反応し、副
反応により種々の生成物が生成するので、t−ブチル基
がアミンに対してオルトとなっているモノ−t−ブチル
ーアニリンの量を他の副生物を生ずることなく最大にす
る必要がある。N−アルキル化誘導体を環アルキル化ア
ニリン誘導体から分離するのは困難であり、アニリンの
ジ−t−ブチル誘導体は反応物を回収するために分解し
なければならない。
本発明を実施することにより、イソブチレンとアニリン
をシリカ−アルミナ触媒の存在下で反応させ、その反応
を固定床反応器中で行った時、アニリンのジ−t−ブチ
ル誘導体の生成量を最少にすることが出来ることが見出
された。
をシリカ−アルミナ触媒の存在下で反応させ、その反応
を固定床反応器中で行った時、アニリンのジ−t−ブチ
ル誘導体の生成量を最少にすることが出来ることが見出
された。
触媒系は酸性度が高く、70〜80重量%のシリカ含有
を有する触媒を使う必要がある。触媒系中に例えばマグ
ネシアのような他の酸性物が存在してもよいが、本質的
にシリカとアルミナを有する触媒系は最高の酸性度を有
するので好ましいる。シリカ−アルミナの触媒活性を増
加させるため、その触媒系からアルカリまたは、アルカ
リ土類金属酸化物を除去することにより触媒を活性化さ
せることも出来る。この方法は、活性化と称し、これら
の活性化は触媒系を酸と接触させ、未溶解のシリカ−ア
ルミナ触媒を回収することによりなされる。
を有する触媒を使う必要がある。触媒系中に例えばマグ
ネシアのような他の酸性物が存在してもよいが、本質的
にシリカとアルミナを有する触媒系は最高の酸性度を有
するので好ましいる。シリカ−アルミナの触媒活性を増
加させるため、その触媒系からアルカリまたは、アルカ
リ土類金属酸化物を除去することにより触媒を活性化さ
せることも出来る。この方法は、活性化と称し、これら
の活性化は触媒系を酸と接触させ、未溶解のシリカ−ア
ルミナ触媒を回収することによりなされる。
高い選択率で高い転化率を得るために、反応は固定床触
媒反応器中で行なわれる。触媒床を通る流れを高速に保
つことにより触媒床中の熱暴走(Temperatur
e excursion)の効果を最少に抑え反応物生
成物中のアニリンのジ−t−ブチル誘導体のレベルを低
くする。0.05〜0.5h+”の時間基準液空間速度
(LHSV)が維持され、好ましくはLHSVは0.1
−0.25h、r−!である。触媒床中における温度は
、130〜180℃に維持される。温度が約150℃以
下に下がった時アニリンから環アルキル化′アニリン誘
導体への転化は不十分となり、未反応アニリンまたは高
濃度のN−t−ブチルアニリンが反応器からの流出物中
に残される。温度が約200℃を越えた場合または、固
定床触媒反応器中で温度暴走があり、局部的に200℃
以上となってパラ−t−ブチルアニリンの生成が多くな
ることが経験される。
媒反応器中で行なわれる。触媒床を通る流れを高速に保
つことにより触媒床中の熱暴走(Temperatur
e excursion)の効果を最少に抑え反応物生
成物中のアニリンのジ−t−ブチル誘導体のレベルを低
くする。0.05〜0.5h+”の時間基準液空間速度
(LHSV)が維持され、好ましくはLHSVは0.1
−0.25h、r−!である。触媒床中における温度は
、130〜180℃に維持される。温度が約150℃以
下に下がった時アニリンから環アルキル化′アニリン誘
導体への転化は不十分となり、未反応アニリンまたは高
濃度のN−t−ブチルアニリンが反応器からの流出物中
に残される。温度が約200℃を越えた場合または、固
定床触媒反応器中で温度暴走があり、局部的に200℃
以上となってパラ−t−ブチルアニリンの生成が多くな
ることが経験される。
はじめの反応帯域におけるイソブチレンのアニリンに対
するモル比は、イソブチレン1モルあたり約2〜lOモ
ルのアニリン量に維持される。
するモル比は、イソブチレン1モルあたり約2〜lOモ
ルのアニリン量に維持される。
このモル比により、反応器への原料中に存在するアニリ
ンのモル数に基づいて約40〜90のレベルで転化され
ることが可能となる。(アニリンのN−t−ブチル誘導
体は未反応アニリン1モルに当たるものとする。)モル
比が約2より低くなった場合アニリンから目的物への転
化は不十分となり、モル比が約lO:1以上の場合アニ
リンのうち若干量はジ−t−ブチルアニリンに転化する
傾向になる。
ンのモル数に基づいて約40〜90のレベルで転化され
ることが可能となる。(アニリンのN−t−ブチル誘導
体は未反応アニリン1モルに当たるものとする。)モル
比が約2より低くなった場合アニリンから目的物への転
化は不十分となり、モル比が約lO:1以上の場合アニ
リンのうち若干量はジ−t−ブチルアニリンに転化する
傾向になる。
以下の実施例は本発明の実施態様をわかりやすく述べた
ものであるが本発明の思想を制限するものではない。
ものであるが本発明の思想を制限するものではない。
実施例 1
アニリンとイソブチレンを液体として管状反応器中に保
持されているシリカとアルミナの触媒床上にポンプで供
給した。この床は触媒12ccを含み、その触媒は87
%のシリカと13%のアルミナを含有する。
持されているシリカとアルミナの触媒床上にポンプで供
給した。この床は触媒12ccを含み、その触媒は87
%のシリカと13%のアルミナを含有する。
表1に反応条件と反応生成物の分析値を示した。表1中
N−T−BUとはN−t−ブチル−アニリンであり、2
−T−BUとは2−t−ブチル−アニリンであり、di
−T−BUとはジ−t−ブチル−アニリン(N、N−置
換か、N、環置換か、または環、環置換のいずれかであ
る)であり、モしてo / pとはオルト/パラ比のこ
とである。) // データから明らかなように、ジーむ−ブチルアニリンへ
の転化率の増加は200℃の温度で起こる。ざらにオル
ト/バラ比は減少する。
N−T−BUとはN−t−ブチル−アニリンであり、2
−T−BUとは2−t−ブチル−アニリンであり、di
−T−BUとはジ−t−ブチル−アニリン(N、N−置
換か、N、環置換か、または環、環置換のいずれかであ
る)であり、モしてo / pとはオルト/パラ比のこ
とである。) // データから明らかなように、ジーむ−ブチルアニリンへ
の転化率の増加は200℃の温度で起こる。ざらにオル
ト/バラ比は減少する。
データから明らかなように、ジ−t−ブチル−アニリン
への転化率の増加は200℃の温度で起こる。ざらにオ
ルト/パラ比は減少する。
への転化率の増加は200℃の温度で起こる。ざらにオ
ルト/パラ比は減少する。
図は、イソブチレンとアニリンの反応について、生成物
比率と反応温度をプロットしたものである。 特許出願人 エア・プロダクツ・アンド・ケミカルズ
・インコーホレイテッド 外2名
比率と反応温度をプロットしたものである。 特許出願人 エア・プロダクツ・アンド・ケミカルズ
・インコーホレイテッド 外2名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)アニリンをイソブチレンと反応させて環アルキル化
アニリンを生成させる方法において、この反応を酸性触
媒の存在下で行なうに当り、 アニリンをイソブチレンと反応させ、 固定触媒床反応器中に保持されたシリカ−アルミナ触媒
の存在下で該反応を行ない、 アニリンのイソブチレンに対するモル比を2〜10に、
温度を130〜190℃に維持し、そして LHSVを0.05〜0.5hr^−^1に維持するこ
とからなる、高転化率で第3ブチル基がアミンに対して
オルト位にあるモノ−第3−ブチル−アニリンを選択的
に形成させることを特徴とする方法。 2)該反応を150〜170℃の温度で、かつ500〜
1500psigの圧力で行なう請求項1)に記載の方
法。 3)該シリカ−アルミナ触媒が70〜80重量%のシリ
カを含有する請求項2)に記載の方法。 4)該反応を空間速度0.1〜0.25h^−^1で行
なう請求項1)に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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