JPH024268A - Resist peeling agent - Google Patents

Resist peeling agent

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JPH024268A
JPH024268A JP63152277A JP15227788A JPH024268A JP H024268 A JPH024268 A JP H024268A JP 63152277 A JP63152277 A JP 63152277A JP 15227788 A JP15227788 A JP 15227788A JP H024268 A JPH024268 A JP H024268A
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JP
Japan
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hydrocarbons
dichloro
methyl
alcohol
resist stripping
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Application number
JP63152277A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Asano
浅野 昭雄
Naohiro Watanabe
渡辺 直洋
Kazuki Jinushi
地主 一樹
Shunichi Samejima
鮫島 俊一
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent pollution of underground water by adding one of chlorofluorohydrocarbons composed of 3 carbon atoms as an effective component. CONSTITUTION:One of the chlorofluorohydrocarbons composed of 3 carbon atoms is contained as an effective component in the developer. It is preferred to use the H-containing chlorofluorohydrocarbon, such as 1,1-dichloro-2,2,3,3,3- pentafluorohydrocarbon (b.p. 45.5 deg.C), or a mixture of plural kinds of such hydrocarbons. At least one of hydrocarbons, alcohols, ketones, chlorinated hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, and esters is contained in the resist peeling agent, thus permitting the favorable resist peeling agent to be obtained in place of the ones unfavorable from the viewpoint of polluting the underground water.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a resist stripping agent used in the production of printed circuit boards and semiconductors.

[従来の技術] プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、0−ジ
クロルベンゼン等の塩素系溶剤が使われている。
[Prior Art] When producing a printed circuit board or a semiconductor circuit, there is a final step of removing the resist after etching. Conventionally, chlorinated solvents such as methylene chloride, tetrachloroethylene, and 0-dichlorobenzene have been used in this step.

[発明が解決しようとする課題] 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。
[Problems to be Solved by the Invention] The present invention provides a new resist stripping agent that can replace chlorinated solvents in order to reduce the amount of chlorinated solvents used since conventionally used chlorinated solvents are undesirable in terms of groundwater contamination. The purpose is to

[課題を解決するための手段] 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が3である塩化弗化炭化水素を有効成分として含
有するレジスト剥離剤を提供するものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention has been made to achieve the above-mentioned objects, and
The present invention provides a resist stripping agent containing a chlorofluorinated hydrocarbon having 3 carbon atoms as an active ingredient.

本発明の塩化弗化炭化水素としては1.1−ジクロロ−
2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパン(b、p
The chlorofluorinated hydrocarbon of the present invention includes 1,1-dichloro-
2,2,3,3,3-pentafluoropropane (b, p
.

45.5℃)、1.3−ジクロロ−1,2,2,3,3
−ペンタフルオロプロパン(b、p、52℃) 、 1
,1.3−トリクロロ−2,2,3,3−テトラフルオ
ロプロパン(b、p。
45.5°C), 1,3-dichloro-1,2,2,3,3
-Pentafluoropropane (b, p, 52°C), 1
, 1,3-trichloro-2,2,3,3-tetrafluoropropane (b, p.

91.5℃) 、 1.3.3−トリクロロ−1,2,
2,3−テトラフルオロプロパン(b、 p、 90.
5℃) l−クロロ−1,2,2,3,3−ペンタフル
オロプロパン(b、 p、 43.9’C)、1.3−
ジクロロ−2,2,3,3−テトラフルオロプロパン(
b、 9.68℃)、l−クロロ−2,2,3,3−テ
トラフルオロプロパン(b、 9.54℃)、1.1−
ジクリロ−1,2,2−トリフルオロプロパン(b、p
、 60.2”C)、1.3−ジクロロ−2,2,−ジ
フルオロプロパン(b、p、96.7℃)、1.1−ジ
クロロ−2,2,−ジフルオロプロパン(b、 p、 
79℃)及びl−クロロ−2,2−ジフルオロプロパン
(b、p、55.1 ”c )等の水素含有塩化弗化炭
化水素から選ばれる1種又は2種以上の混合物が好まし
い。
91.5°C), 1.3.3-trichloro-1,2,
2,3-tetrafluoropropane (b, p, 90.
5°C) l-chloro-1,2,2,3,3-pentafluoropropane (b, p, 43.9'C), 1.3-
Dichloro-2,2,3,3-tetrafluoropropane (
b, 9.68°C), l-chloro-2,2,3,3-tetrafluoropropane (b, 9.54°C), 1.1-
Dicrylo-1,2,2-trifluoropropane (b, p
, 60.2"C), 1,3-dichloro-2,2,-difluoropropane (b, p, 96.7 °C), 1,1-dichloro-2,2,-difluoropropane (b, p,
79° C.) and hydrogen-containing chlorofluorohydrocarbons such as l-chloro-2,2-difluoropropane (b, p, 55.1″c), or a mixture of two or more thereof is preferred.

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる6例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコ−ル類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも1種を含有させ
ることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤中
の含有割合は、0〜50重量%、好ましくは10〜40
重量%、さらに好ましくは20〜30重量%である0本
発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共沸
組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好ま
しい。
The resist stripping agent of the present invention can contain various other components depending on various purposes6.For example, in order to increase the resist stripping force, hydrocarbons, alcohols, ketones, chlorinated At least one kind selected from organic solvents such as hydrocarbons, aromatics, and esters can be contained. The content ratio of these organic solvents in the resist stripping agent is 0 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight.
% by weight, more preferably from 20 to 30% by weight.0 If the mixture of the chlorofluorinated hydrocarbons and organic solvent of the present invention has an azeotropic composition, it is preferred to use that azeotropic composition.

炭化水素類としては炭素数1〜15の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ンペンタン、n−ヘキサン。
The hydrocarbons are preferably linear or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbons having 1 to 15 carbon atoms, such as n-pentane, impentane, and n-hexane.

イソヘキサン、2−メチルペンタン、2.2−ジメチル
ブタン、2.3−ジメチルブタン、n−ペンタン、イソ
へブタン、3−メチルヘキサン、2.4−ジメチルペン
クン、n−オクタン、2−メチルへブタン、3−メチル
へブタン、4−メチルペンタン、2.2−ジメチルヘキ
サン、2.5−ジメチルヘキサン、3.3−ジメチルヘ
キサン、2−メチル−3−エチルペンクン、3−メチル
−3−エチルペンクン、2゜3.3−トリメチルペンタ
ン、2.3.4−トリメチルペンタン、2.2.3−ト
リメチルペンタン、イソオクタン、ノナン、2.2゜5
−トリメチルヘキサン、デカン、ドデンカン、l−ペン
テン、2−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、l
−ノネン、l−デセン、シクロペンクン、メチルシクロ
ペンクン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エ
チルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シクロヘキセ
ン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン、
アミジノ、アミルナフタレン等から選ばれるものである
。より好ましくは、n−ペンタン、n−ヘキサン、シク
ロヘキサン、n−へブタン等である。
Isohexane, 2-methylpentane, 2.2-dimethylbutane, 2.3-dimethylbutane, n-pentane, isohexane, 3-methylhexane, 2.4-dimethylpenkune, n-octane, to 2-methyl Butane, 3-methylhebutane, 4-methylpentane, 2.2-dimethylhexane, 2.5-dimethylhexane, 3.3-dimethylhexane, 2-methyl-3-ethylpenkun, 3-methyl-3-ethylpenkun, 2゜3.3-trimethylpentane, 2.3.4-trimethylpentane, 2.2.3-trimethylpentane, isooctane, nonane, 2.2゜5
-trimethylhexane, decane, dodencane, l-pentene, 2-pentene, 1-hexene, 1-octene, l
-nonene, l-decene, cyclopenkune, methylcyclopenkune, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, bicyclohexane, cyclohexene, α-pinene, dipentene, decalin, tetralin,
It is selected from amidino, amylnaphthalene, etc. More preferred are n-pentane, n-hexane, cyclohexane, n-hebutane and the like.

アルコ−ル類としては、炭素数1−17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコ−ル類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコ−ル、イソプロピル
アルコ−ル、n−ブチルアルコ−ル、5ec−ブチルア
ルコ−ル、イソブチルアルコ−ル、tert−ブチルア
ルコ−ル、ペンチルアルコ−ル、5ec−アミルアルコ
−ル、l−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコ−ル、tert−ペ
ンチルアルコ−ル、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコ−ル、1−ヘキサノール、2−メチル−
1−ヘプタツール、4−メチル−2−ヘプタツール、2
−エチル−1−ブタノ−・ル、l−ヘプタツール、2−
ヘプタツール、3−ヘプタツール、l−オクタノール、
2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、1
−ノナノール、3.5.5−トリメチル−1−ヘキサノ
ール、l−デカノール、1−ウンデカノール、l−ドデ
カノール、アリルアルコ−ル、プロパルギルアルコ−ル
、ベンジルアルコ−ル、シクロヘキサノール、l−メチ
ルシクロヘキサノ−ル、2−メチルシクロヘキサノール
、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、2
.6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニル
アルコ−ル、テトラデシルアルコ−ル、ヘプタデシルア
ルコ−ル等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコ−ル等であ
る。
The alcohols are preferably linear or cyclic saturated or unsaturated alcohols having 1 to 17 carbon atoms, including methanol, ethanol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, and n-butyl alcohol. , 5ec-butyl alcohol, isobutyl alcohol, tert-butyl alcohol, pentyl alcohol, 5ec-amyl alcohol, l-ethyl-1-propanol, 2-methyl-1
-butanol, isopentyl alcohol, tert-pentyl alcohol, 3-methyl-2-butanol, neopentyl alcohol, 1-hexanol, 2-methyl-
1-heptatool, 4-methyl-2-heptatool, 2
-ethyl-1-butanol, l-heptatool, 2-
heptatool, 3-heptatool, l-octanol,
2-octanol, 2-ethyl-1-hexanol, 1
-nonanol, 3.5.5-trimethyl-1-hexanol, l-decanol, 1-undecanol, l-dodecanol, allyl alcohol, propargyl alcohol, benzyl alcohol, cyclohexanol, l-methylcyclohexanol 2-methylcyclohexanol, 3-methylcyclohexanol, 4-methylcyclohexanol, α-terpineol, avinitinol, 2
.. It is selected from 6-dimethyl-4-heptatool, trimethylnonyl alcohol, tetradecyl alcohol, heptadecyl alcohol and the like. More preferred are methanol, ethanol, isopropyl alcohol and the like.

炭素数1〜9の飽和又は不飽和炭化水素基)のいずれか
の−数式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−
ヘキサノン、メチル−n−ブチルケトン、メチルブチル
ケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
ロン、メチル−〇−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン、2.4−ペンタンジオン
、ジアセトンアルコ−ル、アセトフェノン、フェンチョ
ン等から選ばれるものである。より好ましくはアセトン
、メチルエチルケトン等である。
A saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms) is preferably represented by the following formula: acetone, methyl ethyl ketone, 2-pentanone, 3-pentanone, 2-
Hexanone, methyl-n-butyl ketone, methyl butyl ketone, 2-heptanone, 4-heptanone, diisobutyl ketone, acetonylacetone, mesityl oxide, holon, methyl-〇-amyl ketone, ethyl butyl ketone, methylhexyl ketone, cyclohexanone, methyl It is selected from cyclohexanone, isophorone, 2,4-pentanedione, diacetone alcohol, acetophenone, fencheon and the like. More preferred are acetone, methyl ethyl ketone and the like.

塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、1.1.1−トリクロルエタン、1.1.2−
トリクロルエタン、1.1.1.2−テトラクロルエタ
ン、1.1.2.2−テトラクロルエタン、ペンタクロ
ルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1.2−ジクロ
ルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メチ
レン、1.1.1−トリクロルエタン、トリクロルエチ
レン、テトラクロルエチレン等である。
The chlorinated hydrocarbons are preferably saturated or unsaturated chlorinated hydrocarbons having 1 to 2 carbon atoms, such as methylene chloride, carbon tetrachloride, 1.1-dichloroethane, 1.2-dichloroethane, 1.1. 1-Trichloroethane, 1.1.2-
Trichloroethane, 1.1.1.2-tetrachloroethane, 1.1.2.2-tetrachloroethane, pentachloroethane, 1.1-dichloroethylene, 1.2-dichloroethylene, trichlorethylene, It is selected from tetrachlorethylene and the like. More preferred are methylene chloride, 1.1.1-trichloroethane, trichlorethylene, tetrachlorethylene and the like.

芳香族類としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、第
2ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジイソプロピ
ルベンゼン、スチレン、アルキルベンゼンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベンゼン、p−シメン、シクロヘキシルベンゼン、
ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベン
ゼン、ビフェニル、0−クレゾール、m−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール等である
As aromatics, benzene derivatives and naphthalene derivatives are preferred, and benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, isopropylbenzene, diethylbenzene, sec-butylbenzene, triethylbenzene, diisopropylbenzene, styrene, alkylbenzenesulfonic acid,
Phenol, mesitylene, naphthalene, tetralin, butylbenzene, p-cymene, cyclohexylbenzene,
Pentylbenzene, dipentylbenzene, dodecylbenzene, biphenyl, 0-cresol, m-cresol,
It is selected from xylenol and the like. More preferred are alkylbenzenesulfonic acids, phenol, and the like.

エステル類としては、次の一般式で示されるR。As the esters, R is represented by the following general formula.

0OR4 (ここでR1,Ri、R−、R4,Ri、RsはH又は
OH又は炭素数1−19の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基、) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、・ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、
酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢
酸ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルア
セテート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルア
セテート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−
2−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジプチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジエチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジプチ
ル、フタル酸ビスー2−エチルヘキシル、フタル酸ジエ
チル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチ
ル、酢酸エチル等である。
0OR4 (Here, R1, Ri, R-, R4, Ri, Rs are H, OH, or a hydrocarbon group having 1 to 19 carbon atoms and having a saturated or unsaturated bond.) Specifically, methyl formate, ethyl formate , propyl formate,
Butyl formate, isobutyl formate, pentyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate,
Butyl acetate, isobutyl acetate, 5ec-butyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 5ec-hexyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, cyclohexyl acetate, benzyl acetate, methyl propionate, propion Ethyl acid, butyl propionate, isopentyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, isopentyl butyrate, isobutyl isobutyrate, 2-hydroxy-
Ethyl 2-methylpropionate, butyl stearate,
Pentyl stearate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, butyl benzoate, isopentyl benzoate, benzyl benzoate, ethyl abietate, benzyl abietate, bis-2-ethylhexyl adipate, γ-butyrolact, oxalic acid Diethyl, dibutyl oxalate, dibentyl oxalate, diethyl malonate, dimethyl maleate, diethyl maleate, dibutyl maleate, dibutyl tartrate, tributyl citrate, diptyl sebacate, bis-2-ethylhexyl sebacate,
Some are selected from diethyl phthalate, diethyl phthalate, diptyl phthalate, bis-2-ethylhexyl phthalate, diethyl phthalate, and the like. More preferred are methyl acetate, ethyl acetate and the like.

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をペースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメクアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト剥離剤はいずれにも有効である。
The resist that can be peeled off according to the present invention is not limited in any way, and examples thereof include positive or negative light exposure resists, deep ultraviolet exposure resists, and X-ray or electron beam resists. Materials for resists for light exposure include quinonediazide based on phenol and cresol novolak resin, cyclized rubber based on cis-1,4-polyisoprene, polycinnamic acid, etc. Resists include polymethylmethacrylate, polymethylisopropenylketone, etc., and electron beam and Coalescence and the like are known, but the resist stripping agent of the present invention is effective for both.

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
The method for removing the resist is not limited at all, and a conventional spray method, dipping and stirring, shaking, applying ultrasonic waves, etc. can be employed.

[実施例] 実施例1〜17 下記第1表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lan+1
ner ;グイナケム社製)がラミネートされたプリン
ト基板(銅張積層板)を用い露光、現像、エツチング工
程にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で15分間
浸漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した
[Examples] Examples 1 to 17 A resist stripping test was conducted using resist stripping agents shown in Table 1 below. Photoresist film (Lan+1
After creating a circuit using a printed circuit board (copper-clad laminate) laminated with ner (manufactured by Guinachem) through exposure, development, and etching processes, it was immersed in a resist remover for 15 minutes at room temperature, and after being taken out, it was hardened under a microscope. The state of peeling of the film was observed.

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

第1表 [発明の効果] 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。
Table 1 [Effects of the Invention] As is clear from the Examples, the resist stripping agent of the present invention has an excellent resist stripping effect.

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
Also, compared to conventional chlorine-based stripping agents, it has the advantage of having less adverse effects on plastics used in printed wiring boards.

()内は混合比[重量%] 0:良好に剥離できる △:微量残存 ○:はぼ良好 ×:かなり残存(): Mixing ratio [wt%] 0: Can be peeled off well △: Trace amount remaining ○: Good quality ×: Significantly remaining

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)炭素数が3である塩化弗化炭化水素を有効成分と
して含有するレジスト剥離剤。
(1) A resist stripping agent containing a chlorofluorinated hydrocarbon having 3 carbon atoms as an active ingredient.
(2)塩化弗化炭化水素が1,1−ジクロロ−2,2,
3,3,3−ペンタフルオロプロパン、1,3−ジクロ
ロ−1,2,2,3、3−ペンタフルオロプロパン、1
,1,3−トリクロロ−2,2,3,3−テトラフルオ
ロプロパン、1,3,3−トリクロロ−1,2,2,3
−テトラフルオロプロパン、1−クロロ−1,2,2,
3、3−ペンタフルオロプロパン、1,3−ジクロロ−
2,2,3,3−テトラフルオロプロパン、1−クロロ
−2,2,3,3−テトラフルオロプロパン、1,1−
ジクロロ−1,2,2−トリフルオロプロパン、1,3
−ジクロロ−2,2,−ジフルオロプロパン、1,1−
ジクロロ−2,2,−ジフルオロプロパン、1−クロロ
−2,2,−ジフルオロプロパンである請求項1記載の
レジスト剥離剤。
(2) Chlorofluorinated hydrocarbon is 1,1-dichloro-2,2,
3,3,3-pentafluoropropane, 1,3-dichloro-1,2,2,3,3-pentafluoropropane, 1
, 1,3-trichloro-2,2,3,3-tetrafluoropropane, 1,3,3-trichloro-1,2,2,3
-tetrafluoropropane, 1-chloro-1,2,2,
3,3-pentafluoropropane, 1,3-dichloro-
2,2,3,3-tetrafluoropropane, 1-chloro-2,2,3,3-tetrafluoropropane, 1,1-
dichloro-1,2,2-trifluoropropane, 1,3
-dichloro-2,2,-difluoropropane, 1,1-
The resist stripping agent according to claim 1, which is dichloro-2,2,-difluoropropane or 1-chloro-2,2,-difluoropropane.
(3)レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコ−ル
類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
ル類から選ばれる少なくとも1種が含まれている請求項
1記載のレジスト剥離剤。
(3) The resist stripping agent according to claim 1, wherein the resist stripping agent contains at least one selected from hydrocarbons, alcohols, ketones, chlorinated hydrocarbons, aromatics, or esters. Resist remover.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002053776A (en) * 2000-08-10 2002-02-19 Think Laboratory Co Ltd Remover for plate making resist, gravure ink and the like
WO2007029767A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Washing agent for photolithography and method of forming photoresist pattern using the same

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