JPH01128068A - Releasing agent for resist - Google Patents

Releasing agent for resist

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Publication number
JPH01128068A
JPH01128068A JP28542687A JP28542687A JPH01128068A JP H01128068 A JPH01128068 A JP H01128068A JP 28542687 A JP28542687 A JP 28542687A JP 28542687 A JP28542687 A JP 28542687A JP H01128068 A JPH01128068 A JP H01128068A
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JP
Japan
Prior art keywords
resist
releasing agent
trichlorodifluoroethane
releasing
alcohol
Prior art date
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Pending
Application number
JP28542687A
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Japanese (ja)
Inventor
Akio Asano
浅野 昭雄
Kazuki Jinushi
地主 一樹
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01128068A publication Critical patent/JPH01128068A/en
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides

Abstract

PURPOSE:To obtain the novel releasing agent for a resist instead of a chlorine type solvent by incorporating trichlorodifluoroethane in the releasing agent as an effective component. CONSTITUTION:Said releasing agent contains the trichlorodifluoroethane as the effective component. The trichlorodifluoroethane is incombustibility and has the excellent releasing power for the resist, and is the excellent solvent having a less adverse influence against the materials of a printed board and a semiconductor. The three kinds of the isomers in said trichlorodifluoroethane are known. Said isomers are used independently or in a mixture thereof. Another various kinds of components may be incorporated in the releasing agent according to a purpose. For example, in order to improve the releasing power against the resist, at least one kind of org. solvents selected among hydrocarbons, alcohols, ketones, chlorinated hydrocarbons, aromatics or esters, etc. is incorporated in the releasing agent. Thus, the releasing effect to the resist is improved, and the adverse influence against the plastics, etc., is lessened in comparison with a chlorine type releasing agent.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野]   ゛ 本発明はプリント基板や゛1色導体の製造時に用いられ
るレジスト剥離剤に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a resist stripping agent used in the production of printed circuit boards and one-color conductors.

[従来の技術] プリント基板や半導体回路を作成する場合。[Conventional technology] When creating printed circuit boards and semiconductor circuits.

最終的にエツチング後のレジストを剥離する工程がある
。従来、この工程に塩化メチレン、ケトンクロルエチレ
ン、0−ジクロルベンゼン等の塩素系溶剤が使われてい
る。
Finally, there is a step of stripping off the resist after etching. Conventionally, chlorinated solvents such as methylene chloride, ketone chloroethylene, and 0-dichlorobenzene have been used in this step.

[発明の解決しようとする問題点・1 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用h:を抑えるべく塩
素系溶剤にかわる新規のレジスト′1.’l fil削
を提倶することをL1的とするものである。
[Problems to be Solved by the Invention 1] The present invention proposes a new resist '1. in place of chlorinated solvents in order to suppress the use of conventionally used chlorinated solvents, which are undesirable from the standpoint of groundwater contamination. It is L1-like to propose 'l fil deletion.

E問題点を解決するだめの手段] 本発明は前述の1」的を達成すべくなされたものであり
、トリクロロジフルオロエタンを有効成分として含イi
するレジスト剥離剤を提01するものである。
[Means for Solving Problem E] The present invention has been made to achieve the above-mentioned object 1, and contains trichlorodifluoroethane as an active ingredient.
This paper presents a resist stripping agent that can be used as a resist stripper.

本発明のレジストh+++離削の有効成分であるトリク
ロロジフルオロエタンは、不燃性でレジスト剥離力に優
れ、プリント基板や71′−導体の材質に態形νでの少
ない優れた溶剤である。トリクロロジフルオロエタンに
は1,1.2−1−サクロロー2.2−ジフルオロエタ
ン(以下RI 22という)、1.2.2−1−リクロ
ロー1,2−ジフルオロエタン(以下R122aという
)及び1.1. I−トリクロロ−2,2−ジフルオロ
エタン(以下R122bという)の3種類の異性体が知
られているが、これらを!1i独であるいはこれら2種
以上の混合物として用いることができる。
Trichlorodifluoroethane, which is an active ingredient in the resist h+++ stripping of the present invention, is nonflammable, has excellent resist stripping power, and is an excellent solvent that is less likely to form ν in the material of printed circuit boards and 71'-conductors. Trichlorodifluoroethane includes 1,1,2-1-sachloro-2,2-difluoroethane (hereinafter referred to as RI 22), 1.2.2-1-lichloro-1,2-difluoroethane (hereinafter referred to as R122a), and 1.1. Three types of isomers of I-trichloro-2,2-difluoroethane (hereinafter referred to as R122b) are known, but these! 1i can be used alone or as a mixture of two or more of these.

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、レジ
ストRIIl13Il力を高めるために、炭化水素類、
アルコール類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類
又はニスデル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも1
種を含有させることができる。これらのイ+ljl溶剤
のレジスト剥離剤中の含有割合は、0〜50重量%、好
ましくは10〜40重量%、さらに好ましくは20〜3
0重量%である。トリクロロジフルオロエタンと有機溶
剤との混合物に共沸組成が存在する場合には、その共沸
組成での使用が好ましい。
The resist stripping agent of the present invention can contain various other components depending on various purposes. For example, hydrocarbons,
At least one organic solvent selected from alcohols, ketones, chlorinated hydrocarbons, aromatics, Nisdels, etc.
It can contain seeds. The content ratio of these I+ljl solvents in the resist stripping agent is 0 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight, and more preferably 20 to 3% by weight.
It is 0% by weight. If the mixture of trichlorodifluoroethane and the organic solvent has an azeotropic composition, it is preferred to use the azeotropic composition.

炭化水素類としては炭素数1−15の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン%2.4−ジメチルペンタン、【1−オクタン、2
−メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへ
ブタン。
The hydrocarbons are preferably linear or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbons having 1 to 15 carbon atoms, such as n-pentane, isopentane, n-hexane, isohexane, 2-methylpentane, 2,2-dimethylbutane, 2.3-dimethylbutane, n-hebutane, isohebane, 3-methylhexane%2.4-dimethylpentane, [1-octane, 2
-Methylhebutane, 3-methylhebutane, 4-methylhebutane.

2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘキサン
、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−二チル
ペンクン、3−メチル−3−エチルベンクン、2゜3、
3− t−リメチルベンタン、2,3.4−1−リメチ
ルベンタン、z、 2.3− トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、2.2.5−トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン。
2.2-dimethylhexane, 2.5-dimethylhexane, 3.3-dimethylhexane, 2-methyl-3-ditylpenkun, 3-methyl-3-ethylbenkun, 2゜3,
3-t-limethylbentane, 2,3.4-1-limethylbentane, z, 2.3-trimethylpentane, isooctane, nonane, 2.2.5-trimethylhexane, decane, dodencane, 1-pentene, 2-Pentene.

1−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、r
l−ペンタン、n−ヘキサン、rl−へブタン等である
1-hexene, 1-octene, 1-nonene, 1-decene, cyclopentane, methylcyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane,
It is selected from bicyclohexane, cyclohexene, α-pinene, dipentene, decalin, tetralin, amylene, amylnaphthalene, and the like. More preferably, r
l-pentane, n-hexane, rl-hebutane, etc.

アルコール類としては、炭素数1〜I7の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、rl−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、n−ブチルアルコール、 5ec−ブチ
ルアルコール、イソブチルアルコール、 ’tart−
ブチルアルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミ
ルアルコール、1−エチル−!−プロパツール、2−メ
チル−1−ブタノール、イソペンチルアルコール、 L
erL−ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノ
ール、ネオペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2
−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタ
ノール、2−エチル−1−ブタノール、1−ヘプタツー
ル、2−ヘプタツール、3−ヘプタツール、1−オクタ
ツール、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノ
ール、l−ノナノール、3.5.5−1−リメヂルー1
−ヘキサノール、1−デカノール、I−ウンデカノール
、l−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギル
アルコール、ベンジルアルコール。
The alcohols are preferably linear or cyclic saturated or unsaturated alcohols having 1 to 17 carbon atoms, such as methanol, ethanol, rl-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, 5ec-butyl alcohol, isobutyl alcohol, 'tart-
Butyl alcohol, pentyl alcohol, 5ec-amyl alcohol, 1-ethyl-! -propanol, 2-methyl-1-butanol, isopentyl alcohol, L
erL-pentyl alcohol, 3-methyl-2-butanol, neopentyl alcohol, 1-hexanol, 2
-Methyl-1-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, 2-ethyl-1-butanol, 1-heptatool, 2-heptatool, 3-heptatool, 1-octatool, 2-octanol, 2 -Ethyl-1-hexanol, l-nonanol, 3.5.5-1-rimedyl 1
-hexanol, 1-decanol, I-undecanol, l-dodecanol, allyl alcohol, propargyl alcohol, benzyl alcohol.

シクロヘキサノール、1−メチルシクロヘキサノール、
2−メチルシクロヘキサノール、3−メチルシクロヘキ
サノール、4−メチルシクロヘキサノール、α−テルピ
ネオール、アビニチノール、2.6−シメチルー4−ヘ
プタツール、トリメチルノニルアルコール、テトラデシ
ルアルコール、ヘプタデシルアルコール等から選ばれる
ものである。より好ましくはメタノール、エタノール。
Cyclohexanol, 1-methylcyclohexanol,
selected from 2-methylcyclohexanol, 3-methylcyclohexanol, 4-methylcyclohexanol, α-terpineol, avinitinol, 2,6-dimethyl-4-heptatool, trimethylnonyl alcohol, tetradecyl alcohol, heptadecyl alcohol, etc. It is something. More preferably methanol or ethanol.

イソプロピルアルコール等である。Examples include isopropyl alcohol.

ケトン類としては、R−CO−R’ 、 R−CO,R
−GO−R’ −「コ  r−CIll −t CD−R”、 R−GO−R″、 R−CD−R’ (
ここで、R,Il’、ll“は炭素数l〜9の飽和又は
不飽和炭化水素基)のいずれかの−大計で示されるもの
が好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペン
タノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−〇
−ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン
、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルア
セトン、メシチルオキシド、ボロン、メチル−〇−アミ
ルケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン
、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホ
ロン、2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール
、アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるもので
ある。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等
である。
Ketones include R-CO-R', R-CO,R
-GO-R' - "CO r-CIll -t CD-R", R-GO-R'', R-CD-R' (
Here, R, Il', Il" are preferably any of the following (saturated or unsaturated hydrocarbon groups having 1 to 9 carbon atoms), and are preferably acetone, methyl ethyl ketone, 2-pentanone, 3-pentanone. , 2-hexanone, methyl-〇-butylketone, methylbutylketone, 2-heptanone, 4-heptanone, diisobutylketone, acetonylacetone, mesityl oxide, boron, methyl-〇-amylketone, ethylbutylketone, methylhexylketone, It is selected from cyclohexanone, methylcyclohexanone, isophorone, 2,4-pentanedione, diacetone alcohol, acetophenone, fenchone, etc. More preferred are acetone, methyl ethyl ketone, etc.

塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、l、 1.11−ジクロルエタン、 1.1.
2−トリクロルエタン、1,1.1.2−テトラクロル
エタン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタ
クロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1.2−ジ
クロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエ
チレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化
メチレン、1.1.1−トリクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン笠である。
The chlorinated hydrocarbons are preferably saturated or unsaturated chlorinated hydrocarbons having 1 to 2 carbon atoms, such as methylene chloride, carbon tetrachloride, 1.1-dichloroethane, 1.2-dichloroethane, 1. 11-dichloroethane, 1.1.
2-trichloroethane, 1,1.1.2-tetrachloroethane, 1,1,2.2-tetrachloroethane, pentachloroethane, 1.1-dichloroethylene, 1.2-dichloroethylene, trichlor It is selected from ethylene, tetrachlorethylene, etc. More preferred are methylene chloride, 1.1.1-trichloroethane, trichlorethylene, and tetrachloroethylene.

芳香族ズnとしては、ベンセン誘導体、ナフタレン誘導
体が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンセン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンセン、
第2ブヂルベン七ン、トリエチルベンセン、ジイソプロ
ピルベンゼン、スチレン、アルキルベンゼンスルボン酸
、フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、
ブチルベンセン、p−シメン、シクロへキシルケンヤン
、ペンチルベンセン、ジベンチルベンセン、ドデシルベ
ンゼン、ビフェニル、0−クレゾール、m−クレゾール
、キシレノール笠から選ばれるものである。より好まし
くは、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール等であ
る。
As the aromatic compound, benzene derivatives and naphthalene derivatives are preferred, and benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, isopropylbenzene, diethylbenzene,
Secondary butylbenzene, triethylbenzene, diisopropylbenzene, styrene, alkylbenzene sulfonic acid, phenol, mesitylene, naphthalene, tetralin,
It is selected from butylbenzene, p-cymene, cyclohexylbenzene, pentylbenzene, dibentilbenzene, dodecylbenzene, biphenyl, 0-cresol, m-cresol, and xylenol. More preferred are alkylbenzenesulfonic acids, phenol, and the like.

ニスデル類としては、次の一般式で示されるR冨 ものが好ましく、R,−COO−R,、+1.−C−R
,−COO−R,。
As the Nisdels, R-rich ones represented by the following general formula are preferable: R, -COO-R,, +1. -C-R
,-COO-R,.

■ OR。■ OR.

C0OR< (ここでR+、 Ra、R3,R4+ Rs、 Reは
11又は011又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽
和結合を有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、醋酸メチル。
COOR propyl formate,
Butyl formate, isobutyl formate, pentyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, 5ec-butyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 5ec-hexyl acetate, 2 -Ethyl butyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, cyclohexyl acetate, benzyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, methyl propionate, isopentyl propionate, methyl acetate.

酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イソペンチル、イソ醋酸
イソブチル、2−ヒドロキシ−2−メヂルブロビオン酸
エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、
安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、
安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、安息香酸ベン
ジル、アビエチン酸エチル、アビエチン酸ベンジル、ア
ジピン酸ビス−2−エチルヘキシル、γ−プチロラクト
、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジベ
ンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチル、マレ
イン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸ジブチル
、クエン酸トリブチル、セパシン酸ジブチル、セバシン
酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジメチル、フタ
ル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ビス−2−
エチルヘキシル、フタル酸ジオクチル等から選ばれるも
のある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸エチル等であ
る。
Ethyl butyrate, butyl butyrate, isopentyl butyrate, isobutyl isoacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylbrobionate, butyl stearate, pentyl stearate,
Methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate,
Butyl benzoate, isopentyl benzoate, benzyl benzoate, ethyl abietate, benzyl abietate, bis-2-ethylhexyl adipate, γ-butyrolact, diethyl oxalate, dibutyl oxalate, dibentyl oxalate, diethyl malonate, maleic acid Dimethyl, diethyl maleate, dibutyl maleate, dibutyl tartrate, tributyl citrate, dibutyl sepacate, bis-2-ethylhexyl sebacate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, bis-2-phthalate
Some are selected from ethylhexyl, dioctyl phthalate, etc. More preferred are methyl acetate, ethyl acetate and the like.

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の先露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等°があり、遠紫外用レジ
ストにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソ
プロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストには
ポリメタフルル酸メチル1.メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共fn合体、メタアクリル酸メチル−
メタクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレ
ジスト剥離剤はいずれにも有効である。
The resist that can be peeled off according to the present invention is not limited in any way, and may include positive or negative type resists for pre-exposure, resists for deep ultraviolet exposure, and resists for X-rays or electron beams. Materials for resists for light exposure include quinonediazide based on phenol and Talezol novolak resins, cyclized rubber based on cis-1,4-polyisoprene, and polycinnamic acid. UV resists include polymethyl methacrylate, polymethyl isopropenyl ketone, etc., and electron beam and X-ray resists include polymethyl methacrylate 1. Glycidyl methacrylate
Ethyl acrylate cofn combination, methyl methacrylate-
Although methacrylic acid copolymers and the like are known, the resist stripping agent of the present invention is effective for both.

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
The method for removing the resist is not limited at all, and a conventional spray method, a method of dipping and stirring, shaking, applying ultrasonic waves, etc. can be adopted.

[実施例] 実施例1〜9 下記第1表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
cr ;ダイナケム社製)がラミネートされたプリント
基板(銅張積層板)を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で■5分間浸
’A’l L/、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を
観察した。
[Examples] Examples 1 to 9 A resist stripping test was conducted using resist stripping agents shown in Table 1 below. Photoresist film (Lam1n
After creating a circuit using a printed circuit board (copper-clad laminate) laminated with cr (manufactured by Dynachem) through exposure, development, and etching steps, it was immersed in a resist remover for 5 minutes at room temperature. After taking it out, the state of peeling of the cured film was observed using a microscope.

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

第1表 ()内は混合比[重量%] O:良好に剥離できる Δ:少量残存 X:かなり残存 [発明の効果] 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。
Table 1 () shows the mixing ratio [wt%] O: good peeling Δ: small amount remaining It is excellent.

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪+2S ?Jが少ない点も
イ■利である。
Also, compared to conventional chlorine-based strippers, it is 2S more harmful to plastics used in printed wiring boards. The fact that there are few J's is also an advantage.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)トリクロロジフルオロエタンを有効成分として含
有するレジスト剥離剤。
(1) A resist stripping agent containing trichlorodifluoroethane as an active ingredient.
(2)レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
ル類から選ばれる少なくとも1種が含まれている特許請
求の範囲第1項記載のレジスト剥離剤。
(2) Claim 1, wherein the resist stripper contains at least one selected from hydrocarbons, alcohols, ketones, chlorinated hydrocarbons, aromatics, or esters. The resist stripping agent described.
JP28542687A 1987-11-13 1987-11-13 Releasing agent for resist Pending JPH01128068A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5114609A (en) * 1989-01-13 1992-05-19 Kali-Chemie Ag Cleaning compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5114609A (en) * 1989-01-13 1992-05-19 Kali-Chemie Ag Cleaning compositions

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