JPH0241924Y2 - - Google Patents
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- JPH0241924Y2 JPH0241924Y2 JP1983030264U JP3026483U JPH0241924Y2 JP H0241924 Y2 JPH0241924 Y2 JP H0241924Y2 JP 1983030264 U JP1983030264 U JP 1983030264U JP 3026483 U JP3026483 U JP 3026483U JP H0241924 Y2 JPH0241924 Y2 JP H0241924Y2
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、入力信号に所定の温度変化特性を付
与することの出来る増幅回路に関するもので、特
に温度変化特性を有するAGC回路の前段に用い
て好適な増幅回路に関する。[Detailed description of the invention] (a) Industrial application field The present invention relates to an amplifier circuit that can impart predetermined temperature change characteristics to an input signal, and is particularly applicable to an amplifier circuit in the front stage of an AGC circuit that has temperature change characteristics. The present invention relates to an amplification circuit suitable for use.
(ロ) 従来技術
従来、第１図に示す如き増幅回路が公知であ
る。この増幅回路は、入力端子１に印加された信
号を、エミツタが共通接続された第１及び第２ト
ランジスタ２及び３で増幅し、前記第２トランジ
スタ３のコレクタから出力トランジスタ４を介し
て出力端子５に増幅された信号を取り出すもので
あるが、出力信号の温度補償を行う為のダイオー
ド６が配置されている。(b) Prior Art Conventionally, an amplifier circuit as shown in FIG. 1 has been known. This amplification circuit amplifies a signal applied to an input terminal 1 with first and second transistors 2 and 3 whose emitters are commonly connected, and outputs the signal from the collector of the second transistor 3 via an output transistor 4 to an output terminal. A diode 6 is arranged to perform temperature compensation of the output signal.
一般に、トランジスタやダイオードのベース．
エミツタ間（ダイオードの場合はアノード．カソ
ード間）電圧VBEは、温度の上昇に伴つて減少す
るという温度変化特性を有する。また、その際の
温度変化率dVBE／dTは、第４図に示す如く、動
作電流に応じて定まる。しかして、第１図におい
て、温度が上昇すると、出力トランジスタ４のベ
ース・エミツタ間電圧VBEは小となり、ベース電
圧を一定とすれば、エミツタ電圧が上昇する。一
方、温度が上昇すると、ダイオード６のアノード
カソード間電圧VDも小となり、前記出力トラン
ジスタ４のベース電圧を引き下げる。その結果、
前記出力トランジスタ４の動作電流と前記ダイオ
ード６の動作電流とを等しくしておけば、互いの
温度変化は相殺され、出力端子５には温度によつ
て変化しない出力信号（電圧）が得られる。 Generally, the base of a transistor or diode.
The emitter-emitter (in the case of a diode, between the anode and the cathode) voltage V BE has a temperature change characteristic in that it decreases as the temperature rises. Further, the rate of temperature change dV BE /dT at that time is determined depending on the operating current, as shown in FIG. In FIG. 1, as the temperature rises, the base-emitter voltage V BE of the output transistor 4 decreases, and if the base voltage is kept constant, the emitter voltage increases. On the other hand, when the temperature rises, the anode-cathode voltage V D of the diode 6 also decreases, lowering the base voltage of the output transistor 4. the result,
If the operating current of the output transistor 4 and the operating current of the diode 6 are made equal, their temperature changes cancel each other out, and an output signal (voltage) that does not change with temperature is obtained at the output terminal 5.
ところで、第１図の増幅回路は、出力端子５に
得られる出力信号が温度によつて変化しないの
で、様々な用途に使用出来るという利点を有する
が、逆に、第２図に示す如きAGC回路の前段増
幅回路として第１図の増幅回路を使用すると、
AGC回路自体が温度変化特性を有する為に、全
体として温度に対して変動仕易い回路が作られて
しまう。第２図のAGC回路は、被AGC回路７を
駆動する為の差動接続された一対のトランジスタ
８及び９の一方のトランジスタ８のベースにダイ
オード１０が接続されている為に、前記一方のト
ランジスタ８のベース電圧は温度によつて変化す
る。それに対し、前記一対のトランジスタ８及び
９の他方のトランジスタ９のベースには、AGC
信号が印加される入力端子１１が接続されてお
り、該入力端子１１には、第１図の出力端子５が
接続され、温度により変化しない前記第１図の増
幅回路の出力信号が印加されるので、結果として
回路全体が温度変化特性をもつてしまう。 By the way, the amplifier circuit shown in FIG. 1 has the advantage that the output signal obtained at the output terminal 5 does not change depending on the temperature, so it can be used for various purposes. However, on the contrary, the AGC circuit shown in FIG. When the amplifier circuit shown in Fig. 1 is used as the front-stage amplifier circuit of
Since the AGC circuit itself has temperature change characteristics, a circuit as a whole is created that tends to fluctuate with temperature. In the AGC circuit shown in FIG. 2, a diode 10 is connected to the base of one transistor 8 of a pair of differentially connected transistors 8 and 9 for driving the AGC circuit 7. The base voltage of 8 changes with temperature. On the other hand, the base of the other transistor 9 of the pair of transistors 8 and 9 has an AGC
An input terminal 11 to which a signal is applied is connected, and the output terminal 5 of FIG. 1 is connected to the input terminal 11, and the output signal of the amplifier circuit of FIG. 1 that does not change with temperature is applied. As a result, the entire circuit has temperature change characteristics.
だからといつて、第１図の増幅回路からダイオ
ード６を除去し、出力端子５に温度によつて変化
する出力信号を発生させると、温度上昇時に、一
対のトランジスタ８及び９の一方のトランジスタ
８のベース電圧が低下し、他方のトランジスタ９
のベース電圧が上昇して、温度に益々依存するも
のとなつてしまう。 Therefore, if the diode 6 is removed from the amplifier circuit of FIG. The base voltage of the other transistor 9 decreases, and the base voltage of the other transistor 9
The base voltage of the circuit increases and becomes increasingly temperature dependent.
(ハ) 考案の目的
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、出
力トランジスタの有する温度変化特性と逆方向に
変化する温度特性を有する増幅回路を提供せんと
するものである。(c) Purpose of the invention The present invention has been made in view of the above points, and aims to provide an amplifier circuit having temperature characteristics that change in the opposite direction to the temperature change characteristics of the output transistor.
(ニ) 実施例
第３図は、本考案に係る増幅回路の一実施例を
示す回路図で、１２及び１３はエミツタが共通接
続された第１及び第２トランジスタ、１４は該第
１トランジスタ１２のベースに抵抗１５を介して
接続された入力端子、１６はダイオード接続され
た第３トランジスタ１７と第４トランジスタ１８
とから成る電流反転回路、１９はベースが前記第
２トランジスタ１３のコレクタに接続された出力
トランジスタ、２０は該出力トランジスタ１９の
ベースと、前記第２トランジスタ１３のベースと
の間に接続されたダイオード、及び２１は前記出
力トランジスタ１９のエミツタに接続された出力
端子である。(D) Embodiment FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the amplifier circuit according to the present invention, in which 12 and 13 are first and second transistors whose emitters are commonly connected, and 14 is the first transistor 12. An input terminal is connected to the base of the input terminal via a resistor 15, and 16 is a diode-connected third transistor 17 and a fourth transistor 18.
19 is an output transistor whose base is connected to the collector of the second transistor 13; 20 is a diode connected between the base of the output transistor 19 and the base of the second transistor 13; , and 21 are output terminals connected to the emitter of the output transistor 19.
入出端子１４に印加される入力信号は、第１及
び第２トランジスタ１２及び１３で差動増幅さ
れ、前記第２トランジスタ１３のコレクタから出
力トランジスタ１９を介して出力端子２１に導出
される。その場合、ダイオード２０には、第２ト
ランジスタ１３のベース電流が流れるだけである
から、前記ダイオード２０の温度変化率は非常に
大なるものとなる。一方、出力トランジスタ１９
には、十分大なる動作電流が流れるので、その温
度変化率は小であり、前記ダイオード２０の温度
変化は、出力トランジスタ１９のベース電圧を下
げる方向に、かつ前記出力トランジスタ１９の温
度変化は、前記出力トランジスタ１９のエミツタ
電圧を上げる方向に働くので、結果として、前記
出力トランジスタ１９のエミツタ電圧、すなわち
出力端子２１に得られる信号は、温度の上昇に伴
い低くなる温度特性を有する。 The input signal applied to the input/output terminal 14 is differentially amplified by the first and second transistors 12 and 13, and is led out from the collector of the second transistor 13 to the output terminal 21 via the output transistor 19. In that case, since only the base current of the second transistor 13 flows through the diode 20, the temperature change rate of the diode 20 becomes extremely large. On the other hand, the output transistor 19
Since a sufficiently large operating current flows through the diode 20, the temperature change rate is small, and the temperature change of the diode 20 lowers the base voltage of the output transistor 19, and the temperature change of the output transistor 19 is Since it acts in the direction of increasing the emitter voltage of the output transistor 19, as a result, the emitter voltage of the output transistor 19, that is, the signal obtained at the output terminal 21, has a temperature characteristic that decreases as the temperature rises.
いま、無信号状態と仮定し、第１及び第２トラ
ンジスタ１２及び１３の電流源となる抵抗２２に
流れる電流をIOとすれば、前記第１及び第２トラ
ンジスタ１２及び１３のコレクタ電流は等しく
IO／２となり、ダイオード２０に流れる第２トラン
ジスタ１３のベース電流は、IO／2βとなる。ただ
し、βは前記第２トランジスタ１３の電流増幅率
である。一方、出力トランジスタ１９のコレクタ
電流IIは、前記抵抗２２の値をRO、出力トランジ
スタ１９のエミツタに接続された抵抗２３の値を
RIとすれば、II≒ROIO＋VBE／RIとなる。従つて、例
えば、β＝100、IO＝200μA、RO＝2KΩ、RI＝
1KΩ、VBE＝0.6Vに設定すれば、ダイオード２０
に流れる電流は、1μAとなり、出力トランジスタ
１９に流れる電流は、1000μAとなる。第４図か
ら明らかな如く、1μAの電流が流れるダイオード
２０の温度変化率は、−2.6ｍＶ／℃となり、
1000μAの電流が流れる出力トランジスタ１９の
温度変化率は、−1.6ｍＶ／℃となる。それ故、出
力端子２１に得られる出力信号の温度変化率は、
１ｍＶ／℃となる。 Now, assuming that there is no signal, and if the current flowing through the resistor 22 serving as the current source for the first and second transistors 12 and 13 is I O , then the collector currents of the first and second transistors 12 and 13 are equal.
I O /2, and the base current of the second transistor 13 flowing through the diode 20 becomes I O /2β. However, β is the current amplification factor of the second transistor 13. On the other hand, the collector current I I of the output transistor 19 is determined by the value of the resistor 22 being R O and the value of the resistor 23 connected to the emitter of the output transistor 19 being R O .
If R I , then I I ≒ R O I O + V BE /R I. Therefore, for example, β = 100, I O = 200 μA, R O = 2KΩ, R I =
If you set 1KΩ, V BE = 0.6V, the diode 20
The current flowing through the output transistor 19 is 1 μA, and the current flowing through the output transistor 19 is 1000 μA. As is clear from Fig. 4, the temperature change rate of the diode 20 through which a current of 1 μA flows is -2.6 mV/°C.
The temperature change rate of the output transistor 19 through which a current of 1000 μA flows is −1.6 mV/° C. Therefore, the temperature change rate of the output signal obtained at the output terminal 21 is
It becomes 1 mV/°C.
この様な出力信号が得られる第１図の増幅回路
を、第２図のAGC回路の前段増幅回路として使
用した場合、一対のトランジスタ８及び９の一方
のトランジスタ８のベースバイアス回路に流れる
電流を1000μAとすれば、前記一方のトランジス
タ８のベース電圧の温度変化率が−1.6ｍＶ／℃
となり、他方のトランジスタ９のベース電圧の温
度変化率が１ｍＶ／℃となるので、温度上昇時に
前記一対のトランジスタ８及び９のベース電圧が
共に低下し、温度変化によるアンバランスが生じ
難くなる。その結果、全体として温度に対して安
定な回路を構成出来る。 When the amplifier circuit shown in FIG. 1, which can obtain such an output signal, is used as a preamplifier circuit of the AGC circuit shown in FIG. If it is 1000 μA, the temperature change rate of the base voltage of the one transistor 8 is -1.6 mV/℃
Since the temperature change rate of the base voltage of the other transistor 9 is 1 mV/° C., the base voltages of the pair of transistors 8 and 9 both decrease when the temperature rises, making it difficult for unbalance to occur due to temperature changes. As a result, a circuit that is stable over temperature can be constructed as a whole.
尚、第３図の出力端子２１に得られる電圧の温
度変化率は、出力トランジスタ１９のベースと第
２トランジスタ１３のベースとの間に接続される
ダイオードの個数を増せば大となり、出力トラン
ジスタ１９に流れる電流を小とすれば小となる。 Note that the temperature change rate of the voltage obtained at the output terminal 21 in FIG. 3 increases as the number of diodes connected between the base of the output transistor 19 and the base of the second transistor 13 increases. If the current flowing through is made small, it becomes small.
(ヘ) 考案の効果
以上述べた如く、本考案に依れば、差動増幅部
と出力トランジスタとから成る増幅回路の温度変
化特性を、簡単な回路構成により逆転させること
が出来、入力信号に所望の温度変化特性を付与す
ることが出来るという利点を有する。(f) Effects of the invention As described above, according to the invention, the temperature change characteristics of the amplifier circuit consisting of the differential amplifier section and the output transistor can be reversed with a simple circuit configuration, and the input signal It has the advantage of being able to provide desired temperature change characteristics.
第１図は、従来の増幅回路を示す回路図、第２
図は本考案に係る増幅回路の利用回路の一例を示
す回路図、第３図は本考案の一実施例を示す回路
図、及び第４図は本考案の説明に供する為の特性
図である。
主な図番の説明、１２……第１トランジスタ、
１３……第２トランジスタ、１９……出力トラン
ジスタ、２０……ダイオード。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional amplifier circuit, Figure 2 is a circuit diagram showing a conventional amplifier circuit;
The figure is a circuit diagram showing an example of a circuit using the amplifier circuit according to the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a characteristic diagram for explaining the present invention. . Explanation of main figure numbers, 12...first transistor,
13...Second transistor, 19...Output transistor, 20...Diode.
Claims (1)
及び第２トランジスタと、該第１トランジスタの
ベースに接続された入力端子と、前記第２トラン
ジスタのコレクタにベースが接続された出力トラ
ンジスタと、該出力トランジスタのベースと前記
第２トランジスタのベースとの間に接続されたダ
イオードと、前記出力トランジスタのエミツタに
接続された出力端子とを備え、前記入力端子に印
加される信号に、前記出力トランジスタ及びダイ
オードの温度変化特性に応じて所定の温度変化特
性を付与し、前記出力端子に温度に応じて変化す
る出力信号を発生する様にしたことを特徴とする
増幅回路。 The first emitter is commonly connected and operates differentially.
and a second transistor, an input terminal connected to the base of the first transistor, an output transistor whose base is connected to the collector of the second transistor, and a base of the output transistor and a base of the second transistor. a diode connected between the output transistor and an output terminal connected to the emitter of the output transistor; What is claimed is: 1. An amplifier circuit characterized in that the output terminal is configured to generate an output signal that changes according to temperature.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983030264U JPS59137615U (en) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | amplifier circuit |
| KR2019840001392U KR890007393Y1 (en) | 1983-03-01 | 1984-02-21 | Amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983030264U JPS59137615U (en) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | amplifier circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59137615U JPS59137615U (en) | 1984-09-13 |
| JPH0241924Y2 true JPH0241924Y2 (en) | 1990-11-08 |
Family
ID=30161125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983030264U Granted JPS59137615U (en) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | amplifier circuit |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59137615U (en) |
| KR (1) | KR890007393Y1 (en) |
-
1983
- 1983-03-01 JP JP1983030264U patent/JPS59137615U/en active Granted
-
1984
- 1984-02-21 KR KR2019840001392U patent/KR890007393Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR840006476U (en) | 1984-12-03 |
| KR890007393Y1 (en) | 1989-10-25 |
| JPS59137615U (en) | 1984-09-13 |
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