JPH0241427U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241427U JPH0241427U JP12010888U JP12010888U JPH0241427U JP H0241427 U JPH0241427 U JP H0241427U JP 12010888 U JP12010888 U JP 12010888U JP 12010888 U JP12010888 U JP 12010888U JP H0241427 U JPH0241427 U JP H0241427U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- semiconductor substrate
- ion implantation
- during
- isolate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 1
Description
第1図は本考案の一実施例に係るイオン打ち込
み用マスクの構造を示すその縦断面図、第2図は
従来のイオン打ち込み用マスクの構造を示すその
縦断面図である。 31…半導体基板、33…マスク、37…ゲー
ト、41…ソース領域、43…ドレイン領域、4
5…側壁。
み用マスクの構造を示すその縦断面図、第2図は
従来のイオン打ち込み用マスクの構造を示すその
縦断面図である。 31…半導体基板、33…マスク、37…ゲー
ト、41…ソース領域、43…ドレイン領域、4
5…側壁。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の所定領域へのイオン打ち込み時に
、該領域を隔成するため半導体基板上に設けられ
るマスクにおいて、 上記マスクの側壁を、該イオン打ち込みにあつ
てイオンビームの入射角度よりも大きな角度で上
記半導体基板に対して傾斜させたことを特徴とす
るイオン打ち込み用マスクの構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12010888U JPH0241427U (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12010888U JPH0241427U (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0241427U true JPH0241427U (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=31365923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12010888U Pending JPH0241427U (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0241427U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5673434A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-18 | Fujitsu Ltd | Formation of mask for ion injection |
JPS62274714A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | マスク及びそれを使用するイオン打込方法 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP12010888U patent/JPH0241427U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5673434A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-18 | Fujitsu Ltd | Formation of mask for ion injection |
JPS62274714A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | マスク及びそれを使用するイオン打込方法 |