JPH023953A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信頼性に優れた半導体装置に関するもので
ある。

（従来の技術） トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
で封止され、半導体装置化されている。上記セラミック
パッケージは、構成材料そのものが高い耐熱性を有し、
透湿性にも優れており、かつ機械的強度が高く、しかも
中空パッケージであるために信頼性の高い封止が可能で
ある。

しかし、構成材料が比較的高価なものであることと、量
産性に劣る欠点があるため、最近ではプラスチックパッ
ケージを用いた樹脂封止が主流になっている。この種の
樹脂封止には、従来から主剤にノボラック型エポキシ樹
脂、硬化剤にノボラツり型フェノール樹脂を用いたエポ
キシ樹脂組成物が使用されている。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、半導体分野の技術革新によって集積度の
向上とともに素子サイズの大形化、配線の微細化が進み
、パッケージも小形化、薄形化する傾向にあり、これに
伴って封止材料に対してより以上の信頼性（得られる半
導体装置の内部応力の低減、耐湿信転性、耐衝窄信顛性
、耐熱信頼性等）の向上が要望されている。

上記のような要望、特に内部応力の低減に対する要望に
応えるため、封止に用いるエポキシ樹脂をゴム成分もし
くはシリコーン化合物を用いて変性し、エポキシ樹脂等
の樹脂成分からなる「海」と、ゴム成分、シリコーン化
合物からなる「島コを備えた海−島構造を形成させるこ
とにより封止樹脂の内部応力を低減させることが行われ
ている。特に、シリコーン化合物による変性樹脂は封止
樹脂の弾性率を低下させるだけでなく、耐湿性および耐
熱性の双方に優れており賞用されている。

最近では、このような封止に用いるエポキシ樹脂をシリ
コーン化合物で変性することにより形成される海−島構
造と内部応力との関係を明らかにする研究が一層進めら
れており、効果的な内部応力の低減には下記の■〜■に
あげるような構造１作用を有する封止樹脂が有効である
ことが見いだされている。

■より微細な海−島構造。

■海−島界面の適度な相互作用。

■島内部の適度な架橋。

しかしながら、上記のような構造２作用を有し、なおか
つ耐熱性、耐湿性等の特性にも優れた封止樹脂は未だ開
発されていないのが実情である。

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、内
部応力が小さく、しかも耐熱性、耐湿性等の特性に優れ
た半導体装置の提供をその目的とする。

Ｃ問題点を解決するための手段） 上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。

（Ａ）エポキシ樹脂。

（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。

（Ｃ）Ａ成分およびＢ成分の混合物に対する相溶性を有
するか、またはＡ成分あるいはＢ成分のいずれか一方と
反応することによりＡ成分およびＢ成分の混合物に対す
る相溶性を有すようになるオルガノシロキサン重合体。

（Ｄ）上記Ｃ成分以外のオルガノシロキサン重合体でか
つＣ成分のオルガノシロキサン重合体と相溶性を有する
オルガノシロキサン重合体。

（作用〕 すなわち、本発明者らは、耐熱性および耐湿性を損なわ
ず、しかも内部応力の小さい封止樹脂を求めて一連の研
究を重ねた。その結果、エポキシ海−島構造が形成され
弾性率の低下に有効であることを見出した。しかしなが
ら、海成分に対する相溶性の一層高いシリコーンオイル
を用いると、海−島構造はより微細になり弾性率は低下
するものの、同時にシリコーンオイルの一部が海部分に
溶出し、そのため封止樹脂のガラス転移温度、耐湿性お
よび耐熱性が低下する傾向が認められた。

すなわち、適度な海−島界面の相溶性を確保しつつ、海
−島構造をより微細化し他の特性を低下させずに内部応
力を低減させるには、一種類のシリコーンオイルの使用
では限界がある。そこで、本発明者らは、さらに研究を
重ねた結果、互いに相異なる２種類の特殊なオルガノシ
ロキサン重合体を用いると、海−島構造の適度な相互作
用を保持しつつ、島の粒径をより微細にすることができ
、耐熱性および耐湿性にとって良好な成績が得られ、し
かも内部応力の低減効果が得られることを見出しこの発
明に到達した。

この発明は、エポキシ樹脂（Ａ成分）とノボラック型フ
ェノール樹脂（Ｂ成分）と特殊なオルガノシロキサン重
合体（Ｃ成分）とＣ成分以外の特殊なオルガノシロキサ
ン重合体（Ｄ成分）とを用いて得られるものであって、
通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状にな
っている。

上記Ａ成分となるエポキシ樹脂は、特に限定するもので
はなく、通常、エポキシ当量１８０〜２３０、軟化点５
０〜１３０°Ｃのクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
があげられる。より好適なのは、エポキシ当量１８５〜
２２０、軟化点６０〜１１０°Ｃのものである。

上記Ａ成分のエポキシ樹脂とともに用いられるＢ成分の
ノボラック型フェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬
化剤として作用するものであり、水酸基当量が８０〜１
３０、軟化点が５０〜１３０°Ｃのものを用いることが
好ましい。

上記Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ成分のノボラック型フェ
ノール樹脂との配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキ
シ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．８〜
１．２当量となるように配合することが好適である。

上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられるＣ成分の特
殊なオルガノシロキサン重合体は、後述のＤ成分のオル
ガノシロキサン重合体とともに封止樹脂の内部応力の低
減に作用するものであり、Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ成
分のノボラック型フェノール樹脂の特定の混合物に対す
る相溶性を有するもの、またはＡ成分あるいはＢ成分の
いずれかと反応してＡ成分とＢ成分の特定の混合物に対
する相溶性を有するようになるものであるならば特に限
定されない。ここでＡ成分とＢ成分の混合物に対する相
溶性を有するとは、Ａ成分単独もしくはＢ成分単独に対
しては相溶性を呈しないが、両者の混合物に対しては相
溶性を呈する場合があるから、これを含める趣旨である
。このようなＣ成分としては、例えば、下記の一般式（
１）および（ＩＩＩ）で表されるような構造を有するも
のが用いられる。

また、上記各成分とともに用いられるＤ成分の特殊なオ
ルガノシロキサン重合体は、上記Ｃ成分以外のオルガノ
シロキサン重合体であって、かつＣ成分のオルガノシロ
キサン重合体と相溶性を有するものがあげられる。この
オルガノシロキサン重合体は、前記Ｃ成分のオルガノシ
ロキサン重合体よりも、Ａ成分とＢ成分の混合物に対す
る相溶性が小さい。二〇Ｂ成分として、例えば、下記の
−Ｃ式（Ｉｆ）または（ＩＶ）で表されるようなすルガ
ノシロキサン重合体があげられる。この場合、Ｃ成分と
して前記の一般式（１）で表されるオルガノシロキサン
重合体が用いられているときは、Ｄ成分は下記の一般式
Ｎｌ）で表されるオルガノシロキサン重合体を用いるこ
とが好ましい。

また、上記Ｃ成分として前記の一般式（ＩＩＩ）で表さ
れるようなオルガノシロキサン重合体が用いられている
ときは、Ｄ成分は下記の一般式（ＩＶ）で表されるよう
なオルガノシロキサン重合体を用いることが好ましい。

なお、Ｃ成分として前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）のもの
を単独で使用するのではなく、両者を併用してもよい。

また、Ｄ成分についても上記の一般式（ＩＩ）および（
ＴＶ）のものを単独で用いるのではなく両者を併用して
もよい。

以上の場合、上記Ｃ成分およびＤ成分のオルガノシロキ
サン重合体の使用量は、エポキシ樹脂組成物中の有機成
分総量（エポキシ樹脂組成物より無機質充填剤を除いた
泄）に対して、Ｃ成分およびＤ成分のオルガノシロキサ
ン重合体が５〜５０重挺％（以下「％」と略す）以下に
なるよう設定することが好適であり、より好適なのは５
〜３０％である。すなわち、上記Ｃ成分およびＤ成分の
オルガノシロキサン重合体の含有量が５％を下回ると充
分な低応力化効果がみられなくなり、逆に５０％を上回
ると樹脂強度の低下現象がみられるからである。また、
Ｃ成分およびＤ成分のオルガノシロキサン重合体の含有
量中、Ｃ成分の含有率（Ｃ成分／（Ｃ成分十り成分））
が、１０〜７０％になるように設定することが好ましい
。すなわち、Ｃ成分の含有率が１０％を下回ると海−島
構造の微細化が充分になされず、逆に７０％を上回ると
封止樹脂硬化物のガラス転移温度が低下する傾向がみら
れるからである。

なお、この発明では、上記各成分以外に必要に応じて硬
化促進剤、充填剤、離型剤等を用いることができる。

上記硬化促進剤としては、フェノール硬化エポキシ樹脂
の硬化反応の触媒となるものは全て用いることができ、
例えば、２，４．６−トリ（ジメチルアミノメチル）フ
ェノール、２−メチルイミダゾール等をあげることがで
き、単独でまたは併せて用いられる。

上記充填剤としては、石英ガラス、珪石粉、タルク等を
あげることができる。

また、上記離型剤としては、従来公知のステアリン酸、
バルミチン酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛、
ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸金属塩、カ
ルナバワックス、モンタンワックス等のワックス類等を
あげることができる。

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎ
のようにして製造することができる。すなわち、エポキ
シ樹脂（Ａ成分）とノボラック型フェノール樹脂（Ｂ成
分）とオルガノシロキサン重合体（Ｃ成分）とＣ成分以
外のオルガノシロキサン重合体（Ｄ成分）および必要に
応じて硬化促進剤、充填剤、離型剤を配合する。そして
、これを、常法に準じてトライブレンド法または溶融ブ
レンド法を適宜採用して混合、混練することにより製造
することができる。この場合、上記配合に先立ってエポ
キシ樹脂（Ａ成分）もしくはノボラック型フェノール樹
脂（Ｂ成分）とオルガノシロキサン重合体（Ｃ成分）と
を予備溶融混合して用いてもよい。

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスフ
ァー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。

このようにして得られる半導体装置は、優れた耐熱信頼
性および耐湿信頼性を有し、かつ内部応力が極めて小さ
い。これは、微細でかつ海−島界面に適度な相互作用を
有した（シリコーン化合物の海成分への溶は込みがない
）海−島構造の形成によるものである。海成分に対する
相溶性の高いＣ成分あるいは相溶性の低いＤ成分各々単
独では実現できるものではなく、Ｃ成分を核としその周
囲をＤ成分が取り囲んだ構造を有しているためと考えら
れる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明の半導体装置は、互いに異なっ
た２種類の特定のオルガノシロキサン重合体（Ｃ成分お
よびＤ成分）を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて
封止されており、そのプラスチックパッケージが従来の
エポキシ樹脂組成物製のものとは異なるため、耐熱信頼
性および耐湿信頼性に優れかつ内部応力が小さく信頼度
の極めて高いものである。特に、上記特殊なエポキシ樹
脂組成物による封止により、超ＬＳＩ等の封止に充分対
応でき、素子サイズが１６価２以上、素子上のＡ！配線
の幅が２μｍ以下の特殊な半導体装置において、上記の
ような高信頬度が得られるようになるのであり、それが
大きな特徴である。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。

（実施例１〕 後記の第１表に示すＮｏ、　１のオルガノシロキサン重
合体５０ｇと後記の第２表に示すＮα１のオルガノシロ
キサン重合体５０ｇおよび２−メチルイミダゾール５．
０ｇをフェノールノボラック樹脂（水酸基当量１１０．
軟化点８０°Ｃ）３５０ｇに加え、温度１５０°Ｃで５
時間溶融混合した。さらに、得られた変性フェノール樹
脂４５０ｇにフェノールノボラック型エポキシ樹脂（エ
ポキシ当１２０５、軟化点８０’Ｃ）７００ｇと溶融シ
リカ２７００ｇと離型剤としてカルナバワックスをＬｏ
ｇ加え、ミキシングロール機（ロール温度１００°Ｃ）
で２分間溶融混合を行い、冷却固化後粉砕し、目的とす
る粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。

（実施例２〕 後記の第１表に示すＮｏ、　２のオルガノシロキサン重
合体５０ｇ、後記の第２表に示すＮｏ、　２のオルガノ
シロキサン重合体１００ｇを用いて変性フェノール樹脂
５００ｇを得た。これに溶融シリカ２８００ｇを加えた
。それ以外は実施例１と同様にして目的とする粉末状の
エポキシ樹脂組成物を得た。

［実施例３］ 後記の第１表に示すＮα３のオルガノシロキサン重合体
５０ｇと後記の第２表に示すＮｏ、　４のオルガノシロ
キサン重合体５０ｇを用い、温度１００　”Ｃで０．５
時間溶融混合して変性フェノール樹脂４５０ｇを得た。

それ以外は実施例１と同様にして目的とする粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た。

〔実施例４〕 後記の第１表に示すＮ００４のオルガノシロキサン重合
体５０ｇと後記の第２表に示すＮ０１３のオルガノシロ
キザン重合体５０ｇをノボラック型エポキシ樹脂７ｏＯ
ｇと温度１００　’Ｃで０．５時間溶融混合した。これ
にフェノールノボラック樹脂３５０ｇと）８融シリカ２
７００ｇと２−メチルイミダゾール５、Ｏｇと離型剤と
してカルナバワックスヲ１０ｇ加え、ミキシングロール
Ｎ（ロール？ＨＪＸ　１００°Ｃ）で２分間溶融混練を
行い、冷却固化後粉砕し、目的とする粉末状のエポキシ
樹脂組成物を得た。

〔実施例５〕 後記の第１表に示すＮα５のオルガノシロキサン重合体
５０ｇ、後記の第２表に示すＮｏ、　２のオルガノシロ
キサン重合体５０ｇを用いて変性フェノール樹脂４５０
ｇを得た。それ以外は実施例１と同様にして目的とする
粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。

（比較例１） 後記の第１表に示すＮ０１１のオルガノシロキサン重合
体１００ｇと２−メチルイミダゾールとフェノールノボ
ラック樹脂３５０ｇを用いて変性フェノール樹脂４５０
ｇを得た。それ以外は実施例１と同様にして目的とする
粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。

〔比較例２〕 後記の第２表に示すＮα２のオルガノシロキサン重合体
１００ｇと２−メチルイミダゾールとフェノールノボラ
ック樹脂３５０ｇを用いて変性フェノール樹脂４５０ｇ
を得た。それ以外は実施例１と同様にして目的とする粉
末状のエポキシ樹脂組成物を得た。

（以下余白） 以上の実施例および比較例によって得られた粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー
成形でモールドすることにより半導体装置を得た。この
ようにして得られた半導体装置について、曲げ弾性率、
−５０’Ｃ１５分〜■５０°Ｃ１５分の５００回の温度
サイクルテスト（以下ｒＴＣＴテスト」と略す）、ガラ
ス転移温度（Ｔｇ）、電圧印加状態（１２１°ＣＸ１０
０％×１０■）におけるプレッシャー釜による１０００
時間の信耗性テスト（以下ｒＰＣＢＴテスト」と略す）
および海−島構造の島径の測定を行った。

その結果を後記の第３表に示した。なお、海−島構造の
島径は、硬化物破断面をＳＥＭ観察することにより海−
島構造の観察を行い測定した。

（以下余白） 第３表の結果から、実施測高は、曲げ弾性率が小さく、
かつガラス転移温度の低下も殆ど見られない。しかも、
ＴＣＴテストおよびＰＣＢＴテストの結果がよいことか
ら比較測高に比べて内部応力が小さくかつ耐湿信頼性が
著しく向上していることがわかる。

特許出願人　　日東電気工業株式会社 代理人　　弁理士　　西　藤　征　彦 昭和６３年 特 許 庁 長 官 殿 １、　羽生のＪジＲ ｅｏ６　３　鴇午月頃ｚ１１　５　３７　１　３号２、
発明の名称 半導体装置 ３゜ 補正をする者 羽生との関係　　特許出願人 住所　が卯床木「Ｈ魁貴１丁目１番２号名　称　　（３
９６）日東電気工業株式会社代表者　　鎌　　居　　五
　　朗 ８月２７日 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の記載を別紙のとおり訂
正する。

（２）明細書第１３頁第７行目、第１５頁第１５行目に
おいて、それぞれ「数ＣＪとあるを「数Ｃｄ」と訂正す
る。

（３）明細書第２１頁第１７行目から同頁第１８行目に
かけて、「フェノールノボラック」とあるを「クレゾー
ルノボラック」と訂正する。

（４）明細書第２３頁第１行目において、「ノボラック
」とあるを「クレゾールノボラック」と訂正する。

７、添付書類の目録 （１）別紙（補正後の特許請求の範囲の全文を記載した
書面）　　　　　　　　　　　　１　通２、特許請求の
範囲 （１）下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置
。

（Ａ）エポキシ樹脂。

（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。

（Ｃ）Ａ成分およびＢ成分の混合物に対する相溶性を有
するか、またはＡ成分あるいはＢ成分のいずれか一方と
反応することによりＡ成分およびＢ成分の混合物に対す
る相溶性を有すようになるオルガノシロキサン重合体。

（Ｄ）上記Ｃ成分以外のオルガノシロキサン重合体でか
つＣ成分のオルガノシロキサン重合体と相溶性を有する
オルガノシロキサン重合体。

（２）Ｃ成分が下記の一般式（Ｉ）で表されるオルガノ
シロキサン重合体であり、Ｄ成分が下記の一般式（ＩＩ
）で表されるオルガノシロキサン重合体である請求項（
１）記載の半導体装置。

（以下余白） （３）Ｃ成分が下記の一般式（ＩＩＩ）で表されるオル
ガノシロキサン重合体であり、Ｄ成分が下記の一般式（
ＩＶ）で表されるオルガノシロキサン重合体である請求
項（１）記載の半導体装置。

以 下 余 白 （４）Ｃ成分が請求項（２）記載の一般式（１）および
請求項（３）記載の一般式（ＩＩＩ）の少なくともであ
り、Ｄ成分が請求項（２）記載の一般式（ＩＩ）および
請求項（３）記載の一般式（ＩＶ）の少なくとも一方で
ある請求項（１）記載の半導体装置９

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹
   脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置
   。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。 （Ｃ）Ａ成分およびＢ成分の混合物に対する相溶性を有
   するか、またはＡ成分あるいは Ｂ成分のいずれか一方と反応することに よりＡ成分およびＢ成分の混合物に対す る相溶性を有すようになるオルガノシロ キサン重合体。 （Ｄ）上記Ｃ成分以外のオルガノシロキサン重合体でか
   つＣ成分のオルガノシロキサン 重合体と相溶性を有するオルガノシロキ サン重合体。 （２）Ｃ成分が下記の一般式（Ｉ）で表されるオルガノ
   シロキサン重合体であり、Ｄ成分が下記の一般式（II）
   で表されるオルガノシロキサン重合体である請求項（１
   ）記載の半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼…（ I ） 〔式（ I ）において、Ｒはアルキル基または一価の芳
   香族炭化水素基、Ｘはエポキシ基含有一価炭化水素基、
   Ｙはポリアルキレンオキサイド残基、Ｑはエポキシ基含
   有ポリアル レンオキサイド残基、ＺはＲ、Ｙ、Ｑよりなる群から選
   択される基である。また、繰り返し数ｃに係る繰り返し
   単位部分におけるＹおよびＱの合計重量はＣ成分全体の
   ３０〜８０重量％であり、繰り返し数ａ、ｂ、ｃ、ｄは
   下記の条件を満たす１以上の整数である。 ５≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１５０ ０．１≦（ｂ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．５〕（
   余白） ▲数式、化学式、表等があります▼…（II） 〔式（II）において、Ｒはアルキル基または一価の芳香
   族炭化水素基、Ｘはエポキシ基含有一価炭化水素基、Ｙ
   はポリアルキレンオキサイド残基、Ｑはエポキシ基含有
   ポリアル レンオキサイド残基、ＺはＲ、Ｙ、Ｑよりなる群から選
   択される基である、また、繰り返し数ｃに係る繰り返し
   単位部分におけるＹおよびＱの合計重量はＣ成分全体の
   ３０〜８０重量％であり、繰り返し数ａ、ｂ、ｃ、ｄは
   下記の条件を満たす１以上の整数である。 ５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦３００ ０．０１≦（ｂ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．１〕
   （３）Ｃ成分が下記の一般式（III）で表されるオルガ
   ノシロキサン重合体であり、Ｄ成分が下記の一般式（I
   V）で表されるオルガノシロキサン重合体である請求項
   （１）記載の半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼…（III） 〔式（III）において、Ｒはアルキル基または一価の芳
   香族炭化水素基、ＸはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
   残基、フェノールノボラック樹脂残基あるいはフェノー
   ルノボラック型エポキシ樹脂残基である、Ｙは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ からなる群から選択される基であり、ＺはＲＸ、Ｙから
   なる群から選択される基である 。また、繰り返し単位部分におけるＸの重量割合はＣ成
   分全体の３０〜７０重量％であり、繰り返し数ａ〜ｃは
   下記の条件を満たす１以上の整数である。 ５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦１５０ ０．１≦ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）≦０．２〕 （以下余白） ▲数式、化学式、表等があります▼…（IV） 〔式（IV）において、Ｒはアルキル基または一価の芳香
   族炭化水素基、ＸはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂残
   基、フェノールノボラック樹脂残基あるいはフエノール
   ノボラツ 型エポキシ樹脂残基である、Ｙは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 からなる群から選択される基であり、ＺはＲ、Ｘ、Ｙか
   らなる群から選択される基である。また、繰り返し単位
   部分におけるＸの重量割合はＣ成分全体の３０〜７０重
   量％であり、繰り返し数ａ〜ｃは下記の条件を満たす１
   以上の整数である。 ５０≦ａ＋ｂ＋ｃ≦５００ ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）≦０．１〕 （４）Ｃ成分が請求項（２）記載の一般式（ I ）お請
   求項（３）記載の一般式（III）の少なくともであり、
   Ｄ成分が請求項（２）記載の一般式（II）および請求項
   （３）記載の一般式（IV）の少なくとも一方である請求
   項（１）記載の半導体装置。