JPH0232523A - Exposure control method - Google Patents
Exposure control methodInfo
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- JPH0232523A JPH0232523A JP63184015A JP18401588A JPH0232523A JP H0232523 A JPH0232523 A JP H0232523A JP 63184015 A JP63184015 A JP 63184015A JP 18401588 A JP18401588 A JP 18401588A JP H0232523 A JPH0232523 A JP H0232523A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 19
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェーハに正確な露光を施す露光制御方法
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an exposure control method for accurately exposing a wafer.
従来、従えば縮小投影型露光装置（以下ステッパーとい
う）を用いての露光においては、実露光（実際にウェー
ハに露光を施すこと）前にダミーショットとして１シヨ
ツト露光し、その露光パワー（単位時間当りの光のエネ
ルギー）をもとに実露光時の露光量の安定化および投影
レンズの倍率とフォーカスの安定化のための露光制御を
行う。Conventionally, in exposure using a reduction projection exposure system (hereinafter referred to as a stepper), one shot is exposed as a dummy shot before the actual exposure (actually exposing the wafer), and the exposure power (unit time) is Exposure control is performed to stabilize the exposure amount during actual exposure and to stabilize the magnification and focus of the projection lens based on the energy of the light that hits the lens.
ところで、上記露光方法には従来から通常モードとフラ
ッシュモードの二種類の方法がある。ここで通常モード
とは露光光源として用いるランプに流れる電流を一定に
し、露光光源からの光子常にを一定に保った状態でシャ
ッターの開閉により露光を行うものである。一方、フラ
ッシュモードとは、シャッターが開く露光時にのみラン
プに流れる電流を通常モード時の電流よりも増加させ、
露光時にのみ露光光源からの光量を増加させるものであ
る。上記どちらのモードにおいても−・回の露光量は常
に一定に保たなければならない。By the way, there are conventionally two types of exposure methods: a normal mode and a flash mode. Here, the normal mode is one in which the current flowing through the lamp used as the exposure light source is kept constant, and exposure is performed by opening and closing the shutter while keeping the photons from the exposure light source constant. On the other hand, flash mode increases the current flowing through the lamp only during exposure when the shutter opens, compared to the current in normal mode.
The amount of light from the exposure light source is increased only during exposure. In either of the above modes, the amount of exposure of -.times. must always be kept constant.
第２図は、フラッシュモードでのショット回数とシャッ
ターオーブン時間との関係を示すグラフである。このグ
ラフは最初の数ショット（特に第１のショット）ではシ
ャッターオーブン時間が比較的長く、ショット露光回数
を多くするに従い、シャッターオーブン時間が短くなり
、一定回数以上になるとシャッターオーブン時間が安定
することを示している。このことより最初の数ショット
（特に第１シヨツトでは露光パワーが小さく、ショット
回数が一定回数以上になると露光パワーが安定すること
がわかる。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the number of shots in flash mode and shutter oven time. This graph shows that the shutter oven time is relatively long for the first few shots (especially the first shot), the shutter oven time becomes shorter as the number of shot exposures increases, and the shutter oven time becomes stable after a certain number of exposures. It shows. From this, it can be seen that the exposure power is small for the first few shots (particularly the first shot), and that the exposure power becomes stable when the number of shots exceeds a certain number.
従来の露光制御方法においては、実露光前にダミーショ
ットとして１シヨツト露光し、その露光パワーをもとに
、実露光時の露光量の安定化と、投影レンズの倍率及び
フォーカスの安定化のための露光制御を行っているが、
フラッシュモード使用時は、前述したように第１シヨツ
トの露光パワーが特に低い為、その露光パワーは実露光
時のものと等しくなく、露光制御が不正確になるという
問題点があった。In the conventional exposure control method, one shot is exposed as a dummy shot before the actual exposure, and based on the exposure power, it is used to stabilize the exposure amount during the actual exposure and to stabilize the magnification and focus of the projection lens. Although the exposure control is performed,
When the flash mode is used, as mentioned above, the exposure power of the first shot is particularly low, so the exposure power is not equal to that during actual exposure, and there is a problem that exposure control becomes inaccurate.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、露光制御が正確に行える露光制御方法を得
ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an exposure control method that can accurately control exposure.
この発明に係る露光方法は、ウェーハの実露光前にサン
プリングショットとしてのダミーショットを行ない、そ
の時の露光光源の露光パワーを基に前記ウェーハの実露
光時の露光制御を行う露光制御方法であって、前記露光
光源の前記露光パワーが前記ウェーハの実露光時と路間
−になった後の前記ダミーショットを前記サンプリング
ショットとするようにしている。The exposure method according to the present invention is an exposure control method that performs a dummy shot as a sampling shot before the actual exposure of the wafer, and controls the exposure during the actual exposure of the wafer based on the exposure power of the exposure light source at that time. The sampling shot is the dummy shot after the exposure power of the exposure light source falls between that during actual exposure of the wafer.
この発明においては、露光光源の露光パワーが安定した
復のダミーショットをサンプリングショットしているの
で露光制御が正確に行える。In this invention, since the exposure power of the exposure light source is stabilized and repeated dummy shots are used as sampling shots, exposure control can be performed accurately.
第１図はこの発明に係る露光制御方法に適用されるステ
ッパーの構成を示す図であり、従来がら用いられている
ものと同様である。図において、１は露光量を決定する
ためのシャッターであり、シャッター駆動部２に゛より
開閉される。ここで露光量とは、１シヨツト（シャッタ
ー１が１回開閉すること）露光時に照射される光のエネ
ルギー聞をいう（以下同じ）。３はシャッター駆動部２
に指令を送りシャッター１の開閉を制御するシャッター
開閉制御部、４は露光量あるいは露光パワーを測定する
ためのインテグレータである。シャッター開閉制御部３
は、インテグレータ４の露光量の測定値に応じシャッタ
ー駆動部２に指令を送ることにより、シャッター１のシ
ャッター速度を制御する。、５はレチクル、６はつＩ−
ハステージである。７はレチクル５とウェーハステージ
６の間に設けられ、ウェーハステージ６上に設置された
ウェーハ６ａにレチクル５のパターンを投影するための
投影レンズである。投影レンズ７の内室には空気があり
、この空気の圧力を変化させることにより、倍率やフォ
ーカスを変化させる。８はウェーハステージ６上に設け
られ、投影レンズ７を介しウェーハステージ６上に与え
られる露光パワーを測定する照度計、９は照度計８によ
り測定された露光パワーに応じ指令を発するレンズ制御
部、１０はレンズ制御部９からの指令に基づき投影レン
ズ７の内室の空気圧を変化させるレンズ空気圧制御部で
ある。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a stepper applied to the exposure control method according to the present invention, and is similar to that used conventionally. In the figure, 1 is a shutter for determining the exposure amount, and is opened and closed by a shutter drive section 2. Here, the exposure amount refers to the energy of light irradiated during one shot exposure (one opening and closing of the shutter 1) (the same applies hereinafter). 3 is the shutter drive unit 2
4 is an integrator for measuring the exposure amount or exposure power. Shutter opening/closing control section 3
controls the shutter speed of the shutter 1 by sending a command to the shutter drive unit 2 according to the measured value of the exposure amount of the integrator 4. , 5 is reticle, 6 is I-
It's a stage. A projection lens 7 is provided between the reticle 5 and the wafer stage 6, and is used to project the pattern of the reticle 5 onto the wafer 6a placed on the wafer stage 6. There is air in the interior of the projection lens 7, and by changing the pressure of this air, the magnification and focus are changed. 8 is an illuminance meter provided on the wafer stage 6 and measures the exposure power applied to the wafer stage 6 through the projection lens 7; 9 is a lens control unit that issues commands in accordance with the exposure power measured by the illuminance meter 8; Reference numeral 10 denotes a lens air pressure control section that changes the air pressure in the interior of the projection lens 7 based on commands from the lens control section 9.
次に動作について説明する。まず、シャッター駆動部２
によりシャッター１を開は露光を開始する。光は、レチ
クル５に与えられ、レチクル５のパターンは投影レンズ
７を介し、ウェーハステージ６上のウェーハ６ａに投影
される。そして、インテグレータ４の測定露光ｍが所定
値に達するとシャッター開閉制御部３はシャッター駆動
部２へ指令を伝え、シャッター駆動部２は、シャッター
１を閉じる。以上が１シヨツト露光の動作である。Next, the operation will be explained. First, shutter drive section 2
When the shutter 1 is opened, exposure is started. Light is applied to the reticle 5, and the pattern of the reticle 5 is projected onto the wafer 6a on the wafer stage 6 via the projection lens 7. Then, when the measured exposure m of the integrator 4 reaches a predetermined value, the shutter opening/closing control section 3 transmits a command to the shutter driving section 2, and the shutter driving section 2 closes the shutter 1. The above is the operation of one shot exposure.
上記動作において、投影レンズ７に光が照射されると、
投影レンズ７への光の照射量（光エネルギーの累積量〉
に応じ投影レンズ７の倍率やフォーカスが変動すること
が知られている。そこで、前記変動量を補正するため、
１シヨツト露光ごとに照度計８で投影レンズ７を通過し
た光の露光パワーを測定し、この露光パワーと投影レン
ズ７への光の照射は（以下に述べるようにダミーショッ
トにより求める）との関係に基づき、レンズ制御部９が
その補正量を計算し、この計算値に基づきレンズ空気圧
調整部１ｏが投影レンズ７の内室の空気圧を調整し、投
影レンズ７の倍率、フォーカスを調整するようにしてい
る。ここで、投影レンズ７への光の照射量は、実露光前
のサンプリングショットとしてダミーショットを行ない
、このときの露光パワーを照度計８で測定し、この測定
値にショット回数を掛算して求める。In the above operation, when the projection lens 7 is irradiated with light,
Amount of light irradiated onto the projection lens 7 (cumulative amount of light energy)
It is known that the magnification and focus of the projection lens 7 vary depending on the situation. Therefore, in order to correct the amount of variation,
For each shot exposure, the exposure power of the light passing through the projection lens 7 is measured using the illuminance meter 8, and the relationship between this exposure power and the irradiation of the light onto the projection lens 7 is (determined using a dummy shot as described below). Based on this, the lens control unit 9 calculates the correction amount, and the lens air pressure adjustment unit 1o adjusts the air pressure in the interior of the projection lens 7 based on this calculated value, and adjusts the magnification and focus of the projection lens 7. ing. Here, the amount of light irradiated onto the projection lens 7 is determined by performing a dummy shot as a sampling shot before actual exposure, measuring the exposure power at this time with an illumination meter 8, and multiplying this measured value by the number of shots. .
また、指定された露光量で露光するため、インデグレー
タ４を設け、インテグレータ４の測定値が所定値に達す
るとシャッター１を閉じ露光を止めるようにしているが
、インテグレータ４の測定値が実際に所定値に達した後
シャッター１をｍじる動作を始めたのではシャッター１
が閉じている途中において余分に露光されることになる
。これを防止すべく、実露光前にサンプリングショット
としてダミーショットを行ない、インテグレータ４でシ
ャッター１の開閉に伴う露光パワーの変化を測定しシャ
ッター１が閉じる時の露光量を求め、これをオフセット
として、インテグレータ４の前記所定値よりあらかじめ
減算しておくことにより露光量の安定化をはかつている
。In addition, in order to perform exposure with a specified exposure amount, an integrator 4 is provided, and when the measured value of the integrator 4 reaches a predetermined value, the shutter 1 is closed and the exposure is stopped. After reaching the value, the shutter 1 starts to be adjusted.
This results in extra exposure while the lens is closing. In order to prevent this, a dummy shot is performed as a sampling shot before the actual exposure, and the integrator 4 measures the change in exposure power as the shutter 1 opens and closes to find the exposure amount when the shutter 1 closes, and uses this as an offset. The exposure amount is stabilized by subtracting it from the predetermined value of the integrator 4 in advance.
この発明においてのフラッシュモードでは、従来、実露
光前、サンプリングショットとしてのダミーショットを
１シヨツト露光しか行っていなかったのを、複数ショッ
トを行い、その露光パワーが安定した時点の、ショット
（一般には最終ショット）をサンプリングショットとす
るようにしている。このようにすることにより、フラッ
シュモードにおいて、サンプリングショットの露光パワ
ーがサンプリングショット後に行われる実露光時の露光
パワーと路間−になる。そして、このサンプリングショ
ットの露光パワーを基準に、インテグレータ４のオフセ
ットの計算及び投影レンズ７への光の照射量の計鐸をす
ることにより、実露光時の露光量の安定化、投影レンズ
７の倍率及びフォーカスの安定化のための露光制御がよ
り正確に行われる。In the flash mode of this invention, whereas conventionally only one dummy shot as a sampling shot was exposed before the actual exposure, multiple shots are performed and the shot (generally The final shot) is used as the sampling shot. By doing this, in the flash mode, the exposure power of the sampling shot is between the exposure power of the actual exposure performed after the sampling shot and the exposure power of the actual exposure performed after the sampling shot. Then, by calculating the offset of the integrator 4 and measuring the amount of light irradiated to the projection lens 7 based on the exposure power of this sampling shot, the amount of exposure during actual exposure is stabilized, and the amount of light irradiated to the projection lens 7 is stabilized. Exposure control for stabilizing magnification and focus can be performed more accurately.
なお、上記実施例ではダミーショットを複数回行う場合
について説明したが、露光光源の露光パワーが安定した
模に、サンプリングショットとしてのダミーショットを
１ショット行うようにしても上記実施例と同様の効果が
得られる。In the above embodiment, the case where the dummy shot is performed multiple times has been explained, but even if one dummy shot is performed as a sampling shot to simulate the stabilization of the exposure power of the exposure light source, the same effect as in the above embodiment can be obtained. is obtained.
以上のようにこの発明によれば、露光光源の露光パワー
がウェーハの実露光時と路間−になった後のダミーショ
ットをサンプリングショットにしたので、サンプリング
ショットの露光パワーを基にウェーハの実露光時の露光
制御を行う場合、より正確に露光制御が行えるという効
果がある。As described above, according to the present invention, since the dummy shot after the exposure power of the exposure light source falls between the actual exposure of the wafer and the sampling shot is used as the sampling shot, it is possible to perform the actual exposure of the wafer based on the exposure power of the sampling shot. When performing exposure control during exposure, there is an effect that exposure control can be performed more accurately.
第１図はこの発明に係る露光制御方法に適用されるステ
ッパーの構成を示す図、第２図はフラッシュモード時の
ショット回数とシャッターオーブン時間との関係を示す
グラフである。
図において、１はシャッター ２はシャッター駆動部、
３はシャッター開閉制御部、４はインテグレータ、５は
レチクル、６はウェーハステージ、６ａはウェーハ、７
は投影レンズ、８は照度計、９はレンズ制御部、１０は
レンズ空気圧制御部である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a stepper applied to the exposure control method according to the present invention, and FIG. 2 is a graph showing the relationship between the number of shots and shutter oven time in flash mode. In the figure, 1 is a shutter, 2 is a shutter drive unit,
3 is a shutter opening/closing control unit, 4 is an integrator, 5 is a reticle, 6 is a wafer stage, 6a is a wafer, 7
8 is a projection lens, 8 is an illumination meter, 9 is a lens control section, and 10 is a lens air pressure control section. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
てのダミーショットを行ない、その時の露光光源の露光
パワーを基に前記ウェーハの実露光時の露光制御を行う
露光制御方法であつて、前記露光光源の前記露光パワー
が前記ウェーハの実露光時と略同一になった後の前記ダ
ミーショットを前記サンプリングショットとすることを
特徴とする露光制御方法。(1) An exposure control method that performs a dummy shot as a sampling shot before the actual exposure of the wafer, and controls the exposure during the actual exposure of the wafer based on the exposure power of the exposure light source at that time, the method comprising: An exposure control method characterized in that the dummy shot after the exposure power becomes substantially the same as that during actual exposure of the wafer is used as the sampling shot.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184015A JPH0232523A (en) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | Exposure control method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184015A JPH0232523A (en) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | Exposure control method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0232523A true JPH0232523A (en) | 1990-02-02 |
Family
ID=16145844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63184015A Pending JPH0232523A (en) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | Exposure control method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0232523A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020136697A1 (en) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社日立ハイテク | Defect inspection device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125359A (en) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Canon Inc | Exposing device |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63184015A patent/JPH0232523A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125359A (en) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Canon Inc | Exposing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020136697A1 (en) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社日立ハイテク | Defect inspection device |
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