JPH0469660A - Exposing device - Google Patents

Exposing device

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JPH0469660A
JPH0469660A JP2181397A JP18139790A JPH0469660A JP H0469660 A JPH0469660 A JP H0469660A JP 2181397 A JP2181397 A JP 2181397A JP 18139790 A JP18139790 A JP 18139790A JP H0469660 A JPH0469660 A JP H0469660A
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exposure
pulse
energy
laser
amount
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Yuji Yasufuku
安福 祐次
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Abstract

PURPOSE:To accurately control exposure by measuring exposing energy with respect to each laser output pulse, obtaining remaining exposure based on target exposure and exposing energy integrated till previous time, calculating the energy of next one pulse and controlling the exposing energy of each pulse. CONSTITUTION:The target exposure is set and the total number P of pulses required for exposure is calculated. Next, the set energy of the first one pulse is calculated, the energy is set and a command for generating one pulse is given. Then, the number of light emitting times is counted up and the energy per one pulse is detected. The remaining exposure is calculated and the set energy of the next one pulse is calculated. Then, the number P of pulses is compared with the number of times (m) of the pulses and when they become the same, exposure is performed.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野〕 本発明は露光装置に関し、特に半導体露光装置に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an exposure apparatus, and particularly to a semiconductor exposure apparatus.

[従来の技術] 半導体技術は高集積化、微細化の一途を辿り、光学的な
露光方式も高解像力のレンズの開発等でまずまずその領
域を拡げつつある。このような露光装置において、マス
ク又はレチクルの回路パターンをウェハ上に転写して焼
き付ける場合、ウェハ上に焼き付けられる回路パターン
の解像線巾は光源の波長に比例するため、近年では遠紫
外(Deep  UV)領域の短い波長の光源が用いら
れている。しかしなから、これらの光源は遠紫外領域に
おいては出力が低く、またウェハ上に塗布されるフォト
レジスト材の感光性も低いので、露光時間が長くなり、
スルーブツトが小さくなる。
[Prior Art] Semiconductor technology continues to become highly integrated and miniaturized, and optical exposure methods are also expanding their scope with the development of high-resolution lenses. When using such exposure equipment to transfer and print a circuit pattern on a mask or reticle onto a wafer, the resolution line width of the circuit pattern printed on the wafer is proportional to the wavelength of the light source. A short wavelength light source in the UV) region is used. However, these light sources have low output in the deep UV region, and the photoresist material applied to the wafer has low photosensitivity, resulting in long exposure times.
Throughput becomes smaller.

一方、近年エキシマ(excimer)レーザという高
出力のdeep  UV領域での光源が露光装置におい
て有力な手段となることが知得されている。しかしなが
ら、エキシマレーザは従来の重水素ランプやXe−Hg
ランプと異なってパルス発振方式であり、従って従来の
アナログ的な露光量制御方式すなわちシャッターを用い
てタイマーで設定される時間を制御する方式等を用いる
ことができない。
On the other hand, in recent years, it has been learned that excimer lasers, which are high-output light sources in the deep UV region, are effective means for exposure apparatuses. However, excimer lasers cannot be used with conventional deuterium lamps or Xe-Hg lamps.
Unlike a lamp, it uses a pulse oscillation method, and therefore, the conventional analog exposure control method, that is, the method of controlling the time set by a timer using a shutter, etc. cannot be used.

そこで、以前よりパルス露光による露光制御の方法が提
案されている。
Therefore, an exposure control method using pulse exposure has been proposed for some time.

例えば特開昭60−169136号公報においては、最
終の露光用光が他の露光用光に比べて小さいエネルギー
を有するように、露光用光の有するエネルギーを制御す
る方法が提案されている。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 169136/1984 proposes a method of controlling the energy of exposure light so that the final exposure light has smaller energy than other exposure lights.

[発明か解決しようとしている課題] しかしながら、エキシマレーザの場合、1パルスの出力
のばらつ詮は±5%或はそれ以上に達する。
[Problem to be Solved by the Invention] However, in the case of an excimer laser, the variation in the output of one pulse reaches ±5% or more.

そのため、特開昭60−169136号公報の場合、最
後の1パルスのエネルギーを大きく変える必要があるが
、レーザ自体の出力エネルギーを変える方法を用いた場
合、レーザの励起電圧を大きくしすぎるとレーザ或いは
励起回路か破壊され、逆に励起電圧を小さくしずきると
レーザが発振しなくなる。そのため、レーザー自体の出
力エネルギを大きく変えることは一般的に大変困難であ
る。また、フィルタ等でレーザの出力エネルギーを制御
する方法を用いても、レーザの出力エネルギーを犬ぎ〈
減衰させる場合、フィルタ等でのエネルギーの吸収が大
きくなり、フィルタが劣化するなどの問題がある。
Therefore, in the case of JP-A-60-169136, it is necessary to greatly change the energy of the last pulse, but when using a method of changing the output energy of the laser itself, if the laser excitation voltage is too large, the laser Alternatively, the excitation circuit may be destroyed, and conversely, if the excitation voltage is gradually reduced, the laser will no longer oscillate. Therefore, it is generally very difficult to significantly change the output energy of the laser itself. In addition, even if a method of controlling the laser output energy with a filter etc. is used, the laser output energy can be
In the case of attenuation, there is a problem that the absorption of energy by a filter or the like increases and the filter deteriorates.

本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
パルス化されたレーザ光を用いて露光を行なう露光装置
において、無理なくより高精度の露光量制御を行なえる
ようにすることにある。
In view of the problems of the prior art, an object of the present invention is to
It is an object of the present invention to enable more accurate exposure control to be performed easily in an exposure apparatus that performs exposure using pulsed laser light.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため本発明の露光装置は、パルス化
されたレーザ光を発生するレーザ発生手段と、このレー
ザ光の複数パルスによって1ショット分の原版のパター
ンを基板上に露光転写する光学手段と、この露光転写に
際しての露光量を少なくともパルス毎に積算して検出す
る露光量検出手段と、レーザ発生手段が発するレーザ光
による露光量を少なくともパルス毎に変化させつる露光
量可変手段と、露光量検出手段による検出結果に基づき
、最初の1パルスから各パルスごとに、1ショットの露
光転写に要する全露光量から既に露光した露光量を差し
引いた残りの露光量から次の1パルスの露光量を算出し
、その結果に基づき露光量可変手段を制御する制御手段
と、を備えている。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the exposure apparatus of the present invention includes a laser generating means that generates pulsed laser light, and a pattern of one shot of an original using multiple pulses of the laser light. an optical means for exposure-transferring the image onto a substrate; an exposure-amount detection means for integrating and detecting the amount of exposure during this exposure-transferring at least every pulse; and an optical means for detecting the amount of exposure by integrating the amount of exposure during this exposure-transfer at least every pulse; Based on the detection results by the exposure amount variable means and the exposure amount detection means, the remaining exposure amount after subtracting the amount of exposure already exposed from the total amount of exposure required for exposure transfer of one shot is calculated for each pulse from the first pulse. and control means for calculating the exposure amount of the next one pulse from the amount and controlling the exposure amount variable means based on the result.

制御手段は、露光量の算出に際しては、過去のレーザ発
生手段の使用状態のデータをさらに考慮するのが好まし
い。あるいは、先ず、配光特性が均一となる露光を得る
のに必要なパルス数を算出し、その数の整数倍で1ショ
ットの露光が終わるように1パルスのエネルギーと1シ
ョットの露光に必要な総パルス数とを算出する。さらに
は、露光量可変手段を介してレーザ出力エネルギーを設
定する前にもレーザ発生手段のエネルギーヂャージをす
ることのできる手段を有する。
When calculating the exposure amount, it is preferable that the control means further consider data on the past usage state of the laser generating means. Alternatively, first calculate the number of pulses necessary to obtain exposure with uniform light distribution characteristics, and then calculate the energy of one pulse and the number of exposures necessary for one shot so that one shot of exposure ends at an integral multiple of that number. Calculate the total number of pulses. Furthermore, it has a means that can charge the energy of the laser generating means before setting the laser output energy through the exposure amount variable means.

レーザ発生手段としては、例えばエキシマレーザを用い
るものが使用できる。
As the laser generating means, for example, one using an excimer laser can be used.

[作用] 本発明によれは、各レーザ出力パルスについて、露光エ
ネルギーを計測し、目標露光量と前回までの積算露光エ
ネルギーから残りの露光量を求め、この残りの露光量か
ら次の1パルスのエネルギーを算出して各パルス毎に露
光エネルギーを制御するようにしたため、最後の数パル
スのエネルギーを大きく変える必要がなく、無理なく各
ショットごとに正確な露光量制御か行なわれる。
[Operation] According to the present invention, the exposure energy is measured for each laser output pulse, the remaining exposure amount is determined from the target exposure amount and the cumulative exposure energy up to the previous time, and the next one pulse is calculated from this remaining exposure amount. Since the energy is calculated and the exposure energy is controlled for each pulse, there is no need to greatly change the energy of the last few pulses, and the exposure amount can be easily and accurately controlled for each shot.

[実施例コ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。[Example code] Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図は本発明の特徴を最もよく表わす露光装置の構成
図である。同図において、1は例えばKrFやArFが
封入され、パルス化されたレーザ光を発光するエキシマ
レーザ光源である。2はエキシマレーザ光源が発するレ
ーザ光を所望のヒム形状に整形し光束の配光特性を均一
にして出射する照明系であり、ビーム整形光学系、オブ
ティカルインテグレータ、コリメータレンズ、ミラー等
により構成される。Mは照明系2の出射光路上に間層さ
れ、集積回路パターンが形成されたマスク又はレチクル
、3は投影光学系、Wはウェハであり、マスクMに形成
された集積回路パターンは投影光学系3を介してウェハ
W上に投影露光されるようになっている。4はミラー、
5はセンサであり、照明系2が射出する光束の一部はミ
ラー4によってセンサ5の光電変換面に入射される。6
はセンサ5に入射した1パルスの光を積算する光量積算
回路である。センサ5と光量積算回路6は正しいエネル
ギーを検出するように校正されている。7はCPUであ
り、光量積算回路6から1パルスのエネルギーの信号が
エキシマレーザ1を発光させる毎に人力される。CPU
7はレーザ制御部8を介してエキシマレーザ1に対し発
光指令等の制御指令および発光エネルギー設定を行なう
FIG. 1 is a block diagram of an exposure apparatus that best represents the features of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes an excimer laser light source that is filled with, for example, KrF or ArF and emits pulsed laser light. 2 is an illumination system that shapes the laser beam emitted by the excimer laser light source into a desired beam shape, uniformizes the light distribution characteristics of the luminous flux, and emits the beam, and is composed of a beam shaping optical system, an optical integrator, a collimator lens, a mirror, etc. Ru. M is a mask or reticle which is interlayered on the output optical path of the illumination system 2 and has an integrated circuit pattern formed thereon, 3 is a projection optical system, W is a wafer, and the integrated circuit pattern formed on the mask M is a projection optical system. 3 and onto the wafer W for projection exposure. 4 is a mirror,
5 is a sensor, and a part of the luminous flux emitted by the illumination system 2 is incident on the photoelectric conversion surface of the sensor 5 by the mirror 4. 6
is a light amount integrating circuit that integrates one pulse of light incident on the sensor 5. The sensor 5 and the light amount integration circuit 6 are calibrated to detect the correct energy. Reference numeral 7 denotes a CPU, which receives a one-pulse energy signal from the light amount integrating circuit 6 each time the excimer laser 1 emits light. CPU
7 issues control commands such as a light emission command to the excimer laser 1 via a laser control section 8 and sets light emission energy.

ここて、第5図を用いて照明系2を詳細に説明する。こ
の図において、501はエキシマレーザ1からのレーザ
光を整形するビーム整形モジュール、502はレーザ光
に光路差を与えるためのインコヒーレントモジュールで
、インコヒーレントモジュール502からのレーザ光は
フライアイレンズ503を通過した後、フィルタ504
上に集光する。フィルタ504上に一旦集光したレザ光
は、コンデンサレンズ505を通過した後、2枚のクサ
ビ形プリズム506で偏向される。そして、レーザ光は
コンデンサレンズ507を通り、絞り508上で点光源
(レーザスボ・ンl−)509を形成する。2枚のクサ
ビ形プリズム506は、軸511を中心にそれぞれ逆方
向に回転し、その回転位置によって絞り508上にでき
る点光源509の位置が変化する。例えば、2枚のクサ
ビ形プリズム506を3−2の速度比て逆方向に回転す
ると、点光源509の軌跡は絞り508の面上で第6図
に示すようなりサージュ形を描く。この後、レーザ光は
コンデンサレンズ510、マスキングブレード(不図示
)、結像レンズ(不図示)を通ってマスクMに照射され
る。
Here, the illumination system 2 will be explained in detail using FIG. In this figure, 501 is a beam shaping module that shapes the laser beam from the excimer laser 1, 502 is an incoherent module that gives an optical path difference to the laser beam, and the laser beam from the incoherent module 502 passes through a fly-eye lens 503. After passing through the filter 504
Focus the light upward. The laser light once focused on the filter 504 passes through a condenser lens 505 and is then deflected by two wedge-shaped prisms 506. The laser beam then passes through a condenser lens 507 and forms a point light source (laser lens) 509 on an aperture 508 . The two wedge-shaped prisms 506 rotate in opposite directions about an axis 511, and the position of the point light source 509 formed on the aperture 508 changes depending on the rotational position. For example, when the two wedge-shaped prisms 506 are rotated in opposite directions at a speed ratio of 3-2, the locus of the point light source 509 draws a serge shape on the surface of the aperture 508 as shown in FIG. Thereafter, the laser beam passes through a condenser lens 510, a masking blade (not shown), and an imaging lens (not shown) and is irradiated onto the mask M.

次に、この構成における露光量制御を第2図に基づいて
説明する。第2図はCPU7による露光量制御のフロー
チャートである。あるショットについて露光を開始する
と、まずステップ100において発光パルス回数mに0
をセットするとともに残り露光量Jafm−11に初期
値(目標露光量Ja)を設定し、ステップ101におい
て目標露光量JRを1パルス当りの標準露光量56で除
して露光に必要な総パルス数Pを算出する。この除算の
余りしは上記条件で露光したときの理論上の不足パルス
数(0≦L〈1)である。
Next, exposure amount control in this configuration will be explained based on FIG. 2. FIG. 2 is a flowchart of exposure amount control by the CPU 7. When exposure starts for a certain shot, first in step 100, the number of light emitting pulses m is set to 0.
At the same time, the remaining exposure amount Jafm-11 is set to an initial value (target exposure amount Ja), and in step 101, the target exposure amount JR is divided by the standard exposure amount 56 per pulse to determine the total number of pulses required for exposure. Calculate P. The remainder of this division is the theoretical insufficient number of pulses (0≦L<1) when exposed under the above conditions.

次にステップ102において、目標露光量J8を総パル
ス数Pで除して最初の1パルスの設定エネルギーJIl
を算出する。理論的にはこの設定エネルギーJIlでこ
のパルス数Pだけ露光すれば丁度目標露光量Jaになる
Next, in step 102, the target exposure amount J8 is divided by the total number of pulses P to determine the set energy JIl of the first pulse.
Calculate. Theoretically, if exposure is performed by this number of pulses P with this set energy JIl, the target exposure amount Ja will be exactly achieved.

次に、ステップ103において、エキシマレサ1に苅し
レーザ制御部8を通して1パルスの設定エネルギーJa
を設定し、そしてステップ104において、エキシマレ
ーザ制御部8を通して1パルスの発光指令を出す。
Next, in step 103, the setting energy Ja for one pulse is
is set, and in step 104, a one-pulse light emission command is issued through the excimer laser control section 8.

次に、ステップ105でエキシマレーザ10発光回数を
カウントアツプし、ステップ106でセンサ5おにび光
量積算回路6を通して1パルス当りのエネルギーJtを
検出する。
Next, in step 105, the number of times the excimer laser 10 emits light is counted up, and in step 106, the energy Jt per pulse is detected through the sensor 5 and the light amount integrating circuit 6.

吹に、ステップ107では前回までの残り露光量J8.
。−1)と今回の1パルス当りのエネルギーJtによっ
て今の残り露光量JaIIを算出する。
Finally, in step 107, the remaining exposure amount up to the previous time J8.
. -1) and the current energy Jt per pulse to calculate the current remaining exposure amount JaII.

次に、ステップ108において、残り露光量J−と、総
パルス数Pと露光を開始してからの発光パルス数mから
次の1パルスの設定エネルギーJeを算出する。
Next, in step 108, the set energy Je for the next one pulse is calculated from the remaining exposure amount J-, the total number of pulses P, and the number m of light emission pulses after the start of exposure.

次のステップ109では、露光に必要な総パルス数Pと
露光を開始してからの発光パルス回数mとを較べて、同
数になると次のショット位置における露光へ移り、総パ
ルス数Pに満たない場合はステップ103へ戻る。この
ようにして発光パルス数mが総パルス数Pになるまでス
テップ103〜10Bを繰り返す。
In the next step 109, the total number of pulses P required for exposure is compared with the number of light emitting pulses m after starting exposure, and if the number is the same, the process moves to exposure at the next shot position, and if the total number of pulses P is less than P. If so, the process returns to step 103. In this way, steps 103 to 10B are repeated until the number m of light emission pulses reaches the total number P of pulses.

この実施例によれば、制度の高い露光制御が可能になる
だけでなく、エキシマレーザ1の充電圧の変化量を小さ
く抑えることができる。これによってエキシマレーザの
劣化を防ぐことができる。
According to this embodiment, not only highly accurate exposure control is possible, but also the amount of change in the charging voltage of the excimer laser 1 can be kept small. This can prevent deterioration of the excimer laser.

なお、エキシマレーザエのエネルギー変動が大きいと考
えられる場合は、ステップ1.09でパルス数を較べる
だけでなく、露光エネルギーも調へその量によっては総
パルス数Pを変えるのか好ましい。また、レーザー制御
部8によるエキシマレーザ1に対するエネルギー指定に
際しては、そのエネルギー量をシリアル通信で送っても
、パラレル通信で送ってもよいが、露光時間の短縮のた
めエキシマレーザの、発振周波数が今後上がって来ると
考えられる。そのため、アナログ電圧によるエネルギー
指定が良いと思われる。また、発振周波数のアップに伴
ない、発光エネルギーを指定する前から発光のためのエ
キシマレーザ1のエネルギーチャージが可能な機能も必
須である。
If it is thought that the energy fluctuation of the excimer laser is large, it is preferable not only to compare the number of pulses in step 1.09, but also to adjust the exposure energy and change the total number of pulses P depending on the amount. In addition, when specifying the energy to the excimer laser 1 by the laser control unit 8, the amount of energy may be sent by serial communication or parallel communication, but in order to shorten the exposure time, the oscillation frequency of the excimer laser will be changed in the future. It is thought that it will rise. Therefore, it seems better to specify energy using analog voltage. Furthermore, as the oscillation frequency increases, a function that allows the excimer laser 1 to be charged with energy for emitting light even before specifying the emitted light energy is essential.

一方、光束の配光特性を均一にするために、レーザ光を
1パルスずつ振ることによって1パルス毎に作られる点
光源(光源像)509を円周上やリサージュ形上等に配
置する場合がある。この場合、1回に配置する点光源5
09の数(円、または、リサージュ形を完結するために
必要なパルス数)と配置する回数を決める必要がある場
合がある。そこで、上記実施例では最初に総パルス数を
決定して、そのパルス数になるように露光していること
から、これを少し変形し、以下のようにしてパルス数を
決めることも可能である。
On the other hand, in order to make the light distribution characteristics of the luminous flux uniform, there are cases where a point light source (light source image) 509 is arranged on the circumference or in a Lissajous shape, which is created for each pulse by swinging the laser light one pulse at a time. be. In this case, 5 point light sources placed at one time
It may be necessary to determine the number of 09's (the number of pulses required to complete a circle or Lissajous shape) and the number of times to place them. Therefore, in the above embodiment, the total number of pulses is determined first and exposure is performed to achieve that number of pulses, so it is also possible to slightly modify this and determine the number of pulses as follows. .

すなわち、第2図に示したステップ101を第3図に示
すステップ201および202に置き換え、ステップ2
01においては目標露光量Jaを1パルス当りの標準露
光量J5および1回(例えば、第6図の始点から終点ま
での1サイクル)に配置する点光源の数Sで除して点光
源を配置する回数Nを算出する。この場合、上記条件で
露光したときの理論上の不足配置回数(0≦L<1.)
Lが最小になるように1回に配置する点光源の数Sと点
光源を配置する回数Nを決定する。そして、ステップ2
02においては、1回に配置する点光源の数Sに点光源
を配置する回数Nを乗じて総パルス数Pを算出する。
That is, step 101 shown in FIG. 2 is replaced with steps 201 and 202 shown in FIG.
In 01, the point light sources are arranged by dividing the target exposure amount Ja by the standard exposure amount J5 per pulse and the number S of point light sources to be arranged at one time (for example, one cycle from the start point to the end point in FIG. 6). Calculate the number of times N. In this case, the theoretical number of insufficient placements (0≦L<1.) when exposed under the above conditions
The number S of point light sources to be placed at one time and the number N of point light sources to be placed at one time are determined so that L is minimized. And step 2
In step 02, the total number of pulses P is calculated by multiplying the number S of point light sources arranged at one time by the number N of point light sources arranged.

なお上述においては、直接エキシマレーザ1の出力エネ
ルギーを変えるようにしているが、エキシマレーザ1の
出力エネルギーは変えないでフィルタ等をレーザ光の光
路に配置してレーザの出力エネルギーを変化させるよう
にしてもよい。
In the above description, the output energy of the excimer laser 1 is directly changed, but instead of changing the output energy of the excimer laser 1, a filter or the like is placed in the optical path of the laser beam to change the output energy of the laser. It's okay.

第4図はレーザの充電電圧を一定にしたとぎの、レーザ
のガス交換をしてからの時間とレーザ出力エネルギーと
の関係を示すグラフである。このように、エキシマレー
ザ1にCPU7がレーザー制御部8を通して設定した1
パルスの設定エネルギーJIlと、CPU7がセンサー
5および光量積算回路6を通して検出した実際のエネル
ギーJtとの関係が時間とともに変動する場合がある。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the time after gas exchange of the laser and the laser output energy when the charging voltage of the laser is kept constant. In this way, the CPU 7 sets 1 to the excimer laser 1 through the laser control unit 8.
The relationship between the set energy JIl of the pulse and the actual energy Jt detected by the CPU 7 through the sensor 5 and the light amount integration circuit 6 may change over time.

これはエキシマレーザ1の出力エネルギーが変化したた
めで、この原因としては充填ガスの劣化、ウィンドの雲
り、電極の劣化等がある。そのため、この場合、レーザ
のガス交換からの時間、ガス交換してからのレーザ発先
回数、ウィンドの雲り具合、レーザの電極の劣化具合、
前回まての設定エネルギーJIlと実際のエネルギーJ
tとの関係等をデータヘース化して、それらのデータを
使って実際のエネルギーJtが必要なエネルギーに一致
するように設定エネルギーJeを決定する機能か必須で
ある。
This is due to a change in the output energy of the excimer laser 1, and the causes include deterioration of the filling gas, clouding of the window, deterioration of the electrodes, etc. Therefore, in this case, the time since the laser gas exchange, the number of times the laser has started since the gas exchange, the cloudiness of the window, the deterioration of the laser electrode,
Previous setting energy JIl and actual energy J
It is essential to have a function of converting the relationship with t into data and using those data to determine the set energy Je so that the actual energy Jt matches the required energy.

[発明の効果] 以上説明したように、所定露光量からすでに露光した露
光量を差し引いた残り露光量から、次の1パルスのレー
ザ出力エネルギーを算出し、そのエネルギー量で露光す
るようにしたため、無理なく高精度の露光量制御を行う
ことができる。
[Effects of the Invention] As explained above, the laser output energy of the next pulse is calculated from the remaining exposure amount after subtracting the already exposed amount from the predetermined exposure amount, and the exposure is performed with that energy amount. Exposure amount control can be performed with ease and with high precision.

部を表わすフローヂャート、 第4図は、充電電圧を一定にしたときの時間とレーザ出
力エネルギーとの関係を示すグラフ、第5図は、本実施
例の照明系を詳細に示す図、そして、 第6図は、点光源の配置例を示す図である。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between time and laser output energy when the charging voltage is kept constant; FIG. 5 is a diagram showing the illumination system of this embodiment in detail; FIG. 6 is a diagram showing an example of arrangement of point light sources.

1:エキシマレーザ、2・照明系、3:投影光学系、4
:ミラー、5.フォトセンサ、6.光量積算回路、7:
CPU、8.レーザ制御部、M:マスク、W:ウェハ。
1: Excimer laser, 2. Illumination system, 3: Projection optical system, 4
: Mirror, 5. Photo sensor, 6. Light amount integration circuit, 7:
CPU, 8. Laser control unit, M: mask, W: wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例に係る縮小投影型の露光装
置すなわち所謂ステッパーの概略構成図、 第2図は、第1図の装置の露光量制御のフローヂャート
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a reduction projection type exposure apparatus, ie, a so-called stepper, according to an embodiment of the present invention; FIG. 2 is a flowchart of exposure amount control of the apparatus of FIG. 1;

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)パルス化されたレーザ光を発生するレーザ発生手
段と、このレーザ光の複数パルスによつて1ショット分
の原版のパターンを基板上に露光転写する光学手段と、
この露光転写に際しての露光量を少なくともパルス毎に
積算して検出する露光量検出手段と、前記レーザ発生手
段が発するレーザ光による露光量を少なくともパルス毎
に変化させうる露光量可変手段と、前記露光量検出手段
による検出結果に基づき、最初の1パルスから各パルス
ごとに、1ショットの露光転写に要する全露光量から既
に露光した露光量を差し引いた残りの露光量から次の1
パルスの露光量を算出し、その結果に基づき前記露光量
可変手段を制御する制御手段と、を具備することを特徴
とする露光装置。
(1) a laser generating means that generates a pulsed laser beam; an optical means that exposes and transfers one shot of the pattern of the original onto a substrate using a plurality of pulses of the laser beam;
an exposure amount detection means for integrating and detecting the exposure amount during this exposure transfer at least for each pulse; an exposure amount variable means for changing the amount of exposure by the laser beam emitted by the laser generating means at least for each pulse; Based on the detection result by the amount detection means, for each pulse from the first pulse, the next one is calculated from the remaining exposure amount, which is obtained by subtracting the already exposed amount from the total exposure amount required for one shot of exposure transfer.
An exposure apparatus comprising: a control means for calculating a pulse exposure amount and controlling the exposure amount variable means based on the result.
(2)前記制御手段は、露光量の算出に際しては、過去
の前記レーザ発生手段の使用状態のデータをさらに考慮
する、請求項1記載の露光装置。
(2) The exposure apparatus according to claim 1, wherein the control means further takes into consideration data on past usage conditions of the laser generating means when calculating the exposure amount.
(3)前記制御手段は、露光量の算出に際しては、先ず
、配光特性が均一となる露光を得るのに必要なパルス数
を算出し、その数の整数倍で1ショットの露光が終わる
ように1パルスのエネルギーと1ショットの露光に必要
な総パルス数とを算出する、請求項1記載の露光装置。
(3) When calculating the exposure amount, the control means first calculates the number of pulses necessary to obtain exposure with uniform light distribution characteristics, and so that one shot of exposure ends at an integral multiple of that number. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the energy of one pulse and the total number of pulses required for one shot of exposure are calculated.
(4)制御手段は、露光量可変手段を介してレーザ出力
エネルギーを設定する前にもレーザ発生手段のエネルギ
ーチャージをすることのできる手段を有する、請求項1
記載の露光装置。
(4) The control means has means capable of charging the energy of the laser generation means even before setting the laser output energy via the exposure amount variable means.
The exposure apparatus described.
(5)レーザ発生手段は、エキシマレーザを有する請求
項1記載の露光装置。
(5) The exposure apparatus according to claim 1, wherein the laser generating means includes an excimer laser.
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