JPH0231889B2 - - Google Patents
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- JPH0231889B2 JPH0231889B2 JP58004057A JP405783A JPH0231889B2 JP H0231889 B2 JPH0231889 B2 JP H0231889B2 JP 58004057 A JP58004057 A JP 58004057A JP 405783 A JP405783 A JP 405783A JP H0231889 B2 JPH0231889 B2 JP H0231889B2
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は傾斜格子上で反射される表面弾性波の
伝搬を用いる分散型遅延路に関する。これらのデ
バイスは“傾斜反射配列コンプレツサ”
（Slanted reflective array compressor）の名称
のもとに英米文献中で公知である。この名称に対
しては“SRAC”の省略名称が与えられ、以後こ
の名称を使用する。
伝搬を用いる分散型遅延路に関する。これらのデ
バイスは“傾斜反射配列コンプレツサ”
（Slanted reflective array compressor）の名称
のもとに英米文献中で公知である。この名称に対
しては“SRAC”の省略名称が与えられ、以後こ
の名称を使用する。
更に詳しくは、本発明は、比較的高い帯域、更
に特殊には50％を越える高い帯域、即ち高い中心
周波数、例えば1000MHzより大きな中心周波数を
有するデバイスに適用する。本発明は、比較的低
い中心周波数を有する分散ろ波器からなる比較的
経済的な構造のものにも適用する。
に特殊には50％を越える高い帯域、即ち高い中心
周波数、例えば1000MHzより大きな中心周波数を
有するデバイスに適用する。本発明は、比較的低
い中心周波数を有する分散ろ波器からなる比較的
経済的な構造のものにも適用する。
これらのSRACは、更に特殊には、IEEE
Transactions on Sonics and Ultrasonics第26
巻、11月号、411〜418頁、1979年のB.R.Potter及
びC.S.Hartmannによる論説から公知である。
Transactions on Sonics and Ultrasonics第26
巻、11月号、411〜418頁、1979年のB.R.Potter及
びC.S.Hartmannによる論説から公知である。
そのようなデバイスは入力変換器と出力変換器
とから成り、それぞれの変換器は、各種の間隔を
もつ一連の組み合せ突起を備える。これらの変換
器と２個の反射格子は、格子上での反射を伴う入
−出力路が信号帯域のそれぞれの周波数に対応す
るように配置されて、所与の分散則に対応する。
とから成り、それぞれの変換器は、各種の間隔を
もつ一連の組み合せ突起を備える。これらの変換
器と２個の反射格子は、格子上での反射を伴う入
−出力路が信号帯域のそれぞれの周波数に対応す
るように配置されて、所与の分散則に対応する。
そのような変換器デバイスについては、Ｂを帯
域、f0を中心周波数、及びｖを波の速度とした場
合、最小の電極幅はｖ／4f0＋2Bに等しい。従つて、 変換器の実行が可能であるためには、f0の値とＢ
の値とが制限される。
域、f0を中心周波数、及びｖを波の速度とした場
合、最小の電極幅はｖ／4f0＋2Bに等しい。従つて、 変換器の実行が可能であるためには、f0の値とＢ
の値とが制限される。
実際に、最も高性能の従来の写真平板技術を用
いても、0.6μｍ未満にすることは困難である。
いても、0.6μｍ未満にすることは困難である。
例えば、1.5GHz近辺の1GHzの周波数帯域に対
しては、二オブ酸リチウム基板用であり且つ結晶
の“Ｚ”軸に沿つた伝搬に対する最小の電極幅は
約0.44μｍに等しい。従来の写真平板法を用いて
この幅を備える遅延路を得ることは不可能であ
る。
しては、二オブ酸リチウム基板用であり且つ結晶
の“Ｚ”軸に沿つた伝搬に対する最小の電極幅は
約0.44μｍに等しい。従来の写真平板法を用いて
この幅を備える遅延路を得ることは不可能であ
る。
更に、組み合せ変換器のうちいくつかのタイプ
は、別個の間隔と電極幅によつて所与の周波数を
有する調波周波数で使用することができ、この電
極幅は比較的高い中心周波数の取得を可能にする
ことは公知である。これは、更に特殊には、多電
極形変換器の場合である。これらの変換器の幾何
学的配列には、それぞれの電極を比較的小さな幅
の数個の電極に分割するような配列である。これ
らの多電極形変換器を用いることによつて、電極
間の機械的性質の影響に起因する望ましくない影
響を一般的に除去することができる。
は、別個の間隔と電極幅によつて所与の周波数を
有する調波周波数で使用することができ、この電
極幅は比較的高い中心周波数の取得を可能にする
ことは公知である。これは、更に特殊には、多電
極形変換器の場合である。これらの変換器の幾何
学的配列には、それぞれの電極を比較的小さな幅
の数個の電極に分割するような配列である。これ
らの多電極形変換器を用いることによつて、電極
間の機械的性質の影響に起因する望ましくない影
響を一般的に除去することができる。
更に、多電極形変換器の周波数応答は、各種の
調波周波数でのこの変換器の作動を可能にするこ
とは公知である。特に、対電極変換器の場合に
は、調波路は奇数列から成り、第３の調波路は基
本路のレベルに等しいレベルを実質的に備える。
そのような変換器は、Ultrasonics Symposium
Proceedings 1972年、343〜345頁に掲載のT.W.
Bristol等による論説に記載される。
調波周波数でのこの変換器の作動を可能にするこ
とは公知である。特に、対電極変換器の場合に
は、調波路は奇数列から成り、第３の調波路は基
本路のレベルに等しいレベルを実質的に備える。
そのような変換器は、Ultrasonics Symposium
Proceedings 1972年、343〜345頁に掲載のT.W.
Bristol等による論説に記載される。
更に、双対電極形以外の他種の変換器は、各種
の調波周波数で作動させることができる。
の調波周波数で作動させることができる。
調波周波数で作動する変換器の欠点は、信号の
通過帯域が大きい場合には、２つの相異する調波
次数に対応する同一の周波数が２個の相異する突
起によつて伝送されうることである。
通過帯域が大きい場合には、２つの相異する調波
次数に対応する同一の周波数が２個の相異する突
起によつて伝送されうることである。
本発明の分散路はこれらの欠点を改善し、且つ
1GHzのオーダーを有し、且つ50％より大きな帯
域幅をもつ高い周波数を同時に得ることを可能に
し、写真平板法によつて得られる電極幅を有する
伝搬路を可能にする。
1GHzのオーダーを有し、且つ50％より大きな帯
域幅をもつ高い周波数を同時に得ることを可能に
し、写真平板法によつて得られる電極幅を有する
伝搬路を可能にする。
簡潔に言えば、本発明は、可変間隔組み合せ電
極を有する入力変換器と出力変換器とから成り、
音波が２個の可変間隔傾斜格子上で反射される、
周波数帯域fnioとfnax間の周波数帯域で作動する
速度ｖの表面波を用いる分散型遅延路であつて、
これら変換器は、異る極性からなる電極間の間隔
がnx／2fnioとnx／2fnax（但し、ｎは整数である）との 間にある多電極傾斜配列形のものであり、２個の
分散型反射格子が傾斜しており、対応するリフレ
クタ管の距離がそれぞれkv／fnioとkv／fnax（但し、ｋ は別の整数であつて、この整数の値はｎの値とは
異る）の間にあることを特徴とする前記遅延路で
ある。
極を有する入力変換器と出力変換器とから成り、
音波が２個の可変間隔傾斜格子上で反射される、
周波数帯域fnioとfnax間の周波数帯域で作動する
速度ｖの表面波を用いる分散型遅延路であつて、
これら変換器は、異る極性からなる電極間の間隔
がnx／2fnioとnx／2fnax（但し、ｎは整数である）との 間にある多電極傾斜配列形のものであり、２個の
分散型反射格子が傾斜しており、対応するリフレ
クタ管の距離がそれぞれkv／fnioとkv／fnax（但し、ｋ は別の整数であつて、この整数の値はｎの値とは
異る）の間にあることを特徴とする前記遅延路で
ある。
別の特徴と利点は添付図面に従つて説明される
下記説明から明瞭となる。
下記説明から明瞭となる。
第１図は、SRACデバイスに関する公知の線図
を示す。表面波の伝搬方向ZZ′について対称な組
み合せ突起形の入力変換器１１と出力変換器１２
とが、圧電基板１０上に配置される。電極の中心
を連結する線を方向ZZ′に対して傾斜させる。
を示す。表面波の伝搬方向ZZ′について対称な組
み合せ突起形の入力変換器１１と出力変換器１２
とが、圧電基板１０上に配置される。電極の中心
を連結する線を方向ZZ′に対して傾斜させる。
２個の変換器は２つの伝搬通路１０１及び１０
２を形成し、これらの伝搬通路を横切つて、２つ
の反射格子１３及び１４が軸ZZ′について対称に
配置される。これらの２つの格子は基板表面中に
蝕刻された線又は溝から形成される。
２を形成し、これらの伝搬通路を横切つて、２つ
の反射格子１３及び１４が軸ZZ′について対称に
配置される。これらの２つの格子は基板表面中に
蝕刻された線又は溝から形成される。
変換器１１は、入力電気信号によつて電圧を加
えられ、且つfnioとfnax間の周波数帯域に於て音
響信号を伝送する。
えられ、且つfnioとfnax間の周波数帯域に於て音
響信号を伝送する。
周波数ｆに対応する信号が、第１図の矢印によ
つて示された通路に沿つて伝搬される。周波数ｆ
の信号が反射される位置15に於ける格子路間の間
隔はｋｖ／ｆ（但し、ｋは１、２、３……に等しい 順序であり、ｖは音波の速度である）に等しい。
つて示された通路に沿つて伝搬される。周波数ｆ
の信号が反射される位置15に於ける格子路間の間
隔はｋｖ／ｆ（但し、ｋは１、２、３……に等しい 順序であり、ｖは音波の速度である）に等しい。
溝が、基板の異方性を考慮して所与の角度だけ
伝搬方向に対して傾斜してあり、従つて変換器１
２の出力に於て、周波数ｆに応じて選択的に遅延
された信号が得られる。第１図を参照すると、最
小周波数fnioに対する遅延は最大周波数fnaxに対
する遅延よりも大きく、且つそのようなデバイス
は、例えば線形に周波数を変調した入力信号を時
間的に圧縮することを可能にすることが容易に理
解される。
伝搬方向に対して傾斜してあり、従つて変換器１
２の出力に於て、周波数ｆに応じて選択的に遅延
された信号が得られる。第１図を参照すると、最
小周波数fnioに対する遅延は最大周波数fnaxに対
する遅延よりも大きく、且つそのようなデバイス
は、例えば線形に周波数を変調した入力信号を時
間的に圧縮することを可能にすることが容易に理
解される。
一般に、このデバイスに於ては、入力変換器１
１と出力変換器１２は単一電極構造を有する。単
一電極構造の幾何学的配列が第２図に示される。
周波数ｆの信号を伝送するために、電極２０は、
値ｖ／2fだけ間隔を置いて配置され、且つｖ／4f
に等しい幅を備える。fnioとfnax間の広い放出帯
域を得るために、電極間の間隔は、ｖ／2fnioと
ｖ／2fnaxの間で変換器の一端から他端へと変化
する。
１と出力変換器１２は単一電極構造を有する。単
一電極構造の幾何学的配列が第２図に示される。
周波数ｆの信号を伝送するために、電極２０は、
値ｖ／2fだけ間隔を置いて配置され、且つｖ／4f
に等しい幅を備える。fnioとfnax間の広い放出帯
域を得るために、電極間の間隔は、ｖ／2fnioと
ｖ／2fnaxの間で変換器の一端から他端へと変化
する。
第４図は、本発明の変更例に従つて、入力変換
器４１と出力変換器４２の配置を示す。伝搬軸に
対する変換器の傾きに起因する分散を誘起しない
ように、傾斜した変換器４１と４２が軸ZZ′上の
点に対して対称に配置される。この図には、可変
間隔kv／ｆを有する反射格子４３と４４が示さ
れる。
器４１と出力変換器４２の配置を示す。伝搬軸に
対する変換器の傾きに起因する分散を誘起しない
ように、傾斜した変換器４１と４２が軸ZZ′上の
点に対して対称に配置される。この図には、可変
間隔kv／ｆを有する反射格子４３と４４が示さ
れる。
本発明によれば、変換器４１及び４２は多電極
構造を有する。このタイプの変換器では、それぞ
れの電極は、等しい長さと一定の間隔を有する数
個の電極に分割される。異る極性をもつ２個の連
続する電極間の間隔は、常にｖ／2fに等しい。そ
れぞれの電極が２つに分割される場合には、対電
極構造が得られ、この構造は第３図に示され且つ
第４図の変換器４２の拡大部分４５に示される。
電極はｖ／4fの間隔をあけており、且つｖ／8fの
幅を有する。
構造を有する。このタイプの変換器では、それぞ
れの電極は、等しい長さと一定の間隔を有する数
個の電極に分割される。異る極性をもつ２個の連
続する電極間の間隔は、常にｖ／2fに等しい。そ
れぞれの電極が２つに分割される場合には、対電
極構造が得られ、この構造は第３図に示され且つ
第４図の変換器４２の拡大部分４５に示される。
電極はｖ／4fの間隔をあけており、且つｖ／8fの
幅を有する。
第５図に示される好ましい具体例では、本発明
は対電極変換器５０と反射格子５１とを組み合せ
ることにある。対電極変換器５０の場合、異る極
性を有する連続電極５００間の間隔は、nv／
2fnioとnv／2fnaxの間で変化し、fnioとfnaxは作動
帯域の両端での周波数である。反射格子５１の場
合、同一周波数ｆでの線５１０間の間隔はkv／
ｆに等しく、ｎとｋは整数であり、これらの整数
のそれぞれの値は異るように選択される。
は対電極変換器５０と反射格子５１とを組み合せ
ることにある。対電極変換器５０の場合、異る極
性を有する連続電極５００間の間隔は、nv／
2fnioとnv／2fnaxの間で変化し、fnioとfnaxは作動
帯域の両端での周波数である。反射格子５１の場
合、同一周波数ｆでの線５１０間の間隔はkv／
ｆに等しく、ｎとｋは整数であり、これらの整数
のそれぞれの値は異るように選択される。
例えば、調波次数３、即ちｎ＝３について変換
器に電圧を加えることによつて、入力変換器と出
力変換器の異る極性を有する連続電極間の間隔は
3v／2fnioから3v／2fnaxまで変化する。第４番目の反射
、 即ちｋ＝４を選択することによつて、２個の反射
格子の処理は4v／fnioから4v／fnaxまで変化する。
器に電圧を加えることによつて、入力変換器と出
力変換器の異る極性を有する連続電極間の間隔は
3v／2fnioから3v／2fnaxまで変化する。第４番目の反射
、 即ちｋ＝４を選択することによつて、２個の反射
格子の処理は4v／fnioから4v／fnaxまで変化する。
単一電極変換器の場合、周波数ｆについては、
電極間の間隔はｖ／2fに等しく、一方電極の幅はｖ／4f に等しい。対電極変換器の場合、連続電極間の間
隔はnv／4fとなり、一方電極の幅はnv／8fとなり、例 えばｎ＝３については電極の幅は50％大きい。こ
のようにして、先行技術によれば公知の写真平板
法では不可能な組み合せ入力変換器と出力変換器
の構造に導く周波数の値fnioとfnaxについて、本
発明はこの構造を可能にする。逆に、同一の周波
数については、本発明は比較的経済的な構造を可
能にする。
電極間の間隔はｖ／2fに等しく、一方電極の幅はｖ／4f に等しい。対電極変換器の場合、連続電極間の間
隔はnv／4fとなり、一方電極の幅はnv／8fとなり、例 えばｎ＝３については電極の幅は50％大きい。こ
のようにして、先行技術によれば公知の写真平板
法では不可能な組み合せ入力変換器と出力変換器
の構造に導く周波数の値fnioとfnaxについて、本
発明はこの構造を可能にする。逆に、同一の周波
数については、本発明は比較的経済的な構造を可
能にする。
本発明の重要な利点は、調波周波数帯域が重な
つている場合でさえ、比較的広い帯域を用いて作
動させる可能性があることである。この特性は、
変換器と格子が同じ調波周波数について作動しな
いという事実に起因する。
つている場合でさえ、比較的広い帯域を用いて作
動させる可能性があることである。この特性は、
変換器と格子が同じ調波周波数について作動しな
いという事実に起因する。
入力変換器と出力変換器は、基板帯域dfに於て
周波数ｆをそれぞれ伝送（又は受容）する電極群
から形成される数個の“基本”変換器から形成さ
れることが考慮され得る。波の放出点の高さと周
波数ｆとの間に空間−周波数応答が存在する。周
波数ｆの音波の形態で伝送されるエネルギは電極
の高さｈの端から端を通つて伝搬されて、520の
如き伝搬通路を形成することに注目すべきであ
る。
周波数ｆをそれぞれ伝送（又は受容）する電極群
から形成される数個の“基本”変換器から形成さ
れることが考慮され得る。波の放出点の高さと周
波数ｆとの間に空間−周波数応答が存在する。周
波数ｆの音波の形態で伝送されるエネルギは電極
の高さｈの端から端を通つて伝搬されて、520の
如き伝搬通路を形成することに注目すべきであ
る。
考え方を示すために、変換器の端子５０１と５
０２に適用された入力信号SEは、相対帯域が大き
い、例えば80％である信号と考えよう。第６図
は、周波数の尺度上に異る順位に関する変換器の
帯域幅を示す。変換器は調波次数３で作動するよ
うに構成されていると仮定する。ｆ＝３上に中心
を占める帯域B3は値fnioからｆ値fnaxまで進む作
動帯域に対応する。
０２に適用された入力信号SEは、相対帯域が大き
い、例えば80％である信号と考えよう。第６図
は、周波数の尺度上に異る順位に関する変換器の
帯域幅を示す。変換器は調波次数３で作動するよ
うに構成されていると仮定する。ｆ＝３上に中心
を占める帯域B3は値fnioからｆ値fnaxまで進む作
動帯域に対応する。
１、５及び７に中心を占める帯域B1、B5及び
B7も示される。１、５及び７は調波次数１、５
及び７に於ける変換器の作動に対応する。第６図
に示される帯域B3と帯域B5の重なりに注目する。
変換器が対電極形のものと考えると、前述の教示
によれば、重なつた範囲△ｆに属する周波数ｆに
対応する同一の基本変換器は、２つの相異する周
波数の２つの波を伝送し、これらの周波数の値は
５／３の比になつていることが理解される。選択
された具体例については、B5の下方端部が丁度
ｆ＝３に来る。
B7も示される。１、５及び７は調波次数１、５
及び７に於ける変換器の作動に対応する。第６図
に示される帯域B3と帯域B5の重なりに注目する。
変換器が対電極形のものと考えると、前述の教示
によれば、重なつた範囲△ｆに属する周波数ｆに
対応する同一の基本変換器は、２つの相異する周
波数の２つの波を伝送し、これらの周波数の値は
５／３の比になつていることが理解される。選択
された具体例については、B5の下方端部が丁度
ｆ＝３に来る。
第７図に入力変換器７０と反射格子７１が略図
的に示される。伝搬通路７１０は最小周波数に対
応し、一方伝搬路７１１は最大周波数に対応す
る。平行線で陰影を付した部分７２は２つの調波
周波数帯域３と５の重なりに対応し、２つ波はそ
の中で比５／３の２つの異る周波数で伝搬され
る。このように、通路７１０の中で周波数fnioと
５／３fnioの波が同時に伝搬される。その場合、格子
７３の部分は周波数5/3fnioを反射するように構成
されてはならない、そうでなければ、２つの異る
周波数に対して同一の遅延が生ずる。
的に示される。伝搬通路７１０は最小周波数に対
応し、一方伝搬路７１１は最大周波数に対応す
る。平行線で陰影を付した部分７２は２つの調波
周波数帯域３と５の重なりに対応し、２つ波はそ
の中で比５／３の２つの異る周波数で伝搬され
る。このように、通路７１０の中で周波数fnioと
５／３fnioの波が同時に伝搬される。その場合、格子
７３の部分は周波数5/3fnioを反射するように構成
されてはならない、そうでなければ、２つの異る
周波数に対して同一の遅延が生ずる。
更に、同一の値をもつ２つの周波数は２つの空
間的に変更された通路中を伝搬する。このよう
に、周波数fnaxは伝搬路７１１と伝搬路７１２中
を伝搬する。この場合、格子のうち部分７４は周
波数fnaxを反射するように構成してはならない、
そうでなければ、２つの等しい周波数に対して２
つの異なる遅延が生ずる。
間的に変更された通路中を伝搬する。このよう
に、周波数fnaxは伝搬路７１１と伝搬路７１２中
を伝搬する。この場合、格子のうち部分７４は周
波数fnaxを反射するように構成してはならない、
そうでなければ、２つの等しい周波数に対して２
つの異なる遅延が生ずる。
本発明によれば、２つの前述の条件を得るため
には、調波次数列ｎが順位ｋとは異るように選択
される。
には、調波次数列ｎが順位ｋとは異るように選択
される。
第８図と第９図に、空間−周波数範囲内の直線
からなる系を示す。高さＨによつて表わされる空
間は縦座標として示され、周波数ｆは横座標とし
て示される。
からなる系を示す。高さＨによつて表わされる空
間は縦座標として示され、周波数ｆは横座標とし
て示される。
連続直線は、ｎの異る値について変換器によつ
て伝送されるか又は受容された信号を指示し、一
方破線はｋの異る値に対する反射格子を指示す
る。２つの周波数の限界は80％の相対帯域に相当
する。
て伝送されるか又は受容された信号を指示し、一
方破線はｋの異る値に対する反射格子を指示す
る。２つの周波数の限界は80％の相対帯域に相当
する。
第８図に於て、選択されたｎとｋの値は３に等
しい。従つて、ｎ＝３及びｋ＝３に対応する直線
は重ね合わさる、又垂直な直線８０との交点８０
０と８０１で示されるように、同一の周波数に適
合する２つの位置が存在し得るか、でなければ水
平な直線８１との交点８１０と８１１によつて示
されるように、同一の位置に適合する２つの異る
周波数が存在し得るように帯域中に現われるｎと
ｋの値ｎ＝５とｋ＝５について得られる別の重な
りが存在しないならばｎ＝３とｋ＝３に対応する
直線は正しい作動を与えるであろう。
しい。従つて、ｎ＝３及びｋ＝３に対応する直線
は重ね合わさる、又垂直な直線８０との交点８０
０と８０１で示されるように、同一の周波数に適
合する２つの位置が存在し得るか、でなければ水
平な直線８１との交点８１０と８１１によつて示
されるように、同一の位置に適合する２つの異る
周波数が存在し得るように帯域中に現われるｎと
ｋの値ｎ＝５とｋ＝５について得られる別の重な
りが存在しないならばｎ＝３とｋ＝３に対応する
直線は正しい作動を与えるであろう。
第９図では、選択されたｎとｋの値はそれぞれ
３と４に等しい。信号に対応する直線は、ｎ＝３
とｋ＝４の場合を除いて反射格子に対応する直線
上に重ならないことが理解できる。
３と４に等しい。信号に対応する直線は、ｎ＝３
とｋ＝４の場合を除いて反射格子に対応する直線
上に重ならないことが理解できる。
本発明の一具体例は次の特性を与える：
−物質；LiNbO3
−伝搬速度＝ｖ＝3400ｍ／sec
−信号の最小周波数＝fnio＝1GHz
−信号の最大周波数＝fnax＝2GHz
−変換器に使用された調波次数＝ｎ＝３
−格子に使用された調波次数＝ｋ＝１
−遅延間の最大差＝Ｔ＝1μsec
−積BT＝1000
−fnax＝nv／8fnaxに対する変換器の電極の間隔と幅
＝0.65μｍ
−fnioに対する変換器の電極の間隔と幅＝1.3μｍ
−fnaxに対する変換器の格子間隔＝kv／fnax＝
1.73μｍ −fnioに対する変換器の格子間隔＝kv／fnio＝
3.46μｍ 結言すれば、本発明のデバイスによつて、比較
的広い帯域を有し且つ高周波数用の分散型遅延路
が得られうる。これらの遅延路の特性は、パルス
の圧縮及びアナログフーリエ変換回路にとつて重
要である。
1.73μｍ −fnioに対する変換器の格子間隔＝kv／fnio＝
3.46μｍ 結言すれば、本発明のデバイスによつて、比較
的広い帯域を有し且つ高周波数用の分散型遅延路
が得られうる。これらの遅延路の特性は、パルス
の圧縮及びアナログフーリエ変換回路にとつて重
要である。
第１図は傾斜反射格子分散路を示す図、第２図
は単一の電極を有する組み合せ突起変換器を示す
図、第３図は対電極を備えた組み合せ突起変換器
を示す図、第４図は本発明による分散路を示す
図、第５図は変換器と格子を示す説明図、第６図
は奇数調波次数に対して放出される周波数範囲を
示す図、第７図、第８図及び第９図は本発明のデ
バイスに関する説明図と線図である。 １１，４１，７０……入力変換器、１２，４２
……出力変換器、１３，１４，５１，７１……反
射格子、２０，５０，５００……電極。
は単一の電極を有する組み合せ突起変換器を示す
図、第３図は対電極を備えた組み合せ突起変換器
を示す図、第４図は本発明による分散路を示す
図、第５図は変換器と格子を示す説明図、第６図
は奇数調波次数に対して放出される周波数範囲を
示す図、第７図、第８図及び第９図は本発明のデ
バイスに関する説明図と線図である。 １１，４１，７０……入力変換器、１２，４２
……出力変換器、１３，１４，５１，７１……反
射格子、２０，５０，５００……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 可変間隔組み合せ電極を有する入力変換器と
出力変換器とから成り、音波が２個の可変間隔傾
斜格子上で反射される、周波数帯域fnioとfnaxに
於て作動する速度ｖの表面波を用いる分散型遅延
路であつて、変換器は、異る極性を有する電極間
の間隔がnv／2fnioとnv／2fnax（但し、ｎは整数である
） の間にある多電極傾斜配列形のものであり、２個
の分散型反射格子が傾斜しており、対応するリフ
レクタ間の距離がそれぞれkv／fnioとkv／fnax（但し、 ｋはその値がｎの値と相異する別の整数）の間に
あることを特徴とする分散型遅延路。 ２ 変換器の幾何学的配列のために周波数の関数
としての遅延の分散が自己補償的になるように、
前記入力変換器と出力変換器が、デバイスの対称
軸上に位置する点について相似に基板上に配置さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の遅延路。 ３ 前記入力変換器と出力変換器が双対電極形の
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項に記載の遅延路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8200615 | 1982-01-15 | ||
| FR8200615A FR2520171A1 (fr) | 1982-01-15 | 1982-01-15 | Ligne a retard acoustique dispersive a ondes de surface |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124316A JPS58124316A (ja) | 1983-07-23 |
| JPH0231889B2 true JPH0231889B2 (ja) | 1990-07-17 |
Family
ID=9270036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58004057A Granted JPS58124316A (ja) | 1982-01-15 | 1983-01-13 | 表面弾性波を使用する分散型遅延路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4477784A (ja) |
| JP (1) | JPS58124316A (ja) |
| DE (1) | DE3301109A1 (ja) |
| FR (1) | FR2520171A1 (ja) |
| GB (1) | GB2114393B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2145893B (en) * | 1983-08-30 | 1987-01-07 | Nat Res Dev | Surface acoustic wave device |
| US4746914A (en) * | 1985-02-05 | 1988-05-24 | Zenith Electronics Corporation | Cathode ray tube for use in a touch panel display system |
| US4635008A (en) * | 1985-11-19 | 1987-01-06 | Sperry Corporation | Dispersive SAW filter with tapered transducers |
| US4908542A (en) * | 1987-06-24 | 1990-03-13 | Unisys | Saw tapered transducers |
| US4737743A (en) * | 1987-06-24 | 1988-04-12 | Unisys Corporation | Single mode waveguide saw dispersive filter |
| US4746882A (en) * | 1987-06-24 | 1988-05-24 | Unisys Corporation | Saw multiplexer using tapered transducers |
| US4767198A (en) * | 1987-06-24 | 1988-08-30 | Unisys Corporation | SAW/BAW Bragg cell |
| US4749971A (en) * | 1987-06-24 | 1988-06-07 | Unisys Corporation | Saw delay line with multiple reflective taps |
| US4918349A (en) * | 1987-11-13 | 1990-04-17 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave device having apodized transducer provided with irregular pitch electrode group |
| US5179309A (en) * | 1988-02-04 | 1993-01-12 | Trw Inc. | Surface acoustic wave chirp filter |
| FR2650919B1 (fr) * | 1989-08-10 | 1992-01-03 | Dassault Electronique | Dispositif acoustoelectrique a ondes de surface perfectionne |
| US5859930A (en) * | 1995-12-06 | 1999-01-12 | Fpr Corporation | Fast pattern recognizer utilizing dispersive delay line |
| US6821457B1 (en) | 1998-07-29 | 2004-11-23 | Science Applications International Corporation | Electrically switchable polymer-dispersed liquid crystal materials including switchable optical couplers and reconfigurable optical interconnects |
| US6950173B1 (en) | 2003-04-08 | 2005-09-27 | Science Applications International Corporation | Optimizing performance parameters for switchable polymer dispersed liquid crystal optical elements |
| SG10201911416RA (en) | 2018-12-03 | 2020-07-29 | Skyworks Solutions Inc | Acoustic Wave Device With Transverse Spurious Mode Suppression |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1495147A (en) * | 1974-08-16 | 1977-12-14 | Secr Defence | Surface acoustic wave devices |
| JPS5669919A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Seiko Epson Corp | Surface elastic wave filter |
-
1982
- 1982-01-15 FR FR8200615A patent/FR2520171A1/fr active Granted
- 1982-09-27 US US06/424,614 patent/US4477784A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-01-10 GB GB08300541A patent/GB2114393B/en not_active Expired
- 1983-01-13 JP JP58004057A patent/JPS58124316A/ja active Granted
- 1983-01-14 DE DE19833301109 patent/DE3301109A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2114393B (en) | 1985-10-02 |
| DE3301109A1 (de) | 1983-07-28 |
| GB2114393A (en) | 1983-08-17 |
| FR2520171A1 (fr) | 1983-07-22 |
| GB8300541D0 (en) | 1983-02-09 |
| FR2520171B1 (ja) | 1984-03-09 |
| US4477784A (en) | 1984-10-16 |
| JPS58124316A (ja) | 1983-07-23 |
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