JPH02312233A - 半導体ウエハ乾燥方法 - Google Patents
半導体ウエハ乾燥方法Info
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- JPH02312233A JPH02312233A JP13322189A JP13322189A JPH02312233A JP H02312233 A JPH02312233 A JP H02312233A JP 13322189 A JP13322189 A JP 13322189A JP 13322189 A JP13322189 A JP 13322189A JP H02312233 A JPH02312233 A JP H02312233A
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- semiconductor wafer
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェハ基板上に形成された複数の半導体素
子を個々の半導体素子に分割する工程（グイシング工程
）に付随する半導体ウェハ乾燥工程に関するものである
。
子を個々の半導体素子に分割する工程（グイシング工程
）に付随する半導体ウェハ乾燥工程に関するものである
。
第８図Ｂ・ムはダイシング済の半導体装置を示した平面
図及び■−■械側面＃［ｆｉ図である。図において、ｌ
は半導体素子ｌ＆、ｌｂ％ｌａ−・・が形成された半導
体ウェハ、２．３はそれぞれ上記半導体ウェハＩＴｒ：
保持Ｔるためのウェハフレーム及びウェハシートである
。
図及び■−■械側面＃［ｆｉ図である。図において、ｌ
は半導体素子ｌ＆、ｌｂ％ｌａ−・・が形成された半導
体ウェハ、２．３はそれぞれ上記半導体ウェハＩＴｒ：
保持Ｔるためのウェハフレーム及びウェハシートである
。
第４１１は従来の半導体ウェハ乾燥装置を示す斜視図で
あり−４は上記半導体ウェハｌを保持しているウェハフ
レーム２を支ｉＴるためのフレーム立て、５は外部空間
と乾燥室を遮断するケース、６は窒素ガス、７はこの窒
素ガス６を＃−温させるヒーター、８は上記窒素ガス６
に混在した固形物を除犬するためのフィルターである。
あり−４は上記半導体ウェハｌを保持しているウェハフ
レーム２を支ｉＴるためのフレーム立て、５は外部空間
と乾燥室を遮断するケース、６は窒素ガス、７はこの窒
素ガス６を＃−温させるヒーター、８は上記窒素ガス６
に混在した固形物を除犬するためのフィルターである。
次に従来の半導体ウェハ化・順方法について説明する。
外部空間と気体の対流を連断しにケース５の中に、フレ
ーム立て４に立てられたウェハフレーム２に保持された
半導体ウェハｌ′：ｆｒ：収納Ｔる。
ーム立て４に立てられたウェハフレーム２に保持された
半導体ウェハｌ′：ｆｒ：収納Ｔる。
−万・窒素ガス６をヒーター７で昇温し、更に窒素ガス
６中に混入した配管材の小片等固形異物をフィルター８
で除犬し、ケース５内に流入させる。
６中に混入した配管材の小片等固形異物をフィルター８
で除犬し、ケース５内に流入させる。
ケース５内は昇温した窒素ガス６により昇温され、半導
体ウェハ１も昇温する。この昇温により＃？導体ウつハ
ｌに付着、吸湿されている水分を蒸発させる。そして、
上ｊ；−半導体ウエつ１より蒸発する水の蒸気は・乍−
ス５内に流入した窒素ガス６を排気口より排出させる際
の対流により、同じ排気口より外部へ排出される。
体ウェハ１も昇温する。この昇温により＃？導体ウつハ
ｌに付着、吸湿されている水分を蒸発させる。そして、
上ｊ；−半導体ウエつ１より蒸発する水の蒸気は・乍−
ス５内に流入した窒素ガス６を排気口より排出させる際
の対流により、同じ排気口より外部へ排出される。
従来の半導体ウェハ乾燥方法は、上記のような装置で実
現されているので、乾燥の際に半導体ウェハｌが昇温す
るのみならず、この半導体ウェハ１を保持するウェハフ
レーム２、ウェハシート３も同時に昇温することになる
。特にウェハシート３は粘着性樹脂テープ（＃Ｉ化化工
ニールテープ等により構成されているので熱変形が大で
ある。そのためウェハシート３が熱変形２起こさない温
度（低温度）の下で長時間の乾燥作業が必要とされてい
た。
現されているので、乾燥の際に半導体ウェハｌが昇温す
るのみならず、この半導体ウェハ１を保持するウェハフ
レーム２、ウェハシート３も同時に昇温することになる
。特にウェハシート３は粘着性樹脂テープ（＃Ｉ化化工
ニールテープ等により構成されているので熱変形が大で
ある。そのためウェハシート３が熱変形２起こさない温
度（低温度）の下で長時間の乾燥作業が必要とされてい
た。
この発明は上記のような従来の問題点を解消するたのに
なされたもので、テープ等に比較して半導体ウェハに付
着、吸湿した水分の昇温の方が大きくなるような乾燥方
法号提供し、高温短時間で＃？導体ウェハを乾燥させる
ことを目的とＴる〇〔課題を解決下るだめの手段〕 この発明に係る半導体ウェハ乾燥方法は、ウェハシート
上にウェハ基板を固定した状態で、該ウェハ基板に形成
され２半導体素子ご乾燥させる方法であって、上記ウェ
ハ基板に向けて、ウェハシートの材質には吸収されにく
く水分には吸収されやすい波長の近赤外線を照射し、水
分のみを昇温させて乾燥させるものである。
なされたもので、テープ等に比較して半導体ウェハに付
着、吸湿した水分の昇温の方が大きくなるような乾燥方
法号提供し、高温短時間で＃？導体ウェハを乾燥させる
ことを目的とＴる〇〔課題を解決下るだめの手段〕 この発明に係る半導体ウェハ乾燥方法は、ウェハシート
上にウェハ基板を固定した状態で、該ウェハ基板に形成
され２半導体素子ご乾燥させる方法であって、上記ウェ
ハ基板に向けて、ウェハシートの材質には吸収されにく
く水分には吸収されやすい波長の近赤外線を照射し、水
分のみを昇温させて乾燥させるものである。
この発明の半導体ウェハ乾燥方法によると、ウェハシー
トへの吸収が少ない波長（１，４μｍ以下）の近赤外線
を利用して水分だけ牙昇濡させるので、ウェハシート（
テープ）の熱変形２起こさず、ウェハ基板に付着した水
分だけを効率的に蒸発させることができる。
トへの吸収が少ない波長（１，４μｍ以下）の近赤外線
を利用して水分だけ牙昇濡させるので、ウェハシート（
テープ）の熱変形２起こさず、ウェハ基板に付着した水
分だけを効率的に蒸発させることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１０は近赤外線を王に発生するランプ、１
１はこのランプ１０より発生する赤外巌を前１ｍに向け
て平行に照射するための反射板、Ｌは特定の波長帯域の
赤外線を透過するフィルターである。また第２図は、Ｍ
１図の構成からなる赤外線照射装置をウェハフレーム２
に保持した半導体ウェハ１に作用させる位置関係を示し
た斜視図である。
図において、１０は近赤外線を王に発生するランプ、１
１はこのランプ１０より発生する赤外巌を前１ｍに向け
て平行に照射するための反射板、Ｌは特定の波長帯域の
赤外線を透過するフィルターである。また第２図は、Ｍ
１図の構成からなる赤外線照射装置をウェハフレーム２
に保持した半導体ウェハ１に作用させる位置関係を示し
た斜視図である。
次に動作について説明する。第１図及び第２図において
、ランプｌＯから波長８μｍ程度以下の近赤外線を発生
させ、反射板１１により前面へ平行に反射させる。そし
て、この近赤外、線をフィルター３で受け、波長１．４
μｍ以下の光線を透過させる。なお、１．４μｍ以上の
波長の元＆Ｇｆｆフィルター１１の表面で反射させるか
、フィルター１１に吸収して昇温エネルギーとして消費
させる。ここで半導体ウェハ１等に向けて照射される波
長１．４μｍ以下の限定波長の赤外線は、塩化ビニール
等の材質からなるウェハシート３やシリコンの材質から
なる半導体ウェハｌには吸収されに＜＜、水分に吸収さ
れやすい。丁なわち、高温短時間で熱変形等のおそれの
ないウェハ乾燥作業が行われる。
、ランプｌＯから波長８μｍ程度以下の近赤外線を発生
させ、反射板１１により前面へ平行に反射させる。そし
て、この近赤外、線をフィルター３で受け、波長１．４
μｍ以下の光線を透過させる。なお、１．４μｍ以上の
波長の元＆Ｇｆｆフィルター１１の表面で反射させるか
、フィルター１１に吸収して昇温エネルギーとして消費
させる。ここで半導体ウェハ１等に向けて照射される波
長１．４μｍ以下の限定波長の赤外線は、塩化ビニール
等の材質からなるウェハシート３やシリコンの材質から
なる半導体ウェハｌには吸収されに＜＜、水分に吸収さ
れやすい。丁なわち、高温短時間で熱変形等のおそれの
ないウェハ乾燥作業が行われる。
以上のようにこの発明によれは、ウェハシート（テープ
）の材質には吸収されにくく水分に吸収されやＴい波長
の近赤外線を照射することによりウェハ基板をＶ、燥さ
せるようにしたので・従来のようにウェハシートの熱変
形防止のため比較的低温度で長時間の乾燥作業が必要で
あったのに較べて、水分のみを効率的に蒸発させること
かでき、乾燥時間を短硝することができる効果がある。
）の材質には吸収されにくく水分に吸収されやＴい波長
の近赤外線を照射することによりウェハ基板をＶ、燥さ
せるようにしたので・従来のようにウェハシートの熱変
形防止のため比較的低温度で長時間の乾燥作業が必要で
あったのに較べて、水分のみを効率的に蒸発させること
かでき、乾燥時間を短硝することができる効果がある。
第１図、第２図はこの発明の一実施例による半導体ウェ
ハ乾燥方法を達成下るための装置を示（。 たも゛り成Ｍ及び斜視図、第３図Ａ、Ｂはウェハシート
上にウェハ基板を固定した状態号示す側面断面図及び平
面図、第４［ＸＪは従来の半導体ウェハ乾燥装置を示す
斜視図である。 図中、１は半導体ウェハ、２はウェハフレーム、３はウ
ェハシート、ＩＯはランプ、１１は反射板、シはフィル
ターを示す。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 １ 平者体ウリ ２′ウニハフし−４ ３゛ウエハシー１ 第３図
ハ乾燥方法を達成下るための装置を示（。 たも゛り成Ｍ及び斜視図、第３図Ａ、Ｂはウェハシート
上にウェハ基板を固定した状態号示す側面断面図及び平
面図、第４［ＸＪは従来の半導体ウェハ乾燥装置を示す
斜視図である。 図中、１は半導体ウェハ、２はウェハフレーム、３はウ
ェハシート、ＩＯはランプ、１１は反射板、シはフィル
ターを示す。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 １ 平者体ウリ ２′ウニハフし−４ ３゛ウエハシー１ 第３図
Claims (1)
- ウェハシート上にウェハ基板を固着した状態で、該ウェ
ハ基板に形成された半導体素子を乾燥させる方法におい
て、ウェハシートの材質には吸収されにくく水分には吸
収されやすい波長の近赤外線を照射することにより水分
のみを昇温させて乾燥させる半導体ウェハ乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13322189A JPH02312233A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13322189A JPH02312233A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312233A true JPH02312233A (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15099565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13322189A Pending JPH02312233A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体ウエハ乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02312233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104396001A (zh) * | 2012-07-06 | 2015-03-04 | 贝斯荷兰有限公司 | 分离、至少部分干燥以及检验电子元件的设备和方法 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13322189A patent/JPH02312233A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104396001A (zh) * | 2012-07-06 | 2015-03-04 | 贝斯荷兰有限公司 | 分离、至少部分干燥以及检验电子元件的设备和方法 |
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