JPH02304346A - 亜鉛イオン選択性電極 - Google Patents
亜鉛イオン選択性電極Info
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- JPH02304346A JPH02304346A JP1124390A JP12439089A JPH02304346A JP H02304346 A JPH02304346 A JP H02304346A JP 1124390 A JP1124390 A JP 1124390A JP 12439089 A JP12439089 A JP 12439089A JP H02304346 A JPH02304346 A JP H02304346A
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Landscapes
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は溶液中に存在する亜鉛イオンの濃度。
厳密には亜鉛イオン活量を選択的に測定する亜鉛イオン
選択性電極に関するものである。
選択性電極に関するものである。
［従来の技術］
選択性イオン電極による金属センサーとして現在発表さ
れているものとしては、感応物質に金属硫化物を用いる
固体膜型のＡｇ”、Ｃｄ”。
れているものとしては、感応物質に金属硫化物を用いる
固体膜型のＡｇ”、Ｃｄ”。
Ｃｕ ”、 Ｐ ｂ ”イオンセンサー、イオン交換体
としてジアルキルリン酸を用いる高分子膜型のＣａ２“
イオンセンサー、Ｎａ２ＯおよびＡ１□０゜−３ｉｎ２
系のガラス膜を用いるＮａ”、に’イオンセンサー、パ
リノマイシンをイオノホアとするニュートラルキャリア
型の高分子型に゛イオンセンサーなどがある。
としてジアルキルリン酸を用いる高分子膜型のＣａ２“
イオンセンサー、Ｎａ２ＯおよびＡ１□０゜−３ｉｎ２
系のガラス膜を用いるＮａ”、に’イオンセンサー、パ
リノマイシンをイオノホアとするニュートラルキャリア
型の高分子型に゛イオンセンサーなどがある。
また、近年では、ニュートラルキャリアタイプの新しい
イオン感応物質が開発され、Ｃｕ”。
イオン感応物質が開発され、Ｃｕ”。
ＣＯ２−等のイオン電極に適用されている。また。
Ｚｎ”イオンセンサーとしては、特開昭５０−３４２９
０号公報に硫化亜鉛を主成分とした開発された亜鉛イオ
ン電極が記載されている。
０号公報に硫化亜鉛を主成分とした開発された亜鉛イオ
ン電極が記載されている。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上記の従来の固形電型イオンセンサー等は、
サンプルが入手できない状況にあるため実用に供するこ
とができない。
サンプルが入手できない状況にあるため実用に供するこ
とができない。
また、上記亜鉛イオン電極は選択性が悪いという欠点を
有しており、現在はほとんど使用されていない。
有しており、現在はほとんど使用されていない。
本発明は従来のものの上記課題（問題点）を解決ように
した亜鉛選択性電極を提供することを目的とするもので
、このため本発明ではニュートラルキャリア型の新しい
イオン感応物質について種々研究を行い、新しくｚｎ２
＋イオン電極を開発したものである。
した亜鉛選択性電極を提供することを目的とするもので
、このため本発明ではニュートラルキャリア型の新しい
イオン感応物質について種々研究を行い、新しくｚｎ２
＋イオン電極を開発したものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は亜鉛イオン電極感応膜センサーとして。
チウラムジサルファイド基を骨格とする誘導体く第２図
）より構成されるようにした亜鉛イオン選択性電極に関
する。
）より構成されるようにした亜鉛イオン選択性電極に関
する。
この場合、誘導体としてはアルキル誘導体好ましくはＴ
ＢＴＤＳ （テトラｎブチル誘導体；第３図） （Ｔ
ｅｔｒａ−ｎ−ｂｕｔｙｌｔｈｉｕｒａｍ Ｄｉｓｕｌ
ｆｉｄｅ）もしくはＤＭＤＯＴＤＳ （ジメチルジオク
タデシル誘導体：第４図） （Ｄｉｍｅｔｈｙｌｄｉｏ
ｃｔａｄｅｃｙｌｔｈｉｕｒａｉ Ｄｉｓ−ｕｌｆｉｄ
ｅ）により構成するようにした亜鉛イオン選択性電極と
することが望ましい。
ＢＴＤＳ （テトラｎブチル誘導体；第３図） （Ｔ
ｅｔｒａ−ｎ−ｂｕｔｙｌｔｈｉｕｒａｍ Ｄｉｓｕｌ
ｆｉｄｅ）もしくはＤＭＤＯＴＤＳ （ジメチルジオク
タデシル誘導体：第４図） （Ｄｉｍｅｔｈｙｌｄｉｏ
ｃｔａｄｅｃｙｌｔｈｉｕｒａｉ Ｄｉｓ−ｕｌｆｉｄ
ｅ）により構成するようにした亜鉛イオン選択性電極と
することが望ましい。
また、亜鉛イオン電極感応膜センサーに導電剤としてＫ
Ｔ ＣＰ Ｂ （Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｔｅｔｒａ
ｋｉｓ（ｐｃｈｌ。
Ｔ ＣＰ Ｂ （Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｔｅｔｒａ
ｋｉｓ（ｐｃｈｌ。
−ｒｏｐｈｅｎｙｌ） ｂｏｒａｔｅ）もしくはＴ Ｐ
Ｐ Ｂ （５ｏｄｉｕｌＩＩ−ｔｅＬｒａｋｉｓ ［
３，５−ｂｉｓ（ｔｒｉｒｌｕｏｒｏｍｅＬｈｙｌ）
ｐｈｅｎｙｌ］ｂｏｒａｔｅ ）を添加して作製した亜
鉛イオン選択性電極としても良い。
Ｐ Ｂ （５ｏｄｉｕｌＩＩ−ｔｅＬｒａｋｉｓ ［
３，５−ｂｉｓ（ｔｒｉｒｌｕｏｒｏｍｅＬｈｙｌ）
ｐｈｅｎｙｌ］ｂｏｒａｔｅ ）を添加して作製した亜
鉛イオン選択性電極としても良い。
［実施例］
以下第１図〜第５図に示す第１〜第２の各実施例に基き
本発明を具体的に説明する。
本発明を具体的に説明する。
実施例１：
（１）感応膜組成
第１表に亜鉛イオンを極感応膜の処方を示す。
同表に示す試薬を使用し、亜鉛イオン電極を作製する。
Ｔ Ｂ Ｔ Ｄ Ｓ量は感応膜中２〜２０％好ましくは
６〜７％である。
６〜７％である。
第１表
（２）感応膜作製方法
第１表の処方により、センサーＴＢＴＤＳをＮＰＯＥ
（可塑剤）に溶解し、ＴＦＰＢを添加しよく撹拌後、さ
らにＰＶＣを加えて、混合し。
（可塑剤）に溶解し、ＴＦＰＢを添加しよく撹拌後、さ
らにＰＶＣを加えて、混合し。
ＴＨＦにて溶解する。
さらに、超音波を使用して完全に溶解する。
径３５ｍのガラス管中に流し込み、３０℃で一昼夜以上
放置し、ＴＨＦを蒸発、乾燥させる６乾燥したフィルム
は膜厚は約０．２ ｗａであり。
放置し、ＴＨＦを蒸発、乾燥させる６乾燥したフィルム
は膜厚は約０．２ ｗａであり。
これを径６閣で切取り、 ６ｆｆＩＩｌ径のｐｖｃ （
塩化ビニール〉管の先端にＰＶＣのＴＨＦ溶液を接合剤
として接合させる（ＰＶＣ，５ｇ／１００ｍ ｌ 。
塩化ビニール〉管の先端にＰＶＣのＴＨＦ溶液を接合剤
として接合させる（ＰＶＣ，５ｇ／１００ｍ ｌ 。
ＴＨＦ）。
次に、第１図のようなＰＶＣ膜型電型電極製する。
なお、同図は本発明のイオン選択性電極の構造を示す縦
断正面図で、１はボディ２は内部電極、３は内部液、４
はポリ塩化ビニ −ル管。
断正面図で、１はボディ２は内部電極、３は内部液、４
はポリ塩化ビニ −ル管。
５は感応膜である。
この場合、内部電極としては銀−塩化銀電極を使用する
。
。
さらに、電極のコンディショニングには電極の感応膜の
内外を０．０１モル塩化亜鉛溶液に−晩浸漬して行い、
その後、亜鉛イオン電極として使用する。
内外を０．０１モル塩化亜鉛溶液に−晩浸漬して行い、
その後、亜鉛イオン電極として使用する。
（３）イオン電極の評価
比較電極（東亜電波製Ｈ５２０５Ｃ） 、イオンメータ
（東亜電波製ＨＭ２０Ｅ型）を使用して。
（東亜電波製ＨＭ２０Ｅ型）を使用して。
電位と亜鉛イオン濃度の関係を測定した結果を第５図に
示しな。
示しな。
この結果１本亜鉛イオン電極は亜鉛イオン濃度と電位と
の間にネルンストの式に合致した。
の間にネルンストの式に合致した。
検出限界、応答速度、ｐＨの影響２選択係数の諸特性に
ついて（測定方法はＪＩＳ−に−０１２２のイオン電極
通則による）測定した結果を第２表に示した。
ついて（測定方法はＪＩＳ−に−０１２２のイオン電極
通則による）測定した結果を第２表に示した。
この結果より本亜鉛イオン電極は亜鉛イオンに対して選
択的に感応することが判明した。
択的に感応することが判明した。
実施例２：
（１）感応膜組成
第１表に示す試薬のうち、センサとしてＴＢＴＤＳの代
わりに、 Ｄ Ｍ Ｄ ＯＴ Ｄ Ｓ （Ｄｉ＠ｅｔｈ
ｙｌｄｉｏｅｔａｄｅｅｉｌ ｔｈｉｕｒａｍ Ｄｉｓ
ｕｌｆｉｄｅ） ６．６％、ＴＦＰＢＯ代わりにＫ −
Ｔ ＣＰ Ｂ （Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｔｅ−ｔｒａｋ
ｉｓ（ｐ−ｃｈｏｒｏｐｈｅｎｙｌ） ｂｏｒａｔｅ
） （同位化学研究所製）を０．８％使用し、亜鉛イ
オン電極を作製する。他の成分および量は実施例１と同
じである。
わりに、 Ｄ Ｍ Ｄ ＯＴ Ｄ Ｓ （Ｄｉ＠ｅｔｈ
ｙｌｄｉｏｅｔａｄｅｅｉｌ ｔｈｉｕｒａｍ Ｄｉｓ
ｕｌｆｉｄｅ） ６．６％、ＴＦＰＢＯ代わりにＫ −
Ｔ ＣＰ Ｂ （Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｔｅ−ｔｒａｋ
ｉｓ（ｐ−ｃｈｏｒｏｐｈｅｎｙｌ） ｂｏｒａｔｅ
） （同位化学研究所製）を０．８％使用し、亜鉛イ
オン電極を作製する。他の成分および量は実施例１と同
じである。
（２）感応膜作製方法
実施例１と全く同じ方法で作製した。
（３）イオン電極評価
使用装置は実施例１と同じで、電位と亜鉛イオン濃度の
関係を測定した結果を第５図に示した。この結果本亜鉛
イオン電極は亜鉛イオン濃度と電位との間にネルンスト
の式に合致した。
関係を測定した結果を第５図に示した。この結果本亜鉛
イオン電極は亜鉛イオン濃度と電位との間にネルンスト
の式に合致した。
検出限界、応答速度、ｐＨの影響１選択係数の諸特性に
ついて測定（測定方法はＪＩＳ−に−０１２２イオン電
極通則参照）した結果を第２表に示した。
ついて測定（測定方法はＪＩＳ−に−０１２２イオン電
極通則参照）した結果を第２表に示した。
この結果より１本亜鉛イオン電極は亜鉛イオンに対して
選択的に感応することが判明した。
選択的に感応することが判明した。
しかし、ＴＢＴＤＳに比較すると若干感度が悪く、妨害
イオン濃度も高いがこの程度なら実用上差し支えない。
イオン濃度も高いがこの程度なら実用上差し支えない。
第２表 亜鉛イオン電極特性
［作用］
イオン選択性電極は、特定イオンに感応して比較電極と
の間にそのイオン濃度に生じた電位差を示すため、目的
イオンの定量ができ、従来よりイオン濃度モニター、水
質分析あるいは御飯分析に広く利用されている。
の間にそのイオン濃度に生じた電位差を示すため、目的
イオンの定量ができ、従来よりイオン濃度モニター、水
質分析あるいは御飯分析に広く利用されている。
これはたとえば陽イオン選択性電極では、測定対象陽イ
オンの活ｉａ゛と陽イオン選択性電極が示す電位差Ｅ（
ｍＶ）との間にネルンストの式が成立し、２５℃では Ｅ＝Ｅ’＋（ｎ１５９．１６） １ ｏ ｇａ”−−
・（１）のように電位差と活量の対数との間に比例関係
が成り立ち、電位差の測定から目的イオンの活量が簡単
に計算できる。
オンの活ｉａ゛と陽イオン選択性電極が示す電位差Ｅ（
ｍＶ）との間にネルンストの式が成立し、２５℃では Ｅ＝Ｅ’＋（ｎ１５９．１６） １ ｏ ｇａ”−−
・（１）のように電位差と活量の対数との間に比例関係
が成り立ち、電位差の測定から目的イオンの活量が簡単
に計算できる。
ここでネルンスト勾配は、 ５９．１６／ ｎで表され
。
。
２価陽イオン（ｎ＝２）では２９．５８ ｍＶになる。
なお、（１）式におけるイオン価、Ｅｏは系の基準電位
差（ｍＶ）である。
差（ｍＶ）である。
重金属イオンに直接感応するイオン選択性電極は、これ
まで種類が少な（、Ｃａ”、Ｃｄ”。
まで種類が少な（、Ｃａ”、Ｃｄ”。
Ｈｇ”、Ａｇ“等でいずれも固体膜を利用しており１本
発明のようなニュートラルキャリアー型配位子を感応物
質として用いている重金属用の電極は余り見受けられな
い。
発明のようなニュートラルキャリアー型配位子を感応物
質として用いている重金属用の電極は余り見受けられな
い。
［発明の効果］
本発明の亜鉛イオン選択性を極は、基本的には上記のよ
うに亜鉛イオン電極感応膜センサーとして、チウラムジ
サルファイド基を骨格とする誘導体より構成されるよう
にしたものである。
うに亜鉛イオン電極感応膜センサーとして、チウラムジ
サルファイド基を骨格とする誘導体より構成されるよう
にしたものである。
したがって１本発明の亜鉛イオン選択性電極は。
次のような優れた効果を有する。
■実施例における実験結果に示すように、亜鉛イオンに
対する選択的に感応する特性は従来のイオン電極に比べ
て高い。
対する選択的に感応する特性は従来のイオン電極に比べ
て高い。
■このような重金属イオンに対する分析は、生体内にお
ける臨床分析、産業廃水等の管理または環境分析、ある
いは一般分析において広く行われるものである。
ける臨床分析、産業廃水等の管理または環境分析、ある
いは一般分析において広く行われるものである。
したがって９本発明の亜鉛イオン選択性電極は広範囲の
分野に亙り需要が期待される。
分野に亙り需要が期待される。
第１図は本発明の亜鉛イオン選択性電極の構造を示す継
断正面図、第２図はチウラムジサルファイド基の誘導体
の構造式である。 また、第３図はＴＢＴＤＳの構造式、第４図はＤＭＤｏ
ＴＤＳの構造式テアル。 さらに、第５図は亜鉛イオン電極の電位対１ｏｇａ特性
（検量線）を示す。 １：ボディ ２：内部電極 ３：内部液 ４：ポリ塩化ビニール管 ５：感応膜 第１図 第２図 第３図 第４図 Ｒ２： Ｃ１８Ｈ３７
断正面図、第２図はチウラムジサルファイド基の誘導体
の構造式である。 また、第３図はＴＢＴＤＳの構造式、第４図はＤＭＤｏ
ＴＤＳの構造式テアル。 さらに、第５図は亜鉛イオン電極の電位対１ｏｇａ特性
（検量線）を示す。 １：ボディ ２：内部電極 ３：内部液 ４：ポリ塩化ビニール管 ５：感応膜 第１図 第２図 第３図 第４図 Ｒ２： Ｃ１８Ｈ３７
Claims (3)
- （１）亜鉛イオン電極感応膜センサーとして、チウラム
ジサルファイド基を骨格とする誘導体より構成されるよ
うにしたことを特徴とする亜鉛イオン選択性電極。 - （２）誘導体としてはアルキル誘導体好ましくはＴＢＴ
ＤＳ（テトラｎブチル誘導体）（Ｔｅｔｒａ−ｎ−ｂｕ
ｔｙｌｔｈｉｕｒａｍＤｉｓｕｌｆｉｄｅ）もしくはＤ
ＭＤＯＴＤＳ（ジメチルジオクタデシル誘導体（Ｄｉｅ
ｔｈｙｌｄｉｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｈｉｕｒａｍＤｉｓ
ｕｌｆｉｄｅ）により構成するようにした請求項１記載
の亜鉛イオン選択性電極。 - （３）亜鉛イオン電極感応膜センサーに導電剤としてＫ
−ＴＣＰＢ（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍｔｅｔｒａｋｉｓ（ｐ
−ｃｈｌｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｔｅ）もしくは
ＴＦＰＢ（Ｓｏｄｉｕｍｔｅｔｒａｋｉｓ［３，５−ｂ
ｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ
］ｂｏｒａｔｅ）を添加して作製した請求項１または２
記載の亜鉛イオン選択性電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124390A JPH02304346A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 亜鉛イオン選択性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124390A JPH02304346A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 亜鉛イオン選択性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304346A true JPH02304346A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14884237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1124390A Pending JPH02304346A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 亜鉛イオン選択性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304346A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014063A1 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Institute Of Molecular & Cell Biology | Therapeutic compounds and methods |
| JP2007218880A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | Ｂｆ４−電極の処理方法 |
| CN100434908C (zh) * | 2006-10-24 | 2008-11-19 | 东北电力大学 | 一种全固态Zn离子选择电极及其制备方法 |
| CN110726766A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-24 | 中国科学院烟台海岸带研究所 | 一种应用于非损伤微测系统的Zn2+选择性微电极及其制备方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1124390A patent/JPH02304346A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014063A1 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Institute Of Molecular & Cell Biology | Therapeutic compounds and methods |
| JP2007218880A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | Ｂｆ４−電極の処理方法 |
| JP4701104B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-06-15 | 財団法人電力中央研究所 | Ｂｆ４−電極の処理方法 |
| CN100434908C (zh) * | 2006-10-24 | 2008-11-19 | 东北电力大学 | 一种全固态Zn离子选择电极及其制备方法 |
| CN110726766A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-24 | 中国科学院烟台海岸带研究所 | 一种应用于非损伤微测系统的Zn2+选择性微电极及其制备方法 |
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