JPH02303019A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はＩＣ，ＬＳＩの製造工程、プリント基板の製
造工程などにおいて微細な配線などを基板上に作製する
際に用いられ、基板上に塗布された感光性材料に、フォ
トマスクのパターンを光を用いて転写する露光装置に関
する。

［従来の技術ｊ 任意のパターン、例えば第８図に示すパターンを基板上
に加工する場合、感光性材料を用いた露光という方法を
使用した加工法がある。この加工法は例えば第９図に示
す手１＋ｌｌｌをとる。

まず第９図ａに示すように透明体ｌｌ上に透明部１２、
不透明部１３からなる第８図と同一なパターンを作製す
る。この透明体ｌｌ上にパターンを形成したものはフォ
トマスクと呼ばれる０通常、透明体１１としてはガラス
が用いられる。またフォトマスクの不透明部１３にはク
ロムなどの金属が付着され、透明部１２にはなにも付着
されないという構成がよく採られている。

次に第９図すに示すように加工すべき基板１４上にフォ
トレジストと呼ばれる感光性材料１５を均一に塗布する
。その後第９図Ｃに示すようにフォトレジスト１５を塗
布した基板１４上にフォトマスクを設置し、そのフォト
マスクを通して光１６を基板１４に当てる。フォトマス
クの透過部１２を通った光によりフォトレジスト１５が
化学変化を起す、この工程を露光と云う、またこの露光
工程で用いる装置を露光装置と云う。

その後第９図ｄに示すようにフォトレジスト１５中の化
学変化を起した部分のみを、薬品、ガスなどにより除去
する。するとフォトマスクパターンと同一のフォトレジ
ストパターンが基板１４上に転写形成される。ここで基
板１４においてフォトレジスト１５が存在しない部分は
基板１４の表面が露出している状態になっている。この
工程を現像と云う。

次に第９図ｅに示すようにフォトレジスト１５を保護膜
としてエツチング作業により、基板１４の表面が露出し
ている部分を掘るなどの加工を行う、最後に第９図ｆに
示すようにフォトレジスト１５を特殊な薬品などにより
除去すれば基板１４上に加工すべきパターンと同一のパ
ターンが形成された状態になる。

「発明が解決しようとする課題」 上述した加工法において、形成すべきパターンを変更す
る際は、フォトマスクパターンを変更しなければならな
い、即ちフォトマスクを新たに作り直す必要があった０
例えば第８図に示したパターンを第１０図に示すように
微小な変更（変更部分はＡ部、Ａ′部）を行う場合であ
ってもフォトマスクを作り直さねばならない。

以上述べたように従来の露光装置では、形成すべきパタ
ーンを変更する際にはフォトマスクの再度の作製という
費用、工数が発止する欠点があった。

この発明はこのような従来の欠点を除去し、露光装置の
使用者が自由に形成すべきパターンを変更できる、つま
り自由にフォトマスクパターンを形成することができる
露光装置を提供することにある。

１課題を解決するための手段」 この発明によれば発光層を絶縁層で挾み込み、その両側
の絶縁層上に互いに直交する縞状電極を形成したエレク
トロルミネッセントパネル（ＥＬパネル）がフォトマス
クとして用いられ、上記二つの縞状電極間に選択的に外
部信号を印加して任意の形状の発光部、非発光部を形成
し、これをフォトマスクパターンとする。つまり発光部
を従来のフォトマスクの光透過部とし、非発光部を従来
のフォトマスクの不透明部として用いる。

このエレクトロルミネッセントパネルは発光部、非発光
部が可変であり、使用者が自由にフォトマスクパターン
を変更することができる。

「実施例」 この発明ではフォトマスクとして、外部信号により発光
部、非発光部が可変となるエレクトロルミネッセントパ
ネル（以下ＥＬパネルと記す）を用いる。このＥＬパネ
ルは第１図、第２図に示すように、発光Ｎ２１が透明絶
縁ＦＪ２２．２３により両側から挾み込まれ、サンドイ
ンチ構造とされ、その両側の絶縁層２２．２３上に互い
に直交する縞状電極２４．２５がそれぞれ形成される。

基板１４側に位置される電極２４は透明電極とされ、他
方の電極２５は背面電極と呼ばれる。また取扱いの容易
さのために、このＥＬパネルはガラス牟反２６上に作製
される。

このＥＬパネルのある部分を発光させるにはその部分上
を通過している透明電極２４と背面電極２５との間に交
流電圧を印加する。このようにしてこのＥＬパネルは外
部信号により自由に発光部と非発光部とを設定できる。

この発光部を従来のフォトマスクの透明部とし、非発光
部を従来のフオドマスクの不透明部として使用する。こ
の場合次のような問題がある。

即ちＥＬパネルは例えば発光層２１の厚さが０．３ミク
ロン、絶縁１ｉ２２．２３の各厚さが０．５ミクロン、
電極２４．２５の各厚さが１ミクロン、ガラス板２６の
厚さが０．８〜１．０ｍ自、電極２４゜２５の各輻が３
０ミクロン、隣接電極間の間隔ｄが１０ミクロンであり
、第３図に示すように透明電極２４と背面電極２５とが
交差する発光可能領域２７で埋めつくされず、発光可能
領域２７の間に透明電極２４と背面電極２５とが交差し
ない常時非発光領域２８が存在している。このため例え
ば第４図に示すように発光可能領域３９中の斜線で示し
たもののみを発光させて発光部２９とした場合、透明電
極２４の位置での光量分布は実線３１で示すように隣接
する発光部２９間、つまり常時非発光領域２８と対応し
た部分に光量の落込み３１ａが発生し、連続した発光部
が得られず、これはパターンの断線などの原因となる。

また発光部も非発光部も同一物質で構成されているため
、発光部の光の非発光部への漏れ３１ｂが生じる。

これはパターン幅寸法が設定値より拡がってしまうこと
になる。これらのため点線３２の設定光量分布に対して
実線３１のように異なったものとなる。

しかし設定すべき発光、非発光パターン幅、Ｕｌｌちフ
ォ！・マスクパターン幅を、単位発光可能領域２７に対
して十分に人きなもなものにしか使用しない場合、つま
りパターン幅要求精度がゆるやかな場合は非発光部への
光の漏れ３１ｂはパターン幅精度がゆるやかであるため
問題とならない。

また第５図に示すようにＥＬパネルと基板１４との間の
距離ｌを、発光部２９より出射される光の広がり３３が
隣接発光部間で重なりあう距離に設定する。従って隣接
発光部２９間の光強度が弱い部分は基板１４上では曲線
３４に示すように存在しなくなり、連続した露光が行え
る。なお発光部と非発光部との境界においても発光部か
ら非発光部への光の漏れが拡がるが、要求するパターン
幅精度をゆるくしている場合は問題とならない。

次に前記二つの問題を解決する他の手段を説明する。こ
れは複数のＥＬパネルを位置をずらせて重ねて使用する
。具体例として第６図に示すようにＥＬパネル３５とＥ
Ｌパネル３６との二枚を重ねる場合を説明する。基板（
図示せず）側に位置されるＥＬパネル３６については発
光可能領域２７の間の常時非発光領域２８を発光物質で
はなく発光物質よりも高屈折率の透明絶縁体３７で埋め
る。

ＥＬパネル３６の発光可能領域２７と対応して絶縁Ｎ２
３上に炭素などの光吸収層３８が形成され、ＥＬパネル
３本からの光がＩＥＬパネル３６の発光可能領域２７に
入射されないようにされる。ＥＬパネル３５の電極２４
とＥＬパネル３６の電極２５とが兼用され、これらは透
明電極で構成される。

第６図、第７図に示すように、ＥＬパネル３６の常時非
発光領域２ＢとＥＬパネル３５の発光領域３９とが対向
するようにＥＬパネル３５．３６は互いにずらされる。

第６図に示すように例えばＥＬパネル３５の発光可能領
域３９中の斜線を施した部分が発光され、■２．Ｌパネ
ル３６０発光可能領域２７中の斜線を施した部分が発光
される。この結果、ＥＬパネル３５の発光可能領域３９
から発光した光は、ＥＬパネル３６の発光部間の高屈折
率の透明ｖＡ縁体３７に導びかれて出射する。従ってＥ
Ｌパネル３６の常時非発光領域２８にＥＬパネル３５の
発光可能領域３９と透明絶縁体３７とにより光が供給さ
れ、発光部間で落ら込みのない連続した光分布が得られ
る。

またＥＬパネル３６の発光可能領域２７がら発光された
光の一部は高屈折：―透明絶縁体３７と発光層２１の発
光物質との屈折率が異なるため透明絶縁体３７と発光物
質との界面で反射光４１として反射される。よってＥＬ
パネル３６において発光部から非発光部へ漏れる光が少
なくなる。

透明絶縁体３７の屈折率が発光物質のそれよりも高いた
め、ＥＬパネル３５の発光可能領域３９から透明絶縁体
３７へ供給された光は透明絶縁体３７内に閉じ込められ
、ＥＬパネル３６の発光可能領域２７への漏れは少ない
。

第７図かられかるようにこのようにしても発光、非発光
を制御できない部分が残るが、これは上記例と同様な手
法によりＥＬパネルを３重に重ねることにより除去する
ことができる。

「発明の効果」 以上述べたようにこの発明によればＥＬパネルをフォト
マスクとして用いることにより、自由にフォトマスクパ
ターンを形成することができ、従来におけるフォトマス
クの再度の作製を行う必要がない。

【図面の簡単な説明】

第［１はＥＬパネルを示す斜視図、第２図はＥｌ。 パネルと基板との位置関係を示す断面図、第３図は第１
図のＥＬパネルの発光領域及び常時非発光領域を示す平
面図、第４図は第１図のＥＬパネルの透明電極２４の位
置における光量分布を示す図、第５図はこの発明の実施
例における基板上での光量分布を示す図、第６図はこの
発明の他の実施例を示す第７図のＹ−Ｙ’線断面図、第
７回はＥＬパネル３５．３６の発光可能領域３９．２７
の重なりを示す平面図、第８図は基板上に作製するパタ
ーンの例を示す図、第９図は露光を用いた加工法の手順
を示す断面図、第１Ｏ図は第８図のパターンの変更例を
示す図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に塗布された感光性材料に対し、フォトマ
   スクのパターンを転写する露光装置において、 発光層を絶縁層で挾み込み、その両側の絶縁層上に互い
   に直交する縞状電極を形成したエレクトロルミネッセン
   トパネルが上記フォトマスクとして用いられ、 上記二つの縞状電極間に選択的に外部信号を印加して任
   意の形状の発光部、非発光部を形成し、これをフォトマ
   スクパターンとすることを特徴とする露光装置。
2. （２）上記基板と上記エレクトロルミネッセントパネル
   との間の距離が、そのエレクトロルミネッセントパネル
   の隣接する二つの発光部から出射された光が重なりあう
   距離とされていることを特徴とする請求項１記載の露光
   装置。
3. （３）上記エレクトロルミネッセントパネルの複数枚が
   、位置をずらせて重ねて設けられ、そのエレクトロルミ
   ネッセントパネルの上記基板側に設けられるものはその
   発光層において、発光可能領域以外の領域が発光物質よ
   りも高屈折率の透明絶縁物質で置きかえられていること
   を特徴とする請求項１記載の露光装置。