JPH02302931A - 光学データ・キャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光学データ・キャリア、及びこの光学データ・
キャリア複数で構成する光学データ・キレリア構造体に
関するものである。

［従来の技術］ データの記憶とデータの処理において、キャリアの数が
ますます大きくなることが要求され、かつ、なおアクセ
ス特性が優れでいることが要求されている。すなわち、
処理速度がますまず大きく。

４ｒることが要求されている。大部分のデータ記憶装置
は、通常、磁気的キＡノリアを使用している。

磁気記憶媒体はよく知られた欠点と限界を有してる。す
なわち、環境（温度、塵、磁界）の影響を受けやすいこ
と、傷がつきやずいこと、寿命が３年程に制約されるこ
とである。

光学的方法により、これらの欠点のいくつかをうまく解
決することができる。この方法の特徴は、出き込み装置
および読み出し装置に、レーザ光ビームを使用すること
である。

適切な装置について説明すれば、この装置ではレーザ光
ビームが媒体材料の表面に集光される。

それにより、この材料の表面の物理的性質に、検出可能
な変化が生ずる。この変化はレーザ光ビームが集光され
た領域（例えば、直径１１１ｍの領１ｆｉ、）に局在し
ている。この物理的性質が変化した局イ１領域が書き込
みセル（または書き込みピッＩ〜）であり、そしてこの
書ぎ込みセルを後で光学的に読み出すことができる。光
学的書き込みの品質特性は、重要度の順で、次の２つの
パラメータによって評価される。

リ　光学的コントラス１〜。光学コントラスｊ〜とは、
レーザ光ビームで照射された領域の反射率と、レーザ光
ビームで照射されない材料領域の反則率との差によって
定められる。

（へ）　レーザ光ビームで照射された領域の組織学的、
　安定性と幾何学的安定性。

第１パラメータ（コン１〜：７ス１〜）は光学出ぎ込み
方法の本来の品質特性を定める（うのであり、一方、第
２パラメータ（安定性）は寿命を定める一ｂのである。

コントラストは最も重要な特性である。

それは、コントラストは読み出しモードに直接に影響を
与えるからである。すなわち、コントラストが大ぎ（）
れば大きい程、アクセス時間は短くなり、そしてキャリ
アの記憶容量が大きくなるからである。したがって、デ
ータを検出しそしてデータを制御する読み出し装置のす
べての特性に、直接的に影響を与えるからである。

コントラスＩ・を得るための条件は主として材料の選択
によって変わる。この材料とは、基板の上に作成されて
固定される薄膜の材料のことであり、この描造林の全体
が光学データ・キャリアを構成する。実際に用いられる
光学データ・キャリアは、この簿膜を特定の方法で変化
させたものを利用覆る。薄膜のこの変化４．−Ｌ　、レ
ーザ光ビームを照射すること１．、−に　゛つて起こる
変化である。この変化は物理的に［ブ゛ットを実現する
もので、次のような段階で構成８れることができる。す
なわち、月利をＬ４．）所的に蒸発することによって、
薄膜にホールがあ【プられる、 薄膜が塑性変形して、非常に薄い壁（厚δは０．０３μ
ｍ）を有する泡の形が作られる、薄膜の構造が変化する
、例えば、アモルファス状態から結晶状態に変化する、
または結晶状態からアモルファス状態に変化する、であ
る。

これらの変化はリーベて、直径１μｍのピッＩ〜を作る
ことができる。

けれども、これらの変化のおのおのによって光学的書き
込み／読み出し方法を実施するさいには、いくつかの欠
点がある。

最初の２つの変化（ホールの作成または泡の作成〉では
、感知性薄膜の極く近接した位置の自由空間内で、材料
を蒸発さけるまたは膜を膨張させることが必要である。

これらの変化は環境（塵、圧力、湿度、湿度）に非常に
敏感であるから、前記自由空間は制御されかつ精密４ｊ
ものでな（プればならなく、そして感知性薄膜を密封し
、環境から隔離しな番プればならない。したがって、こ
の光学データ・キャリアはこわれやづく、そして取り扱
いが厄介であるので、製造刀るのが九ｌ）い。

さらに、１履用方向の反射率でえられる光学：］コント
ラス−は’１．４／１に７Ｊぎｔ「い。

第３の変化では、構造」−の栢質の変化で・ある、。

この場合には、密封を行って、環境を制御されたものに
する必要はない。この場合には、概して、前の２つの場
合より６環境には敏感でない。番ノれども、この場合に
えられる光学コントラストは前の場合よりもさらに小さ
く、約１．２５／１の程度である。

第４の変化の形式がある。それは化学的性質の変化を利
用するものである。実際、この変化の特徴はＩＩＩを光
で照射すると、化学反応が起こることである。この方法
は、欧州特許第０．０４５゜５５１号および米国特許第
４，４６３，０２８号に開示されている。これらの特許
には、太陽エネルギを光起電力に変換する分野への応用
が開示されている。この方法では、例えばアルミニウム
原子を有する薄層とそれと同数のアンチモン原子を含む
薄層との２つのｉり層が、熱的に分離された基板の上に
順次に沈着される。これら２つの層を積層してえられる
薄膜の全体の厚さは０．１μｍで□　　　ある。次に、
低出力のレーデ光ビームで表面を、短時間の間、照射す
る。このレーザ光ビームは表面上で直径１μｌにまで集
光される。薄膜の金属表面で反射されなくて吸収される
光エネルギは熱に変わるが、この熱は、基板が熱的に分
離されているために、拡散できない。このために、金属
元素層が溶解し、そして半導体化合物Δｊ！Ｓｂができ
る。半導体化合物△ｊ！　３　ｂの光透過率は、７５０
ｎＩＩ１以上の波長の光に対し、約９０％にた（よそれ
以上である。このように、薄膜の照射された領域では合
成が起って透明になり、−・方、薄膜の照）１されない
領域は、アルミニウム層が基板の上にまず沈着される時
、アンチモンで構成される感知性薄膜の外側金属表面は
高い反射率（７５％）のままである。この形式の変化は
、膜の形状の変形や変更を起こさない。特に、レーデ光
ビームの波長で透明であるシリカ層またはアルミナ層に
よって、光で照射される前の薄膜を保護することができ
る。

この保護層は、蒸着容器内で薄膜が製造された後、この
薄膜の上に沈着される。光の照射にＪ：り合成が起こる
が、この合成ににつで転換した材わ１が基板と保護層と
の間に密封される。基板と保護層は、この合成のさい、
変化することはない。

［発明の目的と要約］ 本発明の目的は、従来の光学データ・キャリアが有する
前記欠点（コントラストが小さい、こわれやすい）のな
い、斬新にして有用性の高い光学データ・キャリアと光
学データ・キャリアを構成する構造体を提供することで
ある。本発明による光学データ・キャリアは、全体的に
、板状体の形状を有する基板と、前記基板の２つの表面
のうちの少なくとも１つの表面の上に２つの重ね合わさ
れた層と、前記２つの重ね合わされた層のうちの外側の
層の上にレーザ光線に対して透明である保護層とを有し
、前記２つの重ね合わされた層が異なる材料で作成され
、かつ、書き込みレーザ光ビームと読み出しレーザ光ビ
ームの光に感知性を有する薄膜であり、および前記層が
書き込みレーザ光ビームで照射された局所領域の中に半
導体化合物が合成されそれにより書き込まれたデータを
読み出すことができる。また、前記光学データ・キャリ
アを２個有し、全体とじて１つの光学データ・キャリア
を構成する光学データ・キャリアＳ造　１３一 体がえられる。

これらの光学データ・キャリアおよび光学データ・キャ
リア構造体は、円板または長り杉板状体の形状を有し、
その上にデータが光学的に永久的に書き込まれ、そして
その後光学的に読み出すことができる。これらの光学デ
ータ・キャリアおよび光学データ・キャリアを構成する
構造体は次の利点を有する。すなわち、 第１に、８より大きい光学コントラストで、多分１１に
近い光学コントラストで、データを読み出すことができ
ること。

第２に、非常に大量のデータを記憶するのに適切な装置
であること。

第３に、完全に保護されていて、環境の影響を受けない
こと。

第４に、寿命は乱暴でない動作状態では１０年以上であ
ること。

第５に、それらの構成は面倒なものではなく、完全に自
動化できること。

第６に、■業的に容易に製造可能であること。

前述目的に指向し、叙上の利点を具用するために、本発
明による光学データ・キャリアでは、ぞの基板は読み出
しレーザ光ビームの波長の光に対しては吸光性であり、
そして感知性薄膜は読み出しレーザ光ビームの波長にお
いて（半導体化合物の合成によって作成された）光学ホ
ールを有し、そしてこれらの光学ボールにより、吸光性
の基板と、レーザ光線に対して透明である保護層との間
の感知性薄膜の中に、集積された書き込みセルまたは書
き込みビットがえられる。

本発明の好ましい実施例では、基板は陽極酸化されそし
て黒色化されたアルミニウム合金、または、黒色または
透明なポリカーボネート、または光学ガラスで作成され
る。

本発明のまた別の実施例により、半導体化合物は元素の
周期表の第■族と第Ｖ族、または第１Ｉ族と第ＶＩ族、
または第１族と第ＶＩ族にそれぞれ属する２つの元素で
構成される。例えば、Ａｊ！Ｓｂ。

ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｕＴｅおよびＣｕ２Ｔｅである
。

また、本発明による光学データ・キャリア構造体は２個
の光学データ・キャリアを有する。２個のこれらの光学
データ・キャリアは重ね合わされ、そしてデータを右し
ていない表面で相互に接着される。この重ね合わせのき
い、キャリアと同じ形を有しかつキャリアの間に配置さ
れた挿入板を入れる場合と、そうでない場合とがある。

また、２個の光学データ・キャリアを重ね合わせ１そし
てデータを有している表面で相ηに接着し、そのざい、
キャリアと同じ形を有しかつキャリアの間に配置された
挿入板が差し込まれた構造体が本発明によりえられる。

［実施例］ 本発明のその他の特徴は添句図面を参照しての下記説明
により明らかになるであろう。下記説明と添付図面は、
本発明による光学データ・キレリアと、前記光学データ
・キャリア複数を含み、全体として１つの光学データ・
キャリアを構成する光学データ・キャリア構造体の具体
的な実施例である。しかし、本発明はこれらの実施例に
限定されるごとを意味するものではない。

第１図は光学データ・キャリアの一部分の図面である。

この光学データ・キャリアは基板１を有する。基板１は
板状体であって、その形状は円形、長方形または正方形
であることが好ましい。基板１の１つの表面の上に層２
と層３の２つの層が重ねられている。これらの層は異な
る元素で作成される。これらの層の５の位置に半導体化
合物が合成されると、その位置は光学的ホール５となっ
てデータとして読み出すことができる。レーザ光線に対
して透明である保護層４が、外側の層３の外側の表面の
上に重ねられる。本発明により、第１図のグラフに示さ
れているように、基板１上の層２と層３の中において、
（欧州特許第０．０４５゜５５１号および米国特許第４
．４６３．０２８号に開示されている）書き込みレーザ
・ビームによって半導体化合物の合成が誘起され、それ
により読み出し反射光のコントラストが大幅に増大する
。

前記半導体化合物は元素の周期表の第面族と第Ｖ族、ま
たは第■族と第７丁族、または第１族と第ＶＩ族にそれ
ぞれ属する２つの元素で作成されること′が好ましい。

そして基板１は、読み出しレーザ・ビームのエネルギの
大部分を吸収することができる材料で作成される。読み
出しレーザ・ビームが半導体化合物では吸収されないま
たほぼと／υど吸収されないように、読み出しレーザ・
ビー１１の波長が選定されることにより、この読み出し
レーザ・ビームは、透明層４を透過し、かつ、それ以前
の光照射によって半導体化合物に転換された層２と層３
の領域内でのみこの半導体化合物の膜を透過し、読み出
しレーザ・ビームはこの膜と基板１との間の界面にまで
到達する。したがって、読み出しコントラスト（１／Ｉ
　　・　）は、半導体ＩａＸ　　　　　　ｌ１ｌｌｎ 化合物に転換されていない初期状態の材料の表面で正反
射された読み出し光ビームによってフォトダイオードに
生じた電流強度（１）と、基板ａｘ の表面で正反射された同じ光ビームによる電流強度（Ｉ
　・　）との間の差によって決定される。木ｉ１ｎ 発明により、前記のように、基板は読み出しし〜ザ・ビ
ームの波長の光が入射したとき、その光を吸収する、ま
たは強く吸収する材料である。半導体化合物（例えばＡ
ｉ）Ｓｂ）が合成されることにより、読み出しレーザの
波長において光学的ホール５が層２と層３の中に作られ
る。この時、基板はこの波長の光を強く吸収し、そして
この表面で反則してフォトダイオードに進む光ビームの
強度は大幅に小さくなる。このように、この構造体は、
入射する読み出し光ビームの強度の９０％以上を吸収す
る、光学的トラップとなる。このように、光学キャリア
の中に書き込まれた「ビット」５は、基板１と保ｙ層４
との間の層２および層３の中に集積された１ブラツク・
ホール」によって実現される。

簡単化のために、同じレーザ光源（例えば半導体ダイオ
ード・レーザ）を用いて、書き込みの場合パルス・モー
ドで動作さＬｌそしてこれらのピッ１−を読み出ずさい
には連続モードで動作させることができる。このことを
実施スるために、合成された半導体化合物によっては吸
収されないまたはほとんど吸収されないが、初期状態の
金属膜、すなわち、層２と層３によっては強く吸収され
る波長の光を放射する光源が用いられる。書き込みモー
ドから読み出しモートへの切り換えは、レーザの平均連
続放射強度を小さく覆る、例えば、′１０分の１程麿に
小さくＪることによって実ｌＡｌ１される。

本発明では、層２と層３の金属元素は、これらの金属元
素から作られる半導体化合物が読み出しレーザ・ビーム
の波長の光でｔｉｔ透明であるよう＜ｒ元素が選定され
る。ビットとなる透明部分を生じうるこれらの半導体化
合物としでは、例えば、Ａ　Ｉ　Ｓ　ｂ　、　Ｃｄ　Ｔ
　ｅ　、　Ｃｄ　Ｓ　ｅ　、　ＣＬＪ　Ｔ　ｅ　Ｊ）　
にびＣｕ２丁ｅを用いることができ、これらの半導体化
合物に対しては近赤外光線または可視光線で動作するレ
ーザ光源を光源どして用いることが′ｃＳる。この場合
には、半導体化合物のｆ；′ＪｆｌおＪ：び先夷板の特
性と、書き込み／読み出しダイオード・レーザの特性と
を適合さ【！ることにＪこり、読み出し二１ントラスト
Ｉ／１．　　を最適なものとりるｍａＸ　　　　　　　
ｌ１ｌｌｎ ことができる。

書き込み七−ド中に反射によって光エネルギが失われる
ことを防ぐために、書き込みレーザ・ビームの波長で大
きな反射率を有する金属層が、基板とその外側の反射率
の小さな層との間に予め沈着されることが好ましい。

層２と層３は、電子銃または磁界を利用したスパツタリ
、ング（マグネトロン装置）による電子衝撃によって熱
的に蒸発されて、絶縁体基板の上に沈着されることが好
ましい。スパッタリングによる電子衝撃を利用する場合
には、大きな面積の均一な層をうろことができ、そして
その原子構成比の欠陥を数パーヒント以下にすることが
できる、。

このスパッタリング法は、厚さが５００人の透明層４を
沈着するのにも用いることができる。レーザ光線を透過
する透明保護層４はアルミナまたはシリカで作成される
ことが好ましい。被覆の行なわれる表面はすべて、沈着
が行なわれる前に、高圧不活性ガスの噴射によって清浄
にされることが好ましい。　　　′ 本発明により、吸光性基板１は、陽極酸化されそして黒
化されたアルミニウム合金、黒色または透明なポリカー
ボネ−１〜、まｌこはざらに光学カラス（透明ガラス、
黒色ガラスなど）で作成されることが好ましい。基板が
透明または黒色のポリカーボネートで作成される場合に
は、水を通３”ｔ−にい層、例えばアルミナの層が、基
板の表面に内接に付けられ、そして最終的にはこの表面
と反対倶］の表面にもこのアルミナ層が付（プられる。

このアルミナ層の厚さは通常１００Ａないし１５０Ａで
あり、そして一方において、ポリカーボネートの中に存
在しているかも知れない水が、この７ノルミリ層を通し
て拡散して半導体感知＋ＩＡ層に到達するのを防止し、
そしてまた使方において、前記感知ｆ１層とポリカーボ
ネートとの接着性をよくり−る。この防水層を（１りる
萌に、ポリカーボネ−１・から気体の抽出が行なわれて
、水分が除去される１、この水分の除去のために、例え
ば１２０℃の温度に加熱する１綽、または、乾燥」二程
などが行なわれる。

本発明をさらによく理解するために、本発明による光学
データ・キャリアの書き込み／読み出し−２２＝ の方法の具体的な応用例について説明する。この応用例
では、透明なポリカーボネートの円板が用いられ、この
円板の上に第１図のキャリアの層２、層３および層４に
対応して、それぞれ、Ａｊ！（４００Ａ）’ｖ　ｓｂ　
（６００Ａ）、Ａｊ！２０３　（５００人）の層が、順
次に沈着されて作成された薄膜で被覆されたものが用い
られる。

（１）　　書き込み工程 この薄膜が、発光波長が８３０　ｎｍ、平均発光出力が
１１１ＩＩＷのレーザ・ダイオードから放射されたレー
ザ光ビームによって、局所的に照射される。

ダイオードの発光時間は２Ｘ１０−’秒であり、これは
照射時間に対応する。このレーザ光ビームは、適切な光
学装置によって、薄膜上で明るい円形のスポットになる
ように成形される。薄膜上の照射部でのこのスポットの
直径は１μｍである。円板の表面の垂線に対する入射の
角度は５°である。

この照射条件の下で、レーザ光ビームがほぼ一定強度で
Ａｌ２Ｏ３層を横断すると、Ａ１層とＳｂ層の２つの層
が融解して、半導体化合物ＡｌＳｂが合成される。この
半導体化合物は７８０　ｎｎ＋Ｊ：り長い波長の光に対
して透明である。１ （ハ）　読み出し工程 この薄膜は、その後、同じレーザ・ダイオードを用いて
、再び照射される。この場合の照射では、レーず・ダイ
オードは連続発光モードで動作し、その動作出力は１１
ＩＩＷである。この照射の薄膜に３・１する入射角は、
書き込み照射の場合と同じで、５°である。キャリアの
表面で正反射された光ビームを受は取る位置に、フォト
ダイオードが配置される。フォトダイオードはキャリア
Ｃ反射された光ビームを受ｉプ取ると、反射光ビームの
強さに比例した光電流がフォトダイオードに流れる。。

（すなわち、いまの場合、フォトダイオードに入射する
光の１１１ＩＷ当り、０．５ｍ＾の光電流が流れる。） 薄膜の中の半導体化合物に転換していない部分でレーザ
光ビームが反射（ｒｒ　）Ｑれるｊ１＃、反射された光
ビームの強度は、フォトダイオードを流れる光電流で測
って、高レベル（１＞である、。

＋ｎａｘ 実際、この状態での薄膜は金属的であり、読み出しレー
ザ光ビームの波長での反射率は大きい。光源が１　ｍＷ
の光を連続的に放射するとき、この光を受（づ取るフォ
トダイオードを流れる光電流の大きさが０．４＋ｎＡで
あるのが典型的な場合である。レーザ光ビームが書き込
み工程で半導体化合物に転換された領域で反射（Ｉ、）
されるとき、反射される光ビームの強さは、フォトダイ
オードを流れる電流（Ｉ　・　）で表して、読み出しレ
ーザ光電ａｎ −ムの強さくＩＩＷ）に対して、０．０４ＩＩｌ＾であ
る。

半導体化合物（Ａｉ！Ｓｂ）に転換している領域に読み
出しレーザ光ビームが入射しそこで反則されてフォトダ
イオードに入射してえられる光電流の大きさが、半導体
化合物に転換していない領域で反射されたレーザ光ビー
ムがフォトダイオードに入射してえられる光電流の大き
さに比べて１０分の１に小さくなるのは、次の理由によ
るものである。半導体化合物△ＩＳｂはダイオード・レ
ーデが放射する８　３０　ｎｍの光を吸収しない。した
がって、この光は半導体化合物の層を透過し、そして半
導体化合物の層の下側の表「１１に到達ｊる。この表面
は黒色であるから、この光の大部分はそごで吸収され、
わずかな部分（６％ないし７％の部分）だりが正反射さ
れる。反射された光は半導体化合物ＡＪＳｂの層を再び
透過し、そしてＡｊ！２０３層を通ってフオ］・ダイオ
ードに入射する。フォトダイオードに光が入射すると、
７′ＡＩ−ダイオードには、この入射光の強度（１，）
に比例する光１１１ｎ 電流が流れる。動作モードにおいては、書き込みと読み
出しは運動論的に実行される。内き込みは、ダイオード
・レーザからのレーザ光ビームの放射を電子的に開始さ
ゼることによって実（ｊされる。

このレーザ光放射は２Ｘ１０−７秒間持続する。このレ
ーザ光放射は、２進モードで書き込みを実ｆ−１するた
めに、予め定められた＝１−ドに従って変化する時間間
隔をもって繰り返される。この薄膜の光照射が行なわれ
ている間、この敏感薄膜をそなえた円板が１０００回転
／分の速さ−Ｃ回転し一９Ｊ５す、そしてダイオード・
レーｆと読み…し用フオ（〜ダイオードの保持装置が円
板の半ＩＹｈ向に移動する。したがって、レーザで照射
された領域は円板上で螺旋形に分布し、その間隔は３μ
ｍである。

トラック上で相互に隣接する２つの照射された領域の間
の最小距離は、また３μ口である。読み出し工程では、
ダイオード・レーザは連続発光モードで動作し、トラッ
クを持続的に照射する。読み出し用フォトダイオードは
、そこで検出された光電流力ｏ、　−４１ｍＡカラ０．
０１ｎＡへ降）する時、レーザ光ビームの下を半導体化
合物に転換した領域が通過したと記録される。これらの
大きな光電流と降下した光電流との２つの量の比が読み
出しコントラスト（１／１．）を決定する。いまｌ１ｌ
ａｘ　　　　　　ｍａｎ の場合、この読み出しコントラストは１ｏ／１である。

フォトダイオードの光電流と共に、円板の回転とフォト
ダイオードの半径方向の変位とを同時に記録することに
より、書き込み工程で円板に書き込まれた符号化された
データを、フォトダイ□　　　オードの端子間に、一連
の光電パルスの形でこれらのデータを再生Ｊることがで
きる。

以上の説明で明らかになったように、本発明による光学
データ・キャリアとこの光学データ・４−ヤリアを構成
する構造体の基板は、読み出しレーザ光ビームの波長の
光を吸収する。この吸光性の基板を用いることにより、
書き込み用レーザ光ビームに敏感な感知性薄膜を用いて
、光学］ントフストが８以上で、そして場合により１１
に近い光学コントラストで、データを読み出すことがで
きる。前記で示したように、本発明の光学データ・キャ
リアと光学データを構成する構造体は人容吊のデータを
記憶するのに適切な装置である。この光学データ・キャ
リアは直径３５　Ｃｍ円板に３０１゛ガビツトを記憶す
ることかでき、そして通常は１メガビット／ｃＩＩＩ２
を配憶することができる。

光学データ・キャリアと光学データ・キャリアを構成す
る構造体を実施するいくつかの具体例を下記で説明する
。これらの実施例は第２図から第８図までの図面に示さ
れている。

実施例１（第２図をみＪ、） 円板状の研１（光学研跨）されたアルミニウム合金が、
陽極酸化により、厚さ１５μｍのアルミす層で被覆され
る。このアルミナ層は完全に透明である。この表面に、
直径０．０３μｍ１平均間隔０．５μｍ１深ざ５μｍな
いし１０μｍの円柱形の穴が配置される。

その後、この酸化物の上にスズが化学的方法で沈着され
る。スズそれ自身はこれらの穴の底に沈着する。沈着を
行なう時間の長さにより、これらの穴の大部分がスズを
有し、その結果、陽極酸化されたアルミニウム合金円板
が黒色化する。その後、この熱絶縁されそして光を反射
しない基板の上に、厚さ０．０４μｍのアルミニウム層
と、その後厚さ０．０６μｍのアンチモン層と、最後に
保護層として厚さＯ１′０５μｍのアルミナ層またはシ
リカ層が順次に沈着される。これで光学キャリアが完成
する。アルミナ層またはシリカ層の上に、透明なポリカ
ーボネートの非常に薄く重合膜が雰囲気温度で沈着され
ることにより、感知性層の分離をさらによくすることが
できる。

実施例２（第３図をみよ） 厚さが１１ＩＩＩＲの透明なポリカーボネートの円板（
その表面が光学研摩されている）の１つの表面が、実施
例１で述べた３つの層、すなわら、３　ｂ　。

Ａ１．およびＳｉＯまたはＡｌ２Ｏ３のそれぞれ指定さ
れた厚さの層で構成されたｉｔ９膜で被覆される。同じ
方法で第２円板が作成される１、最後に、実施例１と同
じように陽極酸化されそして黒色化されたアルミニウム
合金円板が作成される。次に、前に製造された２個のポ
リカーボネート円板が黒色化されたアルミニウム合金円
板の両側に取りイ；１けられる。感知層で被覆された表
面が金属円板と接触する形に配置される。この実施例で
は、これらの３個の円板がそれらの周縁とそれらの内径
にわたって従来の方法で固定され蜜月されると、ポリカ
ーボネート円板は感知性層を完全に保護する。

実施例３（第４図をみよ） 有機着色剤を添加することによって黒色化されたポリカ
ーボネートの円板（厚さは１酎かまたはそれ以上）が製
造される。その後、この黒色化されたポリカーボネ−１
・円板の両表面」−に、ＡＩの層と、ｓｂの層と、Ａｌ
２Ｏ３の層の順に構成さ−３〇　　− れる感知性層が沈着される。この円板が、同じ直径と同
じ厚さを有する透明なポリカーボネートの２枚の円板で
はさみ、そして内径と外径にわたって全体を固定する。

実施例４（第５図をみよ） 厚さ１姻の透明ポリカーボネートの円板の１つの表面に
ｓｂの層と、ＡＩの層と、Ａｊ！２０３の層との順に３
つの層で構成される感知性層が沈着される。同じ方法で
第２の円板が作成される。最後に、黒色のポリカーボネ
ート円板が作成される。

次に、前に作成された２個の透明ポリカーボネートの円
板が黒色ポリカーボネート円板の両側に取り付りられる
。感知性層で被覆された表面が黒色ポリカーボネート円
板と接触する形に配置される。

実施例５（第６図をみよ） ２個の黒色ポリカーボネート円板のそれぞれの１つの表
面にＡＩの層と、Ｓｂの層と、八１２０３の層との順に
３つの層で構成される感知性膜が沈着される。その後、
これらの円板の被覆されていない表面が接着されて組み
立てられる。

それから、この組立体が２個の透明ポリカーボネート円
板ではさまれ、そしてこの全体の内径と外径にわたって
固定される。

実施例６（第７図をみよ） 前と同じにうに、２個の黒色ポリカーボネート円板のそ
れぞれの１つの表面にＡＩの層と、ｓｂの層と、Ａ１２
ｏ３の層との順に３つの層で構成される感知性層が沈着
される。その後、これらの２個の黒色ポリカーボネート
円板の被覆されていない表面が、厚さが１＃のアルミニ
ウム円板またはアルミニウム円板の両側に接着される。

それから、この組立体が２個の透明ポリカーボネート円
板ではさまれ、そしてこの全体が前と同じようにして固
定される。

実施例７（第８図をみよ） ２個の透明ポリカーボネート円板のそれぞれの１つの表
面がｓｂの層と、Ａｊ！の層と、Ａ１２ｏ３の層との順
に３つの層で構成される感知性層で被覆される。その後
、アルミニウム円板またはアルミニウム合金円板が作成
され、そしてこの円板の両側に２個の黒色ポリカーボネ
ート円板が接着される。この組立体は１個の黒色ポリカ
ーボネート板で構成された構造体であってもＪ：い。

次に、前に作成された２個の透明ポリカーボネート板が
この構造体の両側に取り付けられる。感知性層で被覆さ
れた表面が黒色ポリカーボネート板と接触するように配
置される。

第２図から第８図までの図面に用いられている参照番号
の内容は次の通りである。

１０：黒色陽極酸化 １１：感知性膜、すなわら、金属層と透明保護層１２：
固体アルミニウム １３：黒色ポリカーボネート １４：透明ポリカーボネート １５：接着剤

【図面の簡単な説明】

第１図は読み出し用レーザ光ビームによって照射される
光学的ボールを有する本発明による光学データ・キレリ
アの一部分の概要横断面図、およびこの光学キャリアで
反射された読み出し用レーザ光ビームによってフ第１・
ダイオードに生ずる電流の大ぎざい（１，）をこの光学
８ψリア上のレーザ光ビームの位置（×）の関数としで
示したグラフ図、第２図から第８図までの図面はその他
の可能な光学データ・キレリアまたは本発明による光学
データ・キャリアを構成する構造体の概要横断面図。 ［祠号の説明］ ２．３　　　　金属層 ４　　　　　　保護層 ５　　　　　　光学ホール、半導体化合物１　　　　　
　基板 代岬人　浅　利　　　皓

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. （１）板状体の形状を有する基板（１）と、前記基板（
   １）の２つの表面のうちの少なくとも１つの表面の上に
   重ね合わされた２つの層（２、３）と、前記２つの重ね
   合わされた層のうちの外側の層（３）の外側の表面の上
   に設けられ、レーザ光線に対して透明である保護層（４
   ）、とを有する光学データ・キャリアであつて：前記２
   つの重ね合わされた層（３、４）は異なる材料で作成さ
   れかつ書き込みレーザ光ビームと読み出しレーザ光ビー
   ムに対する感知性薄膜を形成し、書き込みレーザ光ビー
   ムで照射された領域の中に半導体化合物が合成されそれ
   により書き込まれたデータを読み出すことができること
   、前記基板（１）は読み出しレーザ光ビームの波長の光
   に対する吸収性を有すること、及び、前記感知性薄膜は
   読み出しレーザ光ビームの波長において（前記半導体化
   合物の合成によつて作成された）光学的ホール（５）を
   有し、前記光学的ホール（５）により前記光吸収性基板
   （１）と前記保護層（４）との間の前記感知性薄膜の中
   に集積された書き込みセルまたは書き込みビットを出現
   せしめること；を特徴とする前記光学データ・キャリア
   。
2. （２）請求項１において、前記基板が陽極酸化されかつ
   黒化されたアルミニウム合金によつて作成されることを
   特徴とする、前記光学データ・キャリア。
3. （３）請求項１において、前記基板は黒色ポリカーボネ
   ートまたは透明ポリカーボネートで作成されることを特
   徴とする、前記光学データ・キャリア。
4. （４）請求項３において、前記基板はその表面のうちの
   少なくとも１つの表面の上に前記感知性薄膜に向けて水
   が拡散することを防止する水密層を有すること、を特徴
   とする前記光学データ・キャリア。
5. （５）請求項１において、前記基板は光学ガラスで作成
   されること、を特徴とする前記光学データ・キャリア。
6. （６）請求項１から請求項５までのいずれか１つにおい
   て、前記感知性薄膜は８から１１までの範囲内の光学コ
   ントラストをもつてデータを読み出すことができること
   、を特徴とする前記光学データ・キャリア。
7. （７）請求項１から請求項６までのいずれか１つにおい
   て、前記半導体化合物は元素周期率表の第III族と第Ｖ
   族、第II族と第VI族または第 I 族と第VI族にそれぞれ
   属する２つの元素で作成されること、を特徴とする前記
   光学データ・キャリア。
8. （８）請求項７において、前記半導体化合物はＡｌＳｂ
   、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｕＴｅまたはＣｕ＿２Ｔｅの
   材料群の中の１つの材料で構成されること、を特徴とす
   る、前記光学データ・キャリア。
9. （９）請求項１から請求項８までのいずれか１つにおい
   て、前記透明保護層（４）はアルミナまたはシリカで作
   成されること、を特徴とする前記光学データ・キャリア
   。
10. （１０）請求項１から請求項９までのいずれか１つにお
    いて、前記光学データ・キャリアの外側表面のうちの少
    なくとも１つの外側表面の上に透明な分離用被覆体を有
    すること、を特徴とする前記光学データ・キャリア。
11. （１１）請求項１０において、前記分離用被覆体は透明
    ポリカーボネートで作成されること、を特徴とする前記
    光学データ・キャリア。
12. （１２）請求項１から請求項１１までのいずれか１つに
    おいて、前記光学データ・キャリアは１ｃｍ当り１０メ
    ガビットに達するデータ記憶容量を有すること、を特徴
    とする前記光学データ・キャリア。
13. （１３）請求項１から請求項１２までのいずれか１つに
    おいて、前記光学データ・キャリアが円形板、長方形板
    または正方形板の形状を有すること、を特徴とする前記
    光学データ・キャリア。
14. （１４）請求項１に規定する光学データ・キャリアは２
    個含まれており、２個の前記光学データ・キャリアは重
    ね合わされ、かつ、データを有していない表面で相互に
    接合されていること、を特徴とする光学データ・キャリ
    ア構造体。
15. （１５）請求項１に規定する光学データ・キャリアは２
    個含まれており、これら２個の前記光学データ・キャリ
    アは重ね合わされ、かつ、前記キャリアの間に差し込ま
    れて配置された板状体によつてデータを有していない表
    面で相互に接合されていること、を特徴とする光学デー
    タ・キャリア構造体。
16. （１６）請求項１５において、差し込まれた前記板状体
    がアルミニウム、アルミニウム合金、または黒色ポリカ
    ーボネートで作成されていることを特徴とする、光学デ
    ータ・キャリア構造体。
17. （１７）請求項１４から請求項１６までのいずれか１つ
    において、前記構造体のおのおのの外側表面の上に透明
    な分離用被覆体を有することを特徴とする、光学データ
    ・キャリア構造体。
18. （１８）請求項１７において、前記分離用被覆体が透明
    ポリカーボネートで作成されていること、を特徴とする
    光学データ・キャリア構造体。
19. （１９）請求項１に規定する光学データ・キャリアを２
    個有し、これらの２個の前記光学データ・キャリアは重
    ね合わされ、かつ、前記キャリアの間に差し込まれた板
    状体によつてデータを有する表面で相互に接合されてい
    ること、を特徴とする光学データ・キャリア構造体。
20. （２０）請求項１９において、差し込まれた前記板状体
    はそのおのおのの面が黒色ポリカーボネート板で被覆さ
    れたアルミニウム板状体またはアルミニウム合金板状体
    で作成されていること、を特徴とする光学データ・キャ
    リア構造体。
21. （２１）請求項１４から請求項２０までのいずれか１つ
    において、前記構造体は円形、または長方形、または正
    方形の形状を有すること、を特徴とする光学データ・キ
    ャリア構造体。