JPH02302683A - Reference voltage generating apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気抵抗素子からの測定電圧と比較される基
準電圧を発生するための基準電圧発生装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION OBJECTS OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a reference voltage generator for generating a reference voltage with which a measured voltage from a magnetoresistive element is compared.
（従来の技術）
従来より、磁気抵抗素子を利用した磁気センサが供され
ている。つまり、磁気抵抗素子は、鎖交磁界の方向に応
じて抵抗値が変化する特性（磁気異方性効果）を有する
から、その抵抗値の変化に基づいて鎖交磁界の方向を検
出しようとするものである。第７図に磁気抵抗素子を利
用した磁気センサの回路の一例を示す。即ち、１は磁気
抵抗素子で、これは、図示しない絶縁基板上に強磁性体
を例えばスパッタ装置或は真空蒸着装置を用いて成膜し
た後にフォトリソグラフィを用いて形成されており、第
１の磁気抵抗部１ａ及び第２の磁気抵抗部１ｂから形成
されている。この場合、各磁気抵抗部１ａ、ｌｂは、夫
々の抵抗値が等しく且つその電流方向が略直交するよう
にパターン形状が決定されている。そして、磁気抵抗部
１が形成された絶縁基板は図示しない混成集積回路基板
上に配置されていると共に、各磁気抵抗部１ａ、１ｂが
混成集積回路基板の電源ライン２及びＯｖライン３と接
続されることによりこれらの間に電源電圧Ｖ。が印加さ
れている。従って、各磁気抵抗部１ａ、ｌｂの共通接続
点からは電源電圧Ｖ。の１／２の電圧信号Ｖａ（−Ｖｏ
／２）が出力されている。そして、磁気抵抗素子１に磁
界が鎖交して例えば磁気抵抗部１ａの抵抗値が高くなっ
たときは、他方の磁気抵抗部１ｂの抵抗値が低下するか
ら、磁気抵抗素子１からの電圧信号Ｖａは鎖交磁界の方
向に応じてＶ。／２を中心として変化する。(Prior Art) Conventionally, magnetic sensors using magnetoresistive elements have been provided. In other words, since a magnetoresistive element has the property that its resistance value changes depending on the direction of the interlinkage magnetic field (magnetic anisotropy effect), the direction of the interlinkage magnetic field is detected based on the change in the resistance value. It is something. FIG. 7 shows an example of a magnetic sensor circuit using a magnetoresistive element. That is, 1 is a magnetoresistive element, which is formed using photolithography after forming a film of ferromagnetic material on an insulating substrate (not shown) using, for example, a sputtering device or a vacuum evaporation device. It is formed from a magnetoresistive section 1a and a second magnetoresistive section 1b. In this case, the pattern shape of each magnetoresistive part 1a, lb is determined so that the respective resistance values are equal and the current directions thereof are substantially orthogonal. The insulating substrate on which the magnetoresistive part 1 is formed is placed on a hybrid integrated circuit board (not shown), and each of the magnetoresistive parts 1a and 1b is connected to a power line 2 and an Ov line 3 of the hybrid integrated circuit board. By this, the power supply voltage V is applied between these. is applied. Therefore, the power supply voltage V is applied from the common connection point of each magnetoresistive section 1a, lb. The voltage signal Va (-Vo
/2) is output. When the magnetic field interlinks with the magnetoresistive element 1 and the resistance value of the magnetoresistive part 1a increases, for example, the resistance value of the other magnetoresistive part 1b decreases, so that the voltage signal from the magnetoresistive element 1 Va is V depending on the direction of the interlinkage field. It changes around /2.
さて、磁気抵抗素子１からの電圧信号Ｖａを基準電圧Ｖ
０／２と比較することにより鎖交磁界の方向を示す二値
化信号を得ることができるから、このように基準電圧■
。／２を発生する基準電圧発生装置４が混成集積回路基
板上に設けられている。つまり、基準電圧発生装置４は
、混成集積回路基板上に酸化ロジウム等を厚膜印刷して
成り、第１の厚膜抵抗部２ａ及び第２の厚膜抵抗部２ｂ
を直列接続して形成されている。そして、第１゜第２の
厚膜抵抗部２ａ、２ｂ間には電源電圧ｖ０が印加されて
おり、その共通接続点からは電源電圧Ｖ。の１／２であ
る■。／２が出力されている。Now, the voltage signal Va from the magnetoresistive element 1 is converted to the reference voltage V
By comparing it with 0/2, it is possible to obtain a binary signal indicating the direction of the interlinkage field.
. A reference voltage generator 4 for generating /2 is provided on the hybrid integrated circuit board. In other words, the reference voltage generator 4 is formed by printing a thick film of rhodium oxide or the like on a hybrid integrated circuit board, and includes a first thick film resistor section 2a and a second thick film resistor section 2b.
are formed by connecting them in series. A power supply voltage v0 is applied between the first and second thick film resistor parts 2a and 2b, and a power supply voltage V is applied from their common connection point. 1/2 of ■. /2 is output.
また、混成集積回路基板上には、磁気抵抗素子１からの
電圧信号Ｖａ及び基準電圧発生装置４からの基準電圧Ｖ
。／２を比較するための比較器５が配設されている。従
って、比較器５は、磁気抵抗素子１からの電圧信号Ｖａ
と基準電圧Ｖ。／２と比較して二値化信号を出力するか
ら、その二値化信号に基づいて鎖交磁界の方向を検出す
ることができる。Further, on the hybrid integrated circuit board, a voltage signal Va from the magnetoresistive element 1 and a reference voltage V from the reference voltage generator 4 are provided.
. A comparator 5 is provided for comparing /2. Therefore, the comparator 5 receives the voltage signal Va from the magnetoresistive element 1.
and the reference voltage V. /2 and outputs a binary signal, so the direction of the interlinkage magnetic field can be detected based on the binary signal.
（発明が解決しようとする課題）
ところが、上記構成の基準電圧発生装置４の場合、第１
．第２の厚膜抵抗部４ａ、４ｂは抵抗値精度の比較的低
い厚膜印刷抵抗膜により形成されているから、一方の厚
膜抵抗部をトリミングして各厚膜抵抗部４ａ、４ｂが同
一抵抗値となるように調整しなければならない。しかし
ながら、トリミングにより各厚膜抵抗部４ａ、４ｂの抵
抗値を同一にしたとしても、各厚膜抵抗部４ａ、４ｂは
夫々温度係数が異なることが通常であるから、結局、基
準電圧発生装置４からの基準電圧が温度変化によりＶ。(Problem to be Solved by the Invention) However, in the case of the reference voltage generator 4 having the above configuration, the first
．． Since the second thick film resistor parts 4a, 4b are formed of a thick film printed resistor film with relatively low resistance value accuracy, one thick film resistor part is trimmed so that each thick film resistor part 4a, 4b is the same. It must be adjusted to match the resistance value. However, even if the resistance values of the thick film resistors 4a and 4b are made the same by trimming, the thick film resistors 4a and 4b usually have different temperature coefficients, so that the reference voltage generator 4 The reference voltage from V increases due to temperature changes.
／２から変動してしまう。このため、比較器５からの二
値化信号の立上り、立下がりタイミングが正規のタイミ
ングから変動してしまって鎖交磁界の方向を正確に検出
することができないという問題がある。また、磁気抵抗
素子１はスパッタ装置を用いて形成することができるの
に対して、基準電圧発生装置４はスクリーン印刷機を用
いて形成しなければならず、製造行程が繁雑であるとい
う問題もある。It fluctuates from /2. For this reason, there is a problem in that the rising and falling timings of the binary signal from the comparator 5 vary from the normal timings, making it impossible to accurately detect the direction of the interlinking magnetic field. Further, while the magnetoresistive element 1 can be formed using a sputtering device, the reference voltage generating device 4 must be formed using a screen printing machine, which poses the problem of a complicated manufacturing process. be.
そこで、磁気抵抗素子１が形成された絶縁基板上に抵抗
温度係数差が小さい薄膜抵抗をスパッタ装置或は真空蒸
着装置を用いて成膜した後にフォトリソグラフィを用い
て形成することにより、トリミング行程を省略して製造
行程の簡単化を図ることが考えられるが、薄膜抵抗は磁
気抵抗効果を生じ易いから、薄膜抵抗に磁界が鎖交しな
いようにその配置位置を工夫したり、磁気シールドを施
さなければならＩず、その構成が複雑化してしまうとい
う点が未解決の開局として残されていた。Therefore, by forming a thin film resistor with a small resistance temperature coefficient difference on the insulating substrate on which the magnetoresistive element 1 is formed using a sputtering device or a vacuum evaporation device, and then using photolithography, the trimming process can be reduced. It is possible to simplify the manufacturing process by omitting it, but since thin film resistors tend to produce magnetoresistance effects, it is necessary to arrange the thin film resistors carefully so that the magnetic field does not interlink with them, or to provide magnetic shielding. However, the fact that the structure would become complicated was left unresolved.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は
、薄膜抵抗を利用して基準電圧を発生するものでありな
がら、構成が複雑化してしまうことなく鎖交磁界の影響
を回避することができる基準電圧発生装置を提供するに
ある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to avoid the influence of interlinkage magnetic fields without complicating the configuration while generating a reference voltage using a thin film resistor. The purpose of the present invention is to provide a reference voltage generating device that can perform
［発明の構成］
（課題を解決すするための手段）
本発明の基準電圧発生装置によれば、薄膜抵抗を基板上
に成膜することにより第１の薄膜抵抗部及び第２の薄膜
抵抗部を直列接続して形成すると共に、それら第１及び
第２の薄膜抵抗部間に電圧を印加することにより前記各
薄膜抵抗部の共通接続点から基準電圧を得る基準電圧発
生装置において、前記薄膜抵抗を、ニッケル９０％、ク
ロム１０％若しくはそれに近い組成のニッケルクロム合
金から形成したものである。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) According to the reference voltage generating device of the present invention, the first thin film resistor section and the second thin film resistor section are formed by forming a thin film resistor on a substrate. In the reference voltage generating device, which obtains a reference voltage from a common connection point of each of the thin film resistors by applying a voltage between the first and second thin film resistors, the thin film resistors are connected in series. is made of a nickel-chromium alloy with a composition of 90% nickel and 10% chromium or close to it.
（作用）
ニッケル９０％、クロム１０％若しくはそれに近い組成
のニッケルクロム合金は、低温から常温まで磁気抵抗効
果を示さないことが知られている。(Function) It is known that a nickel-chromium alloy with a composition of 90% nickel and 10% chromium or close to it does not exhibit a magnetoresistive effect from low temperatures to normal temperatures.
従って、このような性質を有するニッケルクロム合金か
ら形成された第１及び第２の薄膜抵抗部は磁気抵抗効果
を示さないから、各磁気抵抗部の抵抗値が鎖交磁界によ
り変動してしまうことはなく、これにより基準電圧発生
装置からの基準電圧が変動してしまうことはない。Therefore, since the first and second thin film resistive parts formed from a nickel-chromium alloy having such properties do not exhibit a magnetoresistive effect, the resistance value of each magnetoresistive part will fluctuate due to the interlinking magnetic field. Therefore, the reference voltage from the reference voltage generator will not fluctuate.
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図乃至第３図を参照して
説明する。(Example) An example of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.
絶縁基板１１上には磁気抵抗素子１２が形成されている
。この磁気抵抗素子１２は、絶縁基板１１上にスパッタ
装置或は真空蒸着装置を用いて成膜した後にフォトリソ
グラフィを用いて強磁性体の薄膜パターンを成膜するこ
とにより形成されている。つまり、絶縁基板１１上に蛇
行形状の第１の磁気抵抗部１２ａ及び第２の磁気抵抗部
１２ｂを直列接続して形成することにより磁気抵抗素子
１２が構成されている。この場合、第１．第２の磁気抵
抗部１２ａ、１２ｂの抵抗値は一致していると共に、各
磁気抵抗部１２ａ、１２ｂにおける各長辺部が互いに略
直交する方向に指向するようにそのパターンが決定され
ている。そして、各磁気抵抗部１２ａ、１２ｂの共通接
続点に出力端子１３が形成されていると共に、各磁気抵
抗部１２ａ、１２ｂの端部に電源端子１４．１５が形成
されている。また、各端子１３，１４．１５には、絶縁
基板１１の端部に位置する引出端子１３ａ。A magnetoresistive element 12 is formed on the insulating substrate 11. The magnetoresistive element 12 is formed by forming a film on the insulating substrate 11 using a sputtering device or a vacuum evaporation device, and then forming a thin film pattern of a ferromagnetic material using photolithography. That is, the magnetoresistive element 12 is configured by forming a meandering first magnetoresistive section 12a and a second magnetoresistive section 12b connected in series on the insulating substrate 11. In this case, 1. The resistance values of the second magnetoresistive parts 12a and 12b are the same, and the pattern is determined such that the long sides of the respective magnetoresistive parts 12a and 12b are oriented in directions substantially orthogonal to each other. An output terminal 13 is formed at the common connection point of each magnetoresistive section 12a, 12b, and a power supply terminal 14, 15 is formed at the end of each magnetoresistive section 12a, 12b. Further, each terminal 13, 14, 15 has a lead terminal 13a located at the end of the insulating substrate 11.
１４ａ、１５ａの基端部が接続されている。The proximal ends of 14a and 15a are connected.
さて、絶縁基板１１上には基準電圧発生装置１６が形成
されている。この°基準電圧発生装置１６は、絶縁基板
１１上にスパッタ装置を用いて９゜９６ニツケル、１０
％クロムを組成とするニッケルクロム合金を成膜するこ
とにより形成されている。Now, a reference voltage generator 16 is formed on the insulating substrate 11. The reference voltage generator 16 is manufactured by using a sputtering device to form a 9°96 nickel and a 10° standard voltage generator on an insulating substrate 11.
It is formed by depositing a nickel-chromium alloy having a composition of % chromium.
つまり、絶縁基板１１上に蛇行形状の第１の薄膜抵抗部
１６ａ及び第２の薄膜抵抗部１６ｂを直列接続して形成
することにより基準電圧発生装置１６が構成されている
。この場合、第１．第２の薄膜抵抗部１６ａ、１６ｂの
抵抗値は同一となるように設定されている。そして、第
１．第２の薄膜抵抗部１６ａ、；１６ｂの共通接続点に
出力端子１７が形成されていると共に、各薄膜抵抗部１
６ａ。That is, the reference voltage generating device 16 is configured by forming a meandering first thin film resistor section 16a and a second thin film resistor section 16b connected in series on the insulating substrate 11. In this case, 1. The resistance values of the second thin film resistance sections 16a and 16b are set to be the same. And the first. An output terminal 17 is formed at the common connection point of the second thin film resistor parts 16a, 16b, and each thin film resistor part 1
6a.
１６ｂの端部に電源端子１８．１９が形成されている。Power terminals 18, 19 are formed at the ends of 16b.
また、各端子１７，１８．１９には、絶縁基板１１の端
部に位置する引出端子１７ａ、１８ａ、１９ａの基端部
が接続されている。Furthermore, base ends of lead terminals 17a, 18a, and 19a located at the ends of the insulating substrate 11 are connected to each of the terminals 17, 18, and 19.
そして、上記絶縁基板１１は図示しない混成集積回路基
板上の所定位置に配設されていると共に、６引出端子１
３ａ乃至１５ａ、１７ａ乃至１９ａが混成集積回路基板
の所定の端子と例えばボンディングワイヤにより接続さ
れている。The insulating substrate 11 is disposed at a predetermined position on a hybrid integrated circuit board (not shown), and six lead-out terminals 1
3a to 15a and 17a to 19a are connected to predetermined terminals of the hybrid integrated circuit board by, for example, bonding wires.
次に電気的構成を示す第２図において、磁気抵抗素子１
２における第１の磁気抵抗部１２ａの引出端子１４ａ（
第１図参照）は電源ライン２０と接続されて電源電圧Ｖ
。が与えられ、第２の磁気抵抗部１２ｂの引出端子１５
ａはＯｖライン２１と接続されている。従って、磁気抵
抗素子１２に磁界が鎖交していないときは、出力端子１
３からは電源電圧Ｖ。の１／２の電圧信号Ｖａ（−Ｖｏ
゛／２）が出力されている。また、基準電圧発生装置１
６における第１の薄膜抵抗部１６ａの引出端子１８ａは
電源ライン２０と接続されて電源電圧ｖ０が印加され、
第２の薄膜抵抗部１６ｂの引出端子１９ａはＯＶライン
２１と接続されている。Next, in FIG. 2 showing the electrical configuration, the magnetoresistive element 1
2, the lead terminal 14a of the first magnetic resistance section 12a (
(see Figure 1) is connected to the power supply line 20 and the power supply voltage V
. is given, and the lead terminal 15 of the second magnetic resistance section 12b
a is connected to the Ov line 21. Therefore, when the magnetic field is not interlinked with the magnetoresistive element 12, the output terminal 1
From 3 onwards, the power supply voltage is V. The voltage signal Va (-Vo
゛/2) is output. In addition, the reference voltage generator 1
The lead terminal 18a of the first thin film resistor section 16a at 6 is connected to the power supply line 20 and the power supply voltage v0 is applied thereto;
The lead terminal 19a of the second thin film resistance section 16b is connected to the OV line 21.
従って、出力端子１７からは電源電圧Ｖ。の１／２の基
準電圧Ｖ。／２が出力されている。また、２２は図示し
ない混成集積回路基板上に配設された比較器で、これの
反転入力端子（−）は磁気抵抗素子１２の引出端子１３
ａと接続され、非反転入力端子（＋）は基準電圧発生装
置１６の引出端子１７ａと接続されている。尚、２３は
ヒステリシス用抵抗、２４はプルアップ抵抗である。Therefore, the power supply voltage V is output from the output terminal 17. 1/2 of the reference voltage V. /2 is output. Further, 22 is a comparator arranged on a hybrid integrated circuit board (not shown), and its inverting input terminal (-) is connected to the lead terminal 13 of the magnetoresistive element 12.
a, and the non-inverting input terminal (+) is connected to the extraction terminal 17a of the reference voltage generator 16. Note that 23 is a hysteresis resistor, and 24 is a pull-up resistor.
次に上記構成の作用について説明する。Next, the operation of the above configuration will be explained.
絶縁基板１１に例えば磁石からの磁界が鎖交すると、磁
気抵抗素子１２における第１．第２の磁気抵抗部１２ａ
、１２ｂに略同一方向の磁界が鎖交する。ここで、磁気
抵抗素子１２は鎖交磁界の方向に応じて抵抗が変化する
特性を有するから、電流の方向が互いに直交する第１．
第２の磁気抵抗部１２ａ、１２ｂにおいては、鎖交磁界
の方向に応じて例えｊｆ一方の磁気抵抗部１２ａの抵抗
値が高まるときは、他方の磁気抵抗部１２ｂの抵抗値が
低くなり、これに伴って、磁気抵抗素子１２からの電圧
信号ＶａはＶ。／２から小さくなる。When the insulating substrate 11 is interlinked with a magnetic field from, for example, a magnet, the first . Second magnetic resistance section 12a
, 12b are interlinked with magnetic fields in substantially the same direction. Here, since the magnetoresistive element 12 has a characteristic that its resistance changes depending on the direction of the interlinking magnetic field, the first .
In the second magnetoresistive sections 12a and 12b, depending on the direction of the interlinking magnetic field, for example, when the resistance value of one magnetoresistive section 12a increases, the resistance value of the other magnetoresistive section 12b decreases, and this Accordingly, the voltage signal Va from the magnetoresistive element 12 is V. /2 becomes smaller.
即ち、磁気抵抗素子１２からの電圧信号Ｖａは、鎖交磁
界の方向に応じてＶ。／２を中心として変動するのであ
る（第３図（ａ）参照）。そして、磁気抵抗素子１２か
らの電圧信号Ｖａは、比較器２２において基準電圧発生
装置１６からの基準電圧Ｖ。／２と比較され、電圧信号
Ｖａが基準電圧Ｖ ｏ ／ ２を上回っているときは比
較器２２からロウレベル信号が出力され、電圧信号Ｖａ
が基準電圧ｖ０／２を下回っているときはハイレベル信
号が出力される。従って、比較器２２から出力される二
値化信号に基づいて鎖交磁界の方向を検出することがで
きる。That is, the voltage signal Va from the magnetoresistive element 12 varies depending on the direction of the interlinking magnetic field. It fluctuates around /2 (see Figure 3(a)). The voltage signal Va from the magnetoresistive element 12 is then applied to the reference voltage V from the reference voltage generator 16 in the comparator 22 . /2, and when the voltage signal Va exceeds the reference voltage V o /2, a low level signal is output from the comparator 22, and the voltage signal Va
is lower than the reference voltage v0/2, a high level signal is output. Therefore, the direction of the interlinkage magnetic field can be detected based on the binary signal output from the comparator 22.
さて、磁気抵抗素子１２に磁界が鎖交したときは、基準
電圧発生装置１６の第１．第２の薄膜抵抗部１６ａ、１
６ｂにも磁界が鎖交する。すると、各薄膜抵抗部１６ａ
、１６ｂに磁気抵抗効果が生じることがあり、このよう
な場合には、各薄膜抵抗部１６ａ、１６ｂの抵抗値が変
化して基準電圧がＶ。／２から変動してしまう虞がある
。しかしながら、上記構成の基準電圧発生装置１６では
、磁界が印加した場合であってもこれから出力される基
準電圧がＶ。／２から変動してしまうことが防止される
。つまり、基準電圧発生装置１６の各薄膜抵抗部１６ａ
、１６ｂの材質である９０９６ニツケル、１０％クロム
を組成とするニッケルクロム合金は、常温から７７’に
の低温まで磁気抵抗効果を示さないことが知られている
から、斯様な特性を有するニッケルクロム合金から形成
された第１．第２の薄ＪＩ！抵抗部１６ａ、１６ｂにあ
っては、磁界が鎖交した場合であってもその抵抗値が変
動してしまうことはない。これにより、基？１４圧発生
装置１６からの基準電圧がＶ。／２から変動してしまう
ことはなく、以て比較器２２において磁気抵抗素子１２
からの電圧信号Ｖａは基ｒ＄雷電圧。／２と正確に比較
される。従って、比較器２２から出力される二値化信号
の立上り、立下がりタイミングが鎖交磁界の方向に伴っ
て正規のタイミングから変動してしまうことはないから
、その二値化信号に基づいて鎖交磁界の方向を正確に検
出することができる。Now, when the magnetic field interlinks with the magnetoresistive element 12, the first . Second thin film resistance section 16a, 1
6b is also interlinked with the magnetic field. Then, each thin film resistor section 16a
, 16b may occur, and in such a case, the resistance value of each thin film resistor section 16a, 16b changes and the reference voltage becomes V. There is a possibility that it may change from /2. However, in the reference voltage generator 16 having the above configuration, even when a magnetic field is applied, the reference voltage that is output from now is V. This prevents the value from varying from /2. In other words, each thin film resistance section 16a of the reference voltage generator 16
, 16b, 9096 nickel, a nickel-chromium alloy with a composition of 10% chromium, is known to exhibit no magnetoresistive effect from room temperature to as low as 77'. The first one is formed from a chromium alloy. Second thin JI! In the resistance portions 16a and 16b, even if the magnetic fields are interlinked, the resistance values thereof will not fluctuate. With this, base? The reference voltage from the 14-voltage generator 16 is V. /2, and therefore the comparator 22
The voltage signal Va from is the base r$ lightning voltage. /2 is compared exactly. Therefore, the rise and fall timings of the binary signal output from the comparator 22 do not vary from the normal timings due to the direction of the interlinking magnetic field, so the linkage is based on the binary signal. The direction of the alternating magnetic field can be detected accurately.
また、上記組成のニッケルクロム合金の場合、比抵抗が
１００μΩ国で、磁気抵抗素子１２の比抵抗の１０倍も
高いから、第１．第２の薄膜抵抗部１６ａ、１６ｂの全
長を抑えながら、その抵抗値を磁気抵抗素子１６と同一
抵抗値に維持することができる。従りて、基準電圧発生
装置ｆｌｆ１６の消費電力を抑制することができる。In addition, in the case of the nickel chromium alloy with the above composition, the resistivity is 100 μΩ in countries, which is 10 times higher than the resistivity of the magnetoresistive element 12. The resistance value of the second thin film resistance portions 16a, 16b can be maintained at the same resistance value as the magnetoresistive element 16 while suppressing the overall length thereof. Therefore, the power consumption of the reference voltage generator flf16 can be suppressed.
さらに、上記基準電圧発生装置１６は、磁気抵抗素子１
２形成用のスパッタ装置或は真空蒸着装置を用いて成膜
した後にフォトリソグラフィを用いて絶縁基板１１上に
形成されているから、スクリーン印刷機を用いて厚膜抵
抗を形成しなければならない従来例に比べて、製造行程
の簡単化を図ることができる。また、薄膜抵抗は抵抗精
度が高く、しかも微細パターンを形成することができる
から、トリミング行程を省略し得ると共に絶縁基板１１
の空スペース査利用して任意の形状に形成することがで
きる。加えて、第１．第２の薄膜抵抗部１６ａ、１６ｂ
はその温度特性が一致しているから、温度特性の比較的
低い厚膜抵抗を使用している従来例と違って、温度変化
により基準電圧が変動してしまうことはない。Furthermore, the reference voltage generator 16 includes a magnetoresistive element 1
Conventionally, the thick film resistor had to be formed using a screen printer because the film was formed on the insulating substrate 11 using photolithography after being formed using a sputtering device or a vacuum evaporation device for forming 2. Compared to the example, the manufacturing process can be simplified. In addition, since thin film resistors have high resistance accuracy and can form fine patterns, the trimming process can be omitted and the insulating substrate 11
It can be formed into any shape by using empty space. In addition, 1. Second thin film resistance section 16a, 16b
Since their temperature characteristics match, the reference voltage does not fluctuate due to temperature changes, unlike the conventional example that uses a thick film resistor with relatively low temperature characteristics.
第４図は本発明の第２実施例を示すもので、第１実施例
と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる
部分のみを説明する。即ち、第２の薄膜抵抗部１６ｂの
端部にはトリミング領域２５が形成されていると共に、
その第２の薄膜抵抗部１６ｂの抵抗値は第１の薄膜抵抗
部１６ａの抵抗値よりも°低く設定されている。この場
合は、トリミング領域２５の所定部位を除去して第１の
薄膜抵抗［１６ｂの抵抗値を所定値だけ高めることによ
り、各薄膜抵抗部１６ａ、１６ｂの抵抗値を精度良く一
致させることができる。FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention, in which the same parts as those in the first embodiment are given the same reference numerals and explanations are omitted, and only the different parts will be explained. That is, a trimming region 25 is formed at the end of the second thin film resistance section 16b, and
The resistance value of the second thin film resistance section 16b is set lower than the resistance value of the first thin film resistance section 16a. In this case, by removing a predetermined portion of the trimming region 25 and increasing the resistance value of the first thin film resistor [16b] by a predetermined value, the resistance values of the respective thin film resistor sections 16a and 16b can be matched with high accuracy. .
尚、第１．第２の薄膜抵抗部１６ａ、１６ｂの抵抗値調
整が必要な場合は、第５図に示すように第２の薄膜抵抗
部１６ｂの端辺に複数の引出端子２６を所定間隔で接続
するようにしてもよい。この場合は、Ｏｖライン２１と
所定の引出端子２ｂを１つ若しくは複数個を選択的に接
続することにより、第２の薄膜抵抗部１６ｂの抵抗値を
段階的に変化させることができるから、トリミングとい
った面倒な作業を行なうことなく第２の薄膜抵抗部１６
ｂの抵抗値を第１の薄膜抵抗部１６ａの抵抗値に一致さ
せることができる。また、第６図に示すように第２の薄
膜抵抗部１６ｂの端部と引出端子２７との間を複数の橋
架部２７ａで接続すると共に引出端子２７とＯｖライン
２１とを接続するようにしてもよい。この場合、所定の
橋架部２７ａを二点鎖線で示す範囲のように切断するこ
とにより、第２の薄膜抵抗部１６ｂの抵抗値を：ｊ３整
することができる。In addition, 1st. If it is necessary to adjust the resistance value of the second thin film resistor sections 16a and 16b, connect a plurality of lead terminals 26 at predetermined intervals to the edge of the second thin film resistor section 16b as shown in FIG. It's okay. In this case, by selectively connecting one or more predetermined lead-out terminals 2b to the Ov line 21, the resistance value of the second thin film resistance section 16b can be changed stepwise, so trimming is possible. The second thin film resistor section 16 can be removed without the troublesome work of
The resistance value of b can be made to match the resistance value of the first thin film resistance section 16a. Further, as shown in FIG. 6, a plurality of bridge parts 27a are used to connect the end of the second thin film resistor 16b and the lead terminal 27, and the lead terminal 27 and the Ov line 21 are connected. Good too. In this case, by cutting the predetermined bridge portion 27a in the range shown by the two-dot chain line, the resistance value of the second thin film resistor portion 16b can be adjusted to: j3.
その他、本発明は上記実施例に限定されることなく、基
準電圧発生装置１６からの基準電圧を半導体形磁気抵抗
素子に与えるように構成してもよく、また、基準電圧発
生装置１６を磁気抵抗素子１２が形成された絶縁基板１
１と別の絶縁基板上に形成するようにしてもよい。In addition, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and may be configured such that the reference voltage from the reference voltage generator 16 is applied to a semiconductor magnetoresistive element. Insulating substrate 1 on which element 12 is formed
It may be formed on an insulating substrate different from 1.
［発明の効果］
以上の記述から明らかなように、本発明の基準電圧発生
装置によれば、基板上の薄膜抵抗を、ニッケル９０ ％
、 クロム１０％若しくはそれに近い組成のニッケル
クロム合金から形成したので、薄膜抵抗を利用して基準
電圧を発生するものでありながら、構成が複雑化してし
まうことなく鎖交磁界の影響を回避することができると
いう優れた効果を奏する。[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the reference voltage generator of the present invention, the thin film resistor on the substrate is made of 90% nickel.
Since it is formed from a nickel-chromium alloy with a composition of 10% chromium or close to it, it is possible to avoid the effects of interlinkage magnetic fields without complicating the configuration, even though the reference voltage is generated using a thin film resistor. It has the excellent effect of being able to
第１図乃至第３図は本発明の第１実施例を示すもので、
第１図は絶縁基板の平面図、第２図は電気回路図、第３
図は電気信号の波形図であり、第４図は本発明の第２実
施例を示す第１図相当図である。また、第５図、第６図
は本発明のその他の実施例を示す要部の拡大平面図であ
る。そして、第７図は従来例を示す第２図相当図である
。
図中、１１は絶縁基板、１２は磁気抵抗素子、１６は基
準電圧発生装置、１６ａは第１の薄膜抵抗部、１６ｂは
第２の薄膜抵抗部、２２は比較器である。
第１図
第 ２ 図
第 ３ 図
第 ４ 図1 to 3 show a first embodiment of the present invention,
Figure 1 is a plan view of the insulating substrate, Figure 2 is an electrical circuit diagram, and Figure 3 is a plan view of the insulating board.
The figure is a waveform diagram of an electric signal, and FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 1 showing a second embodiment of the present invention. 5 and 6 are enlarged plan views of main parts showing other embodiments of the present invention. FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 2 showing a conventional example. In the figure, 11 is an insulating substrate, 12 is a magnetoresistive element, 16 is a reference voltage generator, 16a is a first thin film resistance section, 16b is a second thin film resistance section, and 22 is a comparator. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
基準電圧を発生するためのものであって、薄膜抵抗を基
板上に成膜することにより第１の薄膜抵抗部及び第２の
薄膜抵抗部を直列接続して形成すると共に、それら第１
及び第２の薄膜抵抗部間に電圧を印加することにより前
記各薄膜抵抗部の共通接続点から前記基準電圧を得る基
準電圧発生装置において、前記薄膜抵抗を、ニッケル９
０％、クロム１０％若しくはそれに近い組成のニッケル
クロム合金から形成したことを特徴とする基準電圧発生
装置。1. This is for generating a reference voltage to be compared with the voltage signal output from the magnetoresistive element, and by forming a thin film resistor on a substrate, a first thin film resistor part and a second thin film resistor are formed. are connected in series, and the first
and a second thin film resistor, in which the reference voltage is obtained from a common connection point of each thin film resistor by applying a voltage between the thin film resistors.
1. A reference voltage generator characterized in that it is formed from a nickel-chromium alloy having a composition of 0% chromium, 10% chromium, or close to it.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123548A JPH0769408B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Reference voltage generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123548A JPH0769408B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Reference voltage generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302683A true JPH02302683A (en) | 1990-12-14 |
| JPH0769408B2 JPH0769408B2 (en) | 1995-07-31 |
Family
ID=14863327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123548A Expired - Lifetime JPH0769408B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Reference voltage generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769408B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020112430A (en) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1123548A patent/JPH0769408B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020112430A (en) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0769408B2 (en) | 1995-07-31 |
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