JPH02299280A - 発振波長安定化半導体レーザ装置 - Google Patents

発振波長安定化半導体レーザ装置

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JPH02299280A
JPH02299280A JP12065489A JP12065489A JPH02299280A JP H02299280 A JPH02299280 A JP H02299280A JP 12065489 A JP12065489 A JP 12065489A JP 12065489 A JP12065489 A JP 12065489A JP H02299280 A JPH02299280 A JP H02299280A
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JP
Japan
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light
semiconductor laser
cell
optical
wavelength
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JP12065489A
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English (en)
Inventor
Yoshihisa Sakai
義久 界
Shoichi Sudo
昭一 須藤
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野J 本発明は、光通信及び光計測における波長基準として用
いる次めに、原子または分子気体の共鳴吸収線の波長を
基準にし、レーザ光をその基準に同期させることによっ
て安定化させた発振波長安定化半導体レーザ装置に関す
るものである。
し従来の技術〕 従来の発振波長安定化半導体レーザ装置の一例を第5図
を参照して説明する。このレーザ装置は、第5図に示す
ように、し/ズ2を用いて半導体レーザ1の出射光を平
行光にし、気体を封入したガラス管つまり吸収セル3を
通過させた後、その出射光をレンズ4で集光し、受光器
5で光電変換する。そして、この電気信号を帰還回路6
で処理した後、半導体レーザ1に帰還させることにより
、該半導体レーザの発振波長を安定化させるものである
。なお第5図中、7は半導体レーザ1の主要な出射光で
ある。この従来技術においては、吸収セル3として10
/′F7+から1m長のものが通常用いられていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、かかる従来の半導体レーザ装置では、上
記のような吸収セル構造を用いた場合、レンズ2及び4
、ガスセル3の微小な位置変化によって光路が乱れ、半
導体レーザ1からの出射光を適切にセル中を通路せしめ
、また受光することが困難になるという問題点があった
。また、この問題点fr:解決するために、半導体レー
ザ、レンズ。
セル、レンズ、受光器を強靭な固定盤上に設置した場合
、装置が大温化、大重量化する等、装置構成上の不都合
があった。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、小型で光学系の安定性に優れた光吸収セルを採用
した実用的な見損波長安定化半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明は、特定の波長の光の
みを吸収する原子または分子気体を封入した光波長基準
用吸収セルを使用して、半導体レーザの見損する波長を
安定化する見損波長安定化半導体レーザ装置において、
上記吸収セルに、該セル内部に光を入射させるための光
ファイバが接合されていることを特徴とするものである
〔作用〕 したがって、本発明においては、光が入射する側の光フ
ァイバを、特定の波長光のみを吸収する原子または分子
気体(以下、光吸収性ガスと略称する。)を封入し次光
吸収セルに直接取り付けることにより、そのセル内部に
光が入射することを容易にして、光吸収強度をできるだ
け高めるとともに受光感度を上げることができる。
し実施例〕 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳、刑に説
明する。
、:Jc1図(a)、Φ)及び(c)はそれぞれ本発明
の見損波長安定化半導体レーザ装置に使用する光吸収セ
ルの構造図である。第1図(a)において、11は光吸
収性ガスを封入するための中空ガラス管、12は光が入
射するための光ファイバ、13は受光器、14は光ファ
イバ12の支持の之めの中空ガラス管、15は光吸収性
ガス全封入するための管で、封入後不通にしである。な
お、この管15を取り付けることなく、ガラス管11を
加工してガスの封入口を取り付けてもよい。16は中空
ガラス管14と15を固定するために接層剤等で固めた
封y11部分である。
すなわち、第1図(a)の光吸収セル10は、中空のガ
ラス管11から成シ、その入射側の開口端部に光フアイ
バ支持用の中空ガラス管14と光吸収性ガス封入用の管
15をそれぞれ封着して取り付けると共に、対向する側
の開口端部に受光器13を取り付ける。そして、前記中
空ガラス管14内に光ファイバ12を支持させて該光フ
ァイバ12にてセル内部に光を入射させる構造とし、前
記管15よす光吸収性ガスを封入して充填させるように
構成されている。
第1図(b)は第1図(a)の光吸収セルに加えて受光
器13にガラス棒17を付加し虎ものである。光吸収強
度を強くするためにセル長を長くした場合、光ファイバ
12から出射した光が広がってしまう。
しかるに、ガラス棒t7を付加することによってその広
がった光を集光し、効率よく受光器13に送ることがで
きる。このとき、第2図のようにガラス棒1Tに屈折率
分布金もたせてやると、さらに効率よく光を伝搬するこ
とができる。
第2図(a)は屈折率分布を持ったガラス棒17の断面
図であり、このガラス棒1Tは、光が導波するコア部1
71とクランド部17!の同心円状の二重構造から構成
されている。ここで、直径比(’t4)として例えばコ
ア部171とクラッド部17zを、l:3の割合にする
。部材としては光ファイバを作るときの部材をそのまま
活用してもよい。第2図(b)はコア部17+とクラッ
ド部171の屈折率分布を示し念ものである。また、第
2図(、)はコア部17.の屈折率分布を放物線状にし
たものである。
第1図(C)は第1図ら)のガラス棒にファイバの部材
を使いその片端を引き延ばしファイバ18にしたもので
、光の出射についても光ファイバで取り出すことを可能
にしたものである。なお、19はファイバ17を固定す
るために接着剤で固めた封着部分である。このセル構造
ではファイバ入力で光吸収セル10を通過し次光をファ
イバ出力で得ることができ、光学系をすべてファイバで
構成することができる。
第3図は本発明に係る見損波長安定化半導体レーザ装置
の一実施例を示す構成ブロック図である。
この実施例は、第3図(a)に示すように、第1図(&
)の本発明による光波長基準用吸収セル10と、光ファ
イバ33の出力で光が取り出せる半導体レーザモジュー
ル31と、発振波長安定化用帰還回路32と、前記吸収
セル10の入力光ファイバ12と前記光ファイバ33を
結ぶ光カップラ34から構成され、これら入力光ファイ
バ12と光ファイバ33が光カップラ34で納金されて
その出力の片方が取シ出せるようになっている。なお図
中、同一符号は同一または相当部分を示している。
次に、本実施例の光波長基準用吸収セル10を用いた発
振波長安定化半導体レーザ装置の動作を第3図(&)に
従づて説明する。
まず、半導体レーザモジュール31より出射した出射光
を光カップラ341&:介して光ファイバ12より光波
長基準用吸収セル1Gに入射し、ある特定の周波数にお
ける光吸収を生じさせる3、このとき、光吸収性ガスを
透過した光強度は第4図のような特性金示す。また、そ
の吸収ビークにレーザ光の発振周波数を同期させる。し
かして、その透過光を吸収セル1G内の受光器13で光
電変換した信号36は発振波長安定化用帰還回路32に
送信された後、その信号に基づき半導体レーザモジュー
ル31への注入電流を調整することによ)、該半導体レ
ーザモジュール31の発振波長が吸収セル10中の封入
気体の吸収線ピークに同期され、この波長に安定化され
る。そして、この安定光は光ファイバ35の出力として
得られる。
また、第1図(c)のファイバ出力型光波長基準用吸収
セル10を用い九場合のブロック図を第3図(b)に示
す。この実施例においては第3図(a)と異なる点は、
前記吸収セル10の出力端の光ファイバ18からの出力
を光電変換するためにファイバ入力型の受光器13zを
設け、この受光器13にの入力ファイバ31と前記吸収
セル10の出力ファイバ18が光コネクタ38で結ばれ
ていることである。
例えば、第3図の装置構成において、半導体レーザモジ
ュール31として波長1.5300μmで発振するIn
GaAsP系の分布帰還凰半導体レーザ(DFB型LD
) t−使用し1.また、セル長1crnの吸収セル1
0に、吸収気体としてアセチレンを1Torr封入し次
場合、1.5315μmの吸収a(半値全幅800MH
z、吸収強度50%)を利用して前記半導体レーザを吸
収線に波長同期させ友。その結果、この構成系を使い半
導体レーザの中心発振波長の変動をt x to” 1
 (光周波数にしてIMHz)以下に抑えることができ
た。
ナオ、光吸収性ガスとしては、アセチレンの他にアンモ
ニアガスやメタンガス、二酸化炭素等を用いても前記機
能と同様の動作原理によって発振波長安定化を行うこと
ができる。
以上、本発明を実施例に基づき具体的に説明し次が、本
発明は、上記実施例に限定されるものでは;2く、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、光が入射する側の
光ファイバを光吸収セルに直接取り付けることにより、
セル内部に光が入射することを容易にして、光吸収強度
をできるだけ高めるとともに受光感度を上げることがで
きるので、半導体レーザの発振波長を極めて高精度で所
定の波長に同期し、安定化することができるという効果
がある。
また、本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置は、光
学系の安定性に優れ、小型化、ま走光学系をすべてファ
イバで構成できるという利点があることから、コヒーレ
ント光通信における波長標準光源や光計測における光源
として利用できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(、) 、 (b)及び(、)はそれぞれ本発明
に係る光吸収セルの基本的な構造図、第2図は81図に
おける光吸収セルの集光用ガラス棒の屈折率分布を示す
説明図、第3図は第1図の光吸収セルを用いた発振周波
数安定化半導体レーザ装置の一実施例を示す構成ブロッ
ク図、第4図は第3図の実施例の動作説明に供する光吸
収性ガスを透過した光の光強度を示す図、第5図は、従
来の光吸収セルを用いた発振波長安定化半導体レーザ装
置を示す構成ブロック図である。 1G・・・も光吸収セル、11・・・・光吸収性ガスを
封入した中空ガラス管、12.18,33゜35.37
−−−−光ファイバ、13 、13t・・・・受光器、
14・・11書光フア・rパ支持用ガラス管、15・s
ee光吸収性ガス封入用管、16゜19・―・・封着部
分、31φ・・・半導体レーザモジュール、32・嗜・
・発振波長安定化用帰還回路、34・・・・光カップラ
、38・e・φ光コネクタ。 特許出願人  日本亀信電話株式会社 代 埋 八  山  川  政  樹 第1図 (C1) n 第22 (G) 第3ズ (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 特定の波長の光のみを吸収する原子または分子気体を封
    入した光波長基準用吸収セルを使用して、半導体レーザ
    の発振する波長を安定化する発振波長安定化半導体レー
    ザ装置において、上記吸収セルに、該セル内部に光を入
    射させるための光ファイバが接合されていることを特徴
    とする発振波長安定化半導体レーザ装置。
JP12065489A 1989-05-15 1989-05-15 発振波長安定化半導体レーザ装置 Pending JPH02299280A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS637687A (ja) * 1986-06-27 1988-01-13 Yokogawa Electric Corp 半導体レ−ザ波長安定化装置
JPS6355991A (ja) * 1986-08-26 1988-03-10 Yokogawa Electric Corp 半導体レ−ザ波長安定化装置

Patent Citations (2)

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