JPH02297557A - Formation of resist pattern - Google Patents
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路の製造に通用されるレジス
トパターンの形成方法に関し、さらに詳しくは、特に超
微細パターンを高開度で形成するのに好適なレジストパ
ターンの形成方法の改良に係るものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for forming a resist pattern that is commonly used in the manufacture of semiconductor integrated circuits, and more particularly, to a method for forming an ultra-fine pattern with a high opening degree. This invention relates to an improvement in a method for forming a resist pattern suitable for.
（従来の技術〕
第３図ないし第５図は従来例によるこの種のレジストパ
ターンの形成方法を示すもので、第３図（ａ） 、 （
ｂ） 、 （ｃ）は同上レジストパターンの形成工程を
順次に示す断面模式図、第４図および７４５図はパター
ニングされたレジストパターンの形状を示すそれぞれに
断面説明図である。(Prior Art) FIGS. 3 to 5 show a method of forming this type of resist pattern according to a conventional example.
b) and (c) are schematic cross-sectional views sequentially showing the steps of forming the same resist pattern as above, and FIGS. 4 and 745 are explanatory cross-sectional views showing the shape of the patterned resist pattern, respectively.
第３図において、従来のレジストパターンの形成方法は
、まず、被加工基板１Ｆにアルカリ可溶性樹脂を含むポ
ジ型フォトレジスト２を所定の膜厚に塗布し、かつプリ
ベーク処理した後（同第３図（ａ））、所定の回路パタ
ーンを形成したマスク３を介して照射光４により露光さ
せ、ついで５アルカリ水溶液による現像処理により、未
露光部５を除いて照射光４で可溶化された露光部６を溶
解除去しく同図（ｂ））、このようにして未露光部５に
対応した部分にレジストパターン７を形成するのである
（同図（Ｃ））。In FIG. 3, the conventional method for forming a resist pattern is to first apply a positive photoresist 2 containing an alkali-soluble resin to a predetermined thickness on the substrate 1F to be processed, and then perform a prebaking process (see FIG. 3). (a)) Exposure to irradiation light 4 through a mask 3 on which a predetermined circuit pattern has been formed, and then development treatment with 5 alkaline aqueous solution to make the exposed areas solubilized by irradiation light 4 except for unexposed areas 5. In this way, a resist pattern 7 is formed in a portion corresponding to the unexposed portion 5 (FIG. 6(C)).
こ）で、前記光照射４による露光処理をなす工程におい
て、例えば、レンズの開口数（Ｎ、Ａ、）が０．４２で
、かつｇ−線波長を有する光源を用いた縮少投影露光装
置により、照射光４による露光をなしてパターン転写し
た場合、第４図または第５図に見られるようなレジスト
パターン７が形成されることになる。In this step, in the step of performing the exposure process by the light irradiation 4, for example, a reduction projection exposure apparatus using a light source having a lens numerical aperture (N, A,) of 0.42 and a g-line wavelength is used. Therefore, when the pattern is transferred by exposure with the irradiation light 4, a resist pattern 7 as shown in FIG. 4 or 5 is formed.
すなわち７転写パターンが、例えば、 ＩＡｌｍのライ
ン・アンド・スペースの如く解像限界に対して余裕度の
大きいときには、第４図のように未露光部５．つまり、
得られるレジストパターン７の断面形状が、矩形状をし
た所期通りの断面のパターン形状７ａになるのであるが
、これに反して、例えば、０．５５μｍのライン・アン
ド・スペースの如く解像限界に対して余裕度の小さいと
きには、第５図のように未露光部５であるレジストパタ
ーン７の断面形状か、表面部側で狭く底面部側で広くな
った。いわゆる膜ぺりした三角形状の断面のパターン形
状７ａになる。That is, when the transfer pattern 7 has a large margin with respect to the resolution limit, such as line and space of IAlm, the unexposed area 5.5 is transferred as shown in FIG. In other words,
The resulting cross-sectional shape of the resist pattern 7 becomes the desired rectangular cross-sectional pattern shape 7a, but on the other hand, it has a resolution limit such as 0.55 μm line and space. On the other hand, when the margin is small, the cross-sectional shape of the resist pattern 7, which is the unexposed portion 5, is narrow on the surface side and wide on the bottom side, as shown in FIG. The pattern shape 7a has a so-called flattened triangular cross section.
（発明が解決しようとする課題〕
前記したように従来のポジ型フォトレジストを用いるレ
ジストパターンの形成方法においては、サブミクロンパ
ターンにおけるライン・アンド・スペースの解像限界が
あって、この解像限界に対して余裕度の小さい回路パタ
ーンを転写した場合には、レジストパターンが所期通り
の矩形状による断面形状とはならずに、前記した第５図
のように三角形状を堅して底面部側の周囲裾部分の膜厚
が薄くなり、このようなパターン形状７ａのレジストパ
ターンをマスクに用いて、以後のエツチング加工で下地
膜、こさでは、被加工基板１をエツチング加工すると、
このマスクとしてのパターン形状７ａでの底面部側の膜
厚が薄くなった周囲裾部分も共にエツチングされてしま
い、加エバターンを手法制御性よく高精度に形成するこ
とが困難になる。(Problems to be Solved by the Invention) As mentioned above, in the conventional method of forming a resist pattern using a positive photoresist, there is a resolution limit for lines and spaces in a submicron pattern, and this resolution limit When a circuit pattern with a small tolerance is transferred, the resist pattern does not have the desired rectangular cross-sectional shape, but instead has a triangular shape as shown in FIG. The film thickness at the peripheral hem portion of the side becomes thinner, and when the resist pattern having such a pattern shape 7a is used as a mask and the base film is etched in the subsequent etching process, the substrate 1 to be processed is etched.
The peripheral hem portion where the film thickness on the bottom side of the pattern shape 7a serving as a mask is thinner is also etched, making it difficult to form the processed evaporation pattern with good controllability and high precision.
そこで、サブミクロンパターンにおいても充分な解像度
を有し、断面形状を所期通りの矩形状を有するパターン
形状に形成し得るようにしたレジストパターンの形成方
法の出現が強く望まれている。しかし、このような解像
度特性を充分に満足させると共に、実用上適度な感度９
ならびに、未露光部での所定値以上の残膜率を有してい
て、しかも、定常波に対する影響を受けにくいと云うそ
の他の特性をも兼ね備えた高性能なフォトレジストがな
く、この点がより以上のパターンの微細化への障害にな
っていた。Therefore, there is a strong desire for a resist pattern forming method that has sufficient resolution even in submicron patterns and can form a pattern having a desired rectangular cross-sectional shape. However, in addition to fully satisfying such resolution characteristics, it also has a practical sensitivity of 9.
In addition, there is no high-performance photoresist that has a residual film rate in unexposed areas that exceeds a predetermined value and is less susceptible to standing waves, and this point is even more important. This has become an obstacle to the miniaturization of patterns.
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、ポジ型フォ
トレジストを用いるレジストパターンの形成方法におい
て、より以上に超微細化された所期通りの矩形状断面に
よるレジストパターンを寸法制御性よく高精度に形成し
得るよ、うにした、この種のレジストパターンの形成方
法を提供することである。This invention was made to solve these conventional problems, and its purpose is to improve the ultra-fine resist pattern formation method using a positive photoresist. It is an object of the present invention to provide a method for forming a resist pattern of this kind, which enables formation of a resist pattern having a regular rectangular cross section with good dimensional controllability and high precision.
１笹記目的を達成するために、この発明に係るレジスト
パターンの形成方法は、ポジ型フォトレジストの塗布後
、露光処理に先立って、このポジ型フォトレジストの表
面をシリル化処理し、現像のためのアルカリ水溶液に対
して難溶性にすることで、従来のレジストパターンが有
する特性をいささかも低減させずに、所期通りの矩形状
の断面形状による超微細化されたレジストパターンを寸
法制御性よく高精度に形成し得るようにしたものである
。1. In order to achieve the above object, the method for forming a resist pattern according to the present invention includes applying a silylation treatment to the surface of the positive photoresist prior to exposure treatment after coating the positive photoresist, and performing a development process. By making it poorly soluble in alkaline aqueous solutions, it is possible to create ultra-fine resist patterns with the desired rectangular cross-sectional shape with dimensional controllability without reducing the characteristics of conventional resist patterns in the slightest. It can be formed with high precision.
すなわち、この発明は５被加工基板上にノボラック樹脂
、ポリヒドロキシスチレンなどのアルカリ１丁溶性樹脂
を含むポジ型フォトレジストを塗布し、かつ加熱処理し
てフォトレジスト膜を形成する工程と、前記加熱処理さ
れたフォトレジスト膜を含む被加工基板を真空オープン
内に装入して、フォトレジスト膜の表面をヘキサメチル
ジシラザン、トリメチルシリルジメチルアミンなどのシ
リル化剤により、所定の温度、減圧下で所定時間シリル
化処理する工程と、表面シリル化処理されたフォトレジ
スト膜に、所望のマスクを介し光照射してレジストパタ
ーンを露光する工程と、露光されたフォトレジスト膜を
アルカリ水溶液により現像処理する工程とを、少なくと
も含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法で
ある。That is, the present invention comprises 5 steps of coating a positive photoresist containing an alkali-soluble resin such as novolac resin or polyhydroxystyrene on a substrate to be processed, and heating it to form a photoresist film; The substrate to be processed containing the treated photoresist film is placed in a vacuum chamber, and the surface of the photoresist film is treated with a silylating agent such as hexamethyldisilazane or trimethylsilyldimethylamine at a predetermined temperature and reduced pressure. A step of time-silylation treatment, a step of exposing the resist pattern by irradiating the surface-silylated photoresist film with light through a desired mask, and a step of developing the exposed photoresist film with an alkaline aqueous solution. A resist pattern forming method is characterized in that it includes at least the following.
従って、この発明方法においては、ポジ型フォトレジス
トの塗布後、露光処理に先立ち、このポジ型フォトレジ
ストの表面をシリル化処理して、現像のためのアルカリ
水溶液に対して難溶性にしたので、所望のマスクを介し
た光照射による露光処理後、未露光部に関しては、アル
カリ水溶液に対する溶解速度が低下して、膜ベリが低減
され、また、露光部においては、表面部側で溶解速度が
低下し、かつ基板側での照射光の吸収量の少ない部分の
溶解速度との差が小さく、あるいは、基板側での溶解速
度が速くなることから、その解像度が充分に向上されて
、より一層の超微細化パターンの形成が可能になり、現
像処理後にあっては、矩形状をした良好な断面形状のレ
ジストパターンを形成し得るのである。Therefore, in the method of this invention, after coating the positive photoresist and prior to exposure treatment, the surface of the positive photoresist is silylated to make it poorly soluble in an aqueous alkali solution for development. After exposure treatment by light irradiation through a desired mask, the dissolution rate in the aqueous alkaline solution decreases in the unexposed area, reducing film verging, and the dissolution rate decreases on the surface side in the exposed area. In addition, the difference between the dissolution rate on the substrate side and the part where the amount of irradiated light is absorbed is small, or the dissolution rate on the substrate side becomes faster, so the resolution is sufficiently improved and further improved. It becomes possible to form ultra-fine patterns, and after development processing, it is possible to form a resist pattern with a good rectangular cross-section.
（実 施 例〕
以Ｆ、この発明に係るレジストパターンの形成方法の一
実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細に説
明する。(Embodiment) Hereinafter, an embodiment of the resist pattern forming method according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
第１図（ａ）ないしく「）はこの実施例を適用したレジ
ストパターンの形成工程を順次に示す断面模式図であり
、また、第２図は同上方法によってパターニングされた
レジストパターンの形状を示す断面説明図である。1(a) to 1) are schematic cross-sectional views sequentially showing the steps of forming a resist pattern to which this embodiment is applied, and FIG. 2 shows the shape of a resist pattern patterned by the above method. It is a cross-sectional explanatory view.
第１図において、この実施例によるレジストパターンの
形成方法は、まず、シリコン基板などの被加工基板１１
Ｆにあって、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン
などのアルカリ可溶性樹脂を含むポジ型フォトレジスト
、例えば、ノボラック樹脂からなる三菱化成■製の“Ｍ
ＣＰＲ−２０００８”を所定の膜厚に塗布し、かつホッ
トプレート上で、１００℃、７０′間、乾燥処理して塗
布膜厚１．１６μｌのフォトレジスト膜１２を得る（同
第１図（ａ））。また、この実施例では、前記フォトレ
ジスト膜１２トに、ヘキサメチルジシラザン（以下、Ｈ
ＭＤＳと略す）または、トリメチルシリルジメチルアミ
ン（以下、ＴＭＳＤＡ）などのシリル化剤１３を通量塗
布した後（同図（ｂ））、これを真空オープン１４内に
装入して、フォトレジスト膜１２でのシリル化剤、この
場合、ＨＭＤＳ １３を塗布した表面を、この真空オー
プン１４中で、８０℃、 １００Ｔｏｏｒの減圧下、３
０間、ＨＭＤＳ蒸％１５によってシリル化処理する（同
図（Ｃ））。In FIG. 1, the method of forming a resist pattern according to this embodiment first involves firstly holding a substrate to be processed, such as a silicon substrate.
F, a positive photoresist containing an alkali-soluble resin such as novolac resin or polyhydroxystyrene, for example, “M” made by Mitsubishi Chemical made of novolac resin.
CPR-20008" to a predetermined thickness and dried on a hot plate at 100° C. for 70 minutes to obtain a photoresist film 12 with a coating thickness of 1.16 μl (see FIG. 1(a)). )) In this example, hexamethyldisilazane (hereinafter referred to as H) was added to the photoresist film 12.
After applying a silylating agent 13 such as MDS (hereinafter referred to as MDS) or trimethylsilyldimethylamine (hereinafter referred to as TMSDA) (FIG. 2(b)), this is charged into the vacuum open 14 to form a photoresist film 12. The surface coated with the silylating agent, in this case HMDS 13, was heated in this vacuum open 14 at 80°C under a reduced pressure of 100 Torr for 3
A silylation treatment is performed with HMDS vaporization percentage of 15 for 0 minutes ((C) in the same figure).
続いて、所定の回路パターンを形成したマスク１６を介
して、レンズの開口数（Ｎ、Ａ、）が０．４２の縮少！
２影露光装置により、ｇ−線（４：１６ｎ■）による照
射光１７を前記ＨＭＤＳによって表面処理されたフォト
レジスト１ｉ１２に照射して露光させ（同図（ｄ））、
かつその後、ホットプレート１８上で、１００℃、７０
２間、加熱（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）
処理してから、さらに、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシト水溶液（２，３８ｗｔ％）により ５０″間パ
ドル現像処理し、かつ水によりリンスを行なって、フォ
トレジスト膜１２の未露光ｆｆ５１９を除き、照射光１
７で可溶化された露光部２０を溶解除去するのであり（
同図（Ｃ））、このようにして未露光部１９に対応した
部分に、所期通りに矩形状断面をしたレジストパターン
２１を形成するのである（同図（ｆ））。Subsequently, the numerical aperture (N, A,) of the lens is reduced by 0.42 through the mask 16 on which a predetermined circuit pattern is formed!
A two-shadow exposure device irradiates the photoresist 1i12 surface-treated with the HMDS with irradiation light 17 of g-rays (4:16n■) to expose it ((d) in the same figure),
And then, on the hot plate 18 at 100°C and 70°C.
Post Exposure Bake for 2 minutes
After the treatment, the photoresist film 12 was further paddle-developed for 50 inches using an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxyl (2.38 wt%), and rinsed with water to remove the unexposed ff519 of the photoresist film 12 and remove the irradiation light 1.
The exposed portion 20 that has been solubilized in step 7 is dissolved and removed (
In this way, a resist pattern 21 having a rectangular cross section as expected is formed in a portion corresponding to the unexposed portion 19 (FIG. 2(f)).
従って、この実施例方法では、アルカリ可溶性樹脂を含
むポジ型フォトレジストの塗布後、露光処理に先立ち、
このポジ型フォトレジストの表面をＨＭＤＳ、または、
ＴＭＳＤＡなどのシリル化剤の塗布、ないしは蒸気に曝
してシリル化処理することにより、このシリル化処理さ
れたフォトレジスト＠２の表面部を、現像液としてのア
ルカリ水溶液に対して難溶性にしたので、所望のマスク
１６を介した照射光１７による露光処理後、未露光部１
９に関しては、アルカリ水溶液に対する溶解速度が低下
して、膜ヘリが低減され、また、露光部２０においては
、表面部側で溶解速度が低下し、かつ基板側での照射光
の吸収量の少ない部分の溶解速度との差が小さく、ある
いは、基板側での溶解速度が速くなることから、その解
像度が充分に向上されて、超微細化パターンの形成が可
能になるもので、その後の現像処理時にあっては、矩形
状をした良好な断面形状によるレジストパターン２１を
形成し得るのである。Therefore, in this example method, after coating a positive photoresist containing an alkali-soluble resin and prior to exposure treatment,
The surface of this positive photoresist is coated with HMDS or
By applying a silylating agent such as TMSDA or silylating it by exposing it to steam, the surface of the silylated photoresist@2 is made poorly soluble in an alkaline aqueous solution as a developer. , after exposure processing with the irradiation light 17 through the desired mask 16, the unexposed area 1
Regarding No. 9, the dissolution rate in the alkaline aqueous solution is reduced, and the film edge is reduced, and in the exposed part 20, the dissolution rate is reduced on the surface side, and the amount of irradiation light absorbed on the substrate side is small. Since the difference between the dissolution rate of the part and the dissolution rate of the part is small, or the dissolution rate of the substrate side is faster, the resolution is sufficiently improved and it becomes possible to form an ultra-fine pattern, and the subsequent development process In some cases, it is possible to form a resist pattern 21 with a good rectangular cross-sectional shape.
こ１で、首記実施例方法によって、ｏ、５５μｍのライ
ン・アンド・スペースパターンをバターニング形成した
場合でのレジストパターンの断面形状を第２図に拡大し
て示すが、葭記した如〈従来例方法の場合、この０．５
５μｌのライン・アンド・スペースでは、これが解像眼
前であって断面三角形状のレジストパターンしか得られ
なかったのに、この実施例では、より一層微細化された
所期通りの矩形状断面によるレジストパターンを寸法制
御性よく高精度に形成し得たのである。FIG. 2 shows an enlarged cross-sectional shape of the resist pattern when a line-and-space pattern of 0.55 μm is formed by patterning using the method of the above embodiment. In the case of the conventional method, this 0.5
With 5 μl of line and space, this was just before resolution and only a resist pattern with a triangular cross section was obtained, but in this example, a resist pattern with an even finer, rectangular cross section was obtained. The pattern could be formed with good dimensional control and high precision.
以上詳述したように、この発明方法によれば、アルカリ
可溶性樹脂を含むポジ型フォトレジストを塗布してフォ
トレジスト膜を形成した後、その露光処理に先立って、
この７オトレジスト膜の表面をシリル化剤の塗布、ない
しは蒸気に曝してシリル化処理し、現像液としてのアル
カリ水溶液に対して難溶性にしたので、所望のマスクを
介した光！！＜１射による露光処理後には、未露光部で
のアルカリ水溶液に対する溶解速度が低下して、その膜
ベリが効果的に低減されると共に、露光部では、表面部
側の溶解速度が低下し、かつ基板側における照射光の吸
収頃の少ない部分での溶解速度との差が小さく、あるい
は、基板側での溶解速度が速くなることから、結果的に
は、露光に際しての解像度を格段に向トできて、より一
層の超微細化パターンの形成か可能になるもので、現像
処理後には、所期通りの矩形状をした良好な断面形状の
レジストパターンを寸法制御性よく高精度に形成し得る
のである。As detailed above, according to the method of the present invention, after coating a positive photoresist containing an alkali-soluble resin to form a photoresist film, and prior to the exposure treatment,
The surface of this 7-otoresist film is coated with a silylation agent or exposed to steam to be silylated, making it poorly soluble in an alkaline aqueous solution as a developer, allowing light to pass through the desired mask. ! <After exposure treatment with single radiation, the dissolution rate in the aqueous alkaline solution in the unexposed area decreases, effectively reducing the film verging, and in the exposed area, the dissolution rate on the surface side decreases, In addition, the difference in the dissolution rate from the part of the substrate side where less irradiation light is absorbed is small, or the dissolution rate on the substrate side becomes faster, resulting in a significantly improved resolution during exposure. This makes it possible to form even more ultra-fine patterns, and after development, it is possible to form a resist pattern with a desired rectangular cross-sectional shape with good dimensional control and high precision. It is.
第１図（ａ）ないしくｆ）はこの発明に係るレジストパ
ターンの形成方法の一実施例を工程順に示す断面模式図
、第２図は同上方法によってバターニングされたレジス
トパターン形状を拡大して示す断面説明図であり、また
、第３図（ａ）ないしくＣ）は従来例によるレジストパ
ターンの形成方法を工程順に示す断面模式図、第４図お
よび第５図は同上方法によってバターニングされたレジ
ストパターン形状の各別個を拡大して示すそれぞれに断
面説明図である。
１１・・・・被加工基板、１２・・・・フォトレジスト
膜、１３・・・・シリル化剤、１４・・・・真空オープ
ン、１５・・・・シリル他剤蒸気、１６・・・・マスク
、１７・・・・照射光、１８・・・・ホットプレート１
９・・・・未露光部、２０・・・・露光部、２１・・・
・レジストパターン。
代理人 大 岩 増 雄第１図
第２図
第３図
第４図
手続補正書Ｃ組驚２
平成 １年１１ イ９ｓ
ンン゛み）へ゛ダーン／１升ＩＮ８爪
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉
４４代理人
５、補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄
６、補正の内容
（１）明細書８頁１８行の「１００℃」を「８０℃」と
補正する。
（２）同書９頁８行の「３０ 間」を「３０分間」と
補正する。
（３）同書９頁１６行の「１００℃、７０”間」を「１
２０℃、 ９０”間」と補正する。
以上1(a) to 1(f) are schematic cross-sectional views showing an example of the resist pattern forming method according to the present invention in the order of steps, and FIG. 2 is an enlarged view of the shape of the resist pattern patterned by the above method. FIGS. 3(a) to 3(C) are schematic cross-sectional views showing a conventional method of forming a resist pattern in the order of steps, and FIGS. FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing each individual resist pattern shape enlarged. 11...Substrate to be processed, 12...Photoresist film, 13...Silylation agent, 14...Vacuum open, 15...Silyl and other agent vapor, 16... Mask, 17...Irradiation light, 18...Hot plate 1
9...Unexposed area, 20...Exposed area, 21...
・Resist pattern. Agent Masuo Oiwa Diagram 1 Diagram 2 Diagram 3 Diagram 4 Procedural Amendment Form Group C Surprise 2 1999 11 I9s Nnnmm) Heidaan/1 sho IN 8 Claw 3, case of person making amendments Relationship Patent Applicant Address 2-2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Name (601) Mitsubishi Electric Corporation Representative Shiki
Moriya 44 Agent 5, Column 6 of the detailed description of the invention in the specification subject to amendment, Contents of the amendment (1) Amend "100°C" on page 8, line 18 of the specification to "80°C." (2) Correct "30 minutes" in line 8 on page 9 of the same book to "30 minutes." (3) In the same book, page 9, line 16, “100℃, 70” is changed to “1
20℃, 90”. that's all
Claims (1)
レンなどのアルカリ可溶性樹脂を含むポジ型フォトレジ
ストを塗布し、かつ加熱処理してフォトレジスト膜を形
成する工程と、前記加熱処理されたフォトレジスト膜を
含む被加工基板を真空オープン内に装入して、フォトレ
ジスト膜の表面をヘキサメチルジシラザン、トリメチル
シリルジメチルアミンなどのシリル化剤により、所定の
温度、減圧下で所定時間シリル化処理する工程と、表面
シリル化処理されたフォトレジスト膜に、所望のマスク
を介し光照射してレジストパターンを露光する工程と、
露光されたフォトレジスト膜をアルカリ水溶液により現
像処理する工程とを、少なくとも含むことを特徴とする
レジストパターンの形成方法。A step of applying a positive photoresist containing an alkali-soluble resin such as a novolac resin or polyhydroxystyrene onto a substrate to be processed and heat-treating the same to form a photoresist film, and the heat-treated photoresist film. A step of placing the substrate to be processed in a vacuum open chamber and silylating the surface of the photoresist film with a silylating agent such as hexamethyldisilazane or trimethylsilyldimethylamine at a predetermined temperature and reduced pressure for a predetermined time; A step of exposing the resist pattern by irradiating the surface-silylated photoresist film with light through a desired mask;
A method for forming a resist pattern, the method comprising at least the step of developing an exposed photoresist film with an alkaline aqueous solution.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11924289A JPH02297557A (en) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | Formation of resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11924289A JPH02297557A (en) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | Formation of resist pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297557A true JPH02297557A (en) | 1990-12-10 |
Family
ID=14756484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11924289A Pending JPH02297557A (en) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | Formation of resist pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02297557A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08190204A (en) * | 1994-11-11 | 1996-07-23 | Nec Corp | Photosensitive composition for silylation and forming method for fine pattern |
| KR100376890B1 (en) * | 1999-06-21 | 2003-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method of forming resist pattern for semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723937A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photographic etching method |
| JPH02187766A (en) * | 1989-01-14 | 1990-07-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | Resist pattern forming method |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP11924289A patent/JPH02297557A/en active Pending
Patent Citations (2)
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| JPS5723937A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photographic etching method |
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