JPH02296760A - 酸化物超伝導体磁器組成物とその製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導体磁器組成物とその製造方法Info
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- JPH02296760A JPH02296760A JP1119808A JP11980889A JPH02296760A JP H02296760 A JPH02296760 A JP H02296760A JP 1119808 A JP1119808 A JP 1119808A JP 11980889 A JP11980889 A JP 11980889A JP H02296760 A JPH02296760 A JP H02296760A
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Classifications
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、各種の超伝導応用装置や超伝導素子等に使用
される、酸化物超伝導材料およびその製造方法に関する
ものである。
される、酸化物超伝導材料およびその製造方法に関する
ものである。
(従来の技術)
超伝導材料としては、従来元素金属超伝導材料、化合物
超伝導材料、合金超伝導材料などの各材料が知られてい
る。超伝導材料は、ジョセフソン素子などのエレクトロ
デバイスや超伝導コイル等をつくるために用いられ、特
にジョセフソン素子は、ジョセフソン接合の高感度性、
高速性、低雑音性を利用した5QUIDその他の精密計
測への応用や電子計算機への応用、また完全反磁性を利
用した磁気シールドへの応用が期待されている。
超伝導材料、合金超伝導材料などの各材料が知られてい
る。超伝導材料は、ジョセフソン素子などのエレクトロ
デバイスや超伝導コイル等をつくるために用いられ、特
にジョセフソン素子は、ジョセフソン接合の高感度性、
高速性、低雑音性を利用した5QUIDその他の精密計
測への応用や電子計算機への応用、また完全反磁性を利
用した磁気シールドへの応用が期待されている。
ところで、超伝導材料の超伝導転移温度TCは、一般に
高いものがよい。そのため、従来からTCの高い材料の
開発が進められており、最近Ba−Y−Cu−0系にお
いてTOが90に前後のもの、またB1−8r−Ca−
Cu−O系において、TCが100に以上のもの、Pb
−RE−8r−Cu−0系においてTCが70にのもの
(ネイチャー、336差、17号、211頁、1988
年)があいついで報告されている。Ba−Y−Cu−0
系及びB1−8r−Ca−Cu−0系では、TOが液体
窒素の沸点(77K)よりも高くなったことにより、実
用材料としての期待が大きくなっている。
高いものがよい。そのため、従来からTCの高い材料の
開発が進められており、最近Ba−Y−Cu−0系にお
いてTOが90に前後のもの、またB1−8r−Ca−
Cu−O系において、TCが100に以上のもの、Pb
−RE−8r−Cu−0系においてTCが70にのもの
(ネイチャー、336差、17号、211頁、1988
年)があいついで報告されている。Ba−Y−Cu−0
系及びB1−8r−Ca−Cu−0系では、TOが液体
窒素の沸点(77K)よりも高くなったことにより、実
用材料としての期待が大きくなっている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら実用材料として考えると、単にTOが高い
だけでなく、実際に各種エレクトロデバイスや超伝導コ
イル等をつくることが容易なことが必要である。各種エ
レクトロデバイスや超伝導コイル等はその電流及び信号
を素子に導入するために、金属電極端子を介することが
必要である。実際、従来の酸化物超伝導体組成物は少な
くとも、酸素分圧が0.2気圧以上の雰囲気で合成する
ことが必要であったため金属端子の酸化が起こり、その
ために端子金属と酸化物超伝導体組成物を一体焼成を行
なう場合に高価な貴金属すなわち金、白金等の使用が不
可欠であった。また電子計算機への応用等のためには、
ジョセフソン素子をシリコン基板上に高密度に集積化し
、さらに集積化された素子の上にさらにシリコン及び金
属薄膜を成膜する事が必要である。従来の酸化物超伝導
体組成物の薄膜は、成膜中もしくは成膜後に酸素プラズ
マ処理、酸素中熱処理等の方法で、得られた薄膜をさら
に酸化することが必要であったため、シリコン基板及び
金属薄膜の酸化が起こり、酸化物超伝導体組成物と積層
化し集積化することが不可能であった。一方、従来報告
されているPb−Ln−8r−Cu−〇系の組成物は、
本発明の酸化物超伝導体組成物と同様に不活性気体中で
の焼成によって合成される組成物ではあるがTOが70
にと液体窒素の沸点よりも低く、実用材料としての問題
点を残している。
だけでなく、実際に各種エレクトロデバイスや超伝導コ
イル等をつくることが容易なことが必要である。各種エ
レクトロデバイスや超伝導コイル等はその電流及び信号
を素子に導入するために、金属電極端子を介することが
必要である。実際、従来の酸化物超伝導体組成物は少な
くとも、酸素分圧が0.2気圧以上の雰囲気で合成する
ことが必要であったため金属端子の酸化が起こり、その
ために端子金属と酸化物超伝導体組成物を一体焼成を行
なう場合に高価な貴金属すなわち金、白金等の使用が不
可欠であった。また電子計算機への応用等のためには、
ジョセフソン素子をシリコン基板上に高密度に集積化し
、さらに集積化された素子の上にさらにシリコン及び金
属薄膜を成膜する事が必要である。従来の酸化物超伝導
体組成物の薄膜は、成膜中もしくは成膜後に酸素プラズ
マ処理、酸素中熱処理等の方法で、得られた薄膜をさら
に酸化することが必要であったため、シリコン基板及び
金属薄膜の酸化が起こり、酸化物超伝導体組成物と積層
化し集積化することが不可能であった。一方、従来報告
されているPb−Ln−8r−Cu−〇系の組成物は、
本発明の酸化物超伝導体組成物と同様に不活性気体中で
の焼成によって合成される組成物ではあるがTOが70
にと液体窒素の沸点よりも低く、実用材料としての問題
点を残している。
そこで本発明は、従来の組成物や従来の酸化物超伝導体
組成物の製造方法では解決できなかった、卑金属電極と
酸化物超伝導体組成物を一体焼成できない問題、すなわ
ちシリコン及び金属と酸化物超伝導体組成物を積層化す
ることができない問題を解決し、なおかつTcが70に
より高い超伝導体組成物とその製造方法を提供すること
にある。
組成物の製造方法では解決できなかった、卑金属電極と
酸化物超伝導体組成物を一体焼成できない問題、すなわ
ちシリコン及び金属と酸化物超伝導体組成物を積層化す
ることができない問題を解決し、なおかつTcが70に
より高い超伝導体組成物とその製造方法を提供すること
にある。
(課題を解決するための手段)
本発明は従来の酸化物超伝導体組成物とは異なる、Pb
2Ba2(REI−xCax)Cu3Oyなる組成式で
あって、0.3<x<1.0の範囲である酸化物超伝導
体磁器組成物と、窒素もしくはアルゴン等の不活性気体
雰囲気中、少なくとも酸素分圧2%以下の低酸素分圧雰
囲気中もしくは真空中にてその部分融解温度以下で焼成
する前記磁器組成物の製造方法である。
2Ba2(REI−xCax)Cu3Oyなる組成式で
あって、0.3<x<1.0の範囲である酸化物超伝導
体磁器組成物と、窒素もしくはアルゴン等の不活性気体
雰囲気中、少なくとも酸素分圧2%以下の低酸素分圧雰
囲気中もしくは真空中にてその部分融解温度以下で焼成
する前記磁器組成物の製造方法である。
(実施例)
以下実施例により、本発明を具体的に説明する。
出発原料として、純度9969%以上の炭酸バリウム(
BaCO3)、酸化イツトリウム(Y2O2)、酸化第
二銅(Cub)、炭酸カルシウム(CaCO2)、酸化
鉛(PbO)を使用した。まず、酸化鉛を除くほかの原
料を(Yl−xCax)Ba2Cu3Oyの組成になる
ようにそれぞれ秤量する。次に秤量した原料を珂瑞乳鉢
中にて乾式混合した後、850〜950°Cの間の一定
の温度で酸素気流中にて予焼を行なう。この粉末と酸化
鉛をさらにPb2(Yl−xCax)Ba2Cu3Oy
の組成になるようにそれぞれ秤量し、瑞瑞乳鉢中で再粉
砕、再混合を行ない、金型中にて1ton/cm2の圧
力でプレス、成形を行ない、直径10mm、厚さ2mm
の円盤を作成した。さらにこのようにして得られたプレ
ス体を所定の酸素分圧、温度中にて1回以上焼成した。
BaCO3)、酸化イツトリウム(Y2O2)、酸化第
二銅(Cub)、炭酸カルシウム(CaCO2)、酸化
鉛(PbO)を使用した。まず、酸化鉛を除くほかの原
料を(Yl−xCax)Ba2Cu3Oyの組成になる
ようにそれぞれ秤量する。次に秤量した原料を珂瑞乳鉢
中にて乾式混合した後、850〜950°Cの間の一定
の温度で酸素気流中にて予焼を行なう。この粉末と酸化
鉛をさらにPb2(Yl−xCax)Ba2Cu3Oy
の組成になるようにそれぞれ秤量し、瑞瑞乳鉢中で再粉
砕、再混合を行ない、金型中にて1ton/cm2の圧
力でプレス、成形を行ない、直径10mm、厚さ2mm
の円盤を作成した。さらにこのようにして得られたプレ
ス体を所定の酸素分圧、温度中にて1回以上焼成した。
さらに試料によっては得られた試料を酸素二窒素=1:
1の混合ガス気流中にて300°Cにて短時間熱処理を
行なう場合もあるが、これは必ずしも必須の処理ではな
い。
1の混合ガス気流中にて300°Cにて短時間熱処理を
行なう場合もあるが、これは必ずしも必須の処理ではな
い。
この焼結体より比較的大きな結晶子を取り出し、4軸X
線結晶構造解析を行ったところ、前述のPb−RE−8
r−Ca−0系において第1図に示すようにSrをBa
で直接した構造と同一であることがわかった。
線結晶構造解析を行ったところ、前述のPb−RE−8
r−Ca−0系において第1図に示すようにSrをBa
で直接した構造と同一であることがわかった。
すなわち、Pb2Ba2(REI−xCax)Cu3O
yと表わせる化学式においてX=Oの場合、結晶の対称
比は斜方晶であり、空間群Cmmmに属し、 a=5.
471人、b=5.508人、C=16.194人の格
子定数を有することがわかった。Xを増しても、結晶構
造に変化はなく斜方晶であった。
yと表わせる化学式においてX=Oの場合、結晶の対称
比は斜方晶であり、空間群Cmmmに属し、 a=5.
471人、b=5.508人、C=16.194人の格
子定数を有することがわかった。Xを増しても、結晶構
造に変化はなく斜方晶であった。
この焼結体を約1mm巾に切り出し、抵抗率、帯磁率の
測定用サンプルとした。抵抗率の測定は直流4端子法に
よって行なった。電極は金をDCスパッタ法により形成
し、銀ペーストによってリード線を固定した。帯磁率の
測定は5QUIDマグネトメータによって行なった。こ
れらの測定は室温から液体ヘリウム温度(4,2K)ま
で行なった。その結果を第実施例ではイツトリウムの例
を示したが、他の希土類元素であるランタン、ネオジミ
ウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジス
プロシウム、ホロミウム、エルビウム、ツリウム、イッ
テルビウム、ルテチウム等でも、イツトリウムと同様の
効果を示した。またこれらを2種類以上含んでもよい。
測定用サンプルとした。抵抗率の測定は直流4端子法に
よって行なった。電極は金をDCスパッタ法により形成
し、銀ペーストによってリード線を固定した。帯磁率の
測定は5QUIDマグネトメータによって行なった。こ
れらの測定は室温から液体ヘリウム温度(4,2K)ま
で行なった。その結果を第実施例ではイツトリウムの例
を示したが、他の希土類元素であるランタン、ネオジミ
ウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジス
プロシウム、ホロミウム、エルビウム、ツリウム、イッ
テルビウム、ルテチウム等でも、イツトリウムと同様の
効果を示した。またこれらを2種類以上含んでもよい。
超伝導相に転移する試料の組成式あたりの酸素原子数は
7.6〜8.3までの範囲である。
7.6〜8.3までの範囲である。
これは不活性ガス融解法やヨードメトリー法で測定した
。
。
またX<0.3の範囲では高いTcが得られない。
(発明の効果)
実施例からも明らかなように、本発明によれば従来材料
で不可能であった液体窒素温度以上に超伝導転移温度を
持つ材料を低酸素分圧雰囲気中で合成することができ、
卑金属との一体焼成による素子およびシリコン基板、金
属配線との積層化による高集積度ジョセフソン素子等の
超伝導デバイスに応用が期待されるものである。
で不可能であった液体窒素温度以上に超伝導転移温度を
持つ材料を低酸素分圧雰囲気中で合成することができ、
卑金属との一体焼成による素子およびシリコン基板、金
属配線との積層化による高集積度ジョセフソン素子等の
超伝導デバイスに応用が期待されるものである。
第1図は本発明による化合物の結晶構造を示す図。
Claims (2)
- (1)組成式がPb_2Ba_2(RE_1_−_xC
a_x)Cu_3O_yである酸化物超伝導体磁器組成
物において、希土類元素REがイットリウム、ランタン
、ネオジミウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニ
ウム、ジスプロシウム、ホロミウム、エルビウム、ツリ
ウム、イッテルビウム、ルテチウムの1種類または2種
以上であり、Caの置換量xが0.3<x<1.0の範
囲にあることを特徴とする酸化物超伝導体磁器組成物。 - (2)組成式がPb_2Ba_2(RE_1_−_xC
a_x)Cu_3O_yである酸化物超伝導体磁器組成
物であって、希土類元素REがイットリウム、ランタン
、ネオジミウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニ
ウム、ジスプロシウム、ホロミウム、エルビウム、ツリ
ウム、イッテルビウム、ルテチウムの1種類または2種
以上であり、Caの置換量xが0.3<x<1.0の範
囲にある酸化物超伝導体磁器組成物の製造方法において
、不活性ガス中、少なくとも酸素分圧が2%以下の低酸
素分圧中または真空中のいずれかにおいて、その部分融
解温度以下で、少なくとも1回以上焼成することを特徴
とする酸化物超伝導体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119808A JPH02296760A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 酸化物超伝導体磁器組成物とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119808A JPH02296760A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 酸化物超伝導体磁器組成物とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02296760A true JPH02296760A (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=14770743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1119808A Pending JPH02296760A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 酸化物超伝導体磁器組成物とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02296760A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05124816A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体,複合酸化物超電導材料及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1119808A patent/JPH02296760A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05124816A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体,複合酸化物超電導材料及びその製造方法 |
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