JPH02296347A - 発光効率評価方法および装置 - Google Patents
発光効率評価方法および装置Info
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- JPH02296347A JPH02296347A JP1116748A JP11674889A JPH02296347A JP H02296347 A JPH02296347 A JP H02296347A JP 1116748 A JP1116748 A JP 1116748A JP 11674889 A JP11674889 A JP 11674889A JP H02296347 A JPH02296347 A JP H02296347A
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Landscapes
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、具体的応用分野としては、Ｇａ Ａｓなとの
発光ダイオード用半導体基板の欠陥分布などの品質評価
に用いられる発光効率評価方法および装置に関するもの
である。
発光ダイオード用半導体基板の欠陥分布などの品質評価
に用いられる発光効率評価方法および装置に関するもの
である。
Ｇａ Ａｓ発光ダイオードの材料基板などの発光効率品
質評価は、発光ダイオードの発光効率向上、あるいは、
製品の歩留まりのためには欠くことができないものであ
る。また、レーザーダイオードについては、その発振閾
値の低減ないし均一化のためにも重要である。
質評価は、発光ダイオードの発光効率向上、あるいは、
製品の歩留まりのためには欠くことができないものであ
る。また、レーザーダイオードについては、その発振閾
値の低減ないし均一化のためにも重要である。
この１」的のために、従来から、部分的にテストダイオ
ードを作製して評価する方法がなされている。また、材
料基板全体の欠陥むら分布等を知るため、フォトルミネ
センス法により、基板全体からの発光量を調べることが
行われている。
ードを作製して評価する方法がなされている。また、材
料基板全体の欠陥むら分布等を知るため、フォトルミネ
センス法により、基板全体からの発光量を調べることが
行われている。
部分的にテストダイオードを作製して評価する方法によ
れば、そのテストダイオードを作製した部分に対する評
価は１＋１来るか、この方法は全体的な検査のためには
十分でない。すなわち、−枚の基板内で、欠陥むら、分
布等が存在する筈であり、そのような情報は、全く得ら
れない。
れば、そのテストダイオードを作製した部分に対する評
価は１＋１来るか、この方法は全体的な検査のためには
十分でない。すなわち、−枚の基板内で、欠陥むら、分
布等が存在する筈であり、そのような情報は、全く得ら
れない。
材料基板全体の欠陥むら、分布等を知るために、フォト
ルミネセンス法により、基板全体からの発光量を調べる
方法は、現実の製品としての発光効率との洞部について
は明瞭なものかない。
ルミネセンス法により、基板全体からの発光量を調べる
方法は、現実の製品としての発光効率との洞部について
は明瞭なものかない。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであ
り、被験物質のホトルミネセンスおよびエレクトロルミ
ネセンスを光子計数領域において測定し、その測定値に
基づいて当該被験物質の通常使用領域における発光効率
を評価するものである。
り、被験物質のホトルミネセンスおよびエレクトロルミ
ネセンスを光子計数領域において測定し、その測定値に
基づいて当該被験物質の通常使用領域における発光効率
を評価するものである。
また、光子２＋数領域および通常の光強度領域の２種以
上の領域において、被験物質のホトルミネセンスまたは
エレクトロルミネセンスを７１１１１定し、これらの４
１す定値同士を比較することにより、当該被験物質の発
光効率を評価するものである。
上の領域において、被験物質のホトルミネセンスまたは
エレクトロルミネセンスを７１１１１定し、これらの４
１す定値同士を比較することにより、当該被験物質の発
光効率を評価するものである。
本発明者は、上述した従来技術の課題を研究中に、次に
述べるような新しい事実を発見した。
述べるような新しい事実を発見した。
即ち、発光量と刺＋１量とは、低刺戟領域においては比
例関係か成立せず、品次比例関係にあるということであ
る。この関係は、次のような理由に基づくものと思われ
る。材料中には発光を妨害する多くの発光キラー準位が
あり、刺戟によって発生した少数キャリアは、はじめこ
れらのキラー準位に補えられるため、発光強度は、たと
えば刺戟量の２次程度に比例する。そして、これらのキ
ラ準位かキャリアによって埋められた後に、はじめて正
規の強い発光領域に移行するのである。この際、重要な
ことは、上記移行点の低いものほど正規発光の効率か高
いなどの関係があることである。従って、従来のように
正規の発光動作領域において検査しなくとも、これら移
行点付近の弱い刺戟領域において検査すれば、被験物質
の発光効率の評価という［−１的を達しつるのである。
例関係か成立せず、品次比例関係にあるということであ
る。この関係は、次のような理由に基づくものと思われ
る。材料中には発光を妨害する多くの発光キラー準位が
あり、刺戟によって発生した少数キャリアは、はじめこ
れらのキラー準位に補えられるため、発光強度は、たと
えば刺戟量の２次程度に比例する。そして、これらのキ
ラ準位かキャリアによって埋められた後に、はじめて正
規の強い発光領域に移行するのである。この際、重要な
ことは、上記移行点の低いものほど正規発光の効率か高
いなどの関係があることである。従って、従来のように
正規の発光動作領域において検査しなくとも、これら移
行点付近の弱い刺戟領域において検査すれば、被験物質
の発光効率の評価という［−１的を達しつるのである。
換言すれば、短時間の刺戟ですむので検査時間を短縮で
きる。また基板材料の発光の分布を測定するときも、全
面照射に対し、各絵素相当分に分割された弱い刺戟によ
っても検査ができるので、広い面積を検査するのが容易
である。
きる。また基板材料の発光の分布を測定するときも、全
面照射に対し、各絵素相当分に分割された弱い刺戟によ
っても検査ができるので、広い面積を検査するのが容易
である。
本発明は、上記の−１１：丈に基いて、なされたもので
ある。低刺戟領域における電気刺戟又は光刺戟によって
半導体基板からの微弱な発光を受光し、その量を測定す
れば、従来法と異なり、最も直接的に発光そのものを妨
害する準位のみを取出して検査しうろことになる。
ある。低刺戟領域における電気刺戟又は光刺戟によって
半導体基板からの微弱な発光を受光し、その量を測定す
れば、従来法と異なり、最も直接的に発光そのものを妨
害する準位のみを取出して検査しうろことになる。
本発明の検査を行うためには、弱い発光強度に対して感
度の高い受光システムが必要である。従っていわゆる光
子３１数装置を使用することが好ましい。
度の高い受光システムが必要である。従っていわゆる光
子３１数装置を使用することが好ましい。
たとえば、光子計数領域において発光強度を測定すれば
、それが直接的に最終製品の良否を千δｌすできるので
ある。この強度は、通常動作領域の値を微弱光領域に延
長外挿して予ａ１１１する値よりも遥かに小さいもので
、通常は光子計数の方法によることか適当となるのであ
る。
、それが直接的に最終製品の良否を千δｌすできるので
ある。この強度は、通常動作領域の値を微弱光領域に延
長外挿して予ａ１１１する値よりも遥かに小さいもので
、通常は光子計数の方法によることか適当となるのであ
る。
第１図は、典型的な発光ダイオードなどにおける発光強
度を、微弱な刺戟領域について示したものである。低刺
戟領域では、この場合、両対数プロワＩ・において傾斜
かほとんど２となっていること、また通常発光領域での
発光強度の強いものは前記移行点か低刺戟側にあること
が示されている。
度を、微弱な刺戟領域について示したものである。低刺
戟領域では、この場合、両対数プロワＩ・において傾斜
かほとんど２となっていること、また通常発光領域での
発光強度の強いものは前記移行点か低刺戟側にあること
が示されている。
さらに注意すべぎことは、上記低刺戟領域における発光
強度は、通常の発光ダイオードに相当するような大ぎさ
の場合、これを受光する際光子計数の方法でａ＋＋＋定
されていることである。即ち、特別に大きい面積の場合
を除いて、これら低刺戟領域の測定には、光子計数が重
要な手法となる。このことは、二次元的な発光効率の面
分布を各絵素に分けてＡｌ１１定する場合にも同様にい
えることである。
強度は、通常の発光ダイオードに相当するような大ぎさ
の場合、これを受光する際光子計数の方法でａ＋＋＋定
されていることである。即ち、特別に大きい面積の場合
を除いて、これら低刺戟領域の測定には、光子計数が重
要な手法となる。このことは、二次元的な発光効率の面
分布を各絵素に分けてＡｌ１１定する場合にも同様にい
えることである。
以上説明したように、本発明の評価方法および装置によ
れば、発光ダイオードやレーザーダイオドに用いられる
材料Ｌ（板の非接触、非破壊の発光効率評価や１枚の基
板内での同様な発光効率評価が可能となる。
れば、発光ダイオードやレーザーダイオドに用いられる
材料Ｌ（板の非接触、非破壊の発光効率評価や１枚の基
板内での同様な発光効率評価が可能となる。
第１図は典型的な発光ダイオードなとにおける発光強度
を、微弱な刺戟領域について示した特性図である。
を、微弱な刺戟領域について示した特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被験物質のホトルミネセンスまたはエレクトロルミ
ネセンスを光子計数領域において測定し、その測定値に
基づいて当該被験物質の通常使用領域における発光効率
を評価することを特徴とする発光効率評価方法。 ２、被験物質のホトルミネセンスまたはエレクトロルミ
ネセンスを光子計数領域および通常の光強度領域の２種
以上の領域において測定し、これらの測定値同士を比較
することにより、当該被験物質の発光効率を評価するこ
とを特徴とする発光効率評価方法。 ３、請求項１の方法によって、二次元マッピングを行い
、被験物質の二次元的発光効率分布像を得ることを特徴
とする発光効率評価方法。 ４、請求項２の方法によって、二次元マッピングを行い
、被験物質の二次元的発光効率分布像を得ることを特徴
とする発光効率評価方法。 ５、被験物質のホトルミネセンスまたはエレクトロルミ
ネセンスを光子計数領域において測定し、その測定値に
基づいて当該被験物質の通常使用領域における発光効率
を評価することを特徴とする発光効率評価装置。 ６、被験物質のホトルミネセンスまたはエレクトロルミ
ネセンスを光子計数領域および通常の光強度領域の２種
以上の領域において測定し、これらの測定値同士を比較
することにより、当該被験物質の発光効率を評価するこ
とを特徴とする発光効率評価装置。 ７、請求項５の装置によって、二次元マッピングを行い
、被験物質の二次元的発光効率分布像を得ることを特徴
とする発光効率評価装置。 ８、請求項６の装置によって、二次元マッピングを行い
、被験物質の二次元的発光効率分布像を得ることを特徴
とする発光効率評価装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11674889A JPH06103711B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 発光効率評価方法および装置 |
| US07/737,795 US5227638A (en) | 1989-05-10 | 1991-07-24 | Method and apparatus for evaluating luminous efficiency |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11674889A JPH06103711B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 発光効率評価方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296347A true JPH02296347A (ja) | 1990-12-06 |
| JPH06103711B2 JPH06103711B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=14694790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11674889A Expired - Fee Related JPH06103711B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 発光効率評価方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103711B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006059615A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-05 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用 |
| JP2009536448A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | ビーティー イメージング ピーティーワイ リミテッド | ルミネセンス像形成を用いた間接バンドギャップ半導体の試験方法およびシステム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102252829B (zh) * | 2011-04-25 | 2013-03-06 | 北京大学 | 一种测量led的内量子效率和出光效率的方法 |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11674889A patent/JPH06103711B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006059615A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-05 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用 |
| JP2009536448A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | ビーティー イメージング ピーティーワイ リミテッド | ルミネセンス像形成を用いた間接バンドギャップ半導体の試験方法およびシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103711B2 (ja) | 1994-12-14 |
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Legal Events
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