JPH02288138A - Flashing system of electric field emitting electron gun - Google Patents

Flashing system of electric field emitting electron gun

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JPH02288138A
JPH02288138A JP11049489A JP11049489A JPH02288138A JP H02288138 A JPH02288138 A JP H02288138A JP 11049489 A JP11049489 A JP 11049489A JP 11049489 A JP11049489 A JP 11049489A JP H02288138 A JPH02288138 A JP H02288138A
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JP
Japan
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flushing
voltage
flashing
drawout
emitter
Prior art date
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Pending
Application number
JP11049489A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Obara
健二 小原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02288138A publication Critical patent/JPH02288138A/en
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Abstract

PURPOSE:To have proper flashing always by setting the flashing voltage or time on the basis of the drawout voltage when a specified period of time has elapsed since the previous flashing. CONSTITUTION:An electric field emitting type electron gun according to the present invention is composed of an emitter 1, power supply 2 for weak flashing, power supply 3 for strong flashing, switches 4, 5, drawout electrode 6, accelerating electrode 7, power supply 8 for drawout voltage, control circuit 9, current sensor 10, and a drawout voltage adjusting knob 1. The surface roughness of the emitter 1 is judged through comparison of the current drawout voltage with the max. drawout voltage, while the control circuit 9 makes judgement about whether the next flashing is to be weak or strong. Thus the next flashing strength is decided automatically to secure good performance of flashing at all times.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電界放射形電子銃に係り、特に、そのフラッシ
ング方式に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a field emission type electron gun, and particularly to its flushing method.

[従来の技術] 電界放射形電子銃は電子顕微鏡等の電子銃として広く使
用されているが、使用時間が経過するに従って、そのエ
ミッタ表面には真空中に存在する気体分子が付着したり
、正イオンが衝突することによって凹凸が生じ、その結
果、引き出し電流が不安定になり、得られる画像の品質
が劣化してしまう。そのため、通常、電界放射形電子銃
の使用開始時、および使用開始後一定時間毎にエミッタ
に適当な大きさの電流を流して加熱し、エミッタ表面に
付着した気体分子を除去すると共に、正イオンの衝突に
よって生じた凹凸を除去し、エミッタ表面を滑らかにす
るようにすることが行われる。
[Prior Art] Field-emission electron guns are widely used as electron guns in electron microscopes, etc., but as time passes, gas molecules present in vacuum may adhere to the emitter surface or the electron beam may The collision of ions creates unevenness, which results in unstable extraction current and deterioration in the quality of the obtained image. Therefore, when a field emission electron gun is first used and at regular intervals after use, an appropriate amount of current is passed through the emitter to heat it, remove gas molecules attached to the emitter surface, and generate positive ions. The emitter surface is smoothed by removing the unevenness caused by the collision.

これがフラッシングであり、第3図に示すような構成に
より行われる。なお、第3図中、1は電界放射形電子銃
のエミッタ、2は弱フラッシング用電源、3は強フラッ
シング用電源、4.5はスイッチ、6は引き出し電極、
7は加速電極、8は弓き出し電圧用電源を示す。
This is flushing, and is performed by a configuration as shown in FIG. In Fig. 3, 1 is the emitter of the field emission type electron gun, 2 is the weak flushing power supply, 3 is the strong flushing power supply, 4.5 is the switch, 6 is the extraction electrode,
Reference numeral 7 indicates an accelerating electrode, and 8 indicates a power source for bowing out voltage.

第3図に示すように、フラッシング電源は、比較的小さ
な電流を供給する弱フラッシング用電源2と、比較的大
きな電流を供給する強フラッシング用電源3の2種類が
備えられており、オペレータがスイッチ4により、いず
れの電源を使用するか選択してフラッシングを行うため
のスイッチ5を投入すると、エミッタ1−スイッチ5−
スイッチ4−弱フラッシング用電源2または強フラッシ
ング用電源3−エミッタ1の閉回路が形成され、エミッ
タ1に電流が流れて加熱され、フラッシングが行われる
。なお、第3図には図示しないが、加速電極7には所定
のビーム加速電圧を得るために適当な電圧が印加されて
いる。また、引き出し電極6に印加される電圧は、オペ
レータが引き出し電圧用電源8の電圧を調整することに
より設定される。
As shown in Figure 3, there are two types of flushing power supplies: a weak flushing power supply 2 that supplies a relatively small current, and a strong flushing power supply 3 that supplies a relatively large current. 4, when you select which power source to use and turn on the switch 5 for flushing, the emitter 1 - switch 5 -
A closed circuit is formed between switch 4 - power source 2 for weak flushing or power source 3 for strong flushing - emitter 1, and a current flows through emitter 1 to heat it and perform flushing. Although not shown in FIG. 3, an appropriate voltage is applied to the accelerating electrode 7 in order to obtain a predetermined beam accelerating voltage. Further, the voltage applied to the extraction electrode 6 is set by the operator adjusting the voltage of the extraction voltage power source 8.

このようにしてフラッシングが行われるのであるが、2
種類のフラッシング用電源2.3を備え、弱フラッシン
グと強フラッシングを行えるようにする理由は次のよう
である。
Flushing is performed in this way, but 2
The reason why different types of flushing power supplies 2.3 are provided to enable weak flushing and strong flushing is as follows.

フラッシングを行う際に、強フラッシング用電源3によ
り比較的大きな電流を流すようにすると、弱フラッシン
グ用電源2を使用した場合に比較して、エミッタ1の表
面の気体分子の除去および凹凸の平滑化は良好に行われ
るのであるが、エミッタ1の先端部の径が大きくなり、
同じビーム電流を得るためには引き出し電圧を高くする
必要がある。しかし、このとき、加速電極7の電圧を引
き出し電極6の電圧より低クシ、減速電界を形成して使
用している場合には、当該減速電界の強度がより大きく
なるために、ビームは大きく減速されることになり、そ
のために収差が大きくなってしまうという問題が生じる
When performing flushing, if a relatively large current is applied by the strong flushing power supply 3, gas molecules on the surface of the emitter 1 can be removed and unevenness can be smoothed out compared to when the weak flushing power supply 2 is used. is performed well, but the diameter of the tip of emitter 1 increases,
In order to obtain the same beam current, it is necessary to increase the extraction voltage. However, at this time, if the voltage of the accelerating electrode 7 is lower than the voltage of the extraction electrode 6 and a decelerating electric field is used, the intensity of the decelerating electric field becomes larger and the beam is greatly decelerated. Therefore, a problem arises in that the aberration becomes large.

そこで、通常は弱フラッシングにより、エミッタ1の先
端部の径の増大を防ぎつつ付着した気体分子の除去、お
よび凹凸の除去を行い、得られる電子顕微鏡像等の画像
にノイズが多くなり、品質が低下した場合には強フラッ
シングを行えるように、2種類の@源を備えているので
ある。
Therefore, weak flushing is usually used to prevent the diameter of the tip of the emitter 1 from increasing, remove attached gas molecules, and remove unevenness, which results in a lot of noise in images such as electron microscope images, and deteriorates the quality. It is equipped with two types of @ sources so that strong flushing can be performed if the water level drops.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、弱フラッシングを行うか、強フラッシン
グを行うかの判断はオペレータの経験に負うところが大
きく、熟練を要し、煩わしいものであった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the decision as to whether to perform weak flushing or strong flushing depends largely on the operator's experience, which requires skill and is troublesome.

また、上記の煩わしさを解消するために、−足回数の弱
フラッシングを行った後には、必ず強フラッシングを行
うようにすることも行われていたが、強フラッシングの
タイミングは必ずしも弱フラッシングの回数によって一
義的に決定されるものではなく、エミッタに吸着してい
る気体分子の量、エミッタ表面の凹凸の程度等によって
決定しなければならないために、適正なフラッシングを
行うことができないものであった。
In addition, in order to eliminate the above-mentioned trouble, strong flushing has always been performed after performing weak flushing for -number of times, but the timing of strong flushing does not necessarily depend on the number of weak flushing. Flushing cannot be carried out properly because it has to be determined based on the amount of gas molecules adsorbed on the emitter, the degree of unevenness on the emitter surface, etc. .

本発明は、上記の課題を解決するものであって、常に適
正なフラッシングを行うことのできる電界放射型電子銃
のフラッシング方式を提供することを目的とするもので
ある。
The present invention solves the above-mentioned problems, and aims to provide a flushing method for a field emission electron gun that can always perform proper flushing.

[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、本発明の電界放射型電子
銃のフラッシング方式は、前回のフラッシングから所定
使用時間経過したときの引き出し電圧に基づいて、フラ
ッシング電圧またはフラッシング時間を設定することを
特徴とする[作用および発明の効果コ 本発明によれば、次回のフラッシングの際にどれだけの
電圧を印加するのか、または、どれだけの時間電流を流
すのかが自動的に決定されるので、適正なフラッシング
を行えるばかりでなく、オペレータの煩わしさも解消さ
れ、常に良好な画像を得ることができるものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the flashing method of the field emission type electron gun of the present invention adjusts the flashing voltage based on the extraction voltage when a predetermined usage time has elapsed since the previous flashing. [Function and Effects of the Invention] According to the present invention, it is possible to set the amount of voltage to be applied or the amount of time to let the current flow during the next flushing. Since it is determined automatically, not only can proper flushing be performed, but also the operator's troublesomeness can be eliminated, and good images can always be obtained.

[実施例コ 以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。[Example code] Examples will be described below with reference to the drawings.

第1図(a)は本発明に係る電界放射型電子銃のフラッ
シング方式の1実施例の構成を示す図であり、図中、9
は制御回路、10は電流検出器、11は引き出し電圧調
整摘みを示し、第3図と同じものについては同じ番号を
付している。また、第1図(b)は制御回路9で行われ
る処理のフローチャートを示す図である。
FIG. 1(a) is a diagram showing the configuration of one embodiment of the flushing method of a field emission type electron gun according to the present invention, and in the figure, 9
10 is a control circuit, 10 is a current detector, and 11 is a draw-out voltage adjustment knob, and the same parts as in FIG. 3 are given the same numbers. Further, FIG. 1(b) is a diagram showing a flowchart of processing performed by the control circuit 9. As shown in FIG.

第1図に示すものにおいて、オペレータが引き出し電圧
調整摘み11により引き出し電圧を調整すると、制御回
路9は当該引き出し電圧調整摘み11の回転角度を検知
して、例えばロータリースイッチ(図示せず)等により
タップの切り替えを行うことにより、引き出し電圧用電
源8の設定が行われる。また、制御回路9は、電流検出
器10によりビーム電流を取り込み、図示しない表示器
にビーム電流値を表示したり、当該ビーム電流が所定の
範囲にある場合にはランプを点灯させたりする。
In the device shown in FIG. 1, when the operator adjusts the draw voltage with the draw voltage adjustment knob 11, the control circuit 9 detects the rotation angle of the draw voltage adjustment knob 11 and uses a rotary switch (not shown), etc., for example. By switching the taps, the setting of the extraction voltage power source 8 is performed. Further, the control circuit 9 takes in the beam current with the current detector 10, displays the beam current value on a display (not shown), and lights up a lamp when the beam current is within a predetermined range.

次に、次回のフラッシングを行う場合に弱フラッシング
を行うか、強フラッシングを行うかの決定の仕方につい
て第1図(b)のフローチャートを参照して説明する。
Next, how to decide whether to perform weak flushing or strong flushing when performing the next flushing will be explained with reference to the flowchart in FIG. 1(b).

あるとき、オペレータがスイッチ5を押下してフラッシ
ングを行うと、制御回路9はスイッチ5の押下を検知し
くステップS1)、予め設定された所定のN時間待機す
る(ステップS2)。Nの値は1〜10時間程時間間で
任意に設定できるが、ビーム電流が安定的に得られる時
間である必要があり、3時間程度でよい。スイッチ5が
押下されてからN時間経過すると、制御回路9は、その
ときの引き出し電圧Vの値を取り込む(ステップS3)
。制御回路9は引き出し電圧調整摘み11の位置により
引き出し電圧を認識しているから、この値を使用すれば
よい。次に、制御回路9は引き出し電圧Vと、予め設定
された引き出し電圧の最大値v、8とを比較しくステッ
プS4)、引き出し電圧Vの方が大きければ、ステップ
S5においてv、、工の値を当該引き出し電圧Vの値に
更新してステップS6の処理を行い、そうでなければ直
接ステップS6の処理を行う。ステップS6において、
制御回路9は、 (V、、、−V)の値と所定の値vR
とを比較し、その結果、 (V、、ウーV)の値がv1
1以上であれば、次回のフラッシングは強フラッシング
を行うべきものと判断して、スイッチ4を強フラッシン
グ用電源3の側に接続し、(V、、、−V)の値がVR
未満であれば、次回のフラッシングは弱フラッシングを
行うべきものと判断して、スイッチ4を弱フラッシング
用電源2の側に接続する。
At some point, when the operator presses the switch 5 to perform flushing, the control circuit 9 detects the press of the switch 5 (step S1) and waits for a predetermined N time (step S2). The value of N can be arbitrarily set within the range of about 1 to 10 hours, but the time must be such that the beam current can be stably obtained, and about 3 hours may suffice. When N hours have passed since the switch 5 was pressed, the control circuit 9 takes in the value of the extraction voltage V at that time (step S3).
. Since the control circuit 9 recognizes the extraction voltage based on the position of the extraction voltage adjustment knob 11, this value may be used. Next, the control circuit 9 compares the extraction voltage V with a preset maximum value v,8 of the extraction voltage (step S4), and if the extraction voltage V is larger, the value of v, , 8 is determined in step S5. is updated to the value of the extraction voltage V and the process of step S6 is performed, otherwise the process of step S6 is directly performed. In step S6,
The control circuit 9 selects the values of (V, , -V) and a predetermined value vR.
As a result, the value of (V,, WuV) is v1
If it is 1 or more, it is determined that the next flushing should be strong flushing, and the switch 4 is connected to the strong flushing power supply 3 side, and the value of (V, , -V) is set to VR.
If it is less than that, it is determined that the next flushing should be weak flushing, and the switch 4 is connected to the weak flushing power source 2 side.

以上の処理により、次回のフラッシングを適正に行うこ
とができるのであるが、これは次のような理由による。
The above process allows the next flushing to be performed properly for the following reasons.

エミッタ1からの電子の放出は、エミッタ表面から一様
に行われるものではなく、特に、尖った部分から多くの
電子が放射される。
The emission of electrons from the emitter 1 is not uniform from the emitter surface, and in particular, many electrons are emitted from the sharp parts.

従って、エミッタ1の表面に多くの凹凸がある場合には
、エミッタ表面が滑らかな場合に比較してより多くの電
子が放射され、それだけビーム電流も多くなるので、同
じビーム電流を得るために必要な引き出し電圧Vは、表
面に凹凸がある場合の方がエミッタ表面が滑らかな場合
に比較して低い電圧でよいものである。つまり、引き出
し電圧Vの値によってエミッタ表面の凹凸の状態を知る
ことができるのであり、本発明ではこのことを利用して
いるのであって、それを行うのが第1図(b)のステッ
プS6の処理である。つまり、現在の引き出し電圧Vを
最大引き出し電圧v、、つと比較することによって、エ
ミッタ1の表面の凹凸の状態を判定しているのである。
Therefore, if the surface of emitter 1 has many irregularities, more electrons will be emitted than if the emitter surface is smooth, and the beam current will increase accordingly, which is necessary to obtain the same beam current. The extraction voltage V may be lower when the emitter surface is uneven than when the emitter surface is smooth. In other words, it is possible to know the state of the unevenness of the emitter surface by the value of the extraction voltage V, and this is utilized in the present invention, and this is done in step S6 in FIG. 1(b). This is the process. That is, the state of the unevenness on the surface of the emitter 1 is determined by comparing the current extraction voltage V with the maximum extraction voltage V, .

なお、ステップS5の必要性は明かである。なぜなら、
最初に設定されるVl、8は飽くまでも暫定的な最大引
き出し電圧値であって、実際の値ではないからである。
Note that the necessity of step S5 is clear. because,
This is because Vl, 8, which is initially set, is a provisional maximum extraction voltage value, and is not an actual value.

また、引き出し電圧Vの検出をビーム電流が安定してい
るときに行うことの妥当性も明かである。つまり、得ら
れるビーム電流値は時間の経過と共に安定してくるもの
であるから、オペレータはビーム電流が安定するまでの
間、′当該ビーム電流が所定の範囲に納まるように引き
出し電圧調整摘み11を調整することになるが、ビーム
電流が安定した後は引き出し電圧の調整は行われず、一
定の値となされるからである。
Furthermore, the validity of detecting the extraction voltage V when the beam current is stable is also clear. In other words, since the obtained beam current value becomes stable over time, the operator must adjust the voltage adjustment knob 11 until the beam current stabilizes so that the beam current falls within a predetermined range. This is because the extraction voltage is not adjusted after the beam current is stabilized, but remains at a constant value.

なお、第1図に示す実施例では、制御回路9は次回のフ
ラッシングを弱フラッシングとするか、強フラッシング
とするかの判断を行い、当該判断に基づいてスイッチ4
の切り替えを行うだけであり、いつフラッシングを行う
かはオペレータの判断に委ねられるようになされている
。即ち、オペレータは、電子顕微鏡像等を観察すること
によりフラッシングを行うべき時期が到来したと判断し
た場合にはスイッチ5を押下する。これによりスイッチ
5は予め定められた時間だけ上述した閉回路を構成する
のである。このように行うのは、前回のフラッシングか
ら次回のフラッシングまでの時間は、エミッタ1の表面
の状態によって異なるのであり、時間の経過で一義的に
決定できるものではないからである。しかし、フラッシ
ングの時間間隔を適宜定めて、制御回路9により自動的
にフラッシングを行うようにできることは当然であ以上
の実施例では、フラッシング用電源は二つ使用されてい
るが、それ以上の電源を切り替えるようにしてもよいこ
とは明かである。
In the embodiment shown in FIG. 1, the control circuit 9 determines whether the next flushing will be a weak flush or a strong flush, and based on the determination, the control circuit 9 switches the switch 4.
The system only performs a switching operation, and when to perform flushing is left to the operator's discretion. That is, when the operator determines that it is time to perform flushing by observing an electron microscope image or the like, he or she presses the switch 5. As a result, the switch 5 forms the above-mentioned closed circuit for a predetermined period of time. This is done because the time from the previous flushing to the next flushing varies depending on the condition of the surface of the emitter 1, and cannot be uniquely determined by the passage of time. However, it is natural that the time interval for flushing can be set appropriately and the flushing can be performed automatically by the control circuit 9. In the above embodiment, two power supplies for flushing are used, but more power supplies can be used. It is obvious that it is also possible to switch between the two.

以上が第1の実施例であるが、次に、第2図を参照して
第2の実施例について説明する。なお、第2図において
、第1図と同じものについては同じ番号を付している。
The first embodiment has been described above, and next, the second embodiment will be described with reference to FIG. Note that in FIG. 2, the same parts as in FIG. 1 are given the same numbers.

第1図に示すものでは、フラッシング強度の切り替えは
、フラッシング用電源の切り替えによって行ったが、第
2図に示すものにおいては、フラッシングを行う時間を
制御することによってフラッシングの強弱を切り替えよ
うとするものである。
In the system shown in Figure 1, the flushing intensity is changed by switching the flushing power supply, but in the system shown in Figure 2, the strength of the flushing is changed by controlling the flushing time. It is something.

従って、制御回路21は、第2図(b)のステップS゛
10において求めた最大引き出し電圧V。。
Therefore, the control circuit 21 controls the maximum extraction voltage V determined in step S10 of FIG. 2(b). .

と現在の引き出し電圧Vとの差に基づいて、フラッシン
グ時間、即ち、第2図(a)のスイッチ22を投入して
いる時間を決定する(ステップ511)。フラッシング
時間を決定するについては、予め、制御回路21の内部
メモリに、 (V、、、−V)の値とフラッシング時間
との関係を定めたテーブルを格納しておき、ステップS
IOで求めた差の値から当該テーブルを参照してフラッ
シング時間を求めるようにすればよい。
The flushing time, that is, the time during which the switch 22 in FIG. 2(a) is turned on, is determined based on the difference between the voltage V and the current extraction voltage V (step 511). To determine the flushing time, a table defining the relationship between the values of (V, , -V) and the flushing time is stored in advance in the internal memory of the control circuit 21, and step S
The flushing time may be determined by referring to the table from the difference value determined by IO.

なお、この際フラッシング用電源23としては、比較的
大きな電流を供給できるものとするのがよい。比較的小
さな電流しか供給できない電源を使用した場合には、長
い時間に渡ってフラッシングを行ってもエミッタ1の温
度がある程度以上上昇せず、良好なフラッシングを行え
ない可能性があるからである。
In this case, it is preferable that the flushing power source 23 be capable of supplying a relatively large current. This is because if a power supply that can only supply a relatively small current is used, the temperature of the emitter 1 may not rise above a certain level even if flushing is performed for a long time, and there is a possibility that good flushing cannot be performed.

以上のように、本発明によれば、次回のフラッシング強
度が自動的に決定されるから、オペレータは、電子顕微
鏡画像等によりフラッシングを行う時期だけを判断すれ
ばよく、従来のフラッシング強度を判断するという煩わ
しさから開放されるものである。
As described above, according to the present invention, since the next flushing strength is automatically determined, the operator only has to judge when to perform flushing based on an electron microscope image, etc., compared to the conventional method of determining the flushing strength. This will free you from that hassle.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の1実施例の構成を示す図、第2図は本
発明の他の実施例の構成を示す図、第3図は従来のフラ
ッシング方式を説明するための図である。 1・・・電界放射形電子銃のエミッタ、2・・・弱フラ
ッシング用電源、3・・・強フラッシング用電源、4.
5・・・スイッチ、6・・・引き出し電極、7・・・加
速電極、8・・・引き出し電圧用電源、9・・・制御回
路、10・・・電流検出器、11・・・引き出し電圧調
整摘み。 第1図 (a) 出  願  人 日本電子株式会社 代理人 弁理士 菅 井 英 雄(外5名)(b) ]U 第 図 (a) (b) 第 図
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the configuration of another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional flushing method. 1... Emitter of field emission type electron gun, 2... Power source for weak flushing, 3... Power source for strong flushing, 4.
5... Switch, 6... Extracting electrode, 7... Accelerating electrode, 8... Extracting voltage power supply, 9... Control circuit, 10... Current detector, 11... Extracting voltage Adjustment knob. Figure 1 (a) Applicant JEOL Ltd. Agent Patent attorney Hideo Sugai (5 others) (b) ] U Figure (a) (b) Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)前回のフラッシングから所定時間経過したときの
引き出し電圧に基づいて、フラッシング電圧またはフラ
ッシング時間を設定することを特徴とする電界放射型電
子銃のフラッシング方式。
(1) A flushing method for a field emission electron gun, characterized in that the flushing voltage or flushing time is set based on the extraction voltage when a predetermined time has elapsed since the previous flushing.
JP11049489A 1989-04-28 1989-04-28 Flashing system of electric field emitting electron gun Pending JPH02288138A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4946811A (en) * 1987-11-27 1990-08-07 Outokumpu Oy Method for mixing molten iron silicate with ferroalloy slag in order to produce fire-resistant and chemically resistant fiber

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4946811A (en) * 1987-11-27 1990-08-07 Outokumpu Oy Method for mixing molten iron silicate with ferroalloy slag in order to produce fire-resistant and chemically resistant fiber

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