JPH02284456A - Lead frame - Google Patents
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- JPH02284456A JPH02284456A JP10444889A JP10444889A JPH02284456A JP H02284456 A JPH02284456 A JP H02284456A JP 10444889 A JP10444889 A JP 10444889A JP 10444889 A JP10444889 A JP 10444889A JP H02284456 A JPH02284456 A JP H02284456A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレーム、特にリート外端面や放熱フィ
ンの外端面にもメッキが施される形状のリードフレーム
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead frame, and particularly to a lead frame having a shape in which the outer end surface of a reed and the outer end surface of a radiation fin are also plated.
ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導
体装置は、その動作時多量の熱を発生ずる。そこで半導
体装置を安定動作させるには、パッケージ内のチップで
発生した熱を効果的に外部に放散させる必要がある。放
熱効果向」二のために、たとえば特開昭６１−１５２０
５１号公報に記載されているように、一つのタブに複数
の放熱フィンを設け、この放熱フィンをパラゲージ外に
突出させ、これによって熱を速やかに外部に放散する構
造が開示されている。また、この文献には、前記放熱フ
ィンの外端は他の放熱板に接着された図も開示され°ζ
いる。Semiconductor devices such as ICs (integrated circuits) and LSIs (large scale integrated circuits) generate a large amount of heat when they operate. Therefore, in order to operate the semiconductor device stably, it is necessary to effectively dissipate the heat generated by the chip inside the package to the outside. In order to improve the heat dissipation effect, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-1520
As described in Japanese Patent No. 51, a structure is disclosed in which one tab is provided with a plurality of heat dissipating fins, the heat dissipating fins are made to protrude outside the paragauge, and thereby heat is rapidly dissipated to the outside. Additionally, this document also discloses a diagram in which the outer end of the heat dissipation fin is glued to another heat dissipation plate.
There is.
〔発明が解決しようとする課題］
半導体装置におＬＪる熱放散を図るために、これは公知
とされた技術ではないが、本出願人は第４図に示される
形状のリードフレームを開発している。このリードフレ
ーム１は、低熱抵抗パッケージ用リードフレームであっ
て、放熱フィンがパッケージから突出する形状のもので
ある。また、この放熱フィンの先端面およびリートの外
端面にも、実装時のソルダビリティ向上のためにメッキ
が施されてなるものである。[Problem to be Solved by the Invention] In order to dissipate heat from LJ in a semiconductor device, the applicant has developed a lead frame having the shape shown in FIG. 4, although this is not a publicly known technique. ing. This lead frame 1 is a lead frame for a low thermal resistance package, and has a shape in which radiation fins protrude from the package. Furthermore, the tip end surface of the heat dissipation fin and the outer end surface of the REET are also plated to improve solderability during mounting.
以−ド、リードフレー１． ］について簡単に説明する
。リードフレーム１は、その概要を説明すると、一対の
相互に平行に延在する外枠２と、これら外枠２を一定間
隔で連結するタイバー３と、前記タイバー３の中間部分
を連結しかつ前記外枠２に平行に延在する内枠４とから
なる枠構造となっている。そして、単位リードパターン
５は、隣接する一対のタイバー３と、内枠４および一方
の外枠２とによって構成される矩形部分に形成されてい
る。Below, lead frame 1. ] will be briefly explained. To explain the outline of the lead frame 1, a pair of outer frames 2 extending parallel to each other, tie bars 3 connecting these outer frames 2 at regular intervals, and connecting intermediate portions of the tie bars 3 and connecting the outer frames 2 with each other at regular intervals, It has a frame structure consisting of an outer frame 2 and an inner frame 4 extending parallel to it. The unit lead pattern 5 is formed in a rectangular portion constituted by a pair of adjacent tie bars 3, an inner frame 4, and one outer frame 2.
また、これら各単位り−トパターン５はｖ１接する単位
リートパターン５の変形や外力等による影響で変形しな
いように、前記タイバー３にあっては、その中央に沿っ
て略全長に亘って空隙（スリット）６が設けられている
。また、同様の理由から、隣接するタイバー３間の内枠
４には、その中央に沿って部分的に空隙（スリン１−）
７．８が設りられている。In addition, in order to prevent each of these unit liet patterns 5 from being deformed due to deformation of the unit lied pattern 5 in contact with v1 or the influence of external force, the tie bar 3 is provided with a void ( A slit) 6 is provided. In addition, for the same reason, the inner frame 4 between adjacent tie bars 3 has a gap (surin 1-) partially along the center thereof.
7.8 is set.
前記単位り一トパターン５は幅が広い幅広片９リード川
０．タム１１および食い込め片１２とからなっている。The unit pattern 5 has a wide wide piece 9 lead river 0. It consists of a tom 11 and a biting piece 12.
前記幅広パ９は単位リードパターン５の中央に位置し、
かつ前記外枠２に平行に延在している。この幅広片９は
中央部分がＩＣチップを固定するためのタブ１３となる
とともに、前記外枠２に沿う方向の両端部分は放熱フィ
ン１４となっている。この幅広片９の両端、すなわち放
熱フィン１４の先端は前記タイバー３に接触することな
く近接している。これは、前記放熱フィン１４の先端面
にもメッキ膜を設けることによる。The wide pad 9 is located at the center of the unit lead pattern 5,
and extends parallel to the outer frame 2. The wide piece 9 has a central portion serving as a tab 13 for fixing an IC chip, and both end portions in the direction along the outer frame 2 serve as radiation fins 14. Both ends of this wide piece 9, that is, the tips of the radiation fins 14, are close to the tie bar 3 without contacting them. This is because a plating film is also provided on the tip surface of the heat dissipation fin 14.
また、前記幅広片９には部分的に小孔１５が設けられて
いる。Further, the wide piece 9 is partially provided with small holes 15.
前記リー１” Ｉ Ｏは前記幅広片９の両側にそれぞれ
配設されている。リード１０は、一対のタイバー３の近
傍から外枠２に平行に延在し、途中で屈曲して前記タブ
１３の近傍にまで延在している。The leads 1"IO are arranged on both sides of the wide piece 9. The leads 10 extend parallel to the outer frame 2 from near the pair of tie bars 3, and are bent in the middle to form the tabs 13. It extends to the vicinity of.
また、前記ダＪ、ゴーは前記内枠４と外枠２間を結びか
つ前記タイバー３に平行に延在する２直線ヒに並んでい
る。これらダム１１は各リード１０の外端部分および放
熱フィン１４部分を連結するようになっている。したが
って、前記幅広片９およびリード１０は、このダム１１
によって支持されることになる。このリード１０は、パ
ンケージ形成時に行なわれるトランスファモールドケー
ジを形成するためにモールド型のキャビティに注入され
たレシンの流出を阻止する役割を果たず。なお、前記ダ
ム１１から外側（外端部分）のリード部分をアラターリ
−１２０と称し、ダム１１から内側（内端部分）のり−
１部分をインナリーｌ−２１と称する。前記アウターリ
ート２０の先端（外端）が、前記タイバー３に接続され
ろことなく近接しているのは、前記放熱フィン１４の先
端と同様にアウターリート２０の先端面にまでメッキが
設けられ、実装時、アウターリート２０や放熱フィン１
４の先端部分が＝１１田に濡れ、確実に実装が行なわれ
るようにするためである。Further, the da J and go are lined up in two straight lines that connect the inner frame 4 and the outer frame 2 and extend parallel to the tie bar 3. These dams 11 connect the outer end portion of each lead 10 and the radiation fin 14 portion. Therefore, the wide piece 9 and the lead 10 are connected to this dam 11.
will be supported by. This lead 10 does not serve to prevent the resin injected into the mold cavity for forming the transfer mold cage from flowing out during the formation of the pan cage. Note that the lead part on the outside (outer end part) from the dam 11 is called an inner lead part 120, and the lead part in the inner part (inner end part) from the dam 11 is called an inner lead part.
One portion is referred to as inner l-21. The reason why the tip (outer end) of the outer reit 20 is close to the tie bar 3 without being connected to it is because plating is provided on the tip surface of the outer reit 20 similarly to the tip of the heat dissipation fin 14. When mounting, outer leat 20 and heat dissipation fin 1
This is to ensure that the tip portion of 4 is wetted to 11 to ensure that the mounting is carried out reliably.
前記食い込み片】２は、前記外枠２および内枠４の内側
に閉したループを形成するように設けられている。この
食い込み片１２は単位リー１”バクン５の中心に対して
点対称に設のられている。The biting piece 2 is provided so as to form a closed loop inside the outer frame 2 and the inner frame 4. This biting piece 12 is provided point-symmetrically with respect to the center of the unit 1" back 5.
なお、前記内枠４に対し゛Ｃ上下の単位りーｌ−パター
ン５は線対称となっている。In addition, with respect to the inner frame 4, the unit reel patterns 5 above and below C are line symmetrical.
リードフレーム１は上述のような上下の単位リードパタ
ーン５が、前記外枠２の延在方向に繰り返して連続的に
現れるパターンを有する短冊体となっている。The lead frame 1 is a strip having a pattern in which the above-mentioned upper and lower unit lead patterns 5 appear repeatedly and continuously in the extending direction of the outer frame 2.
このようなり＝トフレーム１は、前記幅広片９の中央の
タブ１３にＩＣチップ２２が固定されるとともに、ごの
ＩＣチップ２２の電極と対応するり一ド１０のインナー
リード２１部分はワイヤ２３で電気的に接続され、かつ
トランスファモールドによってモールドされて二点鎖線
で示されるようなパンケージ２４が形成される。このパ
ッケージ２４ば、前記り−１−１０のインナーリード２
１幅広片９のタブ１３１食い込み片１２の先端部分を被
う。そこで、モールド後は、前記パッケージ２４から露
出するアウターリード２０を繋くダム１１は切断除去さ
れるとともに、食い込み片１２はパッケージ２４のイ」
げ根部分で切断される。さらに、前記パッケージ２４か
ら突出するアラターリ−１；２０および放熱フィン１４
は所望の形状に成形され、所望リード構造の半導体装置
が製造されることになる。In the frame 1 as described above, the IC chip 22 is fixed to the center tab 13 of the wide piece 9, and the inner lead 21 of the lead 10 corresponding to the electrode of each IC chip 22 is connected to the wire 23. The pan cage 24 is electrically connected to the pan cage 24 and is molded by transfer molding to form a pan cage 24 as shown by the two-dot chain line. This package 24 is the inner lead 2 of above-1-10.
1. The tab 131 of the wide piece 9 covers the tip of the biting piece 12. Therefore, after molding, the dam 11 connecting the outer leads 20 exposed from the package 24 is cut and removed, and the biting piece 12 is removed from the inside of the package 24.
It is cut at the root. Further, an altar 1; 20 and a radiation fin 14 protruding from the package 24
is molded into a desired shape, and a semiconductor device with a desired lead structure is manufactured.
ところで、このような形状のリートフレー１．１は、パ
ンゲージ絹立後の後工程でり−１・′フレーム】が変形
し、搬送トラブルが発生ずる場合もあることが判明した
。ずなわら、この形状のり＝トフレーム１にあっては、
幅広片９およびり−１” １０はダム１１を介して外枠
２および内枠４に支持されているだｉＪであることから
、リードフレーム１が一枚の状態、換言するならば、リ
ードフレーム１が平坦であるチップボンディングやワイ
ヤホンディングのときは特に支障はないが、パッケージ
後では、パ・７ケージはり−Ｉ・フレーム１の」二面の
みならず下面側にも設りられるごとから、搬送姿勢が悪
かったりすると、下方に突出したバソゲジ部分が搬送ス
テージの不所望な部分に当接等して、タイバー３がその
外力によってパッケージ２４から月（れてり−トフレー
ム１が変形し、これによりリードフレーム１の１般送が
円滑に行なわれなくなることがある。By the way, it has been found that with such a shape of the leaf frame 1.1, the frame may be deformed in the post-process after the pan gauge is formed, causing transportation troubles. Of course, in this shape glue = frame 1,
Since the wide piece 9 and the beam 10 are supported by the outer frame 2 and the inner frame 4 via the dam 11, the lead frame 1 is in one piece, in other words, the lead frame There is no particular problem when performing chip bonding or wire bonding where 1 is flat, but after packaging, it is necessary to install the 7 cage beams not only on the 2 sides of frame 1 but also on the bottom side. If the conveyance posture is bad, the downwardly protruding base gauge part may come into contact with an undesired part of the conveyance stage, and the external force of the tie bar 3 may cause the package 24 to deform. As a result, the general feeding of the lead frame 1 may not be carried out smoothly.
本発明の目的は、リードフレームの枠片の変形が生じ難
いリードフレームを提供することにある。An object of the present invention is to provide a lead frame in which frame pieces of the lead frame are less likely to be deformed.
本発明の前記ならひにそのほかのＬＩ的と新規な特徴は
、本明細書の記ｉホおよび添付図面からあきらかになる
であろう。The above-mentioned and other unique and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、本発明のリードフレームは矩形枠状の枠体と
、この枠体の中央に位置しかつ中央がＩＣチップを固定
するタブとなるとともに両端部分が放熱フィンとなる幅
広長方形の幅広片と、この幅広片の両側に配設されかつ
各側方でそれぞれ対面するように、配列された１群のリ
ードと、両端が前記枠体の一対の枠片にそれぞれ連結さ
れかつ相互に平行となる線上に並ぶダムと、からなり、
前記ダムはそれぞれ幅広片の放熱フィン部分およびリー
ドの外端部分を貫くように相互に連結し、放熱フィンお
よびリードを支持している。また、前記幅広片は両端の
放熱フィンの中央部分に設けられた細い接続部を介して
枠体の枠片に連結されている。このリードフレームは、
実装時のソルダビリティ向」二のために、リードの外端
および放熱フィンの中央部分を除く先端面は前記枠片に
接続されずに離れていて、メッキが施されている。That is, the lead frame of the present invention includes a rectangular frame-like frame body, a wide rectangular piece located at the center of the frame body, the center of which serves as a tab for fixing an IC chip, and both end portions serve as heat dissipation fins; A group of leads are arranged on both sides of the wide piece and are arranged so as to face each other on each side, and both ends of the leads are connected to the pair of frame pieces of the frame body, and are connected to each other on lines that are parallel to each other. It consists of dams lined up in
The dams are connected to each other so as to pass through the radiating fin portion of the wide piece and the outer end portion of the lead, and support the radiating fin and the lead. Further, the wide piece is connected to the frame piece of the frame body via a thin connection part provided at the center of the heat dissipation fins at both ends. This lead frame is
In order to improve solderability during mounting, the outer ends of the leads and the tip surfaces of the radiation fins except for the central portion are not connected to the frame piece but are separated and plated.
」１記した手段によれば、本発明のり一ドフレムは、リ
ードの外端および幅広片の両端の放熱フィンの中央部を
除く端面が枠片に連結されずに離れているので、この端
面にメッキを被着することができるため、実装時のソル
ダビリティか良好となる。また、幅広片の両端の放熱フ
ィンの端面中央部は、細い接続部を介して枠片に連結さ
れていることから、変形に対する強度が強くなり、たと
えばリードフレームの要部がレジンによってパンケージ
された後、ソー１ζフレームの搬送時、前記パッケージ
に外力が加わっζも、このパッケージは前記接続部を介
して枠片に連結されているため、リードフレームの変形
は起きず、リードフレームの変形に伴う搬送不良は起き
難くなる。According to the means described in ``1'', the glued frame of the present invention has the end surfaces other than the outer ends of the leads and the center portions of the radiation fins at both ends of the wide piece, which are not connected to the frame piece and are separated from each other. Since plating can be applied, solderability during mounting is good. In addition, the central part of the end face of the heat dissipation fins at both ends of the wide piece is connected to the frame piece through a thin connection part, which increases the strength against deformation.For example, the main part of the lead frame is pancaged with resin. After that, even if an external force is applied to the package when transporting the saw 1ζ frame, the package is connected to the frame piece through the connection part, so the lead frame does not deform. Transport defects are less likely to occur.
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例によるリードフレームの一部
を示す平面図、第２図は同じくチップボンディングおよ
びワイヤボンディングされたリードフレームの一部を示
す平面図、第３図は本発明のリードフレームを用いて製
造された半導体装置および配線基板を示す模式的斜視図
である。FIG. 1 is a plan view showing a part of a lead frame according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a part of the lead frame which is also chip-bonded and wire-bonded, and FIG. FIG. 2 is a schematic perspective view showing a semiconductor device and a wiring board manufactured using a lead frame.
この実施例では、パワーＳ ＯＰ （Ｓｎ＋ａｌｌＯｕ
ｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）用のリードフレームに本
発明を適用した例について説明する。In this example, the power S OP (Sn+allOu
An example in which the present invention is applied to a lead frame for tline package will be described.
このリードフレーム１は、第１図に示されるような形状
のリードフレーム１において、前記幅広片９の両端部分
の放熱フィン１４の端面中央部に細い接続部３０を設け
、この接続部３０をリードフレーム１の枠体の枠片であ
るタイバー３に連結させた形状となっている。これによ
り、前記タイバー３と幅広片９は接続部３０を介して連
結されるため、機械的強度の向上が図れる。This lead frame 1 has a shape as shown in FIG. 1, and has a thin connecting portion 30 provided at the center of the end face of the radiation fins 14 at both ends of the wide piece 9, and this connecting portion 30 is connected to the lead frame 1. It has a shape connected to a tie bar 3, which is a frame piece of the frame body of the frame 1. Thereby, the tie bar 3 and the wide piece 9 are connected via the connecting portion 30, so that mechanical strength can be improved.
以下、第１図および第２図を参照して本発明のリードフ
レーム１について説明する。The lead frame 1 of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.
リードフレーム１ば、一対の相互に平行に延在する外枠
２と、これら外枠２を一定間隔で連結するタイバー３と
、前記タイバー３の中間部分を連結しかつ前記外枠２に
平行に延在する内枠４とからなる枠構造となっている。A lead frame 1 includes a pair of outer frames 2 that extend parallel to each other, tie bars 3 that connect these outer frames 2 at regular intervals, and a tie bar 3 that connects the intermediate portions of the tie bars 3 and extends parallel to the outer frame 2. It has a frame structure consisting of an extending inner frame 4.
そして、単一製品（パワー５ＯＰ）は前記外枠２．内枠
４および隣り合うタイバー３によって形成される矩形部
分に形成される単位ツー１−パターン５を使用して製造
される。前記リードフレーム１において、前記内枠４に
対して上下の単位リードパターン５は線対称となってい
る。そして、リードフレーム１は、前記の上下の単位リ
ードパターン５が、前記外枠２の延在方向に繰り返して
現れるパターンとなり、短冊体となっている。また、前
記各単位り一１パターン５は隣接する単位リートパター
ン５の変形や外力等による影響で変形しないように、前
記タイバー３にあっては、その中央に沿って略全長に亘
って空隙（スリット）６が設けられている。また、同様
の理由から、隣接するタイバー３間の内枠４には、その
中央に沿って部分的に空隙（スリット）７，８が設ｉＪ
られている。The single product (power 5 OP) is the outer frame 2. It is manufactured using a unit two-pattern 5 formed in a rectangular portion formed by an inner frame 4 and adjacent tie bars 3. In the lead frame 1, the upper and lower unit lead patterns 5 are line-symmetrical with respect to the inner frame 4. The lead frame 1 has a pattern in which the above-mentioned upper and lower unit lead patterns 5 appear repeatedly in the extending direction of the outer frame 2, and has a strip shape. Further, in order to prevent each unit pattern 5 from being deformed due to deformation of the adjacent unit REIT pattern 5 or the influence of external forces, the tie bar 3 is provided with a void ( A slit) 6 is provided. Also, for the same reason, gaps (slits) 7 and 8 are partially provided in the inner frame 4 between adjacent tie bars 3 along the center thereof.
It is being
単位リードパターン５は、隣接する一対のクイバー３と
、内枠４および一方の外枠２からなる各枠片３１による
枠構造（枠体３２）となっている。The unit lead pattern 5 has a frame structure (frame body 32) consisting of a pair of adjacent quivers 3, each frame piece 31 consisting of an inner frame 4 and one outer frame 2.
今、説明の便宜上、前記枠片３１において、タイバー３
部分を辺Ａと称し、一方の外枠２および内枠４の部分を
辺Ｂと称することにする。単位り−ドバクーン５は前記
枠体３２の中央部に位置する幅広片９と、この幅広片９
の両側にそれぞれ位置する複数のり一部１０と、前記辺
Ａの近傍でかつ辺Ａに平行に延在するダム１１と、辺Ｂ
の中間部分に設けられた食い込み片１２とを有している
。Now, for convenience of explanation, in the frame piece 31, the tie bar 3
The portion will be referred to as side A, and the portion of one outer frame 2 and inner frame 4 will be referred to as side B. The unit unit dobacoon 5 includes a wide piece 9 located in the center of the frame body 32, and this wide piece 9.
a plurality of glue portions 10 located on both sides of the side A, a dam 11 extending in the vicinity of the side A and parallel to the side A, and a side B
It has a biting piece 12 provided in the middle part of the.
前記幅広片９は単位リードパターン５の中央に位置し、
かつ前記外枠２（辺Ｂ）に平行に延在している。この幅
広片９は中央部分がＩＣチップを固定するためのタブ１
３となるとともに、両端部分は放熱フィン１４となって
いる。ごの幅広片９の両端、ずなわち放熱フィン１４の
先端は前記タイバー３に接触することなく近接している
。これは、前記放熱フィン１４の先端面にもメンキ膜を
設けることによる。また、前記幅広片９には部分的に小
孔１５が設けられている。The wide piece 9 is located at the center of the unit lead pattern 5,
and extends parallel to the outer frame 2 (side B). This wide piece 9 has a tab 1 in the center for fixing the IC chip.
3, and both end portions are radiation fins 14. Both ends of the wide piece 9 of the iron, that is, the tips of the heat radiation fins 14 are close to the tie bar 3 without contacting them. This is because a coating film is also provided on the tip surface of the heat dissipation fin 14. Further, the wide piece 9 is partially provided with small holes 15.
前記リード１０は前記幅広片９の両側にそれぞれ配設さ
れている。リード１０は、一対のタイバ３（辺Ａ）の近
傍から外枠２（辺Ｂ）に平行に延在し、途中で屈曲して
前記タブ１３の近傍にまで延在している。また、前記ダ
ム１１は前記内枠４と外枠２間を結びかつ前記タイバー
３に平行に延在する２直線」二に並んでいる。これらダ
ム１１は各リード１０の外端部分および放熱フィン１４
部分を連結するようになっている。したがって、前記幅
広片９およびリート′１０は、このダム１１によって支
持されることになる。このリード１０は、パッケージ形
成時に行なわれるトランスファモールＦ時、パッケージ
を形成するためにモールド型のキャビティに注入された
レジンの流出を阻止する役割を果たす。なお、前記ダム
１１から外側（外端部分）のリード部分をアウターリー
ド２０と称し、ダム１１から内側（内端部分）のりド部
分をインナーリード２１と称する。前記アウターリード
２０の先端（外端）が、前記タイバー３（辺Ａ）に接続
されることなく近接しているのは、前記放熱フィン１４
の先端と同様にアウターリート２０の先端面にまでメッ
キが設けられ、実装時、アウターリート２０や放熱フィ
ン１４の先端部分が半田に濡れ、確実に実装が行なわれ
るようにするためである。The leads 10 are arranged on both sides of the wide piece 9, respectively. The lead 10 extends parallel to the outer frame 2 (side B) from near the pair of tie bars 3 (side A), bends in the middle, and extends near the tab 13. Further, the dams 11 are arranged in two straight lines connecting the inner frame 4 and the outer frame 2 and extending parallel to the tie bars 3. These dams 11 are located at the outer end portions of each lead 10 and at the radiation fins 14.
It is designed to connect parts. Therefore, the wide piece 9 and the leat '10 are supported by this dam 11. This lead 10 serves to prevent the resin injected into the mold cavity for forming the package from flowing out during transfer molding F performed during package formation. Note that the lead portion outside (outer end portion) from the dam 11 is referred to as an outer lead 20, and the lead portion inside (inner end portion) from the dam 11 is referred to as an inner lead 21. The tip (outer end) of the outer lead 20 is close to the tie bar 3 (side A) without being connected to the radiation fin 14.
This is to ensure that the tip end surface of the outer leat 20 and the heat dissipation fin 14 are wetted with solder during mounting, and that the fins 14 and 20 are plated to ensure that the fins 20 and radiating fins 14 are mounted with solder.
前記食い込み片１２は、前記外枠２および内枠４の内側
に閉したループを形成するように設けられている。この
食い込み片１２は単位リードバタン５の中心に対して点
対称に設りられている。The biting piece 12 is provided so as to form a closed loop inside the outer frame 2 and the inner frame 4. This biting piece 12 is provided point-symmetrically with respect to the center of the unit lead button 5.
また、これが本発明の特徴の一つであるが、前記幅広片
９の両端中央部、すなわち放熱フィン１４の先端（外端
）中央部は幅０．５ｍｍ以下となる細い接続部３０を介
してタイバー３（辺Ａ）に接続されている。これによっ
て、放熱フィン１４の先端面の殆んどの領域にメッキ膜
を設けることができるとともに、幅広片９とタイバー３
（辺Ａ）との位置関係を常に一定に保つことができるよ
うになる。すなわち、前記幅広片９とクイバ３を接続部
３０で連結する構造は、リードフレームの変形抑止の補
強構造となる。Moreover, this is one of the features of the present invention, in which the central portions of both ends of the wide piece 9, that is, the central portions of the tips (outer ends) of the radiation fins 14, are connected via thin connecting portions 30 having a width of 0.5 mm or less. It is connected to tie bar 3 (side A). As a result, it is possible to provide a plating film on most of the area of the tip surface of the heat dissipation fin 14, and also to provide a plating film on the wide piece 9 and the tie bar 3.
The positional relationship with (side A) can always be kept constant. That is, the structure in which the wide piece 9 and the quiver 3 are connected through the connecting portion 30 serves as a reinforcing structure for suppressing deformation of the lead frame.
このようなり−トフレーム１は、第２図に示されるよう
に、半導体装置の製造において、最初に前記幅広片９の
中央のタブ１３にＩＣチップ２２が固定される。つぎに
、このＩＣチップ２２の電極と、これに対応するり一部
１０のインナーリド２１部分はワイヤ２３で電気的に接
続される。As shown in FIG. 2, in the manufacture of a semiconductor device, such a flat frame 1 is used, in which an IC chip 22 is first fixed to the central tab 13 of the wide piece 9. Next, the electrodes of this IC chip 22 and the corresponding inner lid 21 portion of the portion 10 are electrically connected by wires 23.
つぎに、１−ランスファモールｌによってモールドされ
て二点鎖線で示されるようなパッケージ２４が形成され
る。このパッケージ２４は、前記り−ト１０のインナー
リード２］、幅広片９のタブ１３、食い込み片１２の先
端部分を被う。その後、前記パッケージ２４から露出す
るアウターリート２０を繋くダム１１は切断除去される
とともに、食い込み片１２はパンケージ２４の付は根部
分で切断され、さらに、前記パッケージ２４から突出す
るアウターリード２０および放熱フィン１４は所望の形
状に成形され、第３図に示されるように、所望リード構
造の半導体装置３３が製造されることになる。Next, a package 24 as shown by the two-dot chain line is formed by molding with 1-lance famol l. This package 24 covers the inner lead 2 of the seat 10, the tab 13 of the wide piece 9, and the tip of the biting piece 12. Thereafter, the dam 11 connecting the outer lead 20 exposed from the package 24 is cut and removed, the biting piece 12 is cut at the base of the pan cage 24, and the outer lead 20 and the outer lead 20 protruding from the package 24 are cut off. The radiation fins 14 are molded into a desired shape, and as shown in FIG. 3, a semiconductor device 33 having a desired lead structure is manufactured.
この半導体装置３３、ずなわちＳＯＰパッケージは、第
３図に示されるように、配線基板３４に面イ」ジノ法に
て実装される。各リード１０は一部図示する配線層３５
に図示しない半田で接続される。This semiconductor device 33, that is, the SOP package, is mounted on a wiring board 34 by a surface die-cut method, as shown in FIG. Each lead 10 is connected to a wiring layer 35, which is partially illustrated.
It is connected with solder (not shown).
また、放熱フィン１４の先端も放熱を兼ねる配線層３５
に図示しない半田を介して接続される。Further, the tip of the heat dissipation fin 14 also has a wiring layer 35 which also serves as heat dissipation.
is connected to via solder (not shown).
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。According to such an embodiment, the following effects can be obtained.
（１）本発明のリードフレームは、タイバーと幅広片の
一部が接続部によって連結されていることから機械的に
補強されため、外力が加わっても変形し難くなるという
効果が得られる。(1) The lead frame of the present invention is mechanically reinforced because the tie bar and a portion of the wide piece are connected by the connecting portion, so that the lead frame is less likely to deform even when external force is applied.
（２）上記（１）により、本発明のリードフレームは、
接続部の存在によってフレームの強度が高くなるため、
半導体装置の製造において、リードフレームの表裏面に
亘って設けられたパッケージに外力が加わってもリード
フレームが変形し難くなることから、リードフレームは
引っ掛かったりすることなく作業テーブル」−を進み、
機械の稼働率が低下したり、リードが曲がる等の不良発
生が抑止できるという効果が得られる。(2) According to (1) above, the lead frame of the present invention:
The presence of connections increases the strength of the frame;
In the manufacture of semiconductor devices, the lead frame is difficult to deform even if an external force is applied to the package provided on the front and back surfaces of the lead frame, so the lead frame can move on the work table without getting caught.
This has the effect of suppressing the occurrence of defects such as a decrease in the operating rate of the machine and bending of the leads.
（３）本発明のリードフレームは、リードの外端面およ
び放熱フィンの外端面の中央の極一部を除く領域がクイ
バーに接続されず離れていることから、これらの端面に
もメッキ膜を設りることができるため、半導体装置を組
み立てた後の実装時、ソルダビリティが良好となり、確
実な面実装が行えるという効果が得られる。(3) In the lead frame of the present invention, since the outer end surfaces of the leads and the outer end surfaces of the heat dissipation fins are separated from the quiver and are not connected to the quiver except for a very small part of the center, a plating film is also provided on these end surfaces. Therefore, when the semiconductor device is assembled and then mounted, the solderability is good and surface mounting can be performed reliably.
（４）上記（１）〜（３）により、本発明によれば、半
導体装置の製造時生産性が高くかつ実装の際のソルダビ
リティを向上できるリードフレームを提供することがで
きるという相乗効果が得られる。(4) According to (1) to (3) above, the present invention has a synergistic effect of being able to provide a lead frame that has high productivity during semiconductor device manufacturing and improves solderability during mounting. can get.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＳＯ場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、他の構造の
半導体装置の製造用のリードフレームにも同様に適用で
きる。In the above explanation, the invention made by the present inventor has mainly been explained in the case of SO, which is the field of application behind the invention. can be similarly applied.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
本発明のリードフレームは、リードの外端および幅広片
の両端の放熱フィンの中央部を除く端面が枠片に連結さ
れずに離れているので、端面にメッキをイ（］りるごと
ができ、実装時のソルダビリティが向」二するとともに
、半導体装置製造時は幅広片の両端の放熱フィンの端面
中央部が接続部を介して枠片に連結されていることから
、パッケージに外力が加わっても、リードフレームの変
形が起きず、リードフレームの変形に伴う１般送不良は
起き難くなる。したがって、本発明によれば、半導体装
置の生産性が向上するとともに、実装歩留りの高い半導
体装置を提供することができる。In the lead frame of the present invention, the end faces other than the outer ends of the leads and the center portions of the heat dissipation fins at both ends of the wide piece are not connected to the frame piece and are separated, so that plating can be applied to the end faces. In addition to improving solderability during mounting, when manufacturing semiconductor devices, external forces are not applied to the package because the center of the end face of the heat dissipation fins at both ends of the wide piece is connected to the frame piece via the connection part. Therefore, according to the present invention, the productivity of semiconductor devices is improved, and the semiconductor devices with a high mounting yield can be manufactured. can be provided.
第１図は本発明の一実施例にょろり一１フレムの一部を
示す平面図、
第２図は同じくチップボンディングおよびワイヤボンデ
ィングされたリードフレームの−・部を示す平面図、
第３図は本発明のリードフレーＪ、を用いて製造された
半導体装置および配線基板を示す模式的斜視図、
第４図は本出願人の開発によるリードフレームを示す平
面図である。
■・・・リードフレーム、２・・・外枠、３・・・タイ
ツ＼−４・・・内枠、５・・・単位リードフレーン、６
，７．８・空隙、９・・幅広片、］Ｏ・・・リーｌ、１
１ ダＪ・、１２・・・食い込み片、１３・・・タブ、
］４・・・放熱フィン、１５・・・小孔、２０・・・ア
ウターリード、２】インナーリード、２２・・・ＩＣチ
ップ、２３・・ワイヤ、２４・・・パッケージ、３０・
・・接続部、３］・・枠片、３２・・・枠体、３３・半
導体装置、３４・・配線基板、３５・・・配線層。Fig. 1 is a plan view showing a part of a frame of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view showing a portion of the lead frame which is also chip-bonded and wire-bonded, and Fig. FIG. 4 is a schematic perspective view showing a semiconductor device and a wiring board manufactured using the lead frame J of the present invention. FIG. 4 is a plan view showing a lead frame developed by the present applicant. ■...Lead frame, 2...Outer frame, 3...Tights\-4...Inner frame, 5...Unit lead frame, 6
, 7.8・Gap, 9・・Wide piece, ]O・・Lee l, 1
1 DaJ・, 12... biting piece, 13... tab,
]4...Radiation fin, 15...Small hole, 20...Outer lead, 2] Inner lead, 22...IC chip, 23...Wire, 24...Package, 30...
. . . Connection portion, 3] . . . Frame piece, 32 . . . Frame body, 33 . Semiconductor device, 34 .
Claims (1)
設されたリードフレームであって、前記単位リードパタ
ーンは枠片が辺Ａと辺Ｂとからなる矩形状の枠体と、前
記枠体の中央に位置するとともに対面する一対の枠片の
辺Ａの近傍にまで両端が延在しかつ中央部分がタブとな
り両端部分が放熱フィンとなる幅広片と、前記枠片の辺
Ａの近傍に外端を臨ませるとともに外端部分は前記枠片
の辺Ｂに平行に延在しかつ内端は前記タブ近傍に延在す
る複数のリードと、前記一対の枠片の辺Ｂ間に亘って設
けられるとともに前記リードの外端部分および放熱フィ
ン部分を貫くように連結するダムと、前記幅広片の両端
部分と前記枠片の辺Ａを連結する細い接続部とを有する
ことを特徴とするリードフレーム。 ２、相互に隣接する単位リードパターン間の枠片の辺Ａ
または辺Ｂはその中央に沿って少なくとも部分的に空隙
が設けられ応力に対して変形可能に構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のリードフレー
ム。 ３、前記リードおよび幅広片の外端面を含む単位リード
パターン面はメッキが施されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載のリードフレーム
。[Scope of Claims] 1. A lead frame in which a plurality of unit lead patterns are arranged in at least one row, the unit lead pattern having a rectangular frame whose frame pieces are composed of sides A and B; a wide piece located at the center of the frame body and having both ends extending to the vicinity of side A of a pair of frame pieces facing each other, with a central portion serving as a tab and both end portions serving as radiation fins; and side A of the frame piece. The outer end portion extends parallel to the side B of the frame piece, and the inner end extends between the plurality of leads extending near the tab and the side B of the pair of frame pieces. and a dam that extends through and connects the outer end portion of the lead and the radiation fin portion, and a thin connecting portion that connects both end portions of the wide piece and side A of the frame piece. lead frame. 2. Side A of the frame piece between mutually adjacent unit lead patterns
2. The lead frame according to claim 1, wherein the side B has a gap provided at least partially along the center thereof and is configured to be deformable in response to stress. 3. The lead frame according to claim 1 or 2, wherein the unit lead pattern surface including the outer end surface of the lead and the wide piece is plated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104448A JP2754236B2 (en) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104448A JP2754236B2 (en) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02284456A true JPH02284456A (en) | 1990-11-21 |
| JP2754236B2 JP2754236B2 (en) | 1998-05-20 |
Family
ID=14380918
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP1104448A Expired - Lifetime JP2754236B2 (en) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2754236B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200806A (en) * | 1989-09-12 | 1993-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame having a plurality of island regions and a suspension pin |
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
Citations (3)
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| JPS6153752A (en) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Hitachi Ltd | Lead frame |
| JPS63207161A (en) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Toshiba Corp | Manufacture of resin sealed type semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1104448A patent/JP2754236B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
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|---|---|
| JP2754236B2 (en) | 1998-05-20 |
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