JPH02278872A - Image sensor - Google Patents
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- JPH02278872A JPH02278872A JP1101156A JP10115689A JPH02278872A JP H02278872 A JPH02278872 A JP H02278872A JP 1101156 A JP1101156 A JP 1101156A JP 10115689 A JP10115689 A JP 10115689A JP H02278872 A JPH02278872 A JP H02278872A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＣＣＤカメラ等に用いる画像センサーに関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an image sensor used in a CCD camera or the like.
従来の画像センサーとしては、第７図に示す積層セラミ
ックパッケージ型の画像センサー９と第８図に示すサー
ディンプパッケージ型の画像センサー７とが知られてい
る。As conventional image sensors, a multilayer ceramic package type image sensor 9 shown in FIG. 7 and a sardine package type image sensor 7 shown in FIG. 8 are known.
上記第７図に示す画像センサー９は１画像センサーの基
板９０の上方周縁にセラミック枠体Ｙを積層し、該枠体
Ｙの下枠９１で囲まれる基板９０上にＣＣＤ （ｃｈａ
ｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）センサー
等の画像検出用のセンサーチップ８０を接着してなる。The image sensor 9 shown in FIG. 7 has a ceramic frame Y laminated on the upper periphery of a substrate 90 of one image sensor, and a CCD (cha
A sensor chip 80 for image detection such as a rge coupled device (coupled device) sensor is bonded to the sensor chip 80.
また、上記セラミック枠体Ｙは、上方に至るに従って順
に開口部が大きくなる。下枠９１．中枠９２．上枠９３
．最上枠９４を積層し、基板９０と一体的に焼結したも
のである。Further, in the ceramic frame Y, the opening portion becomes larger in order toward the top. Lower frame 91. Middle frame 92. Upper frame 93
．． The uppermost frame 94 is laminated and sintered integrally with the substrate 90.
そして、上記基板９０上のセンサーチップ８０は、下枠
９１上に設けた導体回路９６に、ワイヤー８１により電
気的に接続する。この接続は、ワイヤーボンディングに
より行っている。また、中枠９２上には、センサーチッ
プ８０上に設けたカラーフィルター８２の上方周縁部を
覆うように遮光板８３を載置、接着する。そして、上枠
９３上には、カバーガラス８４を！！置９接着する。ま
た、基板９０及び枠体Ｙの側面には、導体回路９６に接
続したリードフレーム９５を設ける。The sensor chip 80 on the substrate 90 is electrically connected to a conductor circuit 96 provided on the lower frame 91 by a wire 81. This connection is made by wire bonding. Further, a light shielding plate 83 is placed and bonded on the middle frame 92 so as to cover the upper peripheral edge of the color filter 82 provided on the sensor chip 80. Then, on top of the upper frame 93, there is a cover glass 84! ! Place 9 Glue. Furthermore, a lead frame 95 connected to a conductor circuit 96 is provided on the side surface of the substrate 90 and the frame body Y.
一方、第８図に示す画像センサー７は、セラミツク基板
７０の上方周縁にセラミックの枠体７７を載置すると共
に９両者の間にリードフレーム７５の上方部７５１を挟
持し、これらを低融点ガラスで接合したものである。そ
して、基板７０上には、センサーチップ８０を載置接着
する。そして。On the other hand, in the image sensor 7 shown in FIG. 8, a ceramic frame 77 is placed on the upper periphery of a ceramic substrate 70, and an upper part 751 of a lead frame 75 is sandwiched between them. It is joined by Then, a sensor chip 80 is placed and bonded onto the substrate 70. and.
該センサーチップ８０とリードフレーム７５の上方部７
５１との間は、ワイヤーボンディングによりワイヤー８
１を電気的に接続する。また、枠体７７上にはカバーガ
ラス８４を載置し接着する。Upper part 7 of the sensor chip 80 and lead frame 75
51 is connected to wire 8 by wire bonding.
1 electrically connected. Further, a cover glass 84 is placed and adhered onto the frame 77.
しかしながら、前記第７図に示した画像センサー９にお
いては、基板９０とセラミック枠体Ｙとの接合に当たっ
ては、基板９０上に前記の小さな下枠９１〜最上枠９４
の４段を順次積層し、これらを加熱焼成して一体的に焼
結している。そのため、セラミック焼成時の焼き縮みが
生じ、積層厚み１寸法に、２００〜３００／７ｍのバラ
ツキが発生する０周知の如（１画像センサーにおける前
記センサーチップ８０．遮光板８３の位置、高さなどの
寸法は、その互いの位置合わせの点から、正確でなけれ
ばならない。However, in the image sensor 9 shown in FIG. 7, when bonding the substrate 90 and the ceramic frame Y, the small lower frame 91 to the uppermost frame 94 are
The four layers are sequentially stacked and then heated and fired to sinter them into one piece. As a result, shrinkage occurs during firing of the ceramic, resulting in a variation of 200 to 300/7 m in one dimension of the laminated thickness. The dimensions must be accurate in terms of their mutual alignment.
そこで、従来は、上記焼成後に、研摩などにより９寸法
関係を調整していた。そのため、従来は。Therefore, conventionally, after the above-mentioned firing, the nine dimensional relationships were adjusted by polishing or the like. Therefore, traditionally.
位置合わせ作業が困難であり、また研摩等のためにコス
ト高となっている。Positioning work is difficult, and costs are high due to polishing and the like.
また、前記第８図に示した画像センサー７においては、
枠体７７は１つであり、また基板７０にガラス接合する
ものであるため、前記の画像センサー９のごとき小さな
枠を４段も積層し、焼成する等の作業もなく、コスト的
には安（なる、しかし、上記のごとく、基板７０．枠体
７７、リードフレーム７５をガラス接合する時に合わせ
ズレを生じ、これらの位置関係にバラツキを生ずる。Furthermore, in the image sensor 7 shown in FIG. 8,
Since there is only one frame 77 and it is glass-bonded to the substrate 70, there is no need to stack four layers of small frames like the image sensor 9 described above and to bake them, making it cheaper in terms of cost. (However, as mentioned above, when bonding the substrate 70, frame 77, and lead frame 75 with glass, misalignment occurs, causing variations in their positional relationship.
また、上記いずれの画像センサー９．７も、基板の上面
を枠体Ｙ又は７７で囲み、その凹所内にセンサーチップ
８０搭載するものであるから、センサーチップ８０の搭
載前においてこの凹所内に塵が溜まり易く、また洗浄に
よっても数ｇｍ程度の小さな塵を除去し切れない、かか
る塵は、センサーチップ８０にとって大赦であり２画像
検出精度を低下させる。In addition, in each of the image sensors 9.7 described above, the top surface of the substrate is surrounded by a frame body Y or 77, and the sensor chip 80 is mounted in the recess. Small particles of several gm cannot be removed even by cleaning, and such particles are harmful to the sensor chip 80 and reduce the accuracy of two-image detection.
また、前記いずれの画像センサー９．７も、センサーチ
ップと基板との間は、ワイヤーボンディングによるワイ
ヤー８１により接続している。そのため、該ワイヤー８
１により光が反射し１画像ノイズを生ずるおそれがある
。Further, in each of the image sensors 9.7, the sensor chip and the substrate are connected by a wire 81 by wire bonding. Therefore, the wire 8
1 may cause light to be reflected and cause 1 image noise.
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、基板とセンサー
チップとの間の位置合わせ等の製造工程が容易で、塵が
溜まらず、また光反射に基づくノイズの発生がない画像
センサーを提供しようとするものである。In view of these conventional problems, it is an object of the present invention to provide an image sensor in which the manufacturing process such as alignment between the substrate and the sensor chip is easy, dust does not accumulate, and noise does not occur due to light reflection. That is.
本発明は、基板に貫通孔を設け、該貫通孔の一方側の基
板の上にセンサーチップをフリップチップボンディング
により接続し、また貫通孔の他方側の基板、ｈもしくは
貫通孔内にはカバーガラスを配設したことを特徴とする
画像センサーにある。In the present invention, a through hole is provided in a substrate, a sensor chip is connected to the substrate on one side of the through hole by flip chip bonding, and a cover glass is placed on the substrate on the other side of the through hole or in the through hole. The image sensor is characterized by the following:
本発明において注目すべきことは、基板に貫通孔を設け
、センサーチップはフリップチップボンディングにより
基板に搭載したことにある。What should be noted in the present invention is that a through hole is provided in the substrate and the sensor chip is mounted on the substrate by flip chip bonding.
上記基板には、上記貫通孔の片面にセンサーチップをフ
リップチップボンディングするための。The substrate is provided with a sensor chip for flip-chip bonding to one side of the through hole.
半田バンブを形成する。そして、該半田バンブにセンサ
ーチップをフリップチップボンディングする。上記貫通
孔は、搭載すべきセンサーチップより若干小さい開口部
である。Form a solder bump. Then, a sensor chip is flip-chip bonded to the solder bump. The through hole is an opening slightly smaller than the sensor chip to be mounted.
また、上記カバーガラスは、はこり、温気等がセンサー
チップ内に侵入することを防止するためのものであり５
通常は透明なガラス、プラスチックス板を用いる。そし
て、該カバーグラスは、センサーチップの貫通孔側に配
設する。該配設は。In addition, the above-mentioned cover glass is used to prevent dust, hot air, etc. from entering the sensor chip.
Usually a transparent glass or plastic plate is used. The cover glass is placed on the through-hole side of the sensor chip. The arrangement is.
第１図に示すごとく基板上とすること、或いは。or on a substrate as shown in FIG.
センサーチップ直上とすることなどにより、センサーチ
ップの上方部に設ける。It is provided above the sensor chip, such as directly above the sensor chip.
また、上記のごとく搭載したセンサーチップの外方は、
エポキシ樹脂等により樹脂封止することが好ましい、ま
た、基板は、セラミック多孔体に樹脂を含浸させたセラ
コム（イビデン株式会社製）、アルミナ板等により構成
する。また、センサーチップとしては、ＣＣＤ型、ＭＯ
Ｓ型、ＣＰＤ型、ＳＩＴ型などがある。In addition, the outside of the sensor chip installed as above is
It is preferable to seal with an epoxy resin or the like, and the substrate is made of Ceracom (manufactured by IBIDEN Corporation), which is a ceramic porous body impregnated with resin, an alumina plate, or the like. In addition, as a sensor chip, CCD type, MO
There are S type, CPD type, SIT type, etc.
本発明の画像センサーにおいては、基板における貫通孔
の一方側にセンサーチップを、フリップチップボンディ
ングするので２両者は半田バンプを介して接合すれば良
く、基板とセンサーチップとの位置合わせが容易である
。In the image sensor of the present invention, the sensor chip is flip-chip bonded to one side of the through hole in the substrate, so the two only need to be joined via solder bumps, making it easy to align the substrate and the sensor chip. .
また１本発明では、上記のごとくフリップチップボンデ
ィングを行い、前記従来のごと（ワイヤーボンディング
による接続は行わないので、ワイヤーの光反射による画
像ノイズを生ずることがない、また、そのために遮光板
を省略することも可能である。In addition, in the present invention, flip-chip bonding is performed as described above, and unlike the conventional method (connection by wire bonding is not performed), image noise due to light reflection of the wire does not occur, and for this purpose, the light shielding plate is omitted. It is also possible to do so.
また、基板に貫通孔を設けているので、従来のごとく基
板上に塵が溜まることがない。Furthermore, since the substrate is provided with through holes, dust does not accumulate on the substrate as in the conventional case.
また、基板における貫通孔の一方側にセンサーチップを
、また該センサーチップの前記貫通側にカバーガラスを
配置するので、前記従来の画像センサーに比して、全体
の厚みを薄くすることもできる。即ち、従来は基板の一
方側のみにセンサーチップ、カバーガラスを配置してい
る（第７図第８図参照）ので１画像センサー全体が背の
高いものとなっているが２本発明ではリードビンが伸び
る基板裏面側にセンサーチップを設けるので画像センサ
ー全体が薄くなる。Furthermore, since the sensor chip is disposed on one side of the through hole in the substrate and the cover glass is disposed on the penetrating side of the sensor chip, the overall thickness can be made thinner than the conventional image sensor. That is, in the past, the sensor chip and cover glass were placed only on one side of the substrate (see Figures 7 and 8), making the entire image sensor tall, but in the present invention, the lead bin is Since the sensor chip is installed on the back side of the expanding substrate, the entire image sensor becomes thinner.
従って１本発明によれば２位置合わせ等の製造工程が容
易で２画像ノイズの発生がな（、また基板に塵の滞留も
ない、しかも薄型の画像センサーを提供することができ
る。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a thin image sensor in which the manufacturing process such as positioning is easy, image noise is not generated (and dust does not accumulate on the substrate), and the image sensor is thin.
第１実施例 本発明の実施例にかかる画像センサーにつき。 First example Regarding the image sensor according to the embodiment of the present invention.
第１図〜第５Ｄ図を用いて説明する。This will be explained using FIGS. 1 to 5D.
本例の画像センサー１は、第１図〜第３図に示すごとく
、基板１０に貫通孔１１を設け、該貫通孔１１の下方側
の基板ＩＯ上に、センサーチップ８０を、半田バンブ１
４を介してフリップチップボンディングにより接続し、
また貫通孔の上方側の基板ｌＯ上にはカバーガラス８４
を接着したものである。As shown in FIGS. 1 to 3, the image sensor 1 of this example has a through hole 11 in a substrate 10, and a sensor chip 80 is placed on the substrate IO below the through hole 11 using solder bumps 1.
Connected by flip chip bonding through 4,
In addition, a cover glass 84 is placed on the substrate lO above the through hole.
is glued together.
基板１０の上面には、第２図に示すごとく、カバーガラ
ス８４の配置部分の外側に、導体回路１３が設けられて
いる。基板ｌＯの下面には、第３図に示すごとく、セン
サーチップ８０の配置部分に半田バンブ１４が設けられ
、更に導体回路１２が設けられている。As shown in FIG. 2, a conductor circuit 13 is provided on the upper surface of the substrate 10 outside the area where the cover glass 84 is arranged. As shown in FIG. 3, a solder bump 14 is provided on the lower surface of the substrate 1O in the area where the sensor chip 80 is arranged, and a conductive circuit 12 is further provided.
上記フリ７プチツプボンデイングは、センサーチップ８
０の接点と、基板の導体回路端部に設けた半田バンブ１
４との間で行っている。また、第１図に示すごと＜、基
板１０の両側面にはリードフレーム１５を設け、基板１
０の両面に設けた導体回路１２．１３と電気的に接続す
る。また、センサーチップ８０の外側面は、エポキシ系
樹脂１６により樹脂封止する。The above Furi 7 bonding is done by sensor chip 8.
0 contact and solder bump 1 provided at the end of the conductor circuit of the board.
I am doing this between 4 and 4. Further, as shown in FIG. 1, lead frames 15 are provided on both sides of the substrate 10, and
It is electrically connected to conductor circuits 12 and 13 provided on both sides of 0. Further, the outer surface of the sensor chip 80 is sealed with an epoxy resin 16.
上記センサーチップ８０としては、ＣＣＤセンサーを、
基板１０としては前記セラコムを用いた。As the sensor chip 80, a CCD sensor is used.
As the substrate 10, the above Ceracom was used.
次に、上記画像センサー１を製造するに当たっては、第
４Ａ図〜第４Ｆ図に示す前工程と、第５Ａ〜第５Ｄ図に
示す搭載工程とを行なう。Next, in manufacturing the image sensor 1, a pre-process shown in FIGS. 4A to 4F and a mounting process shown in FIGS. 5A to 5D are performed.
上記前工程は、センサーチップ８０等を搭載する前の工
程で、まず第４図に示すごとく、セラコム製の基板１０
の両面に銅層１２０，１３０を設けた銅張積層板を準備
する。そして、第４Ｂ図に示すごとく、該基板１０の銅
層１２０，１３０をエツチング処理して導体回路１２．
１３を形成する（パターン形成）０次に第４Ｃ図に示す
ごとく。The above-mentioned pre-process is a process before mounting the sensor chip 80 etc., and as shown in FIG.
A copper-clad laminate having copper layers 120 and 130 on both sides is prepared. Then, as shown in FIG. 4B, the copper layers 120 and 130 of the substrate 10 are etched to form the conductive circuit 12.
13 (pattern formation) as shown in FIG. 4C.
基板ｌＯの下側の導体回路１２に、半田バンプ形成用の
ソルダレジスト１４０を設ける。A solder resist 140 for forming solder bumps is provided on the conductor circuit 12 on the lower side of the substrate IO.
そして、第４Ｄ図に示すごとく、ソルダレジスト１４０
で囲まれた部分に半田バンブ１４を設ける。該半田バン
ブは、半田高さ約０．０３〜０゜１ｍｍ、半田直径的０
．１５〜０．３ｍｍである。Then, as shown in FIG. 4D, the solder resist 140
A solder bump 14 is provided in the area surrounded by. The solder bump has a solder height of approximately 0.03 to 0.1 mm and a solder diameter of 0.
．． It is 15 to 0.3 mm.
該半田バンブは、半田メツキ、クリーム半田印刷。The solder bumps are solder plated and cream solder printed.
溶融半田液中への浸漬等により形成する。Formed by immersion in molten solder liquid, etc.
次に、第４Ｅ図に示すごとく、上記導体回路１２よりも
内方部分の基板を中抜きして貫通孔１１を穿設する。咳
中抜きは切削（ルータ−加工、超音波切削機）、パンチ
ングなどにより行なう、そして、第４Ｆ図に示すごとく
９基板１０の外形切断を行いパッケージとする。Next, as shown in FIG. 4E, a through hole 11 is formed by hollowing out the substrate inwardly of the conductor circuit 12. Then, as shown in FIG. The cutout is performed by cutting (router processing, ultrasonic cutting machine), punching, etc. Then, as shown in FIG. 4F, the nine substrates 10 are cut to form a package.
次に該パッケージに第５Ａ図〜第５Ｄ図に示すごとく、
センサーチップ８０等を搭載する。Next, as shown in FIGS. 5A to 5D, the package is
Equipped with sensor chip 80 etc.
即ち、第５Ａ図に示すごとく、前記パッケージを１３０
〜３００℃に加熱し、基板ｌＯの下側の半田バンブ１４
にセンサーチップ８０の接点を合わせて１両者を熱圧着
し、フリップチップボンディングを行なう０次に第５Ｂ
図に示すごとく、センサーチップ８０の外側にエポキシ
系樹脂１６をコートし、１１脂ポツテイングを行なう、
そして。That is, as shown in FIG. 5A, the package is
Heat the solder bumps 14 on the bottom side of the substrate IO to ~300°C.
Align the contacts of the sensor chip 80 with the 1st and thermocompress them, and perform flip chip bonding.
As shown in the figure, the outside of the sensor chip 80 is coated with epoxy resin 16, and 11 resin potting is performed.
and.
第５Ｃ図に示すごとく、基板１０の上面にカバーガラス
８４を接着する。なお、必要に応じて、センサーチップ
８０上にカラーフィルター、遮光板等を配設しても良い
。As shown in FIG. 5C, a cover glass 84 is adhered to the upper surface of the substrate 10. Note that a color filter, a light shielding plate, etc. may be provided on the sensor chip 80 as necessary.
次に、第５Ｄ図に示すごとく、基板の導体回路１２．１
３に、Ｆクリップ状のリードフレーム１５を接続する。Next, as shown in FIG. 5D, the conductor circuit 12.1 of the board
3, an F-clip-shaped lead frame 15 is connected to the lead frame 15.
なお、該リードフレーム１５は必要により設ければ良（
、上記のごときＦクリップ。Note that the lead frame 15 may be provided as necessary (
, F clip as above.
或いはピン立て、ＬＣＣのごとき側面スルーホールであ
っても良い。Alternatively, it may be a pin holder or a side through hole such as LCC.
本例の画像センサーは、上記のごとく構成されているの
で、基板１０とセンサーチップ、カバーガラスとの位置
合わせが容易である。Since the image sensor of this example is configured as described above, it is easy to align the substrate 10, the sensor chip, and the cover glass.
また、センサーチップはフリップチップボンディングし
ているので、その接合時の位置合わせ及び接合は容易で
ある。Furthermore, since the sensor chip is flip-chip bonded, alignment and bonding are easy.
また、フリップチップボンディングしているので、従来
のごと（、センサーチップ８０の上方にワイヤー等の障
害物がなく、該ワイヤーの光反射による画像ノイズを生
じない。Furthermore, since flip-chip bonding is used, there are no obstacles such as wires above the sensor chip 80, and image noise due to light reflection from the wires does not occur.
また、基板は貫通孔１１を有するので、！Ｉの滞留がな
い、更に、センサーチップ８０とカバーガラス８４とは
、基板ＩＯの両側に分けて配設したので、全体が薄くな
る。Moreover, since the board has a through hole 11,! There is no accumulation of I, and since the sensor chip 80 and the cover glass 84 are arranged separately on both sides of the substrate IO, the overall thickness is reduced.
第２実施例 本例の画像センサーは、第６図に示すごとく。Second example The image sensor of this example is as shown in FIG.
第１実施例に示した画像センサーにおいて、カバーガラ
ス８４の配設位置をセンサーチップ８０の直上としたも
のである。その他は、第１実施例と同様である。In the image sensor shown in the first embodiment, the cover glass 84 is placed directly above the sensor chip 80. The rest is the same as the first embodiment.
即ち、該画像センサーは、基板ｌＯの下面側に。That is, the image sensor is on the lower surface side of the substrate IO.
センサーチップ８０をフリップチップボンディングし１
次いで該センサーチップ８０の上に貫通孔１１側からカ
バーガラス８４を嵌め込んで製造する。しかして、セン
サーチップ８０とカバーガラスとの間は、透明なソルダ
ーレジスト８５等にて接着する。Flip chip bonding of sensor chip 80 1
Next, a cover glass 84 is fitted onto the sensor chip 80 from the through hole 11 side, thereby producing the sensor chip 80 . Thus, the sensor chip 80 and the cover glass are bonded together using a transparent solder resist 85 or the like.
本例の画像センサーによれば、センサーチップ８０とカ
バーガラス８４との間がソルダーレジスト８５で接着さ
れているので９画像センサー上に塵が溜まることがない
、また、そのために両者間に４気が入り、センサーに曇
りを生ずることもない。According to the image sensor of this example, since the sensor chip 80 and the cover glass 84 are bonded together with the solder resist 85, dust does not accumulate on the image sensor. There is no fog in the sensor.
また、カバーガラス８０が貫通孔ｌｌ内に嵌め込まれて
いるので３画像センサー全体が薄くなる。Furthermore, since the cover glass 80 is fitted into the through hole ll, the three image sensors are all thin.
その他第１実施例と同様の効果が得られる。Other effects similar to those of the first embodiment can be obtained.
第１図〜第５Ｄ図は第１実施例にかかる画像センサーを
示し、第１図はその断面図、第２図は基板の上面を示す
斜視図、第３図は基板の下面を示す斜視図、第４Ａ図〜
第４Ｆ図は前工程を示す説明図、第５Ａ〜第５Ｄ図は基
板にセンサーチップ等を搭載する工程を示す説明図、第
６図は第２実施例にかかる画像センサーの断面図、第７
図は従来の画像センサーの断面図、第８図は他の従来の
画像センサーの断面図である。
１１９１画像センサ−
１０、、、基板。
ｉ １． 、 、貫通孔。
１２．１３．、、導体回路。
１４、、、半田バンブ。
７０．９０．、、基板。
８０、、、、センサーチップ。
８４、、、カバーガラス。1 to 5D show the image sensor according to the first embodiment, FIG. 1 is a sectional view thereof, FIG. 2 is a perspective view showing the top surface of the substrate, and FIG. 3 is a perspective view showing the bottom surface of the substrate. , Figure 4A~
FIG. 4F is an explanatory diagram showing a pre-process, FIGS. 5A to 5D are explanatory diagrams showing a process of mounting a sensor chip etc. on a substrate, FIG. 6 is a sectional view of an image sensor according to the second embodiment, and FIG.
The figure is a sectional view of a conventional image sensor, and FIG. 8 is a sectional view of another conventional image sensor. 1191 Image Sensor - 10,...Substrate. i1. , ,Through hole. 12.13. ,,conductor circuit. 14,, Handa Bamboo. 70.90. ,,substrate. 80...Sensor chip. 84, cover glass.
Claims (1)
ンサーチップをフリップチップボンディングにより接続
し、また貫通孔の他方側の基板、ｈもしくは貫通孔内に
はカバーガラスを配設したことを特徴とする画像センサ
ー。A through hole was provided in the substrate, a sensor chip was connected to the substrate on one side of the through hole by flip chip bonding, and a cover glass was arranged on the substrate on the other side of the through hole, or inside the through hole. An image sensor characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101156A JPH02278872A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101156A JPH02278872A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278872A true JPH02278872A (en) | 1990-11-15 |
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ID=14293186
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1101156A Pending JPH02278872A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278872A (en) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6140144A (en) * | 1996-08-08 | 2000-10-31 | Integrated Sensing Systems, Inc. | Method for packaging microsensors |
| US6404062B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-06-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and structure and method for mounting the same |
| US6509560B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-01-21 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor in wirebond package with step-up ring for electrical contact |
| US6528857B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-03-04 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor bumped package |
| KR100377473B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-03-26 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | semiconductor package and its manufacturing method |
| KR100377471B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-03-26 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | semiconductor package and its manufacturing method |
| EP1127838A3 (en) * | 2000-02-22 | 2003-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
| US6620646B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-09-16 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor wirebond package fabrication method |
| US6629633B1 (en) * | 2000-11-13 | 2003-10-07 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor bumped package fabrication method |
| JP2004007499A (en) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Imaging device chip module and mounting method for imaging device chip |
| US6713876B1 (en) * | 1999-11-04 | 2004-03-30 | Stmicroelectronics S.A. | Optical semiconductor housing and method for making same |
| KR100439399B1 (en) * | 2001-07-19 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | Photo diode package using in optical pick-up apparatus and the manufacturing method |
| US6849916B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-01 | Amkor Technology, Inc. | Flip chip on glass sensor package |
| JP2005093433A (en) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Connector and image sensor module using the same |
| US7122390B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-10-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabrication for flip-chip image sensor packages |
| JP2007523473A (en) * | 2004-01-15 | 2007-08-16 | オプトパック、インコーポレイテッド | Photo image sensor electronic package in mobile phone camera module and its manufacture and assembly |
| US7524391B2 (en) | 2000-12-26 | 2009-04-28 | Seiko Epson Corporation | Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US7763975B2 (en) | 2000-02-22 | 2010-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0157862B2 (en) * | 1981-04-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1101156A patent/JPH02278872A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0157862B2 (en) * | 1981-04-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6140144A (en) * | 1996-08-08 | 2000-10-31 | Integrated Sensing Systems, Inc. | Method for packaging microsensors |
| US6404062B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-06-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and structure and method for mounting the same |
| US6713876B1 (en) * | 1999-11-04 | 2004-03-30 | Stmicroelectronics S.A. | Optical semiconductor housing and method for making same |
| KR100377471B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-03-26 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | semiconductor package and its manufacturing method |
| KR100377473B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-03-26 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | semiconductor package and its manufacturing method |
| EP1127838A3 (en) * | 2000-02-22 | 2003-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
| US7763975B2 (en) | 2000-02-22 | 2010-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
| US6528857B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-03-04 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor bumped package |
| US6620646B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-09-16 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor wirebond package fabrication method |
| US6629633B1 (en) * | 2000-11-13 | 2003-10-07 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor bumped package fabrication method |
| US6509560B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-01-21 | Amkor Technology, Inc. | Chip size image sensor in wirebond package with step-up ring for electrical contact |
| US6849916B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-01 | Amkor Technology, Inc. | Flip chip on glass sensor package |
| US7524391B2 (en) | 2000-12-26 | 2009-04-28 | Seiko Epson Corporation | Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| KR100439399B1 (en) * | 2001-07-19 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | Photo diode package using in optical pick-up apparatus and the manufacturing method |
| JP2004007499A (en) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Imaging device chip module and mounting method for imaging device chip |
| US7122390B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-10-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabrication for flip-chip image sensor packages |
| US7443038B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip image sensor packages |
| US7638813B2 (en) | 2002-08-29 | 2009-12-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabrication for flip-chip image sensor packages |
| US8097895B2 (en) | 2002-08-29 | 2012-01-17 | Round Rock Research, Llc | Electronic device package with an optical device |
| JP2005093433A (en) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Connector and image sensor module using the same |
| JP2007523473A (en) * | 2004-01-15 | 2007-08-16 | オプトパック、インコーポレイテッド | Photo image sensor electronic package in mobile phone camera module and its manufacture and assembly |
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