JPH02278713A - Resist processor - Google Patents

Resist processor

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JPH02278713A
JPH02278713A JP9985489A JP9985489A JPH02278713A JP H02278713 A JPH02278713 A JP H02278713A JP 9985489 A JP9985489 A JP 9985489A JP 9985489 A JP9985489 A JP 9985489A JP H02278713 A JPH02278713 A JP H02278713A
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gripping
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Nobuo Konishi
信夫 小西
Takehiko Orii
武彦 折居
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

PURPOSE:To remarkably reduce dusts such as particles generate from a contact surface to be in contact with an article to be processed by making one end heavier than the other end, rotatably moving it and providing a holding piece for holding the other end only at the side face of the article to be processed. CONSTITUTION:In a processor for rotatably coating an article 1 to be processed with processing solution, supporting piece 2 is provided to support the article 1 to be processed at least at three positions, and a holding piece 22 operating to hold only the side face of the article 1 to be processed at the other end side by making one end heavier than the other end so as to rotatably move it by a centrifugal force generated by the rotation of the piece 2. Thus, the contact area to be in contact with the article to be processed is reduced to improve generation of dusts from the contact face.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はレジスト処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a resist processing apparatus.

(従来の技術) 半導体製造工程において、半導体製造装置1例えばレジ
スト処理装置がある。
(Prior Art) In a semiconductor manufacturing process, there is a semiconductor manufacturing apparatus 1, for example, a resist processing apparatus.

従来、この処理装置は水平方向に設けたウェハの中心位
置部分をスピンナーチャックの上面に載置したのち、こ
のウェハの中心位置部分と対接したスピンナーチャック
上面と一体に保持させるために、ウェハの裏面を真空吸
着させている。そして、上記ウェハの中央にホトレジス
トを滴下し、上記スピンナーチャックを回転させてホト
レジスト膜をウェハ表面に形成させる装置である。
Conventionally, this processing equipment places the central portion of the wafer in the horizontal direction on the upper surface of the spinner chuck, and then moves the wafer so that the central portion of the wafer is held integrally with the upper surface of the spinner chuck, which is in contact with the central portion of the wafer. The back side is vacuum-adsorbed. The apparatus then drops photoresist onto the center of the wafer and rotates the spinner chuck to form a photoresist film on the wafer surface.

例えば上記装置として、実開昭60−42730号。For example, the above-mentioned device is disclosed in Japanese Utility Model Application No. 60-42730.

実開昭60−52622号、実開昭60−96821号
公報等多数に記載されている。
It is described in many publications such as Japanese Utility Model Application Publication No. 60-52622 and Japanese Utility Model Application Publication No. 60-96821.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、従来のレジスト処理装置ではスピンナー
チャックによる回転始動時、急激に加速されて回転する
ために、スピンナーチャックとウェハ間でスリップが発
生する。このスリップでウェハの裏面と、この裏面と対
接したスピンナーチャック上面とが擦れ、この擦れによ
って上記ウェハからは、例えばシリコンの剥離片、また
は上記スピンナーチャックからは例えばプラスチックの
剥離片が発生する。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional resist processing apparatus, when the spinner chuck starts rotating, it is rapidly accelerated and rotates, so that slippage occurs between the spinner chuck and the wafer. This slip causes the back surface of the wafer to rub against the top surface of the spinner chuck that is in contact with the back surface, and this friction generates flakes of silicon, for example, from the wafer, or flakes of plastic, for example, from the spinner chuck.

この発生量はウェハの裏面と対接する対接面積に比例し
て発生する。従って、」−記スビンナーチャックの対接
面を小さ(させることにより、発生量を減少さぜること
ができるが、この対接面はウェハの水平方向維持の作用
もあり、一定の対接面より小さくさせることが困難であ
った。
The amount of this generation occurs in proportion to the area of contact with the back surface of the wafer. Therefore, by making the contact surface of the swinner chuck smaller, the amount of generation can be reduced, but this contact surface also has the function of maintaining the horizontal direction of the wafer, so it is possible to reduce the amount of generation. It was difficult to make it smaller than the surface.

もし、ウェハの水平方向維持の作用を無視して対接面を
より小さくさせると、ウェハをスピンナーチャックの上
面に載置する際にウェハがスピンナーチャックから落下
する回数が増加するばかりでなく1回転中にウェハの外
周が波を打つようになりレジス[・処理の不均一へな成
S及びウェハの破損につながる。
If we ignore the effect of maintaining the horizontal direction of the wafer and make the contact surface smaller, not only will the number of times the wafer falls from the spinner chuck increase when the wafer is placed on the top surface of the spinner chuck, but also the number of times the wafer will fall from the spinner chuck will increase. During this process, the outer circumference of the wafer becomes wavy, leading to non-uniform resist processing and damage to the wafer.

本発明の目的は、上記間層に鑑みなされたもので被処理
体を保持するに際し、この被処理体と接触する接触面積
を減少させて、この接触面積から発生するゴミの発生を
改善させたレジスト処理装置を提供することにある。
The object of the present invention is to reduce the contact area that comes into contact with the object to be processed when holding the object to be processed, and to improve the generation of dust generated from this contact area. An object of the present invention is to provide a resist processing device.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は被処理体に処理液に回転塗布する処理装置にお
いて、」二足被処理体を少なくともコ3ケ所で支持する
如く設けられた支持片と、上記支持片の回転により発生
する遠心力で回転移動する如く6一端側を他端側に対し
重くして回転移動させることにより、他端側か被処理体
の側面のみで把持する如く作用する把持片と、を具備し
てなることを特徴どしている。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a processing apparatus for spin-coating a processing liquid onto an object to be processed. A gripping piece that acts to grip only the other end or the side surface of the object to be processed by making one end heavier than the other end and rotating and moving it due to the centrifugal force generated by the rotation of the piece. It is characterized by having the following.

(作用効果) 即ち本発明によれば被処理体の外周を支持り。(effect) That is, according to the present invention, the outer periphery of the object to be processed is supported.

さらに被処理体の側周面のみでの把持と両手段により仮
固定するので、従来の被処理体の中心部分を保持する対
接面積より大幅に減少でき、かつ。
Furthermore, since the object to be processed is held only by the side peripheral surface and temporarily fixed by both means, the contact area can be significantly reduced compared to the conventional method for holding the center portion of the object to be processed.

被処理体の中心部分を保持するより外周側で保持する方
が保持力を効果的に利用できる。
The holding force can be used more effectively by holding the object at its outer periphery than by holding the center portion of the object.

しかも、被処理体の外周縁に沿って少なくとも3ケ所設
けた把持片が遠心力を利用した把持機構で被処理体を把
持するので、ウェハの中心と回転中心の位置合わせを同
時にできるので、安定した回転が得られる。
Furthermore, since the gripping pieces provided at at least three locations along the outer periphery of the object to be processed grip the object using a gripping mechanism that utilizes centrifugal force, the center of the wafer and the center of rotation can be simultaneously aligned, resulting in stable operation. rotation is obtained.

(実施例) 以下本発明装置をレジスト処理装置に適用した一実施例
を図面を参照して説明する。
(Example) An example in which the apparatus of the present invention is applied to a resist processing apparatus will be described below with reference to the drawings.

先ず上記レジスト処理袋■の構成を説明する。First, the structure of the resist processing bag (2) will be explained.

半導体ウェハ(以下ウェハと略記する)の外周裏面を載
置し、この載置されたウェハの側周面を把持して仮固定
したスピンナーチャック■が設けられている。このスピ
ンナーチャック■には、回転移動機構、例えば駆動モー
タ■が連設されており、この駆動モータ(3)の駆動に
より、上記スピンナーチャック■を介してウェハ(ト)
が回転される。
A spinner chuck (2) is provided on which the outer peripheral back surface of a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as wafer) is placed, and the side peripheral surface of the placed wafer is gripped and temporarily fixed. This spinner chuck (3) is connected with a rotational movement mechanism, for example, a drive motor (3), and when this drive motor (3) is driven, the wafer (t) is moved through the spinner chuck (2).
is rotated.

上記スピンナーチャック■により保持されたウェハa)
を17J]繞する如く有底円筒形のカップG)が」二下
動可能に設けられ、このカップ(イ)はウェハ0)にレ
ジスト塗布を行う際にレジスl−が飛散しても、ウェハ
0表面へはね返らない構造になっている。
Wafer a) held by the above spinner chuck ■
17J] A cylindrical cup G) with a bottom is provided so as to be movable downward, and this cup (A) will protect the wafer even if the resist l- scatters when applying resist to the wafer 0). 0 It has a structure that does not bounce back to the surface.

また」二足ウェハ■の軸中心」二からレジス1−をウェ
ハ0表面に滴下可能な如くレジスト吐出用ノズル(8)
が設けられている。このノズル(8)の一端側は上記ス
ピンナーチャック■に保持されたウェハ■の回転軸心上
方、例えば高さ5圃から20nm程度上に離れた位置に
設(jられている、 上記ノズル(8)の一端とこのノズルに)にレジスト液
を供給する供給系はサックバック■)、開閉バルブ(1
0)、ポンプ(11)を介してレジス1へ供給源(12
)に連設している。
In addition, a resist discharging nozzle (8) is installed so that the resist 1- can be dropped onto the wafer 0 surface from the axial center of the bipedal wafer ■.
is provided. One end of this nozzle (8) is located above the rotation axis of the wafer (2) held by the spinner chuck (2), for example, at a position approximately 20 nm above the height of the field. The supply system that supplies resist liquid to one end of ) and this nozzle is a suck back ■), an on-off valve (1
0), a supply source (12) to the register 1 via a pump (11)
).

次に、本発明の主要部を第2図(a)を参照して説明す
る。
Next, the main part of the present invention will be explained with reference to FIG. 2(a).

L記Iノジスト処理装置のウェハ(1〕を回転させるス
ピンナーチャック■は駆動モーター■の駆動によりウェ
ハO)を回転させるように設けたウェハ支持機構(13
)と、回転により発生する遠心力を利用してウェハ(]
−)側周面の一部分を均等に把持するように設けた把持
機構(14)とから構成されている。
The spinner chuck (1) that rotates the wafer (1) of the nozzle treatment apparatus is a wafer support mechanism (13) that is provided to rotate the wafer (O) by driving the drive motor (2).
) and the wafer ( ) using the centrifugal force generated by rotation.
-) A gripping mechanism (14) provided to evenly grip a portion of the side peripheral surface.

先ず上記ウェハ支持機構(13)は、第2図(b)に示
すように、垂直方向に立設した駆動モーター■のシャフ
ト(3a) 」置端に回転軸、例えば直径40npX長
60mステンレス製円柱形の回転軸(15)が固着する
如く嵌合結合されている。
First, as shown in FIG. 2(b), the wafer support mechanism (13) has a shaft (3a) of a drive motor installed vertically, and a rotating shaft at the end, for example, a stainless steel cylinder with a diameter of 40 np and a length of 60 m. A rotating shaft (15) of the shape is firmly fitted and connected.

上記回転軸(15)上方の側周面には回転軸方向と直交
方向で、 かつ放射方向、例えば120°の等間隔で3
個の帯状支持片、例えば板厚1.2mmX幅9I×長7
0nnステンレス製支持片(16)が3方に設けられて
いる。この3方に設けた支持片(16)の長さは、ウェ
ハ■外径P1より一廻り大きい直径P2が形成されるよ
うに設けられている。
On the side circumferential surface above the rotating shaft (15), there are three
strip-shaped support pieces, e.g. plate thickness 1.2mm x width 9I x length 7
0nn stainless steel support pieces (16) are provided on three sides. The lengths of the support pieces (16) provided on these three sides are set so that a diameter P2 is formed which is one size larger than the outer diameter P1 of the wafer.

この形成された長さの遊端はウェハ(1)を囲むように
回転軸(15)方向と同方向に上方に向けて折り曲げら
れている。さらに、この折り曲げられた位置から所定高
さ例えば支持片(16)の上面から上方に向けて例えば
20nnの高さまで立設し、ウェハ■を他の部材から保
護するように設けられている。
The free end of this length is bent upward in the same direction as the rotation axis (15) so as to surround the wafer (1). Further, it stands upright from this bent position to a predetermined height, for example, 20 nn upward from the upper surface of the support piece (16), and is provided to protect the wafer (1) from other members.

上記立設した支持片(16)の内側面(17)には緩衝
材1例えばフッ素樹脂系の板材(18)を取着して、ウ
ェハ■の衝突における破損を防止するように設けられて
いる。
A cushioning material 1, such as a fluororesin plate material (18), is attached to the inner surface (17) of the upright support piece (16) to prevent damage in the event of a collision with the wafer (2). .

上記支持片(16)に後述する把持部材(19)を装着
するためのスタッド(20)が少なくとも3ケ所設けら
れている。即ち、ウェハ〇の側周面を少なくとも3個所
の把持部材(19)が把持するように作用する位置例え
ば回転軸(15)から直径R1の位置に少なくとも3ケ
所設けられている。
The support piece (16) is provided with at least three studs (20) for attaching gripping members (19), which will be described later. That is, at least three gripping members (19) are provided at at least three positions at which the gripping members (19) act to grip the side peripheral surface of the wafer (0), for example, at positions at a diameter R1 from the rotation axis (15).

上記支持片(16)にウェハ■を載置して回転させても
、このウェハ0)が上記支持片(16)に固定されてい
ないので、ウェハ■が外側に飛び出てしまう。
Even if the wafer (2) is placed on the support piece (16) and rotated, the wafer (2) will jump out because the wafer (0) is not fixed to the support piece (16).

従って上記各支持片(16)には把持機構(14)を上
記支持片(16)のスタッド(20)に装着して、ウェ
ハα)を上記支持片(16)に固着することが必要であ
る。
Therefore, it is necessary to attach a gripping mechanism (14) to the stud (20) of each support piece (16) to secure the wafer α) to the support piece (16). .

上記把持機構(14)は、第2図(C)に示すように、
ウェハ■の少なくとも3ケ所把持する把持部材(19)
が等間隔、例えば120°で等間隔に設けられている。
The gripping mechanism (14), as shown in FIG. 2(C),
A gripping member (19) that grips at least three places on the wafer ■
are provided at equal intervals, for example, at equal intervals of 120°.

上記把持機構(19)は上記支持片(16)に設けたス
タッド(20)にブツシュ(21)を介して回転自在に
装着される。この回転自在に装着された把持部材(19
)は上記スタッド(20)を支点として、一端にはウェ
ハ(ト)を把持する把持爪(25)が設けられ、他端に
は上記把持爪(25)をウェハ■の側周面に押圧する押
圧力が発生、されるように重り(26)が設けられてい
る。
The gripping mechanism (19) is rotatably attached to a stud (20) provided on the support piece (16) via a bush (21). This rotatably attached gripping member (19
) has the stud (20) as a fulcrum, and is provided with a gripping claw (25) at one end for gripping the wafer (G), and at the other end for pressing the gripping claw (25) against the side peripheral surface of the wafer (2). A weight (26) is provided to generate and apply a pressing force.

上記把持爪(25)の近傍には、上記支点から所定距離
、離れた位置にウェハ■を載置する載置面、例えば幅6
 mm X長4nn+=24m”の載置面(24)がウ
ェハの径の大きさに応じて折り曲げられて各ウェハ(ト
)裏面に対接されている。即ち、この対接する載置面は
ウェハ■の大きさ1例えば4インチウェハ、または5イ
ンチウェハの外周裏面が載置されるように複数の段部が
連続して形成されている。
Near the gripping claw (25), there is a mounting surface on which the wafer (2) is placed at a predetermined distance from the fulcrum, for example, a width 6
A mounting surface (24) with a length of 4mm mm (2) Size 1 For example, a plurality of step portions are formed in succession so that the outer peripheral back surface of a 4-inch wafer or a 5-inch wafer is placed thereon.

さらに、上記把持爪(25)のウェハ■側周面と当接す
る把持面には緩衝材、例えばフッ素樹脂板(25a)が
配設され、ウェハ(1)の破損を考慮している。
Furthermore, a cushioning material such as a fluororesin plate (25a) is provided on the gripping surface of the gripping claw (25) that comes into contact with the wafer (1) side circumferential surface to prevent damage to the wafer (1).

さらに、ウェハ支持機構(13)の回転が停止するとウ
ェハ■の側周面を把持した把持爪(25)をもとの位置
に戻すために、引張りコイルスプリング(23)が設け
られている。
Further, a tension coil spring (23) is provided to return the gripping claw (25) gripping the side peripheral surface of the wafer (2) to its original position when the rotation of the wafer support mechanism (13) is stopped.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

先ず、図示されないハンドリングアームはプリアライメ
ントされたウェハ■をスピンナーチャック■の上面に載
置する。
First, a handling arm (not shown) places the prealigned wafer (2) on the upper surface of the spinner chuck (4).

予め記憶されたプログラムによって駆動モーター〇に通
電し、この通電によって上記スピンナーチャック■を低
速回転、例えば20rρm、次に3Orpm、40rp
mと順次可変させる。そして遠心力によってウェハ■を
把持爪(25)で把持するまで回転させる。
The drive motor 〇 is energized according to a pre-stored program, and this energization causes the spinner chuck ◯ to rotate at a low speed, for example, 20rpm, then 3Orpm, and 40rpm.
m and sequentially. Then, the wafer (2) is rotated by centrifugal force until it is gripped by the gripping claws (25).

即ち、この把持爪(25)がウェハ(ト)の側周面を把
持する動作について第3図を参照して説明する。
That is, the operation of the gripping claws (25) gripping the side peripheral surface of the wafer (G) will be explained with reference to FIG.

120°の等間隔に設けた各把゛持爪(25)の反対端
に設けた重り(26)は上記駆動モーター(3)の回転
A weight (26) provided at the opposite end of each gripping claw (25) provided at equal intervals of 120° is rotated by the drive motor (3).

例えば20rpa+回転により遠心力が作用して外側に
向けて移動する。この移動に伴って、把持部材(19)
の一端に設けた各把持爪(25)はスタット(20)の
支点位置を軸として1時計方向に廻り込むように回転す
る。この回転の軌跡上にはウェハ■の側周面が位置する
如く設けられているので、上記ウェハ■の側周面の3ケ
所を均等に把持する。
For example, by rotating at 20 rpa+, a centrifugal force is applied and the material moves outward. Along with this movement, the gripping member (19)
Each gripping claw (25) provided at one end of the stud (20) rotates one turn clockwise about the fulcrum position of the stud (20). Since the side peripheral surface of the wafer (2) is positioned on the locus of this rotation, three positions on the side peripheral surface of the wafer (2) are equally gripped.

その後、上記スピンナーチャック■を塗布回転に必要な
回転数、例えば11000rpに上昇させる。
Thereafter, the spinner chuck (2) is increased to a rotational speed necessary for coating rotation, for example, 11,000 rpm.

上記スピンナーチャック■上方に配設されたノズル0の
先端からウェハ■の中心部に向けてレジストを所定量滴
下させる。このレジストの吐出は予め設定されたプログ
ラムに従って、ポンプ(11)を駆動することにより行
なわれる。
A predetermined amount of resist is dropped from the tip of nozzle 0 disposed above the spinner chuck (1) toward the center of the wafer (2). This resist is discharged by driving a pump (11) according to a preset program.

モーター■の回転と共に滴下されたレジスト液が中心部
から周縁部にかけて拡散される。そして、その後上記モ
ーター■の回転数を高速回転、例えば4000rpm回
転させてレジストを乾燥させる。これによりウェハ03
表面に均一なレジスト層の膜を形成する9このような一
連の動作を繰り返し、ウェハを一枚づつ処理する。この
ようにウェハO)の外周縁部分の少なくとも3ケ所で載
置し、さらに把持して固定するので、従来のウェハ(υ
の中心部分の領域の面積を吸着保持する方法と比べると
、当接される面積を極めて小さくさせることができる。
As the motor (2) rotates, the dropped resist liquid is spread from the center to the periphery. Thereafter, the motor (2) is rotated at a high speed, for example, 4000 rpm, to dry the resist. As a result, wafer 03
This series of operations (9) for forming a uniform resist layer on the surface is repeated to process each wafer one by one. In this way, the wafer (O) is placed at at least three locations on the outer peripheral edge portion, and is further gripped and fixed.
Compared to the method of suctioning and holding the area of the center region, the contact area can be made extremely small.

従って、当接面から発生するパーティクル等のゴミを従
来より激減させることが可能となり、このパーティクル
が原因でウェハを不良にさせてしまう問題が改善される
。この改芹により、パーティクルの付着から生じるウェ
ハ回路の不良、及び露光時のフォーカスの「ずれj等に
お(づる問題が従来より改善される。
Therefore, it is possible to drastically reduce the amount of dust such as particles generated from the contact surface compared to the conventional method, and the problem of defective wafers caused by these particles is alleviated. With this modification, problems such as defects in wafer circuits caused by adhesion of particles and problems such as "deviation" of focus during exposure can be improved over the past.

上記実施例では把持部材(9)を3ケ所設けて説明した
が、これに限定することなく、2ケ所、4ケ所、5ケ所
、6ケ所・・・であっても問題はない。
In the above embodiment, the gripping members (9) are provided at three locations, but the present invention is not limited to this, and there is no problem if the gripping members (9) are provided at two, four, five, six, etc. locations.

上記実施例ではレジスト処理装置を設けて説明したが、
これに限定するものではなく、被処理体に処理液を塗布
する塗布装置にも使用可能である。
In the above embodiment, a resist processing device was provided.
The present invention is not limited to this, and can also be used in a coating device that applies a treatment liquid to an object to be treated.

(他の実施例) 以下、本発明装はの主要部における他の実施例を図面を
参照して説明する。
(Other Embodiments) Hereinafter, other embodiments of the main parts of the device of the present invention will be described with reference to the drawings.

ト記装置の主要部の構成は第4図(a)に示すように垂
直に立設させた駆動モーター(27)のシャフト(27
a)上端には水平方向に設けたウェハ(28)の側周面
を把持する把持棒(29)が、このウェア5(28)の
外周端を囲むように複数本、例えば5水均等配列1例え
ば72°に配置されている。
As shown in Figure 4(a), the main part of the device consists of a shaft (27) of a drive motor (27) installed vertically.
a) At the upper end, there are a plurality of gripping rods (29) provided in the horizontal direction for gripping the side peripheral surface of the wafer (28), and a plurality of gripping rods (29), e.g. For example, it is arranged at 72°.

」―記5本の把持棒(29)の上端には、第4図(b)
に示すように上記ウェハ(28)の側周面(30)及び
外周裏面■を当接する把持爪(32)が各々設けられて
いる。
” - At the upper ends of the five gripping rods (29), as shown in Fig. 4(b)
As shown in FIG. 2, gripping claws (32) are provided which abut the side circumferential surface (30) and the outer circumferential back surface (2) of the wafer (28).

上記把持棒(29)を囲繞する如く、J二下勤可能な把
持リング(33)がシャフト(27a)軸方向と直交方
向に設けられている。この把持リング(33)の中央に
は中空部が設りられ、この中空部の内壁が上記把持棒(
29)の背面と当接されでいる。この背面を上記把持リ
ング(33)の内壁で集束すると、ウェハ(28)の外
周面を把持爪(32)が均等に把持するように構成され
ている。
A gripping ring (33) that can be rotated twice is provided in a direction perpendicular to the axial direction of the shaft (27a) so as to surround the gripping rod (29). A hollow part is provided in the center of this gripping ring (33), and the inner wall of this hollow part is connected to the gripping rod (33).
29). When this back surface is focused on the inner wall of the gripping ring (33), the gripping claws (32) are configured to evenly grip the outer peripheral surface of the wafer (28).

ここで上記把持リング(33)を上昇させても良いが、
上記把持棒(29)を設けた駆動モーター(27)を降
下させるようにしても良い。
At this point, the gripping ring (33) may be raised; however,
The drive motor (27) provided with the gripping rod (29) may be lowered.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

ウェハ(28)の直径より一廻り大きく形成した把持爪
(32)の載置面に載置する。
The wafer (28) is placed on the mounting surface of a gripping claw (32) formed one size larger than the diameter of the wafer (28).

図示されない昇降機構で上記把持リング(33)を所定
の高さまで上昇させる。この上昇に伴って、」二足把持
リング(33)の内壁が上記把持棒(29)と当接し、
この把持棒(29)が把持爪(32)を集束するように
作用し、ウェハ(28)を把持する。この把持後5駆動
モーター(27)を回転させる7 ごのよつに、ウェハ(28)の外周縁の5ケ所を把持し
て回転させるので従来のウェハO〕の中心部分の領域の
面積を吸着保持する方法と比べると当接される面積が極
めて小さくなる、従って、当接面から発生するパーティ
クル等のゴミを従来より激減させることが可能となり、
このパーティクルが原因でウェハを不良にさせてしまう
問題が改善される。
The grip ring (33) is raised to a predetermined height by a lifting mechanism (not shown). Along with this rise, the inner wall of the bipedal gripping ring (33) comes into contact with the gripping rod (29),
This gripping rod (29) acts to focus the gripping claws (32) and grips the wafer (28). After this gripping, the 5 drive motor (27) is rotated, and the wafer (28) is gripped and rotated at 5 points on the outer periphery, so that the area of the central area of the wafer (O) is absorbed. Compared to the holding method, the contact area is extremely small, so it is possible to drastically reduce dust such as particles generated from the contact surface compared to conventional methods.
This solves the problem of wafer defects caused by these particles.

上記実施例では把持リング(33)を上昇させてウェハ
(28)の側周面を把持して説明したが、−に記把持棒
(29)全体を降下させてウェハ(28)の側周面を把
持しても良い。
In the above embodiment, the grip ring (33) is raised to grip the side surface of the wafer (28), but the whole grip rod (29) is lowered to grip the side surface of the wafer (28). You can also hold it.

さらに本発明は現像液の塗布でも洗浄液の塗布でもレジ
スト処理であれば何れでも可能である。
Further, the present invention can be applied to any resist treatment, including application of a developing solution and application of a cleaning solution.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明装置nをレジスト処理装置に適用した一
実施例を説明するための全体構成説明図、第2図は第1
図のスピンナーチャックの構造を説明するための分解説
明図、第3図は第1図のスピンナーチャックがウェハを
把持する状態を説明するだめの動作説明図、第4図は本
発明装置をレジスト処理装置に適用した他の一実施例の
主要部を説明するためのスピンナーチャック説明図であ
る。 1・・・ウェハ     13・・・ウェハ把持機構1
4・・・把持機構    15・・・回転軸19・・・
把持部材    20・・・スタッド22・・・把持片
     23・・・引張りコイルバネ24・・・載置
面     25・・・把持爪26・・・重り 特許出願人 東京エレクトロン株式会社(a) 第 図 (b) (b) 第 図 (c)
FIG. 1 is an explanatory diagram of the overall configuration for explaining one embodiment in which the present invention apparatus n is applied to a resist processing apparatus, and FIG.
Figure 3 is an exploded explanatory diagram to explain the structure of the spinner chuck in Figure 1. Figure 3 is an operational diagram to explain the state in which the spinner chuck in Figure 1 grips a wafer. Figure 4 is an exploded explanatory diagram to explain the structure of the spinner chuck in Figure 1. It is an explanatory view of a spinner chuck for explaining the main part of another example applied to the device. 1... Wafer 13... Wafer gripping mechanism 1
4... Gripping mechanism 15... Rotating shaft 19...
Gripping member 20... Stud 22... Gripping piece 23... Tension coil spring 24... Placement surface 25... Gripping claw 26... Weight Patent applicant Tokyo Electron Ltd. (a) Fig. b) (b) Figure (c)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 被処理体に処理液を回転塗布する処理装置において、上
記被処理体を少なくとも3ケ所で支持する如く設けられ
た支持片と、上記支持片の回転により発生する遠心力で
回転移動する如く、一端側を他端側に対して重くして回
転移動させることにより他端側が被処理体の側面のみで
把持する如く作用する把持片とを具備してなることを特
徴とするレジスト処理装置。
In a processing apparatus for spin-coating a processing liquid onto an object to be processed, a support piece is provided to support the object to be processed at at least three places, and one end is provided so as to be rotated by a centrifugal force generated by the rotation of the support piece. 1. A resist processing apparatus comprising: a gripping piece that is made heavier on one side than the other end and rotated so that the other end side grips only the side surface of the object to be processed.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6079724A (en) * 1983-10-07 1985-05-07 Hitachi Ltd Rotary processing device
JPS62166517A (en) * 1986-01-20 1987-07-23 Hitachi Electronics Eng Co Ltd Spin head for semiconductor manufacturing apparatus
JPH0163131U (en) * 1987-10-15 1989-04-24
JPH02209731A (en) * 1989-02-09 1990-08-21 Seiko Epson Corp Spinner

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