JPH02277689A - Optical data recording medium - Google Patents

Optical data recording medium

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JPH02277689A
JPH02277689A JP1100553A JP10055389A JPH02277689A JP H02277689 A JPH02277689 A JP H02277689A JP 1100553 A JP1100553 A JP 1100553A JP 10055389 A JP10055389 A JP 10055389A JP H02277689 A JPH02277689 A JP H02277689A
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Japan
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metals
group
metal
protective film
film
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JP1100553A
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Japanese (ja)
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Yoshikatsu Takeoka
竹岡 美勝
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To enhance the productivity and to simplify the constitution and a process to achieve the cost reduction by laminating a protective film to a recording film composed of a membrane of a mixture containing at least one of metal oxide and metal nitride fine particles as the first component, org., matter as the second component and metal fine particles as the third component. CONSTITUTION:This optical data recording medium 10 is constituted of a recording film 12 and a protective film 13 and the first component 1 in the recording film 12 is composed of fine particles of oxide or nitride of either one of metals of the Groups IIB - VIB of the Periodic Table or fine particles of both of them. The second component 122 is org. matter and the third component 123 is fine particles of at least one of metals of the Groups IIB - VIB. Next, the protective film 13 is a membrane composed of a mixture containing at least one of metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal silicide and metal boride as the first component 131 and org. matter as the second component 132. When this recording film 12 is irradiated with recording laser beam, a protruding deformation part called a bubble is formed and, even when the protective film is laminated to this bubble mode recording medium, the deterioration of recording reproducing characteristics, especially, a lowering of a reproduction signal contrast ratio is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、レーザビームの照射により光学的に情報の記
録再生を行なう光情報記録媒体に係る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an optical information recording medium in which information is optically recorded and reproduced by laser beam irradiation.

(従来の技術) 光情報記録媒体として、2種類の構成のものが実用化さ
れている。第1の光情報記録媒体100は空隔構成のも
のであり、第2の光情報記録媒体200はベタ張り構成
と称せられるものである。それぞれの断面模式図を第1
2図(a)(b)に示す、第12図(a)が空隔構成、
(b)がベタ張り構成である。第12図(a)において
、101,111が基板、102.112がスペーサ、
103,113が記録膜、104が空隔である。
(Prior Art) Two types of optical information recording media have been put into practical use. The first optical information recording medium 100 has an air gap structure, and the second optical information recording medium 200 has a so-called solid structure. The schematic cross-sectional diagram of each
2(a) and (b), FIG. 12(a) is the air space configuration,
(b) shows a solid structure. In FIG. 12(a), 101 and 111 are substrates, 102 and 112 are spacers,
103 and 113 are recording films, and 104 is a space.

空隔構成においては、記録膜103が堆積された基板1
01と、記録膜113が堆積された基板111の2枚が
対向するよう構成されることが特徴である。ベタ張り構
成においては、2枚の基板201,211に堆積された
記録膜202,212が、接着剤層203を介して対向
、一体化されていることが特徴である。
In the air gap configuration, the substrate 1 on which the recording film 103 is deposited
01 and the substrate 111 on which the recording film 113 is deposited are arranged so as to face each other. The solid structure is characterized in that recording films 202 and 212 deposited on two substrates 201 and 211 are opposed to each other and integrated with each other via an adhesive layer 203.

空隔構成の難点は、スペーサ102,112の部分のみ
で2枚の基板101,111が接着されているため、基
板101,111が変形しやすいことである。また、変
形防止には高度の技術や複雑な工程が必要なため、低コ
スト化が困難なことである。この様な難点があるにもか
かわらず、ベタ張り構成の光情報記録媒体が使用される
のは、ホール形成タイプの記録膜は、ベタ張り構成にす
ると著しい記録感度の低下を招くからである。即ち、空
隔構成はホール形成タイプの記録膜を使用する記録媒体
に専用の構成と言える。
A drawback of the spaced configuration is that the two substrates 101, 111 are bonded together only at the spacers 102, 112, so the substrates 101, 111 are easily deformed. Furthermore, since prevention of deformation requires advanced technology and complicated processes, it is difficult to reduce costs. Despite these drawbacks, optical information recording media with a solid structure are used because a hole-forming type recording film that has a solid structure causes a significant decrease in recording sensitivity. In other words, the space configuration can be said to be a configuration dedicated to recording media that use hole-forming type recording films.

ベタ張り構成においては、基板201,211の全面で
接着一体化されているため基板の変形が少ない利点があ
る。しかし、ベタ張り構成の記録媒体の難点は空隔構成
はどではないが、なお製造工程が多く、低コスト化が困
難なことである。
In the solid structure, since the substrates 201 and 211 are bonded and integrated over the entire surface, there is an advantage that the substrates are less deformed. However, the disadvantage of a recording medium with a solid structure is that, although it does not have an air gap structure, it still requires many manufacturing steps, making it difficult to reduce costs.

工程数増加やそれに伴なう歩留り低下等は、主としてそ
の原因が接着工程の採用にある。接着工程は塗布、硬化
、エージングの3工程からなる。
The increase in the number of steps and the accompanying decrease in yield are mainly caused by the adoption of the bonding step. The adhesion process consists of three steps: coating, curing, and aging.

塗布工程はウェットプロセスである。一方、記録膜の形
成はほとんど全ての場合、真空蒸着やスパッタリングと
いうドライプロセスである。従って、両者の整合性は全
くない。即ち、生産性を向上させるために不可欠な連続
工程は不可能である。完全に独立した2工程として行な
わなければならない。接着剤の硬化、エージングはドラ
イプロセスである。しかし、これらの工程は通常数時間
から24時間にもおよぶ長時間を必要とする生産性の低
い工程である。
The coating process is a wet process. On the other hand, in almost all cases, the recording film is formed by a dry process such as vacuum deposition or sputtering. Therefore, there is no consistency between the two. That is, continuous processes, which are essential for improving productivity, are not possible. It must be carried out as two completely independent steps. Curing and aging of adhesives is a dry process. However, these steps usually require a long time, ranging from several hours to 24 hours, and have low productivity.

即ち、製造工程が単純で、低コスト化が可能な光情報記
録媒体の実現が強く望まれている。
That is, it is strongly desired to realize an optical information recording medium that has a simple manufacturing process and can be manufactured at low cost.

(発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は、ドライプロセスのみによる、即ち、生
産性が高く、構成と工程とが単純で、従って、低コスト
化が達成できる光情報記録媒体を提供することにある。
(Problems to be Solved by the Invention) An object of the present invention is to provide an optical information recording medium that uses only a dry process, that is, has high productivity, has a simple structure and process, and can therefore achieve low cost. There is a particular thing.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 優れた記録再生特性を有しながら低コスト化が可能で実
用性に富む光情報記録媒体を得るために、本発明におい
ては、以下の3手段を用いる。
(Means for Solving the Problems) In order to obtain an optical information recording medium that has excellent recording and reproducing characteristics, can be reduced in cost, and is highly practical, the following three means are used in the present invention.

第1は、ベタ張り構成よりさらに単純なオーバコート構
成としたことである。第1図は、本発明にかかる実施態
様の一つである光情報記録媒体10の断面を示す模式図
である。第1図において、11が基板、12が記録膜、
13がオーバコートした保護膜である。
The first is that the overcoat structure is simpler than the solid layer structure. FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross section of an optical information recording medium 10 that is one of the embodiments of the present invention. In FIG. 1, 11 is a substrate, 12 is a recording film,
13 is an overcoated protective film.

第2は、記録膜12として、記録用レーザビームが照射
された場合、ホールと称される孔部ではなく、バブルと
称される隆起変形部の形成されるバブルモード記録媒体
を用いることである。バブルモード記録媒体の特徴は、
ホールモード記録媒体と異なり、保護膜が積層された場
合にも記録再生特性の劣化、特に再生信号コントラスト
比の低下の少ないことである。
The second is to use a bubble mode recording medium as the recording film 12, in which when irradiated with a recording laser beam, raised deformed parts called bubbles are formed instead of holes called holes. . The characteristics of bubble mode recording media are:
Unlike a hole mode recording medium, even when a protective film is laminated, there is little deterioration in recording/reproducing characteristics, particularly in reproduction signal contrast ratio.

第3は、保護膜13として、記録膜12と同様のドライ
プロセスによる成膜が可能であって、さらに保護膜とし
て満足すべき特性を備えた薄膜を使用することである。
The third method is to use a thin film as the protective film 13, which can be formed by the same dry process as the recording film 12 and has characteristics that are satisfactory as a protective film.

即ち、その機械的な強度や硬度が大きく、従って、記録
膜の保護機能に富み、かつ、記録膜に対する密着性の良
好な新規の保護膜を使用することである。
That is, it is necessary to use a new protective film that has high mechanical strength and hardness, has a rich protective function for the recording film, and has good adhesion to the recording film.

以下、本発明にかかる記録媒体の記録膜、および保護膜
に関し、さらに詳細に説明する。
Hereinafter, the recording film and protective film of the recording medium according to the present invention will be explained in more detail.

第2図は本発明にかかる光情報記録媒体10の記録膜1
2と、保護膜13の各断面を示す模式図である。
FIG. 2 shows a recording film 1 of an optical information recording medium 10 according to the present invention.
2 is a schematic diagram showing each cross section of the protective film 13 and the protective film 13. FIG.

第2図において、記録膜12中の121は、第1成分で
ある周期律表のIIB族の金属、IIIB族の金属、I
VB族の金属、VB族の金属、およびVIB族の金属の
いずれかの酸化物微粒子、または、上記金属のいずれか
の窒化物微粒子の少なくとも一方、または、両者である
。なお、以下、金属の表記について例えば 「周期律表
のXA族の金属」をrXA金属」と略記する。また、金
属酸化物ないし金属窒化物からなる121の微粒子は記
録膜12のマトリクスとなって記録膜の骨格を形成して
いる。また。
In FIG. 2, 121 in the recording film 12 is a metal of group IIB of the periodic table, a metal of group IIIB, I
At least one of, or both of, oxide fine particles of any of the VB group metals, VB group metals, and VIB group metals, or nitride fine particles of any of the above metals. Hereinafter, regarding the notation of metals, for example, "metal of group XA of the periodic table" will be abbreviated as "rXA metal". Further, 121 fine particles made of metal oxide or metal nitride form a matrix of the recording film 12 and form the skeleton of the recording film. Also.

記録膜12中の122は第2成分である有機物である。122 in the recording film 12 is an organic substance which is a second component.

この有機物122はマトリクス121の中に分散してい
る。さらに、記録膜12中の123は、第3成分である
IIB金金属IIIB金属、■B金金属VB金属、およ
びVIB金属の少なくとも一つの微粒子である。
This organic substance 122 is dispersed within the matrix 121. Furthermore, 123 in the recording film 12 is a fine particle of at least one of IIB gold metal IIIB metal, ■B gold metal VB metal, and VIB metal, which are the third components.

次に、第2図における保護膜13中の131は、第1成
分であるITB金属、IIIB金金属IVBVB金属B
金属、 VIB金属、IIIA金属、IVA金属、  
VA金金属VIA金属、VIIA金金属およびVIII
A金金属いずれかの酸化物微粒子、IIIB金金属rV
BVB金属[l金属、■A金金属VA金金属およびVI
A金属のいずれかの窒化物微粒子、IIIB金属、IV
BVB金属VA金属、VA金金属VIA金属、VIIA
金金属およびVIIIA金金属いずれかの炭化物微粒子
、IVA金属。
Next, 131 in the protective film 13 in FIG. 2 indicates ITB metal, IIIB gold metal IVBVB metal B, which is the first component.
metal, VIB metal, IIIA metal, IVA metal,
VA Gold Metal VIA Metal, VIIA Gold Metal and VIII
A fine particles of oxide of any gold metal, IIIB gold metal rV
BVB metal [l metal, ■ A gold metal VA gold metal and VI
Any nitride fine particles of A metal, IIIB metal, IV
BVB Metal VA Metal, VA Gold Metal VIA Metal, VIIA
Carbide fine particles of either gold metal or VIIIA gold metal, IVA metal.

VA金金属およびVIA金属のいずれかの硅化物微粒子
、BIB金属、mA金金属IVA金属、VA金金属VI
A金属、VIIA金金属およびVIIIA金金属いずれ
かの硼化物微粒子の少なくとも一つである。この微粒子
131は保護膜13のマトリクスとなって薄膜の骨格を
形成している。 また、保護膜13中の132は第2成
分である有機物であり、 マトリクス13]中に分散し
ている。
Silicide fine particles of either VA gold metal or VIA metal, BIB metal, mA gold metal IVA metal, VA gold metal VI
At least one of boride fine particles of A metal, VIIA gold metal, and VIIIA gold metal. The fine particles 131 form a matrix of the protective film 13 and form the skeleton of the thin film. Further, 132 in the protective film 13 is a second component, an organic substance, which is dispersed in the matrix 13].

(作 用) 第3図は、バブルの形成された本発明記録媒体の断面を
示す模式図である。第3図において、14で示した隆起
がバブルである。バブル形成部14には、記録膜12と
基板11との間にボイド15が形成されている。
(Function) FIG. 3 is a schematic diagram showing a cross section of the recording medium of the present invention in which bubbles are formed. In FIG. 3, the protuberance indicated by 14 is a bubble. A void 15 is formed between the recording film 12 and the substrate 11 in the bubble forming portion 14 .

記録膜12は、第2図に示したように金属酸化物、ある
いは、窒化物微粒子と金属微粒子と有機物とを少くとも
含んでいる。そこで、かかる記録膜に記録用レーザビー
ムが照射された場合、以下の4ステツプを経てバブル1
4が形成される。即ち、第1ステツプは金属微粒子によ
るレーザビームの吸収であり、吸収の結果、金属微粒子
は昇温する。
As shown in FIG. 2, the recording film 12 contains at least metal oxide or nitride fine particles, metal fine particles, and organic matter. Therefore, when such a recording film is irradiated with a recording laser beam, the bubble 1 is created through the following four steps.
4 is formed. That is, the first step is absorption of the laser beam by the metal particles, and as a result of the absorption, the temperature of the metal particles increases.

第2ステツプは金属微粒子からの熱拡散による金属酸化
物、窒化物微粒子マトリクス、および、分散有機物の昇
温である。第3ステツプは、分散有機物の分解、蒸発で
ある6第4ステツプは、有機物の蒸発がガス圧力として
作用するために誘起される金属酸化物、窒化物微粒子マ
トリクスの変形である。このとき、記録膜上の保護膜1
3も記録膜12と同様に隆起する。以上の過程により記
録媒体IOにバブル14が形成できる。
The second step is to raise the temperature of the metal oxide, nitride fine particle matrix, and dispersed organic matter by thermal diffusion from the metal fine particles. The third step is the decomposition and evaporation of the dispersed organic matter.6 The fourth step is the deformation of the metal oxide and nitride fine particle matrix induced by the evaporation of the organic matter acting as gas pressure. At this time, the protective film 1 on the recording film
3 is also raised similarly to the recording film 12. Through the above process, bubbles 14 can be formed on the recording medium IO.

書込みの原理は上記のとおりだが、読出しは以下のよう
に行なわれる。即ち、この隆起変形部に読出し用レーザ
ビームが照射されると、ビームは回折される。そこで、
読出し用ビームの反射光を検出すれば、反射光量の変化
として変形部の有無、あるいは、さらに変形部の位置が
検出できる。読出し信号のコントラスト比は、変形量が
大であればある程大きい値となる。また、コントラスト
比が大きくとれる記録媒体においては、誤り率の少ない
信号処理を行なうことが容易である。バブルの形状は、
後述するように記録膜、保護膜の化学組成を適正化する
ことにより制御することができる。
The writing principle is as described above, but reading is performed as follows. That is, when this raised deformation portion is irradiated with a reading laser beam, the beam is diffracted. Therefore,
By detecting the reflected light of the readout beam, it is possible to detect the presence or absence of a deformed portion or the position of the deformed portion as a change in the amount of reflected light. The contrast ratio of the readout signal increases as the amount of deformation increases. Furthermore, in a recording medium that has a high contrast ratio, it is easy to perform signal processing with a low error rate. The shape of the bubble is
As described later, this can be controlled by optimizing the chemical composition of the recording film and the protective film.

保護膜の満足すべき特性として、前記したように、硬度
の高いこと、記録膜に対する密着性の良いこと、記録膜
と同様のドライプロセスにて成膜できることの3項目が
挙げられる。
As mentioned above, the protective film should have three satisfactory characteristics: high hardness, good adhesion to the recording film, and ability to be formed by the same dry process as the recording film.

第1の特性である保護膜の高硬度化はその属性として本
来高硬度の金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属
硅化物、金属硼化物の少なくとも一つを保護膜の構成成
分とすることで達成される。
The first property, high hardness of the protective film, is achieved by using at least one of metal oxides, metal nitrides, metal carbides, metal silicides, and metal borides as constituent components of the protective film, which are inherently highly hard. This is achieved by

また、第2に満足すべき特性である記録膜に対する保護
膜の密着力の増大は、保護膜の構成成分や組成などの化
学的特性、および、熱膨張率や内部応力などの物理的特
性を記録膜のそれぞれの特性に類似させることにより達
成される。具体的には、記録膜が金属酸化物、窒化物微
粒子と金属微粒子と有機物とから構成されているから、
保護膜として上記6種の高硬度成分に有機物を加えた構
成のものにすることで記録膜に対する高い密着力が得ら
れる。この本発明の保護膜の密着力は、上記6種の高硬
度化合物単独から構成された薄膜の密着力、あるいは、
有機物単独から構成された薄膜の密着力よりも大である
The second satisfactory property, the increase in the adhesion of the protective film to the recording film, depends on the chemical properties of the protective film, such as its components and composition, and its physical properties, such as its coefficient of thermal expansion and internal stress. This is achieved by making the characteristics of each recording film similar. Specifically, since the recording film is composed of metal oxide, nitride fine particles, metal fine particles, and organic matter,
High adhesion to the recording film can be obtained by forming the protective film with an organic material added to the above six types of high hardness components. The adhesion of the protective film of the present invention is the adhesion of a thin film composed of the above six types of high hardness compounds alone, or
The adhesion strength is greater than that of a thin film composed of organic matter alone.

さらに、保護膜に備えさせるにき第3の特性である記録
膜との形成プロセスの類似性に関しては。
Furthermore, regarding the similarity of the formation process with the recording film, which is the third characteristic of the protective film.

後にさらに詳細に説明するが、その構造の記録膜に対す
る類似性から充分可能であることは容易に首肯できるこ
とである。
Although it will be explained in more detail later, it can be easily agreed that it is possible due to the similarity of its structure to that of a recording film.

なお、ここで保護膜の形成を記録膜の形成に弓続き行な
うことの一つの利点は、前述のように低コスト化が達成
できることであるが、もう一つの利点は、ピンホールや
異物の少ない保護膜の形成できること、即ち、誤り率の
少ない記録媒体を得るのに容易である。
One advantage of forming the protective film after forming the recording film is that it can reduce costs as mentioned above, but another advantage is that there are fewer pinholes and foreign substances. Since a protective film can be formed, it is easy to obtain a recording medium with a low error rate.

(実施例) 本発明光情報記録媒体の記録膜12の第1の構成成分で
ある金属酸化物や金属窒化物121としては、大気中に
保存された場合、安定なものであれば、いかなるものも
使用可能である。特に望ましいものとして以下が挙げら
れる。金属酸化物として、周期律表mu金金属酸化物A
Q□○1、Ga、O,。
(Example) As the metal oxide or metal nitride 121 which is the first component of the recording film 12 of the optical information recording medium of the present invention, any metal oxide or metal nitride may be used as long as it is stable when stored in the atmosphere. is also available. The following are particularly desirable. As a metal oxide, periodic table mu gold metal oxide A
Q□○1, Ga, O,.

I n、 O,、IVB *屈の酸化物Sio、、Ge
O□、SnO2、VB金属の酸化物sb、○1.5b2
o、、Bi201、VIB金属の酸化物Tea、が使用
できる。
I n, O,, IVB *Gold oxide Sio,, Ge
O□, SnO2, VB metal oxide sb, ○1.5b2
o, , Bi201, VIB metal oxide Tea can be used.

これらは単独使用の他、複数を混合させて使用すること
もできる。金属窒化物として、I[[B金属の窒化物B
N、AQN、GaN、InN、 IVBVB金属化物S
i、N4、Ga、N、が使用できる。これらは先の金属
酸化物と同様、複数を混合させて使用することもできる
。さらに金属酸化物と窒化物とでは独立にではなく、両
者を混合して用いることも、5i−AQ−〇−Nなどの
複数の金属と酸素、窒素との4元系として使用すること
も差しつかえない。
These can be used alone or in combination. As a metal nitride, I[[B metal nitride B
N, AQN, GaN, InN, IVBVB metallization S
i, N4, Ga, N can be used. Similar to the metal oxides described above, a plurality of these can be used in combination. Furthermore, metal oxides and nitrides may not be used independently, but may be used as a mixture, or as a quaternary system of multiple metals, oxygen, and nitrogen, such as 5i-AQ-〇-N. can not use.

記録膜の第2の構成成分である記録膜12中の有機物1
22としては、炭素、水素、および、酸素。
Organic matter 1 in the recording film 12 which is the second constituent component of the recording film
22 is carbon, hydrogen, and oxygen.

あるいは窒素、あるいは両者と、さらには弗素を少くと
も含む有機物であれば、いかなる有機物も使用可能であ
る。
Alternatively, any organic material can be used as long as it contains at least nitrogen, or both, and fluorine.

記録膜の第3の構成成分である記録膜12中の金属微粒
子123としては、大気中に保管された場合、安定なも
のであれば、いかなるものも使用できる。
As the metal fine particles 123 in the recording film 12, which is the third component of the recording film, any material can be used as long as it is stable when stored in the atmosphere.

特に望ましいものとして以下のものが使用できる。The following can be used as particularly desirable:

即ち、周期律表のIIB金金属Zn、[8金属のAQ。That is, IIB gold metal Zn of the periodic table, [AQ of 8 metals.

In、■8金属のSi、Ge、Sn、VB金属のSb。In, ■8 metals Si, Ge, Sn, and VB metal Sb.

Bi、VIB金属のTeが使用できる。これらは単独採
用の他、複数を混合して使用することもできる。
Bi, VIB metal Te can be used. These can be used alone or in combination.

また、合金化して、あるいは金属間化合物として使用す
ることもできる。
It can also be used as an alloy or as an intermetallic compound.

本発明記録媒体の保護膜13の第1の構成成分である金
属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硅化物、金属
硼化物131としては同じく、大気中に保管された場合
、安定なものであれば、いかなるものも使用可能である
。特に望ましいものとして以下が挙げられる。金属酸化
物として、周期律表IB金金属酸化物CuO2、IIB
金属の酸化物Zn○、 IffB m属の酸化物AQ2
0.、Ga2O,、In201、 IVBVB金属化物
Si○2、GaO2、SnO,、VB金属の酸化物5b
2o、、5b2o、、Bi、03、VIB金属の酸化物
T e O2、HA金金属酸化物Y、Off、希土類金
属の酸化物、IVA金属の酸化物Tie、、Z r O
,、HfO2、VA金金属酸化物V、03.Nb2O,
,Ta、O,、VIA金属の酸化物Cr201 、 M
 O203、WO2、■へ金属の酸化物MnO,M、2
0..Mn、O,、ReO2、VIIIA金金属酸化物
Fe、O,、Fe50.、RuO2、CoO,Ni○な
どが使用できる。金属窒化物として、周期律表I[[B
金属の窒化物BN、  AQN、GaN、InN、■B
金金属窒化物Si、N、、Ge、N、、VB金属の窒化
物SbN、またIVA金属の窒化物TiN、ZrN、H
fN、VA金金属窒化物VC,NbC3T a C1V
IA金属の窒化物Cr N 、 M o N 、 W 
Nなどが使用できる。
The metal oxides, metal nitrides, metal carbides, metal silicides, and metal borides 131 that are the first constituent components of the protective film 13 of the recording medium of the present invention are also stable when stored in the atmosphere. Anything can be used. The following are particularly desirable. As a metal oxide, periodic table IB gold metal oxide CuO2, IIB
Metal oxide Zn○, IffB m group oxide AQ2
0. , Ga2O,, In201, IVBVB metal oxide Si○2, GaO2, SnO,, VB metal oxide 5b
2o,, 5b2o,, Bi, 03, VIB metal oxide T e O2, HA gold metal oxide Y, Off, rare earth metal oxide, IVA metal oxide Tie,, Z r O
,,HfO2,VA gold metal oxide V,03. Nb2O,
, Ta, O,, VIA metal oxide Cr201, M
O203, WO2, ■ Metal oxide MnO, M, 2
0. .. Mn, O,, ReO2, VIIIA gold metal oxide Fe, O,, Fe50. , RuO2, CoO, Ni○, etc. can be used. As metal nitrides, periodic table I [[B
Metal nitride BN, AQN, GaN, InN, ■B
Gold metal nitrides Si, N, Ge, N, VB metal nitrides SbN, and IVA metal nitrides TiN, ZrN, H
fN, VA gold metal nitride VC, NbC3T a C1V
IA metal nitrides Cr N , M o N , W
N etc. can be used.

炭化物として、周期律表IIIB金属の炭化物B4C3
■8金属の炭化物5iC1また、MC型のT i C3
ZrC,HfC,VC,NbC,TaC,MoC1WC
1さらにMC2型のVC2、TaC2、M o C2、
WC2、さらにM3C型のMn、C,Fe、C,Go、
C1Ni3Cなどが使用できる。金属硅化物として、周
期律表IVA金属の硅化物TiSi2、Z r S i
、、HfSi、VA金金属硅化物VSi2、Nb5Si
、、TaSi、、VIA金属の硅化物CrSi2、Mo
Si2、WSi2.VIIIA金金属MnSi、VII
IA金金属Fe、Si、CoSi、、Ni52などが使
用できる。金属硼化物としては、周期律表I[IA金金
属硼化物Yb4、Yb1□、IIIB金属の硼化物Al
2B2、LaB、などの希土類金属の硼化物、  IV
A金属の硼化物TiB、TiB2、ZrB、ZrB2、
ZrB、、、HfB、、VA金金属硼化物V B 、N
 b B 、 T a B z、Ta3B、、VIA金
属の硼化物CrB、CrB2、Cr、 B4. Cr2
B 、Cr、 B 。
As carbides, carbides of IIIB metals of the periodic table B4C3
■8 Metal carbide 5iC1 and MC type T i C3
ZrC, HfC, VC, NbC, TaC, MoC1WC
1 Furthermore, MC2 type VC2, TaC2, M o C2,
WC2, and M3C type Mn, C, Fe, C, Go,
C1Ni3C etc. can be used. As metal silicides, silicides of IVA metals of the periodic table TiSi2, Z r Si
,,HfSi, VA gold metal silicide VSi2, Nb5Si
,, TaSi, , VIA metal silicide CrSi2, Mo
Si2, WSi2. VIIIA Gold Metal MnSi, VII
IA gold metals such as Fe, Si, CoSi, and Ni52 can be used. Examples of metal borides include Periodic Table I [IA gold metal borides Yb4, Yb1□, IIIB metal borides Al
Borides of rare earth metals such as 2B2, LaB, IV
A metal boride TiB, TiB2, ZrB, ZrB2,
ZrB, , HfB, , VA gold metal boride V B , N
b B, T a B z, Ta3B, , VIA metal boride CrB, CrB2, Cr, B4. Cr2
B, Cr, B.

VIIA金金属硼化物MnB、MnB、、VIIIA金
金属硼化物FeB、Fe、B、Co3B、Ni、B な
どが使用できる。
VIIA gold metal borides MnB, MnB, VIIIA gold metal borides FeB, Fe, B, Co3B, Ni, B, etc. can be used.

保護膜13中の第2の構成成分である有機物132とし
ては、記録膜12と同様の有機物が使用できる。
As the organic substance 132 which is the second component in the protective film 13, the same organic substance as the recording film 12 can be used.

即ち、炭素、水素、および、酸素、あるいは、窒素、あ
るいは両者と、さらには弗素とを少くとも含む有機物で
あれば、いかなる有機物も使用可能である。
That is, any organic substance can be used as long as it contains at least carbon, hydrogen, oxygen, nitrogen, or both, and fluorine.

このような構造の記録膜、保護膜は、以下のような種々
の方法で製作することができる。第1の方法は、反応性
スパタリングとプラズマ重合法とを同時に行なわせる方
法である。第2はマルチターゲットによるスパタリング
とプラズマ重合とを同時に行なわせる方法である。第3
はプラズマ重合とマルチソースによる蒸着とを同時に行
なわせる方法である。第4はマルチターゲットのスバタ
リングのみによる方法である。第5はマルチソースの蒸
着のみによる方法である。第6は有機金属やハロゲン化
金属と炭化水素等とを原料とするプラズマCVDによる
方法である。
A recording film and a protective film having such a structure can be manufactured by various methods as described below. The first method is to simultaneously perform reactive sputtering and plasma polymerization. The second method is to perform multi-target sputtering and plasma polymerization simultaneously. Third
is a method in which plasma polymerization and multi-source deposition are performed simultaneously. The fourth method is a method using only multi-target spattering. The fifth method is a method using only multi-source evaporation. The sixth method is a plasma CVD method using organic metals, metal halides, hydrocarbons, and the like as raw materials.

第1の方法により本発明の記録膜、保護膜を製作する詳
細な実施例を以下に示す。例えば、金属酸化物微粒子と
当該金属酸化物の金属微粒子と有機物とを少くとも含む
記録膜を形成するには、当該金属のターゲットを炭化水
素、酸素、あるいは、さらにアルゴン、弗化炭素を少く
とも含む混合ガスでスバタリングしてやれば良い。同様
に、金属窒化物微粒子と当該金属窒化物の金属微粒子と
有機物とを少くとも含む薄膜を製作するには、当該金属
のターゲットを炭化水素、窒素、あるいは、さらにアル
ゴン、弗化炭素を少くとも含む混合ガスでスパタリング
してやればよい。ここで、炭化水素としては、 CH4
,C,HいC,H,などのメタン系炭化水素、Cz H
4、Ca Hiなどのエチレン系炭化水素、C,H2、
C,H4などのアセチレン系炭化水素、 C,H,、C
,H,−CH,、C,I−(□2などの環状炭化水素が
使用可能である。
A detailed example of manufacturing the recording film and protective film of the present invention by the first method will be shown below. For example, in order to form a recording film containing at least metal oxide fine particles, metal fine particles of the metal oxide, and an organic substance, the metal target may be heated using at least hydrocarbon, oxygen, or further argon or carbon fluoride. It is best to subvert it with a mixed gas that contains it. Similarly, in order to fabricate a thin film containing at least metal nitride particles, metal nitride particles, and an organic substance, the metal target may be heated using hydrocarbon, nitrogen, or at least argon or carbon fluoride. Sputtering may be performed using a mixed gas containing the above. Here, the hydrocarbon is CH4
, C, H methane hydrocarbons such as C, H, Cz H
4. Ethylene hydrocarbons such as Ca Hi, C, H2,
Acetylenic hydrocarbons such as C, H4, C, H,, C
, H, -CH,, C, I-(□2) and other cyclic hydrocarbons can be used.

弗化炭素としては、CF4.CHF、、C,FいC,F
、などのメタン系弗化炭素、C,F4.C3F1C2H
,F、などのエチレン系弗化水素、C4F、、C,Fい
C,F1□などの環状弗化炭素が使用可能である。
As carbon fluoride, CF4. CHF,,C,FiC,F
, methane-based fluorocarbons such as C, F4. C3F1C2H
, F, etc., and cyclic fluorocarbons such as C4F, C, F, C, F1□, etc. can be used.

また、金属酸化物微粒子と有機物とを少くとも含む保護
膜を形成するには、当該金属のターゲットを炭化水素、
酸素、あるいは、さらに弗化炭素を少くとも含む混合ガ
スでスパタリングしてやれば良い。保護膜形成に用いる
炭化水素、弗化炭素としては、前記記録膜の形成に用い
られる炭化水素、弗化炭素はいずれも使用可能である。
In addition, in order to form a protective film containing at least metal oxide fine particles and organic matter, the metal target may be a hydrocarbon,
Sputtering may be performed using oxygen or a mixed gas containing at least carbon fluoride. As the hydrocarbon and carbon fluoride used for forming the protective film, any of the hydrocarbons and carbon fluoride used for forming the recording film can be used.

ここで、記録膜と保護膜との構造が異なるにもかかわら
ず、上記したほぼ同様の製造方法で両者が製作できる理
由は、次のとおりである。即ち、スバタリング装置にお
ける放電において、通常パラメータとして変化させうる
ものは、ガス組成。
Here, although the structures of the recording film and the protective film are different, the reason why both can be manufactured using substantially the same manufacturing method as described above is as follows. That is, in the discharge in a sputtering device, the parameter that can usually be changed is the gas composition.

放電圧力、印加電力、放電時間、ガスの平均滞在時間の
5種である。本発明で開示する記録膜、および、保護膜
の形成の場合、前記したように反応性スパタリングとプ
ラズマ重合とが同時に進行する。ガス組成、放電時間、
ガスの平均滞在時間を一定にした場合、放電圧力の増加
、印加電力の低下に伴ないプラズマ重合が促進され、逆
に、放電圧力の低下、印加電力の増加に伴ない反応性ス
パタリングが促進される傾向にある。そこで、形成され
る薄膜の化学組成は、放電圧力、印加電力を変化させる
ことにより制御できる。
There are five types: discharge pressure, applied power, discharge time, and average residence time of gas. In the case of forming the recording film and protective film disclosed in the present invention, reactive sputtering and plasma polymerization proceed simultaneously as described above. Gas composition, discharge time,
When the average residence time of the gas is kept constant, plasma polymerization is promoted as the discharge pressure increases and applied power decreases, and conversely, reactive sputtering is promoted as the discharge pressure decreases and the applied power increases. There is a tendency to Therefore, the chemical composition of the formed thin film can be controlled by changing the discharge pressure and applied power.

印加電力が一定のとき、放電圧力により薄膜の化学組成
がどのように変化するかを第4図を用いて説明する。第
4図はある印加電力のもとにおける本発明にかかる第1
の製造方法による記録膜などの薄膜の堆積速度と放電圧
力との関係である。
How the chemical composition of the thin film changes depending on the discharge pressure when the applied power is constant will be explained using FIG. 4. FIG. 4 shows the first example according to the present invention under a certain applied power.
This is the relationship between the deposition rate of a thin film such as a recording film and the discharge pressure according to the manufacturing method.

薄膜の堆積速度は曲線Aで表わされるように、放電圧力
の増加に伴なってゆるやかに増加する。ところが、この
薄膜は反応性スバタリングにより薄膜中にとり込まれる
成分とプラズマ重合によりとり込まれる成分との両者か
ら構成されている。前者の成分の堆積速度は曲線Bで表
わされるように。
As shown by curve A, the thin film deposition rate increases gradually as the discharge pressure increases. However, this thin film is composed of both components incorporated into the thin film by reactive sputtering and components incorporated by plasma polymerization. The deposition rate of the former component is as represented by curve B.

ある放電圧力のもとて極値を示し、その圧力より高い放
電圧力では急激に低下する。一方、後者の成分の堆積速
度は曲mCで表わされるように、放電圧力の増加に伴な
ってほぼ単調に増加する。
It shows an extreme value at a certain discharge pressure, and rapidly decreases at a discharge pressure higher than that pressure. On the other hand, the deposition rate of the latter component increases almost monotonically as the discharge pressure increases, as represented by curve mC.

次に、放電圧力が一定のとき、印加電圧により薄膜の化
学組成がどのように変化するかを第5図を用いて説明す
る。第5図は、ある放電圧力のもとにおける薄膜の堆積
速度と印加電力との関係である。薄膜の堆積速度は曲線
Aで表わされるように印加電力の増加に伴なって増加す
る。ここで。
Next, how the chemical composition of the thin film changes depending on the applied voltage when the discharge pressure is constant will be explained using FIG. FIG. 5 shows the relationship between the thin film deposition rate and applied power under a certain discharge pressure. The deposition rate of the thin film increases as the applied power increases, as represented by curve A. here.

この堆積速度の増加は、主として反応性スバタリングに
より薄膜中にとり込まれる成分の堆積速度Bの増加によ
るものである。プラズマ重合によりとり込まれる成分は
印加電力が低い領域において極値を示す。
This increase in deposition rate is primarily due to an increase in the deposition rate B of components incorporated into the thin film by reactive sputtering. The components taken in by plasma polymerization show extreme values in the region where the applied power is low.

また、放電圧力、印加電圧が一定であっても、ガス組成
を変化させることにより形成する薄膜の化学組成を制御
することもできる。即ち、反応性ガスを含ませた混合ガ
スによるスパタリングの場合、形成される薄膜は、■金
属成分のみから構成される場合、■金属成分と金属酸化
物、窒化物微粒子との混合物とから構成される場合、■
反応生成物である金属酸化物、窒化物微粒子のみから構
成される場合、の3種に分類できる。この薄1漠の構成
成分の変化は、反応性ガスの分圧に一次的には依存する
。即ち、金属成分のみから薄膜が構成される分圧をPM
、金属成分と金属酸化物、窒化物微粒子とから薄膜が構
成される分圧をP。、金属酸化物、窒化物微粒子のみか
ら薄膜が構成される分圧をP、としたとき、 これら3
者の間にはある適当な印加電力、放電圧力等の条件のも
とにおいで以下の関係が成立する。
Furthermore, even if the discharge pressure and applied voltage are constant, the chemical composition of the thin film to be formed can be controlled by changing the gas composition. That is, in the case of sputtering using a mixed gas containing a reactive gas, the thin film formed is: (1) composed of only a metal component, (2) a mixture of a metal component and metal oxide or nitride fine particles. If ■
When it is composed only of metal oxide and nitride fine particles that are reaction products, it can be classified into three types. Changes in the constituents of this thin film primarily depend on the partial pressure of the reactive gas. In other words, PM is the partial pressure at which a thin film is formed from only metal components.
, P is the partial pressure at which a thin film is formed from metal components, metal oxides, and nitride particles. , when the partial pressure at which a thin film is formed only from metal oxide and nitride fine particles is P, these three
Under certain conditions such as appropriate applied power and discharge pressure, the following relationship holds between the two.

そこで、本発明記録膜形成の場合、ある印加電力、放電
圧力のもとにおける反応性ガスの分圧と反応性スパタリ
ングによる生成物とプラズマ重合による有機物との堆積
速度との関係は第6図のようになる。第6図において、
B−1は反応性スバタリングによる生成物のうち金属成
分の堆積速度であり、B−2は金属酸化物、窒化物微粒
子の堆積速度である。また、Cは有機物の堆積速度、A
はトータルの薄膜の堆積速度である。ここで、金属酸化
物、窒化物微粒子が記録膜にとりこまれる最小の応答性
ガスの分圧がP工、金属成分が記録膜にとりこまれる最
大の応答性ガスの分圧がP2である。
Therefore, in the case of forming the recording film of the present invention, the relationship between the partial pressure of the reactive gas and the deposition rate of the product by reactive sputtering and the organic matter by plasma polymerization under a certain applied power and discharge pressure is shown in Figure 6. It becomes like this. In Figure 6,
B-1 is the deposition rate of metal components among the products of reactive sputtering, and B-2 is the deposition rate of metal oxide and nitride fine particles. In addition, C is the deposition rate of organic matter, A
is the total thin film deposition rate. Here, the minimum partial pressure of the responsive gas at which the metal oxide or nitride fine particles are incorporated into the recording film is P, and the maximum partial pressure of the responsive gas at which the metal component is incorporated into the recording film is P2.

次に、ガスの平均滞在時間を制御することによす有機物
の分解温度を制御することもできる。これは、ガスの平
均滞在時間を大きくすることにより、プラズマ重合反応
が促進され、より緻密な3次元構造の、別の表現をとれ
ば、より高度に架橋した有機物が形成でき、このような
構造になればなる程、その有機物の分解温度は上昇する
からである6 最後に、放電時間は薄膜の薄膜に直接関係する。
Next, the decomposition temperature of organic matter can also be controlled by controlling the average residence time of the gas. This is because by increasing the average residence time of the gas, the plasma polymerization reaction is promoted, and a more dense three-dimensional structure, or in other words, a more highly cross-linked organic substance, can be formed. 6 Finally, the discharge time is directly related to the thinness of the thin film.

以上、5種のパラメータに関し、これらを変化させると
どのような記録膜が形成できるか、あるいは、目的とす
る記録膜をどのような手段で製作するかを説明した。こ
れらのパラメータを適切に選定することにより記録膜の
記録再生特性、分光特性、寿命特性等を目的に適ったも
のに制御することができる。
The above describes the type of recording film that can be formed by changing the five parameters, and the method used to produce the desired recording film. By appropriately selecting these parameters, the recording/reproducing characteristics, spectral characteristics, lifetime characteristics, etc. of the recording film can be controlled to suit the purpose.

本発明の記録媒体の第2の製造方法は、マルチターゲッ
トによる同時スパタリングとプラズマ重合とを同時に行
なわせる方法であって、特に硅化物や硼化物など反応性
スバタリングで形成しにくい構成成分からなる保護膜の
形成に有力な方法である。具体的には、記録膜の形成を
前記したいずれかの金属ターゲットと前記したいずれか
の金属酸化物、金属窒化物ターゲットのステアリン酸と
炭化水素等プラズマ重合とによって行なう、同様に、保
護膜の形成を前記したいずれかの金属酸化物等化合物タ
ーゲットのスバタリングと炭化水素等のプラズマ重合等
によって行なう、プラズマ重合の原料となる炭化水素、
弗化炭素は、前記、第1の製造方法において挙げたもの
はいずれも使用可能である。
The second manufacturing method of the recording medium of the present invention is a method in which simultaneous multi-target sputtering and plasma polymerization are performed at the same time, and in particular, protection is made of constituents that are difficult to form by reactive sputtering, such as silicides and borides. This is an effective method for forming films. Specifically, the recording film is formed by plasma polymerization of stearic acid and hydrocarbon of any of the above metal targets and any of the above metal oxide or metal nitride targets, and similarly, the protective film is formed by plasma polymerization of stearic acid and hydrocarbons. Hydrocarbons, which serve as raw materials for plasma polymerization, are formed by sputtering a compound target such as any of the metal oxides described above and plasma polymerization of hydrocarbons, etc.;
As the carbon fluoride, any of those listed in the first manufacturing method can be used.

本発明の記録媒体の第3の製造方法は、記録膜。A third method for manufacturing a recording medium of the present invention is a recording film.

および、保護膜中の有機物以外の構成成分を、電子ビー
ム蒸着等の方法によって薄膜中にとり込む方法である。
Another method is to incorporate components other than organic substances in the protective film into the thin film by a method such as electron beam evaporation.

具体的には、記録膜の形成を前記したいずれかの金属原
料と前記したいずれかの金属酸化物、窒化物原料をそれ
ぞれ異なるルツボに入れ、交互に電子ビームを照射して
蒸発させるブ、ロセスと炭化水素等のプラズマ重合によ
って行なう。
Specifically, the recording film is formed by a process in which any of the metal raw materials described above and any of the metal oxide or nitride raw materials described above are placed in different crucibles and evaporated by alternately irradiating them with electron beams. This is done by plasma polymerization of hydrocarbons, etc.

保護膜は前記したいずれかの金属酸化物等化合物材料の
電子ビーム照射による蒸発と炭化水素等のプラズマ重合
とを同時に行なわせる方法、あるいは、プラズマ中に酸
素、窒素等を導入した反応性蒸着と炭化水素等のプラズ
マ重合のプロセスとを同時に行なわせる方法によって形
成する。この製造方法の場合にも、プラズマ重合の原料
となる炭化水素、弗化水素は、前記、第1の製造方法に
おいて挙げたものはいずれも使用可能である。
The protective film can be formed by simultaneous evaporation of compound materials such as metal oxides by electron beam irradiation and plasma polymerization of hydrocarbons, etc., or by reactive vapor deposition by introducing oxygen, nitrogen, etc. into the plasma. It is formed by a method in which a process of plasma polymerization of hydrocarbons, etc. is carried out simultaneously. In this production method as well, any of the hydrocarbons and hydrogen fluoride listed in the first production method can be used as raw materials for plasma polymerization.

本発明の記録媒体の第4の製造方法は、マルチターゲッ
トの同時スパタリングのみによる方法である。記録膜は
、前記したいずれかの金属ターゲットと前記したいずれ
かの金属酸化物、窒化物ターゲットと有機物ターゲット
の同時ステアリン酸によって形成する。有機物ターゲッ
トとしては、PTFE、PFA、FEP、EPE、ET
FE、PCTFE%PVDF、PVF等の含弗素重合物
やポリイミド、ポリエーテルイミド等の含窒素重合物や
ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等の
含酸素重合物などが使用できる。スバタリングはアルゴ
ン等の希ガスを用いて行なうが、有機物ターゲットの種
類によっては炭化水素。
A fourth method for manufacturing a recording medium of the present invention is a method using only simultaneous multi-target sputtering. The recording film is formed by simultaneously stearic acid of any of the metal targets described above, any of the metal oxides described above, a nitride target, and an organic target. Organic targets include PTFE, PFA, FEP, EPE, and ET.
Fluorine-containing polymers such as FE, PCTFE% PVDF and PVF, nitrogen-containing polymers such as polyimide and polyetherimide, and oxygen-containing polymers such as polyetherketone and polyetheretherketone can be used. Svater ring is performed using a rare gas such as argon, but depending on the type of organic target, hydrocarbon gas may be used.

弗化炭素等を添加することも記録媒体の記録再生特性を
向上させる上で有力な方法である。保護膜は、前記した
化合物ターゲット、および、前記した有機物ターゲット
の同時スパタリングにより形成する。スバタリングはア
ルゴン等の希ガス、あるいは、さらに炭化水素、弗化炭
素等を添加して行なう。添加ガスは密着性や耐傷性を向
上させる目的で使用する。
Adding carbon fluoride or the like is also an effective method for improving the recording and reproducing characteristics of a recording medium. The protective film is formed by simultaneous sputtering of the above compound target and the above organic target. The sputtering is performed by adding a rare gas such as argon, or a hydrocarbon, carbon fluoride, or the like. The additive gas is used to improve adhesion and scratch resistance.

本発明の記録媒体の第5の製造方法は、マルチソースの
蒸着による方法である。記録膜、および。
A fifth method for manufacturing the recording medium of the present invention is a method using multi-source vapor deposition. recording membrane, and.

保護膜は、前記したいずれかの金属原料をタングステン
、モリブデン、タンタル等高融点金属からなるボートの
抵抗加熱による真空蒸着、あるいは電子ビーム蒸着と前
記したいずれかの金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物
、金属硅化物、金属硼化物原料の電子ビーム蒸着と有機
物材料の金属ボートの抵抗加熱による真空蒸着を同時に
行なわせることによって形成する。有機物原料としては
以下の各種のものが使用できる。即ち、ステアリン酸。
The protective film can be formed by vacuum evaporation of any of the above-mentioned metal raw materials by resistance heating in a boat made of high melting point metals such as tungsten, molybdenum, tantalum, etc., or by electron beam evaporation and any of the above-mentioned metal oxides, metal nitrides, or metals. It is formed by simultaneous electron beam evaporation of carbide, metal silicide, and metal boride raw materials and vacuum evaporation of organic material by resistance heating of a metal boat. The following various materials can be used as organic raw materials. Namely, stearic acid.

パルミチン酸、ミリスチン酸、スルファニル酸等のカル
ボン酸、ナイロン、ポリビニルアルコール、メチルセル
ロース、ポリメタクリル酸、ポリエチレンなどである。
These include carboxylic acids such as palmitic acid, myristic acid, and sulfanilic acid, nylon, polyvinyl alcohol, methylcellulose, polymethacrylic acid, and polyethylene.

また、フタロシアニン、シアニン等の色素も好ましい有
機物である。
Further, dyes such as phthalocyanine and cyanine are also preferred organic substances.

本発明の記録媒体の第6の製造方法は、揮発性の高い有
機金属化合物や水素化物、ハロゲン化物やカルボニル化
合物と炭化水素等を原料とするプラズマCVDによる方
法である。有機金属化合物は主として周期律表のIB、
IIB、IIIB、IVB。
A sixth method for producing a recording medium of the present invention is a plasma CVD method using highly volatile organic metal compounds, hydrides, halides, carbonyl compounds, hydrocarbons, and the like as raw materials. Organometallic compounds are mainly found in IB of the periodic table,
IIB, IIIB, IVB.

VB 、VIB 、■B金金属原料として使用できる。VB, VIB, ■B Can be used as a gold metal raw material.

例えば有機金属化合物はAQ(CH3)、、Ga(CH
,)、、In(CH3)、、5i(CH,)4、Ga(
CH,)4.5n(CHx)4.5b(CHa)a、B
i(CH,)、などであり、水素化物は SiH4,G
aH4,SbH,などが使用可能である。ハロゲン化物
やカルボニル化合物は主として周期律表のHA 、 r
VA 、 VA 、VIA 、VIIIA。
For example, organometallic compounds include AQ(CH3), , Ga(CH
,),,In(CH3),,5i(CH,)4,Ga(
CH,)4.5n(CHx)4.5b(CHa)a,B
i(CH,), etc., and the hydride is SiH4,G
aH4, SbH, etc. can be used. Halides and carbonyl compounds are mainly HA and r in the periodic table.
VA, VA, VIA, VIIIA.

VIIIA金金属希土類金属の原料として使用できる。VIIIA gold metal can be used as a raw material for rare earth metals.

例えば、YF3.LaF、、MnF、、FeF、、Ni
F。
For example, YF3. LaF, ,MnF, ,FeF, ,Ni
F.

などの弗化物、Ti(4,、CrCら、NbCQ、、C
r(Co)s、TaC1,、CrCQ3、MoCQs、
WCQ、などの塩化物、あるいはM o (G O) 
−、W (G O) s 、 F e (CO) s、
Go、(Go)、、N1(C○)、、Rh、(C○)1
1 などのカルボニル化合物である。また、(CzHs
LTiC:ら、(C,H,)、ZrCQ、、(C,H,
)2Hf(1,。
Fluorides such as Ti(4, CrC et al., NbCQ, C
r(Co)s, TaC1, CrCQ3, MoCQs,
Chlorides such as WCQ, or M o (G O)
−, W (GO) s, Fe (CO) s,
Go, (Go),, N1 (C○),, Rh, (C○)1
It is a carbonyl compound such as 1. Also, (CzHs
LTiC: et al. (C, H,), ZrCQ, , (C, H,
)2Hf(1,.

(C,H,)2MoCら、(c2Hs)awct、など
の金属錯体、またY(OC5H7)3、Ti(OC,H
,)、、Z r (OC3H7) a、Nb(QC,H
,)、、Ta(QC,H,)、。
Metal complexes such as (C,H,)2MoC, (c2Hs)awct, etc., as well as Y(OC5H7)3, Ti(OC,H
,),,Z r (OC3H7) a, Nb(QC,H
,),,Ta(QC,H,),.

Cu(OCH−)a、Al2(OC3H1)、、 Si
(QC2Hg)4゜5n(QC,H,)、、5b(QC
,H,)a、Bi(OC2H5)3などの金属アルコキ
シドも使用できる。これらは。
Cu(OCH-)a, Al2(OC3H1), Si
(QC2Hg)4゜5n(QC,H,), 5b(QC
, H, )a, and metal alkoxides such as Bi(OC2H5)3 can also be used. these are.

要すれば加熱等の処理を加えた後CVDの反応容器へ導
入される。また、キャリアガスとしてHa、Ne、Xe
、Ar、N、などが用いられ、さらに反応性ガストシテ
02、C01Go、、 N、O,N、、NH,、N2H
いCHいC,H4,C,H,、C,HいC,H,、CF
いC,F、、C2FいC,H,などが用いられる。
After being subjected to treatment such as heating if necessary, it is introduced into a CVD reaction vessel. In addition, Ha, Ne, and Xe are used as carrier gas.
, Ar, N, etc. are used, and in addition, reactive gases such as 02, C01Go, , N, O, N, , NH,, N2H
ICH C, H4, C, H,, C, H C, H,, CF
C, F, C2F, C, H, etc. are used.

本発明記録膜、保護膜の基本構造、製造方法については
上記のとおりであるが、基本構造以外に記録膜、保護膜
が満足すべき諸特性を以下に記す。
The basic structure and manufacturing method of the recording film and protective film of the present invention are as described above, but in addition to the basic structure, various characteristics that the recording film and protective film should satisfy are described below.

記録膜が満足すべき特性の第1は、バブル形成タイプの
記録膜として適当な20以上200nm以下の膜厚範囲
において、 その分光吸収率が10以上60%以下、分
光反射率が30%以上を示すことである。記録膜の分光
特性は、主として記録膜中の金属微粒子の性状、即ち、
種類や粒径、またその含有量に依存する。本発明の記録
膜の場合、記録膜中の金属微粒子が5以上15重量%程
度含まれていれば、分光吸収率、分光反射率は上記の範
囲に入る。
The first characteristic that a recording film should satisfy is that its spectral absorption should be 10 to 60% and its spectral reflectance should be 30% or more in a film thickness range of 20 to 200 nm, which is suitable for a bubble-forming type recording film. It is to show. The spectral characteristics of a recording film mainly depend on the properties of metal particles in the recording film, that is,
It depends on the type, particle size, and content. In the case of the recording film of the present invention, if the recording film contains about 5 to 15% by weight of metal fine particles, the spectral absorption rate and spectral reflectance fall within the above range.

満足すべき特性の第2は、再生信号コントラスト比が0
.6以上の大きい値のとれる形状良好で充分な隆起高さ
をもったバブルの形成できることである。バブルの形成
は前記したように記録膜中の有機物の蒸発がガス圧力と
して記録膜と基板との界面に作用する結果として発現し
たものである。
The second characteristic that should be satisfied is that the reproduced signal contrast ratio is 0.
.. It is possible to form bubbles with a good shape and sufficient protrusion height that can take a large value of 6 or more. As described above, bubble formation occurs as a result of evaporation of organic matter in the recording film acting as gas pressure on the interface between the recording film and the substrate.

本発明の記録膜の場合、記録膜中の有機物量が0.5以
上4重量%以下であれば、上記の良好な再生信号コント
ラスト比が得られる6本発明の記録膜からの有機物の蒸
発温度、即ち、記B膜の分解温度は、有機物の性状、種
類、分子構造、分子量などによっても異なるが、100
以上250℃以下の範囲である。記録膜中の金属酸化物
、窒化物微粒子の粒径は10nm以下に微細であること
が望ましい、膜厚方向の微粒子数として、少くとも15
グレイン程度以上は必要である。記録膜中の金属微粒子
の粒径も10n+++以下であることが望ましい。
In the case of the recording film of the present invention, if the amount of organic matter in the recording film is 0.5 or more and 4% by weight or less, the above-mentioned good reproduced signal contrast ratio can be obtained.6 Evaporation temperature of organic matter from the recording film of the present invention That is, the decomposition temperature of the film B varies depending on the nature, type, molecular structure, molecular weight, etc. of the organic substance, but the decomposition temperature is 100%.
The temperature range is above 250°C. The particle size of metal oxide and nitride fine particles in the recording film is preferably 10 nm or less, and the number of fine particles in the film thickness direction is at least 15.
A grain size or more is required. It is also desirable that the particle size of the metal fine particles in the recording film is 10n+++ or less.

また、耐食性を向上させる観点から金属微粒子は非晶質
であることが望ましい、上記した記録膜、および、保護
膜としての諸特性、即ち1組成、蒸発温度11分光特性
、粒径、結晶性は記録膜形成時の膜形成パラメータを所
定のものに制御することにより目的の値にすることがで
きる。
In addition, from the viewpoint of improving corrosion resistance, it is desirable that the metal fine particles be amorphous.The above-mentioned characteristics of the recording film and protective film, namely composition, evaporation temperature, spectroscopic characteristics, particle size, and crystallinity, are A desired value can be achieved by controlling the film formation parameters during formation of the recording film to predetermined values.

保護膜が満足すべき特性の第1は、通常のドライプロセ
ス法による成膜方法によって容易に実現できる範囲であ
る5000票以下の膜厚において、スクラッチなどによ
る記録膜の損傷に対する充分な保護機能を有することで
ある。この保護機能は保護膜の機械的な硬度の高い程大
きい0本発明の保護膜の場合、その構成成分の一つとし
て、本来、高硬度が特徴である金属酸化物などの化合物
微粒子が含まれているため充分大きい機械的硬度が付与
されている。種々の実験の結果、保護膜の硬度の値とし
ては、JIS K5400に定められた鉛筆硬度で4H
以上あれば、記録膜の保護機能が充分であった・ 保護膜が満足すべき特性の第2は、記録膜に対する高い
密着性を有することである。前記した金属酸化物などの
化合物のみから構成される保護膜の場合、その内部応力
の高いことが多く、積層過程や積層後の放置期間等にお
いて保護膜にクラックの発生をみたり、保護膜が剥離し
たりする問題が多かった0本発明の保護膜の場合、内部
応力の減少に有効な有機物が構成成分として含まれてい
るため、内部応力に起因するクラック発生、剥離の問題
はほとんど見られなかった。保護膜中の有機物量として
は、0.4以上6重量%以下が適当である。保護膜中の
金属酸化物などの化合物微粒子の粒径はIonm以下に
微細であることが望ましい。
The first characteristic that the protective film should satisfy is that it should have sufficient protection against damage to the recording film due to scratches, etc., at a film thickness of 5000 mm or less, which is easily achieved by the normal dry process method. It is to have. This protective function increases as the mechanical hardness of the protective film increases. In the case of the protective film of the present invention, fine particles of compounds such as metal oxides, which are originally characterized by high hardness, are included as one of its constituent components. This gives it sufficient mechanical hardness. As a result of various experiments, the hardness value of the protective film was 4H based on the pencil hardness specified in JIS K5400.
With the above, the protective function of the recording film was sufficient. The second characteristic that the protective film should satisfy is that it has high adhesion to the recording film. In the case of a protective film composed only of compounds such as the metal oxides mentioned above, the internal stress is often high, and cracks may occur in the protective film during the lamination process or for a period of time after lamination. In the case of the protective film of the present invention, since it contains an organic substance that is effective in reducing internal stress as a constituent component, there are almost no problems with cracking or peeling caused by internal stress. There wasn't. The amount of organic matter in the protective film is suitably 0.4 or more and 6% by weight or less. It is desirable that the particle size of the fine particles of a compound such as a metal oxide in the protective film be as fine as Ionm or less.

内部応力が緩和され、結果として密着力が向上する効果
が増大するためである。膜厚方向の粒子数として少くと
も20グレイン程度以上は必要である。上記した保護膜
としての諸特性、即ち、組成、粒径などでは保護膜形成
時の膜形成パラメータを所定のものに制御することによ
り目的の値にすることができる。また、保護膜はピンホ
ールやボイドなどもなく、さらに緻密なものであること
が望ましい。保護膜の緻密化、即ち、高密度化は諸特性
と同様に膜形成パラメータを適正化することにより達成
できる。記録膜に対する保護膜の密着性を定量的に評価
することは難しいが、成膜後の光メモリ製作工程におけ
る剥離トラブルの発生は、保護膜中の有機物量が上記の
範囲であれば、実用上無視できるほどに少ない結果を得
た。
This is because internal stress is relaxed, and as a result, the effect of improving adhesion is increased. The number of grains in the film thickness direction is required to be at least about 20 grains or more. The various properties of the protective film described above, such as composition and particle size, can be set to desired values by controlling the film forming parameters at the time of forming the protective film to predetermined values. Furthermore, it is desirable that the protective film be dense and free from pinholes and voids. Densification of the protective film, that is, high density, can be achieved by optimizing film formation parameters as well as various properties. Although it is difficult to quantitatively evaluate the adhesion of the protective film to the recording film, the occurrence of peeling problems in the optical memory manufacturing process after film formation can be practically ignored if the amount of organic matter in the protective film is within the above range. I got as few results as I could.

さらに、記録再生用レーザビームを保護膜側から照射す
る場合、保護膜が満足すべき第3の特性として、分光透
過率の高いことが要求される。レーザビームを有効に記
録膜に到達させ高い効率で記録を行なうこと、あるいは
、少ない誤り率で再生を行なうためである。分光透過率
としては60%以上あることが望ましい0本発明の保護
膜の場合、構成成分が金属酸化物などの化合物微粒子と
有機物とであるため、本来高い光の吸収性は示さない。
Furthermore, when the recording/reproducing laser beam is irradiated from the protective film side, the third characteristic that the protective film must satisfy is that it has high spectral transmittance. This is to enable the laser beam to reach the recording film effectively and perform recording with high efficiency, or to perform reproduction with a low error rate. In the case of the protective film of the present invention, the spectral transmittance is preferably 60% or more. Since the constituent components are compound particles such as metal oxides and organic substances, they do not inherently exhibit high light absorption.

また、仮に保護膜の形成条件の如何かによって保護膜中
に金属微粒子が含まれたとしても、分光透過率が60%
未満に低下することなく、さらに他の保護機能や密着性
が減少しなければ何ら差しつかえはない。
In addition, even if metal particles are included in the protective film due to the formation conditions of the protective film, the spectral transmittance will be 60%.
There is no problem as long as the protective function and adhesion do not decrease to below 100%, and other protective functions and adhesion do not decrease.

本発明の光情報記録媒体の基板としては各種のものを用
いることができる。即ち、基板の形状、材質は、その記
録媒体がいかなる記録再生装置に用いられるかによって
変化する。ただし、記録媒体の主要な特性は基板の如何
によらず、はぼ固有の特性を示すからである。例えば、
本発明の記録媒体は、光メモリディスク、光メモリカー
ド、光メモリテープのいずれの形態においても使用可能
である。
Various types of substrates can be used for the optical information recording medium of the present invention. That is, the shape and material of the substrate change depending on what kind of recording/reproducing device the recording medium is used for. However, this is because the main characteristics of a recording medium exhibit unique characteristics regardless of the type of substrate. for example,
The recording medium of the present invention can be used in any form of an optical memory disk, an optical memory card, or an optical memory tape.

光モメリディスクとしては、金属系の基板、有機物系の
基板、ガラス基板のいずれも使用可能である。金属系の
基板としてはAQ製、A1合金製のもの、有機物系の基
板としては、アクリル系、ポリカーボネイト系、エポキ
シ系、ポリオレフィン系、ボリアリレート系、ポリエー
テルケトンォン系、ポリエーテルイミド系、ポリエーテ
ルケトン、ポリエーテルエーテルケトン系、ポリフェニ
ルサルライン系等のものが使用可能である。形状として
は、φ14′、φ12′、φ8′、φ51八1φ31八
″、φ2′ 等のものに適用可能である。
Any of a metal substrate, an organic substrate, and a glass substrate can be used as the optical memory disk. Metal substrates include AQ and A1 alloy substrates; organic substrates include acrylic, polycarbonate, epoxy, polyolefin, polyarylate, polyetherketone, polyetherimide, Polyetherketone, polyetheretherketone, polyphenylsalline, etc. can be used. Applicable shapes include φ14', φ12', φ8', φ518'', φ318'', and φ2'.

基板の厚さとしては1.5t、1.2tなどいずれのも
のにも適用可能である。光メモリディスクの構成として
は第1図に示すものが適当である。光メモリカードとし
ては、ガラス基板を除く、金属系、有機系の基板のいず
れにも適用可能である。外径は86X54nn+のIS
O規格のもの、それ以外のものにも適用可能である。基
板の厚さは1.2t、0.7t、0.4を等のいずれに
も適用可能である。光メモリテープの基板としては、厚
さ25.程度のテープ形状に成形が可能であって、成膜
時の温度上昇に耐えられる耐熱性と過酷な動作条件に耐
えられる機械的強度があれば、いかなるものも適用可能
である0例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
ーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ボリアリレ
ート等が使用できる。
Any substrate thickness such as 1.5t or 1.2t is applicable. The configuration shown in FIG. 1 is suitable for the optical memory disk. As an optical memory card, any of metal-based and organic-based substrates can be applied, except for glass substrates. IS with outer diameter of 86x54nn+
It is applicable to O standard and other types. The thickness of the substrate may be 1.2t, 0.7t, 0.4t, etc. The substrate for the optical memory tape has a thickness of 25 mm. Any material can be used as long as it can be formed into a tape shape of about 100 ml, has heat resistance to withstand the temperature rise during film formation, and mechanical strength to withstand harsh operating conditions.0 For example, polyethylene terephthalate , polyetherketone, polyimide, polyetheretherketone, polyetherimide, polysulfone, polyarylate, etc. can be used.

上記した各種基板は、その表面にトラッキングガイド用
のグループの形成されていることが望ましい。グループ
は基板表面に直接形成されであるもの、例えば紫外線硬
化樹脂からなるグループ形成層が積層されであるものの
いずれも使用できる。
It is desirable that the various substrates described above have groups for tracking guides formed on their surfaces. The groups may be formed directly on the surface of the substrate, or may be formed by laminating a group forming layer made of an ultraviolet curing resin, for example.

またグループのパターンは、光ディスクであればスパイ
ラル状、同心円状、光カードであればストライプ状、円
弧状、光テープであればストライプ状のものが適当であ
る。また、フォーマット、および、トラッキング用のパ
ターンが配置されである基板が望ましい。
Further, suitable group patterns are spiral or concentric circles for an optical disk, stripes or arcs for an optical card, and stripes for an optical tape. Further, a substrate on which formatting and tracking patterns are arranged is desirable.

(実施例−1) 記録膜、保護膜が下記のような6種の光情報記録媒体(
第1表参照)を製作した。即ち、記録膜\保護膜が、そ
れぞれ、(AらO,+AQ十有機物)\(AQ、03+
有機物)、 (In、O,+In+有機物)\(I n
、03+有機物)、(S n O、+ S n十有機物
)\(SnO,十有機物)、(SbO,+Sb+有機物
)\(sb、○、十有機物)、(Bi、O,+Bi+有
機物)\(Bizoa+有機物)、(T e O、+ 
T e+有機物)\(Tea、十有機物)、の6種であ
る。記録膜と保護膜との形成は、それぞれ当該金属から
なるターゲットを具備させたRFマグネトロンスパタ装
置(捻出製作所製CFS −8ERF型)を用いて行な
った。
(Example-1) Six types of optical information recording media with recording films and protective films as shown below (
(See Table 1). That is, the recording film\protective film is (A et O, +AQ ten organic substances)\(AQ, 03+
organic matter), (In, O, +In+organic matter)\(In
, 03 + organic matter), (S n O, + S n 10 organic matter) \ (SnO, 10 organic matter), (SbO, + Sb + organic matter) \ (sb, ○, 10 organic matter), (Bi, O, + Bi + organic matter) \ ( Bizoa + organic matter), (T e O, +
There are 6 types: Te+organic matter)\(Tea, 10 organic matter). The recording film and the protective film were formed using an RF magnetron sputtering device (model CFS-8ERF, manufactured by Tsude Seisakusho Co., Ltd.) each equipped with a target made of the metal.

ターゲット(純度4N、高純度化学層)の形状は、φ1
25X4tである。基板は、形状φ130X1.2tで
、ポリカーボネート樹脂製(出光石油化学展M8A25
1−^、連続サーボ用グループ付き)のものを使用した
。記録膜と保護膜との形成にかかる放電、即ち、反応性
スパタリングとプラズマ重合とは、CH,、O,、CF
、からなる混合ガスを用いて行なわせた。混合ガスの組
成は、CH110□/CF、=64.4/27.6/8
.0 (体積%)に統一した。
The shape of the target (purity 4N, high purity chemical layer) is φ1
It is 25X4t. The board has a shape of φ130 x 1.2t and is made of polycarbonate resin (Idemitsu Petrochemical Exhibition M8A25
1-^, with continuous servo group) was used. The discharge involved in forming the recording film and the protective film, that is, reactive sputtering and plasma polymerization, are CH, O, CF.
The experiment was carried out using a mixed gas consisting of . The composition of the mixed gas is CH110□/CF, = 64.4/27.6/8
.. It was unified to 0 (volume%).

ガスの流量は、 Qco*/ Qo*/ QCF4=1
4.0/6.0/1.7 SCCMとした。記録膜の形
成は、印加電力600W、放電圧力6mTorr (N
z換算値)、放電時間は、記録膜の膜厚が80n+++
になるよう2〜3分間の範囲で調整した。保護膜の形成
は、記録膜の形成に引続き、同一スパタ装置で行なった
。保護膜形成の各条件は、印加電力を300W、放電圧
力を9mTorr (Nz換算値)、放電時間を4分間
とした他は、記録膜形成時と同一のガス種、ガス組成、
ガス流量とした。このようにして形成した保護膜の膜厚
は170から210nmであった。
The gas flow rate is Qco*/Qo*/QCF4=1
4.0/6.0/1.7 SCCM. The recording film was formed using an applied power of 600 W and a discharge pressure of 6 mTorr (N
z conversion value), the discharge time is when the recording film thickness is 80n+++
Adjustments were made within the range of 2 to 3 minutes so that The protective film was formed using the same sputtering device as the recording film was formed. The conditions for forming the protective film were the same as those for forming the recording film, such as the same gas type, gas composition, and
Gas flow rate. The thickness of the protective film thus formed was 170 to 210 nm.

上記記録膜、保護膜の化学組成を以下のように求めた。The chemical compositions of the recording film and protective film were determined as follows.

即ち、同一の条件でシリコン基板へ堆積させた記録膜、
および、保護膜に関し熱重量分析から求めた有機物量は
、それぞれ、約2から約4重量%、約3から約5重量%
であった。また、同様にして製作した試料に関し示差走
査熱量分析から求めた金属成分量は、記録膜中が約8か
ら約20重量%であり、保護膜中が約1重量%前後であ
った。また、熱重量分析から求めた記録膜の蒸発温度は
、約120から約170℃であり、保護膜の蒸発温度は
約180から約210℃であった。
That is, a recording film deposited on a silicon substrate under the same conditions,
The amount of organic matter determined from thermogravimetric analysis of the protective film is about 2 to about 4% by weight and about 3 to about 5% by weight, respectively.
Met. Further, the amount of metal components determined by differential scanning calorimetry for samples produced in the same manner was about 8 to about 20% by weight in the recording film, and about 1% by weight in the protective film. Further, the evaporation temperature of the recording film determined from thermogravimetric analysis was about 120 to about 170°C, and the evaporation temperature of the protective film was about 180 to about 210°C.

記録膜、保護膜の密着性を次の3種の試料に関する粘着
テープの引きはがし試験で評価した。第1、第2の試料
はポリカーボネート樹脂基板へ記録膜、保護膜を、それ
ぞれ単層形成した試料であり、第3の試料はポリカーボ
ネイト樹脂基板へ記録膜、保護膜の順に積層した試料で
ある0次にJIS DO202に定められた方法(とば
ん目試験法)で密着性を調べたところ、いずれの試料に
おいても全く剥離が認められなかった。同一条件でガラ
ス基板上に形成した保護膜に関し、ASTM 3363
、JIS K5400. K5401に定める方法でそ
の鉛筆引っかき硬度を求めたところ、6種の保護膜のい
ずれも4Hから6Hという大きい硬度の値を示した。
The adhesion of the recording film and the protective film was evaluated by an adhesive tape peeling test on the following three types of samples. The first and second samples are samples in which a single layer of a recording film and a protective film are respectively formed on a polycarbonate resin substrate, and the third sample is a sample in which a recording film and a protective film are laminated in this order on a polycarbonate resin substrate. Next, adhesion was examined using the method specified in JIS DO202 (cross-over test method), and no peeling was observed in any of the samples. Regarding the protective film formed on the glass substrate under the same conditions, ASTM 3363
, JIS K5400. When the pencil scratch hardness was determined by the method specified in K5401, all of the six types of protective films showed large hardness values of 4H to 6H.

次に、これら6種の光ディスクに関し、以下のようにし
て寿命特性を評価した。即ち、60℃、90%RHの環
境条件下における500時間放置前後の分光反射率(′
ljA定波長830nm、Cary−17にて測定)の
変化による評価である。放置前の分光反射率をRo、放
置後をR1として、R1/ROの値は6種光デイスクの
いずれも0.95以上という良好な寿命特性を示した。
Next, the life characteristics of these six types of optical discs were evaluated as follows. That is, the spectral reflectance ('
This is an evaluation based on a change in ljA (measured at a constant wavelength of 830 nm, Cary-17). The spectral reflectance before standing is Ro, and after standing is R1, the value of R1/RO is 0.95 or more for all of the 6 types of optical discs, indicating good life characteristics.

なお、これら6種光デイスクの寿命評価前の分光反射率
R6は、いずれも40%以上という値であった。この値
は、高いSN比で再生信号を処理するのに充分なレベル
の値である。
The spectral reflectance R6 of these six types of optical disks before the life evaluation was all 40% or more. This value is at a level sufficient to process the reproduced signal with a high SN ratio.

さらに記録膜、保護膜の密着性、保護膜の硬度を上記環
境条件による放置後においても測定評価したところ、密
着性、硬度のいずれも放置前と変らない特性であった。
Further, the adhesion of the recording film and the protective film and the hardness of the protective film were measured and evaluated even after being left under the above environmental conditions, and both the adhesion and hardness were found to be the same as before being left.

このようにして製作した6種の光ディスクについて記録
再生特性を測定した。測定は、回転数1800rp+*
、半径55mの位M(緩速10.4m/5ec)におい
て行なった。レーザビームの波長は830r+s+、対
物レンズのNAは0.6である。記録は、書込みパワー
を10から18mW、 パルス幅を150nsecで行
なった。再生は、レーザ出力0.F+++Wの連続ビー
ムで行なった。書込みパワーを変化させて求めた再生信
号コントラスト比の飽和値とそのコントラスト比を得る
のに必要であった存込みパワーと光ディスクの構成との
関係を第1表に示す。
The recording and reproducing characteristics of six types of optical discs manufactured in this manner were measured. Measurement is at rotation speed 1800rpm+*
, at a radius of 55 m (slow speed 10.4 m/5ec). The wavelength of the laser beam is 830r+s+, and the NA of the objective lens is 0.6. Recording was performed with a write power of 10 to 18 mW and a pulse width of 150 nsec. For reproduction, the laser output is 0. This was done with a continuous beam of F+++W. Table 1 shows the relationship between the saturation value of the reproduced signal contrast ratio obtained by varying the writing power, the existing writing power necessary to obtain the contrast ratio, and the configuration of the optical disc.

(以下余白) 6種光デイスクのいずれも再生信号コントラスト比は0
.5以上という実用に充分な大きい値であった。ここで
再生信号コントラスト比は、書込み部分からの反射光量
をRい 朱書込み部分からの反射光量をR,とじて、(
R,−Rユ)/(R,+R,)から求められる値をあて
た。
(Left below) The playback signal contrast ratio of all 6 types of optical discs is 0.
.. The value was 5 or more, which was large enough for practical use. Here, the reproduced signal contrast ratio is calculated by dividing the amount of light reflected from the written portion by R, and the amount of reflected light from the red written portion by R.
The value obtained from R, -R)/(R, +R,) was assigned.

(実施例−2) 保護膜を共通とし、記録膜を異にする10種の光ディス
クを製作した。 10種記録膜の構成(第2表参照)は
、[(In、3Zn1.)、O,+In、3Zn1.+
有機物コ、[(r n 71 Ag24)203 + 
I nts Aら、十有機物]、[(I n ys S
 1ts)z 03 + I null S iz2+
有機物]。
(Example 2) Ten types of optical discs were manufactured with the same protective film and different recording films. The composition of the recording film of type 10 (see Table 2) is [(In, 3Zn1.), O, +In, 3Zn1. +
Organic matter, [(r n 71 Ag24) 203 +
I nts A et al., Ten Organic Matter], [(I nys S
1ts) z 03 + I null S iz2+
organic matter].

[(IntsGes2)io、 + I nts Ge
z2+有機物コ、[(I n so S n1Ji 0
3 + I n@4 S n1@十有機物]、[(In
tsSbzJiOa+In7,5b34+有機物]、[
(I n ts B 1s4)z○3 + I nts
 8124+有機物]、[(I n ** Txts)
i o、 十I n@4 Ti1.十有機物]、[(I
n**Crts)zoa+In@4Crxg+有機物]
、[(Ins、Co1.)、O,+ In、4Co□、
十有機物]、である、保護膜は[In、○、十有機物]
なる構成である。
[(IntsGes2)io, +IntsGe
z2+organic matter, [(In so S n1Ji 0
3 + In@4 S n1@10 organic matter], [(In
tsSbzJiOa+In7,5b34+organic matter], [
(I nts B 1s4)z○3 + I nts
8124+organic matter], [(I n ** Txts)
i o, tenI n@4 Ti1. 10 organic matter], [(I
n**Crts)zoa+In@4Crxg+organic matter]
, [(Ins, Co1.), O, + In, 4Co□,
10 organic matter], the protective film is [In, ○, 10 organic matter]
This is the structure.

記録膜の形成は、 Inターゲットと当該金属のターゲ
ット(Zn、 AQ、 Si、 Ge、 Sn、 Sb
、Bi、Ti、Cr、Coの10種、純度4N、高純度
化学層)とを同時に放電させて行なった(スパタ装置は
億円製作所製CFS −SEP −55型)。基板は、
φ89 X 1.2 t  のポリカーボネイト樹脂製
のもの(出光石油化学製C−89SV、連続サーボ用グ
ループ付き)を用いた。放電、即ち、スバタリングとプ
ラズマ重合とは、 C,HいC−C4F、、0□。
The recording film is formed using an In target and the metal target (Zn, AQ, Si, Ge, Sn, Sb).
, Bi, Ti, Cr, and Co, purity 4N, and high purity chemical layer) were simultaneously discharged (the sputtering device was CFS-SEP-55 model manufactured by Billion Seisakusho Co., Ltd.). The board is
A polycarbonate resin material (C-89SV manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd., with a continuous servo group) having a diameter of φ89 x 1.2 t was used. Discharge, that is, sputtering and plasma polymerization are: C, H, C-C4F, 0□.

Arからなる混合ガスを用いて行なわせた。混合ガスの
組成は+ c2HG/CC4F110x/Ar=40.
8/9.2/25.0/25.0 (体積%)に統一し
た。
This was carried out using a mixed gas consisting of Ar. The composition of the mixed gas is +c2HG/CC4F110x/Ar=40.
The ratio was unified to 8/9.2/25.0/25.0 (volume%).

ガスの流量は、QC−H−/ QC−C4F−/ QO
−/ QAr=9.8/2.2/6.0/6.OSCC
Mである。記録膜の形成は、印加電力600W、放電圧
力4 mTorr (N2換算値)とし、放電時間は膜
厚が80から90smとなるよう放電時間を1.5から
2.5分間の間で制御した。
The gas flow rate is QC-H-/QC-C4F-/QO
-/QAr=9.8/2.2/6.0/6. OSCC
It is M. The recording film was formed at an applied power of 600 W and a discharge pressure of 4 mTorr (N2 equivalent value), and the discharge time was controlled to be between 1.5 and 2.5 minutes so that the film thickness was 80 to 90 sm.

次に、保護膜の形成は、記録膜の形成に引続き行なった
。ターゲットとしてInターゲット、 混合ガスとして
C,Hいo2、C,F4を用い、反応性スパタリングと
プラズマ重合とを行なわせ、保護膜を記録膜に積層した
。混合ガス組成は、C,H,10,/C,F4= 57
.0/24.8/18.2 (体積%)に統一した。ガ
スの流量は、Q c−14s / Q o−/QC2F
4” 13.8/ 6.0/ 4,43CCMとした。
Next, the protective film was formed following the formation of the recording film. Using an In target as a target and C, Ho2, C, and F4 as mixed gases, reactive sputtering and plasma polymerization were performed, and a protective film was laminated on the recording film. The mixed gas composition is C, H, 10, /C, F4 = 57
.. The ratio was unified to 0/24.8/18.2 (volume%). The gas flow rate is Qc-14s/Qo-/QC2F
4” 13.8/ 6.0/ 4,43CCM.

保護膜形成の条件は、印加電力が400W、放電圧力が
15wTorr (N、換算値)、放電時間が5分間共
通とした。このようにして形成した保護膜の膜厚は約3
00nmであった。
The conditions for forming the protective film were that the applied power was 400 W, the discharge pressure was 15 wTorr (N, converted value), and the discharge time was 5 minutes. The thickness of the protective film formed in this way is approximately 3
It was 00 nm.

上記記録膜、保護膜の化学組成他は以下のようであった
。即ち、記録媒体形成時と同一の条件でシリコン基板へ
堆積させた記録膜、および、保護膜に関し熱重量分析か
ら求めた有機物量は、それぞれ、約3から約4重量%、
約4から約5重量%であった。また、蒸発温度は、記録
膜が約130から約170℃、保護膜が約210℃であ
った。さらに、同様にして製作した試料について求めた
金属成分の含有量は、記録膜中が約11から約14重量
%であり、保護膜中が1重量%未満であった。
The chemical compositions of the recording film and protective film were as follows. That is, the amount of organic matter determined from thermogravimetric analysis of the recording film and the protective film deposited on the silicon substrate under the same conditions as when forming the recording medium was about 3 to about 4% by weight, respectively.
It was about 4 to about 5% by weight. Further, the evaporation temperature was about 130 to about 170°C for the recording film, and about 210°C for the protective film. Furthermore, the content of metal components determined for samples produced in the same manner was about 11 to about 14% by weight in the recording film, and less than 1% by weight in the protective film.

記録膜、保護膜の密着性、鉛筆引っかき硬度を実施例−
1と同様にして評価した。保護膜のポリカーボネイト樹
脂基板、記録膜に対する密着性は良好で、とばん目試験
による剥離数はゼロであった。また、保護膜の鉛筆引っ
かき硬度は5Hであった・ 製作した10種の光ディスクに関し、実施例と同一の条
件により記録再生特性を測定した。光ディスクの構成と
再生信号コントラスト比の飽和値とそれを得るのに必要
であった書込みパワーとの関係を第2表に示す。
Examples of adhesion and pencil scratch hardness of recording film and protective film
Evaluation was made in the same manner as in 1. The adhesion of the protective film to the polycarbonate resin substrate and the recording film was good, and the number of peelings in the cross-cut test was zero. The pencil scratch hardness of the protective film was 5H. Recording and reproducing characteristics of the 10 types of optical discs produced were measured under the same conditions as in the examples. Table 2 shows the relationship between the structure of the optical disc, the saturation value of the reproduced signal contrast ratio, and the write power required to obtain it.

(以下余白) 第2表に見られるように、10種の光ディスクのいずれ
も0.6以上の大きい再生信号コントラスト比が得られ
た。
(The following is a blank space) As shown in Table 2, all of the 10 types of optical discs had a large reproduced signal contrast ratio of 0.6 or more.

(実施例−3) 保護膜を共通とし、記録膜を異にする3種の光ディスク
を製作した。3種記録膜の構成(第3表参照)は、(G
a、O,+In+有機物)、(SiO2+In十有機物
) 、(Gang +InIn様物)、である。
(Example 3) Three types of optical discs were manufactured with the same protective film and different recording films. The composition of the three types of recording film (see Table 3) is (G
a, O, +In+organic substance), (SiO2+In+organic substance), (Gang +InIn-like substance).

保護膜は、(Y2O,十有機物)なる構成である。The protective film has a structure of (Y2O, ten organic substances).

記録膜の形成は、 当該金属酸化物(Ga、O3,5i
n2、Gem、の各ターゲット)と Inターゲットと
を同時に放電させて行なった(スパタ装置は実施例−2
に用いたものと同一の4元同時スパタ装置)、放電に用
いたガスは、Ar、CH,、O2の混合ガスである。混
合ガスの組成は、Ar/CH4/○、=23154/2
3 (体積%)に統一した。
The recording film is formed by using the metal oxide (Ga, O3, 5i
n2, Gem, and In targets were simultaneously discharged (the sputtering device was the same as that of Example-2).
(the same four-element simultaneous sputtering device as that used in ), and the gas used for discharge was a mixed gas of Ar, CH, and O2. The composition of the mixed gas is Ar/CH4/○, =23154/2
3 (volume%).

ガスの流量は、 QAr/ QCH4/ qo、 = 
6 / 14/ 63CCMである。基板はφ130X
1.2tのポリカーボネイト樹脂製のもの(出光石油化
学製C−130FSサンプルサーボ用)を用いた。記録
膜形成時の放電条件は、次のとおりである。即ち、印加
電力500W、放電圧力2 mTorr、放電時間は2
分間共通とした。
The gas flow rate is QAr/QCH4/qo, =
6/14/63CCM. The board is φ130X
A 1.2 t polycarbonate resin servo (for C-130FS sample servo manufactured by Idemitsu Petrochemical) was used. The discharge conditions during recording film formation are as follows. That is, the applied power was 500 W, the discharge pressure was 2 mTorr, and the discharge time was 2
The minutes were set as common.

保護膜は、Y2O3ターゲットをAr、CH4゜O2の
混合ガスにより放電させて形成した。混合ガス組成は、
 A r / CH4102=23154/23 (体
積%)、ガス流量はQAr/ QC)+4/ Qoz 
= 6 / 14/65CCMとした。放電条件は印加
電力600 W、放電圧力35mTorr、放電時間6
分間共通とした。
The protective film was formed by discharging a Y2O3 target with a mixed gas of Ar and CH4°O2. The mixed gas composition is
A r / CH4102 = 23154/23 (volume %), gas flow rate is QAr / QC) + 4 / Qoz
= 6/14/65CCM. The discharge conditions were: applied power 600 W, discharge pressure 35 mTorr, and discharge time 6.
The minutes were set as common.

実施例−1、−2と同様にして求めた記録膜中の金属成
分含有量は約17から約20重量%、有機物量は約2重
量%であり、保護膜中の金属成分含有量は検出限界以下
、有機物量は約5重量%であった。
The metal component content in the recording film determined in the same manner as Examples-1 and -2 was about 17 to about 20% by weight, the amount of organic matter was about 2% by weight, and the metal component content in the protective film was detected. Below the limit, the amount of organic matter was about 5% by weight.

記録膜、保護膜の密着性を実施例−1、−2と同様にし
て評価したところ、3種のいずれも剥離数はゼロと良好
であった。また、保護膜の鉛筆引っかき硬度は6Hであ
った。
When the adhesion of the recording film and the protective film was evaluated in the same manner as in Examples-1 and -2, the number of peelings of all three types was zero, which was good. The pencil scratch hardness of the protective film was 6H.

第3表に実施例−1、−2と同様にして求めた記録膜の
構成と記録再生特性の測定結果を示す。
Table 3 shows the structure of the recording film and the measurement results of the recording and reproducing characteristics obtained in the same manner as in Examples-1 and -2.

再生信号コントラスト比は、いずれも約0.6と良好な
値であった。
The reproduced signal contrast ratios were all about 0.6, which was a good value.

(実施例−4) 記録膜を共通とし、保護膜を異にする16種の光カード
を製作した。記録膜の構成は、(In、O,+In十有
機物)である(第4表参照)。保護膜16種の構成は、
(CuO+有機物)、(ZnO+有機物)。
(Example 4) Sixteen types of optical cards were manufactured with the same recording film and different protective films. The composition of the recording film is (In, O, +In + organic matter) (see Table 4). The composition of the 16 types of protective films is as follows:
(CuO+organic substance), (ZnO+organic substance).

(Ga2o、十有機物)、(Sin、十有機物)、(G
em。
(Ga2o, 10 organic matter), (Sin, 10 organic matter), (G
em.

+有機物)、(’ri○2+有機物)、(ZrO,十有
機物)、(Hf○、十有機物)、(Nb、O,十有機物
)、(Ta、O。
+ organic matter), ('ri○2+organic matter), (ZrO, 10 organic matter), (Hf○, 10 organic matter), (Nb, O, 10 organic matter), (Ta, O.

+有機物)、(Cr、O,十有機物)、(Red、L+
有機物)、(M n O、十有機物)、(Fe203+
有機物)、(Coo十有機物)、(NiO+有機物)で
ある。記録膜、保護膜は電子ビーム蒸着法とプラズマ重
合とを同時に行なわせるプラズマブレーティング法で形
成した(徳用製作所製TSGD−120)。基板は、8
6X54X0.7tのボリアリレート樹脂製のもの(ユ
ニチカ製エンブレード)を使用した。プラズマ重合には
、C,Hい02からなる混合ガスを用いた。混合ガス組
成はC2H4102=60/40(体積%)であり、ガ
ス流量はQc*o</Qoz=12/8SCCMである
+ organic matter), (Cr, O, 10 organic matter), (Red, L+
organic matter), (M n O, 10 organic matter), (Fe203+
organic matter), (Coo organic matter), and (NiO+organic matter). The recording film and the protective film were formed by a plasma blating method in which electron beam evaporation and plasma polymerization are performed simultaneously (TSGD-120 manufactured by Tokuyo Seisakusho). The board is 8
A 6 x 54 x 0.7 t polyarylate resin material (Enblade manufactured by Unitika) was used. A mixed gas consisting of C and H02 was used for plasma polymerization. The mixed gas composition is C2H4102=60/40 (volume %), and the gas flow rate is Qc*o</Qoz=12/8SCCM.

実施例−1と同様にして求めた記録膜中の金属成分含有
量は約17重量%、有機物量は約2重量%であった。保
護膜中の有機物量は約3から約6重量%であった。
The content of metal components in the recording film determined in the same manner as in Example 1 was about 17% by weight, and the amount of organic substances was about 2% by weight. The amount of organic matter in the protective film was about 3 to about 6% by weight.

実施例−1と同様にして評価した記録膜、保護膜の密着
性はいずれも良好であった6また、保護膜の鉛筆引っか
き硬度は4Hから6Hであった。
The adhesion of the recording film and the protective film, which were evaluated in the same manner as in Example 1, were both good6.Furthermore, the pencil scratch hardness of the protective film was 4H to 6H.

このようにして製作した16種光カードの記録再生特性
を次のようにして測定した。線速は50■/5ee一定
とし、書込みはパルス幅50μsec、パワーlOから
20mWのレーザビームを照射して行なった。レーザビ
ームの波長は780nm、対物レンズのNAは0.17
である。再生は、0.5■Wの連続ビームを照射して行
った。再生信号コントラスト比の飽和値とそのコントラ
スト比を得るのに必要であった書込みパワーと光カード
の構成との関係を第4表に示す。
The recording and reproducing characteristics of the 16-type optical card thus manufactured were measured as follows. The linear velocity was kept constant at 50 .mu./5ee, and writing was performed by irradiating a laser beam with a pulse width of 50 .mu.sec and a power of 10 to 20 mW. The wavelength of the laser beam is 780 nm, and the NA of the objective lens is 0.17.
It is. Reproduction was carried out by irradiating a continuous beam of 0.5 ■W. Table 4 shows the relationship between the saturation value of the reproduced signal contrast ratio, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of the optical card.

16種の光カードのいずれも0.6前後の実用には充分
大きい再生信号コントラスト比が得られた。
All of the 16 types of optical cards had reproduction signal contrast ratios of around 0.6, which were sufficiently large for practical use.

(実施例−5) 実施例−4と同様の成膜方法で記録膜、保護膜を形成し
た光カード15種を製作した(第5表参照)。
(Example-5) Fifteen types of optical cards were manufactured in which recording films and protective films were formed using the same film-forming method as in Example-4 (see Table 5).

基板は86X54X0.7tのポリエーテルサルフォン
樹脂製のもの(住人化学製4100G)を用いた。記録
膜は、(BN+In十有機物)、(A4N+In十有機
物)、(GaN十In十有機物)、(InN+In十有
機物)、(SL、N、+A9+有機物)、(Ge3N、
+Sn+有機物)の6種である。保護膜は、(BN十有
機物)、(AI2N+有機物)、(GaN+有機物)、
(InN+有機物)、 (Si、N、十有機物)、(G
e、N4+有機物)、(TiN十有機物)、(ZrN十
有機物)、(HfN十有機物)、(VN十有機物)、(
NbN十有機物)、(TaN十有機物)、 (CrN十
有機物)、(MoN+有機物)、(WN+有機物)の1
5種である。
The substrate used was one made of polyether sulfone resin (4100G manufactured by Susumu Kagaku) measuring 86 x 54 x 0.7 t. The recording film was composed of (BN + In 10 organic materials), (A4N + In 10 organic materials), (GaN 10 In organic materials), (InN + In 10 organic materials), (SL, N, +A9 + organic materials), (Ge3N,
+Sn+organic substances). The protective film is (BN10 organic matter), (AI2N+organic matter), (GaN+organic matter),
(InN + organic matter), (Si, N, 10 organic matter), (G
e, N4 + organic matter), (TiN ten organic matter), (ZrN ten organic matter), (HfN ten organic matter), (VN ten organic matter), (
1 of NbN (10 organic matter), (TaN 10 organic matter), (CrN 10 organic matter), (MoN + organic matter), (WN + organic matter)
There are 5 types.

実施例−4と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそれを得るのに必要であった書込みパワー、
および各光カードの構成を第5表に示す。15種の光カ
ードのいずれも0.4以上の実用に充分な再生信号コン
トラスト比が得られた。
The saturation value of the reproduced signal contrast ratio obtained in the same manner as in Example-4 and the write power necessary to obtain it,
Table 5 shows the configuration of each optical card. All of the 15 types of optical cards had reproduction signal contrast ratios of 0.4 or more, which were sufficient for practical use.

(以下余白) また、実施例−1と同様にして評価した保護膜15種の
密着性はいずれも良好であった。実施例−1と同様にし
て測定した保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも4H
から6Hであった。
(Hereinafter, blank space) Furthermore, the adhesion of the 15 types of protective films evaluated in the same manner as in Example-1 was all good. The pencil scratch hardness of the protective film measured in the same manner as in Example-1 was 4H.
It was 6H.

(実施例−6) 記録膜を共通とし、保護膜を異にする光カード16種を
、実施例−4と同様の成膜方法で製作した(第6表参照
)、基板は、86X54X0.7tのポリエーテルイミ
ド樹脂製のもの(ウルテム/エンジニアリングプラステ
ィクス)を用いた。記録膜は、(Sb、O,+Sb+有
機物)である。保護膜は、(SiC十有機物)、(Ti
C十有機物)、(ZrC+有機物)、(HfC十有機物
)、(VC十有機物)、(NbC十有機物)、(T a
 C十有機物)、(MoC+有機物)、(WC十有機物
)、(V CZ+有機物)、(TaC,十有機物)、(
M o C、十有機物)、(WC2十有機物)、(Mn
3C+有機物)、(Fe、C+有機物)。
(Example 6) Sixteen types of optical cards with a common recording film and different protective films were manufactured using the same film forming method as in Example 4 (see Table 6).The substrate was 86 x 54 x 0.7 t. A material made of polyetherimide resin (Ultem/Engineering Plastics) was used. The recording film is (Sb, O, +Sb+organic substance). The protective film is made of (SiC+organic material), (Ti
C organic matter), (ZrC + organic matter), (HfC organic matter), (VC ten organic matter), (NbC ten organic matter), (T a
(C10 organic matter), (MoC+organic matter), (WC10 organic matter), (V CZ+organic matter), (TaC, 10 organic matter), (
M o C, 10 organic matter), (WC2 0 organic matter), (Mn
3C+organic matter), (Fe, C+organic matter).

(Co、C十有機物)の16種である。There are 16 types of (Co, C10 organic matter).

実施例−4と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第6表に示
す。
Table 6 shows the saturation value of the reproduced signal contrast ratio obtained in the same manner as in Example 4, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of each optical card.

(以下余白) この第6表に示されるように、16種の光カードのいず
れも0.5以上という実用に充分な再生信号コントラス
ト比を示した。
(The following is a blank space) As shown in Table 6, all of the 16 types of optical cards exhibited a reproduced signal contrast ratio of 0.5 or more, which was sufficient for practical use.

また、実施例−1と同様にして評価した保護膜16種の
密着性はいずれも良好であった。実施例−1と同様にし
て測定した保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも5H
という高い値であった。
Furthermore, the adhesion of the 16 types of protective films evaluated in the same manner as in Example-1 was all good. The pencil scratch hardness of the protective film measured in the same manner as in Example-1 was 5H.
This was a high value.

(比較例−1) 本発明保護膜の密着力を評価するため、本発明の実施例
の構成要件の一部を欠く、即ち、有機物を含有せず、金
属炭化物のみからなる保護膜を実施例−4と同様に製作
した。即ち、ポリエーテルイミド樹脂基板上に保護膜の
みを形成した試料と同種基板上に(Sb、O,+Sb+
有機物)からなる記録膜を形成し、この記録膜上に保護
膜を形成した試料とを製作した。保護膜は、SiC,T
iC1TaC,WCからなる4種である。とばん目試験
を行なったところ、保護膜のみからなる試料に関しては
、lO%程度の領域において剥離が認められた。また、
記録膜\保護膜なる構成の試料に関しては20%程度の
領域において剥離が認められた。
(Comparative Example-1) In order to evaluate the adhesion of the protective film of the present invention, a protective film that lacks some of the constituent elements of the Examples of the present invention, that is, does not contain any organic matter and is made only of metal carbide, was used as an Example. It was manufactured in the same way as -4. In other words, a sample (Sb, O, +Sb+
A sample was prepared in which a recording film made of (organic substance) was formed and a protective film was formed on this recording film. The protective film is SiC, T
There are four types: iC, TaC, and WC. When a cross-cut test was conducted, peeling was observed in the area of about 10% for the sample consisting of only a protective film. Also,
Regarding the sample with the structure of recording film/protective film, peeling was observed in about 20% of the area.

(実施例−7) 実施例−4と同様の方法で、記録膜を共通とし。(Example-7) A common recording film was used in the same manner as in Example-4.

保護膜を異にする光カード12種を製作した(第7表参
照)、基板は、86X54X0.7tのポリサルフォン
樹脂製のもの(アモコケミカルP−1700)を用いた
。記録膜は、(SnO,+Sn+有機物)なる構成のも
のである。保護膜は、(TiSi、十有機物)、(Zr
Si2+有機物)、(HfSi2+有機物)、(V S
 i2+有機物)、(Nb5Si2+有機物)、(Ta
Si、十有機物)、(CrSi2+有機物)、(MoS
i、十有機物)、(WSi、十有機物)、(FeSi、
十有機物)、(CoS12+有機物)、(NiSi2+
有機物)の12種である。
Twelve types of optical cards with different protective films were manufactured (see Table 7). The substrates used were 86 x 54 x 0.7 t polysulfone resin (Amoco Chemical P-1700). The recording film has a structure of (SnO, +Sn+organic substance). The protective film is made of (TiSi, organic matter), (Zr
Si2+ organic matter), (HfSi2+ organic matter), (V S
i2+ organic matter), (Nb5Si2+ organic matter), (Ta
Si, 10 organic matter), (CrSi2+ organic matter), (MoS
i, 10 organic matter), (WSi, 10 organic matter), (FeSi,
10 organic matter), (CoS12+ organic matter), (NiSi2+
There are 12 types of organic matter.

実施例−4と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第7表に示
す。
Table 7 shows the saturation value of the reproduced signal contrast ratio obtained in the same manner as in Example 4, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of each optical card.

(以下余白) 第7表に見られるように、12種の光カードはいずれも
0.4以上という実用に充分供しうるレベルの再生信号
コントラスト比を示した。
(The following is a blank space.) As shown in Table 7, all 12 types of optical cards exhibited reproduction signal contrast ratios of 0.4 or more, which were at a level sufficient for practical use.

また、実施例−1と同様にして評価した保護膜12種の
密着性は良好であった。実施例−1と同様にして測定し
た保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも5H以上とい
う高い値であった。
Furthermore, the adhesion of the 12 types of protective films evaluated in the same manner as in Example-1 was good. The pencil scratch hardnesses of the protective films measured in the same manner as in Example 1 were all high values of 5H or higher.

(実施例−8) 実施例−4と同様の方法で、記録膜を共通とし、保護膜
を異にする光カード14種を製作した(第8表参照)。
(Example 8) In the same manner as in Example 4, 14 types of optical cards were manufactured using a common recording film and different protective films (see Table 8).

基板は、86X54X0.7tのポリアリルサルフオン
樹脂製のもの(アモコケミカルA−400)を用いた。
The substrate used was one made of polyallylsulfon resin (Amoco Chemical A-400) measuring 86 x 54 x 0.7 t.

記録膜は、(Aff、 03 + An十有機物)から
なる構成のものである。保護膜は、(YB4+有機物)
、(YB工2+有機物)、(AQB、十有機物)、(L
aB、十有機物)、(ZrB十有機物)、(HfB+有
機物)、(VBB+機物)、(NbB十有機物)、(T
aB2+有機物)、(CrB十有機物)、(Fe、B十
有機物)、(Go2B+有機物)、(Co、B十有機物
)、(Ni2B+有機物)の14種である。
The recording film has a structure consisting of (Aff, 03 + An + organic material). The protective film is (YB4 + organic matter)
, (YB engineering 2 + organic matter), (AQB, 10 organic matter), (L
aB, 10 organic matter), (ZrB 10 organic matter), (HfB + organic matter), (VBB + organic matter), (NbB 10 organic matter), (T
There are 14 types: aB2+ organic matter), (CrB10 organic matter), (Fe, B10 organic matter), (Go2B+organic matter), (Co, B10 organic matter), and (Ni2B+organic matter).

実施例−4と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第8表に示
す。
Table 8 shows the saturation value of the reproduction signal contrast ratio obtained in the same manner as in Example 4, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of each optical card.

第8表に見られるように、14種の光カードはいずれも
0.4以上という実用に充分供しうるレベルの再生信号
コントラスト比を示した。
As shown in Table 8, all 14 types of optical cards exhibited reproduction signal contrast ratios of 0.4 or more, which were at a level sufficient for practical use.

実施例−1と同様にして評価した保護膜14種の密着性
は良好であった。また、実施例−1と同様にして測定し
た保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも5H以上とい
う高い値であった。
The adhesion of the 14 types of protective films evaluated in the same manner as in Example-1 was good. Furthermore, the pencil scratch hardness of the protective films measured in the same manner as in Example-1 was all high, 5H or higher.

(実施例−9) 記録膜を共通とし、保護膜を異にする光カード3種を製
作した(第9表参照)。基板は、86 X 54xo、
7t  のポリメチルペンテン樹脂製のもの(三井石油
化学TPX)を用いた。
(Example 9) Three types of optical cards with the same recording film and different protective films were manufactured (see Table 9). The board is 86 x 54xo,
A material made of 7t polymethylpentene resin (Mitsui Petrochemical TPX) was used.

記録膜の形成は、Al2201、Bi、PTFEの3種
のターゲットを同時に放電させて行なった。スパタリン
グは実施例−2に用いたものと同一の4元同時スパタ装
置を用いた。放電にはAr、C2F4からなる混合ガス
を用いた。混合ガスの組成は、Ar/C2F4=80/
20 (体積%)、ガス流量はQAr/ QC2F4 
= 16/ 4 SCCMである。放電の印加電力は4
00W、放電圧力は8 mTorr、放電時間は2分間
とした。
The recording film was formed by simultaneously discharging three types of targets: Al2201, Bi, and PTFE. For sputtering, the same four-element simultaneous sputtering device as that used in Example-2 was used. A mixed gas consisting of Ar and C2F4 was used for the discharge. The composition of the mixed gas is Ar/C2F4=80/
20 (volume %), gas flow rate is QAr/QC2F4
= 16/4 SCCM. The applied power of discharge is 4
00W, discharge pressure was 8 mTorr, and discharge time was 2 minutes.

保護膜の形成は、MoSi、、WSi2、CoSi、の
ターゲットとPTFEのターゲットをそれぞれ放電させ
て行なった。放電にはAr、 C,F、からなる混合ガ
スを用いた。混合ガスの組成はAr/C2F4=80/
20(体積%)、ガス流量はQAr/Q Cz F4=
 16 / 45CCMとした。放電(7)印加tIl
ハ400W、放電圧力は8 mTorr、放電時間は4
分間とした。
The protective film was formed by discharging MoSi, WSi2, CoSi, and PTFE targets, respectively. A mixed gas consisting of Ar, C, and F was used for the discharge. The composition of the mixed gas is Ar/C2F4=80/
20 (volume %), gas flow rate is QAr/Q Cz F4=
It was set to 16/45CCM. Discharge (7) Application tIl
Ha: 400W, discharge pressure: 8 mTorr, discharge time: 4
It was set as 1 minute.

実施例−4と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値、そのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第9表に示
す。
Table 9 shows the saturation value of the reproduced signal contrast ratio obtained in the same manner as in Example 4, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of each optical card.

(以下余白) 第9表から判るように、3種の光カードはいずれも0.
5以上という実用レベルに達した値であった。
(Left below) As you can see from Table 9, all three types of optical cards are 0.
The value reached a practical level of 5 or more.

実施例−1と同様にして評価した保護膜14種の密着性
は良好であった。また、実施例−1と同様にして謂定し
た保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも5H以上とい
う高い値であった。
The adhesion of the 14 types of protective films evaluated in the same manner as in Example-1 was good. In addition, the pencil scratch hardness of the protective film, which was determined in the same manner as in Example-1, was a high value of 5H or more.

(実施例−10) 保護膜を共通とし、記録膜を異にした光カード5種を製
作した(第10表参照)。基板は、86X54X O,
7t  のアクリル樹脂製のもの(M化成、延伸メタク
リル型、コスマックス)を用いた。記録膜は、その構成
成分のうち、金属酸化物をIn2O3゜分散させる金属
をSb、共通とし、有機物を変化させた。即ち、ポリエ
チレン、(ポリエチレン+水素フタロシアニン)、ナイ
ロン、(ナイロン+Mg−フタロシアニン)、ステアリ
ン酸の5種である。保護膜は、(SiC+ナイロン)な
る構成のものである。
(Example 10) Five types of optical cards with the same protective film and different recording films were manufactured (see Table 10). The board is 86X54X O,
A 7t acrylic resin material (M Kasei, stretched methacrylic type, Cosmax) was used. Among the constituent components of the recording film, the metal that disperses the metal oxide at In2O3° was commonly Sb, and the organic matter was varied. That is, there are five types: polyethylene, (polyethylene + hydrogen phthalocyanine), nylon, (nylon + Mg-phthalocyanine), and stearic acid. The protective film is composed of (SiC+nylon).

記録膜、保護膜の形成は、電子ビーム蒸着、タングステ
ンボートの抵抗加熱による真空蒸着にて行なった(捻出
製作所製BHCU −8P −50)。
The recording film and the protective film were formed by electron beam evaporation and vacuum evaporation using resistance heating in a tungsten boat (BHCU-8P-50, manufactured by Tsudushi Seisakusho).

実施例−1と同様にして求めた記録膜中の金属成分の含
有量は約17重量%、有機物量はいずれも約2重量%で
あった。保護膜中の有機物量は約2重量%であった。
The content of metal components in the recording film determined in the same manner as in Example 1 was about 17% by weight, and the amount of organic substances was about 2% by weight. The amount of organic matter in the protective film was approximately 2% by weight.

実施例−1と同様にして求めた記録膜の蒸発温度は、約
120から約240℃であった。
The evaporation temperature of the recording film determined in the same manner as in Example-1 was about 120 to about 240°C.

実施例−1と同様にして評価した記録膜、保護膜の密着
性はいずれも良好であった。また、保護膜の鉛筆引っか
き硬度は4Hであった。
The adhesion of the recording film and protective film was evaluated in the same manner as in Example-1, and both were found to be good. Further, the pencil scratch hardness of the protective film was 4H.

このようにして製作した光カードを実施例−4と同様に
して記録再生特性を謂定した。再生信号コントラスト比
の飽和値、そのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワーおよび、各光カードの構成を第10表に示
す。
The recording and reproducing characteristics of the thus produced optical card were determined in the same manner as in Example-4. Table 10 shows the saturation value of the reproduced signal contrast ratio, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of each optical card.

(以下余白) 第10表から判るように、5種光カードの再生信号コン
トラスト比は、いずれも0.5以上という実用に充分な
値であった。
(The following is a blank space) As can be seen from Table 10, the reproduced signal contrast ratios of the Type 5 optical cards were all 0.5 or more, which was a value sufficient for practical use.

(実施例−ti) 記録[2種、保護膜6種の組合せからなる6種の光カー
ドをプラズマCVD法で製作した(第11表参照)。基
板は、86 X 54 x O,7t、のポリカーボネ
イト樹脂製のもの(三菱瓦斯化学ニーピロンS−200
0)を用いた。記録膜の1種は(In、O,+In+有
機物)、他の1種は(Nb20.+sb十有機物)から
なる構成のものである。前者の記録膜と組合せた保護膜
は、(AQ2o、十有機物)、(SiO2+i機物)、
(T i O2+有機物)の3種である。後者の記録膜
と組合せた保護膜は、(Nb20.十有機物)、(Sn
O,十有機物)、(Ta、O,十有機物)の3種である
(Example-ti) Six types of optical cards consisting of two types of recording and six types of protective films were manufactured by the plasma CVD method (see Table 11). The board is made of polycarbonate resin, 86 x 54 x O, 7t (Mitsubishi Gas Chemical Kneepilon S-200).
0) was used. One type of recording film is composed of (In, O, +In+organic substance), and the other type is composed of (Nb20.+sb10 organic substance). The protective film combined with the former recording film is (AQ2o, 10 organic matter), (SiO2+i organic matter),
(T i O2 + organic matter). The protective film combined with the latter recording film is made of (Nb20.0 organic matter), (Sn
There are three types: (O, 10 organic matter) and (Ta, O, 10 organic matter).

(In!Off+In+有機物)からなる記録膜は、I
n(CH3)、、02、C,H,、H2からなる混合ガ
スを放電(実施例−4に用いたものと同一のプラズマC
VD装置)させて形成した。放電圧力は4mTorr、
印加電力は60Wである。(sb、o、+sb+有機物
)からなる記録膜は、5b(CH,)、、02、C,H
いH2からなる混合ガスを放電させて形成した。放電圧
力は5 mTorr、印加電力は70Wとした。
The recording film made of (In!Off+In+organic substance) is
Discharge a mixed gas consisting of n(CH3), 02, C, H, , H2 (the same plasma C as used in Example-4)
VD equipment). The discharge pressure is 4mTorr,
The applied power is 60W. The recording film consisting of (sb, o, +sb+organic substance) is 5b(CH,),,02,C,H
It was formed by discharging a mixed gas consisting of H2. The discharge pressure was 5 mTorr, and the applied power was 70W.

(AQ20.十有機物)からなる保護膜は、AQ(CH
3)−102、C2HG、Arからなる混合ガスを放電
させて形成した。
(AQ20.10 organic matter)
3) It was formed by discharging a mixed gas consisting of -102, C2HG, and Ar.

以下、保護膜の構成と形成に用いた混合ガスの種類は、
(Sin2+有機物)からなる保護膜がSi(○C,H
,)、、CH,、Ar、(Ti○2+有機物)からなる
保護膜が(C,H,)、 TiCl2. 02゜CH4
,Ar、(Nb、○、十有機物)からなる保護膜がNb
(OCz Hs)s−CH4−Ar、(SnO2+有機
物)からなる保護膜が Sn(QC3Hv ) 4、C
H4,Ar、(Ta、03+有機物)からなる保護膜が
Ta(QC,Hs)、、CH4,Arからそれぞれなる
混合ガスである。放電圧力はいずれも6 mTorr、
印加電力は200W共通とした。記録膜の膜厚はいずれ
も90nm、保護膜の膜厚は200から260nmであ
った。
Below, the composition of the protective film and the type of mixed gas used for formation are as follows:
The protective film made of (Sin2+ organic matter) is Si (○C, H
, ), , CH, , Ar, the protective film consisting of (Ti○2+organic substance) is (C,H,), TiCl2. 02°CH4
, Ar, (Nb, ○, 10 organic substances)
(OCz Hs)s-CH4-Ar, the protective film consisting of (SnO2+organic substance) is Sn(QC3Hv)4,C
The protective film consisting of H4, Ar, (Ta, 03+ organic matter) is a mixed gas consisting of Ta (QC, Hs), CH4, and Ar, respectively. The discharge pressure is 6 mTorr in both cases.
The applied power was 200W in common. The thickness of the recording film was 90 nm in each case, and the thickness of the protective film was 200 to 260 nm.

実施例−1、−2と同様にして測定した記録膜中の金属
成分の含有量は約17と約20重量%であり、有機物量
はいずれも約4重量%であった。保護膜中の有機物量は
、約3から約5重量%の範囲であった。また保護膜中の
金属成分斌は検出限界以下であった。
The content of metal components in the recording film measured in the same manner as in Examples-1 and -2 was about 17 and about 20% by weight, and the amount of organic matter was about 4% by weight in both cases. The amount of organic matter in the overcoat ranged from about 3 to about 5% by weight. Furthermore, the metal content in the protective film was below the detection limit.

実施例−1、実施例−2と同様にして求めた記録膜の蒸
発温度は約170℃と約200℃であった。
The evaporation temperatures of the recording films determined in the same manner as in Example-1 and Example-2 were about 170°C and about 200°C.

実施例−1、実施例−2と同様にして評価した記録膜、
保護膜の密着性はいずれも良好であった。
Recording film evaluated in the same manner as Example-1 and Example-2,
The adhesion of the protective films was good in all cases.

また、保護膜の鉛筆引っかき硬度は4Hから5Hであっ
た。
The pencil scratch hardness of the protective film was 4H to 5H.

このようにして製作した光カードを実施例−4と同様に
記録再生特性を測定した。求められた再生信号コントラ
スト比の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要で
あった書込みパワーと光カードの構成との関係を第11
表に示す。
The recording and reproducing characteristics of the optical card thus manufactured were measured in the same manner as in Example-4. The relationship between the obtained saturation value of the reproduced signal contrast ratio, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of the optical card is shown in the 11th section.
Shown in the table.

(以下余白) 第11表から判るように6種の光カードのいずれも0.
6前後の実用に充分な大きさのコントラスト比を示した
(Left below) As you can see from Table 11, all of the six types of optical cards are 0.
It showed a contrast ratio of around 6, which was large enough for practical use.

(実施例−12) 記録膜、保護膜が下記のような3種の光カードを実施例
−11と同様にプラズマCVD法により製作した(第1
2表参照)。即ち、記録膜\保護膜の構成が、(AR−
N−0+AQ十有機物)\(Affi−N−〇+有機物
)、(I n −N −0+ I n十有機物)\(I
n−N−〇+有機物)、 (Sb−N−0+Sb+有機
物)\(Sb−N−○+有機物)の3種である。
(Example 12) Three types of optical cards with recording films and protective films as shown below were manufactured by the plasma CVD method in the same manner as in Example 11 (first
(See Table 2). That is, the structure of the recording film\protective film is (AR-
N-0+AQ10 organic matter)\(Affi-N-〇+organic matter), (I n -N -0+I n10 organic matter)\(I
There are three types: (n-N-○+organic substance), (Sb-N-0+Sb+organic substance)\(Sb-N-○+organic substance).

CAfl−N−0+AQ+有機物)からなる記録膜はA
R(CH3)3、N20、OH,、H,からなる混合ガ
ス、(/1−N−○+有機物)からなる保護膜はAff
(CH3)3、N20、C2H,、Arからなる混合ガ
スを実施例−11と同様に放電させて形成した。
A recording film consisting of CAfl-N-0+AQ+organic matter)
A mixed gas consisting of R(CH3)3, N20, OH,, H, and a protective film consisting of (/1-N-○+organic substance) are Aff.
A mixed gas consisting of (CH3)3, N20, C2H, and Ar was discharged in the same manner as in Example-11.

同様に、(In−N−0+In+有機物)からなる記録
膜はIn(CH,)3.N20.CH4,H,からなる
混合ガス、(In−N−○+有機物)からなる保護膜は
 In(CH,)、、N20.C2H,、Arからなる
混合ガスを放電させて形成した。また、(Sb−N−0
+Sb+有機物)からなる記録膜は5b(CH3)3、
N20、CH,、H,からなる混合ガス、(Sb−N−
○+有機物)からなる保護膜は5b(CH,)、、 N
20、C2H,、Arからなる混合ガスを放電させて形
成した。放電圧力は6 mTorr、印加電力は記録膜
の形成が60W、保護膜の形成が200W共通とした。
Similarly, a recording film made of (In-N-0+In+organic substance) is In(CH,)3. N20. A mixed gas consisting of CH4, H, and a protective film consisting of (In-N-○+organic substance) are In(CH,), N20. It was formed by discharging a mixed gas consisting of C2H, Ar. Also, (Sb-N-0
+Sb+organic matter) recording film consists of 5b(CH3)3,
A mixed gas consisting of N20, CH,, H, (Sb-N-
The protective film consisting of ○+organic matter) is 5b(CH,),,N
It was formed by discharging a mixed gas consisting of 20, C2H, and Ar. The discharge pressure was 6 mTorr, and the applied power was 60 W for forming the recording film and 200 W for forming the protective film.

実施例−1、−2と同様にして求めた保護膜の鉛筆引っ
かき硬度は4Hから5Hであった。また、実施例−1、
実施例−2と同様にして評価した記録膜、保護膜の密着
性はいずれも良好であった。
The pencil scratch hardness of the protective film determined in the same manner as in Examples-1 and -2 was 4H to 5H. In addition, Example-1,
The adhesion of the recording film and the protective film was evaluated in the same manner as in Example 2, and both were found to be good.

実施例−4と同様にして測定した再生信号コントラスト
比の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であっ
た書込みパワーと光カードの構成との関係を第12表に
示す。
Table 12 shows the relationship between the saturation value of the reproduced signal contrast ratio measured in the same manner as in Example 4, the write power required to obtain the contrast ratio, and the configuration of the optical card.

(以下余白) この第12表によっても3種光カードのコントラスト比
は0.6前後と良好であることが判った。
(The following is a blank space) Table 12 also shows that the contrast ratio of the Type 3 optical card is good at around 0.6.

(実施例−13) 記録膜\保護膜が(In、O,+In+有機物)\(I
n20.十有機物)という構成である光テープを製作し
た。基板は12.7 X 200 X O,025のポ
リエーテルエーテルケトン樹脂製のもの(アイシーアイ
ジャパン、ピクトレックス)を用いた。
(Example-13) The recording film\protective film is (In, O, +In+organic substance)\(I
n20. We created an optical tape with a composition of 10 organic substances. The substrate used was one made of polyetheretherketone resin (ICI Japan, Pictrex) measuring 12.7 x 200 x O.025.

記録膜と保護膜との形成にかかる放電、即ち、反応性ス
バタリングとプラズマ重合とは、C2H,,02、C−
C4F、  からなる混合ガスを用いて行なわせた。膜
形成には、実施例−1に用いたものと同一のスパタ装置
を用いた。混合ガスの組成は、C2H,/○、/C−C
,F、= 64.8/28.6/6.7(体積%)、ガ
スの流量は、 Q C= H−/ Q o−/QC−C
4F、 = 13.6/ 6.0/J、43CCMとし
た。記録膜の形成は、印加電力600W、放電圧力6 
mTorr、放電時間は2分間とした。保護膜の形成は
、記録膜の形成に引続き行ない、印加電力400W、放
電圧力20mTorr、放電時間4分間の条件で行なっ
た。
The discharge involved in forming the recording film and the protective film, that is, reactive sputtering and plasma polymerization, are C2H,,02,C-
This was carried out using a mixed gas consisting of C4F. The same sputtering device as that used in Example-1 was used for film formation. The composition of the mixed gas is C2H, /○, /CC
, F, = 64.8/28.6/6.7 (volume %), the gas flow rate is Q C = H-/Q o-/QC-C
4F, = 13.6/6.0/J, 43CCM. The recording film was formed using an applied power of 600 W and a discharge pressure of 6
mTorr and discharge time were 2 minutes. The protective film was formed following the formation of the recording film under the conditions of applied power of 400 W, discharge pressure of 20 mTorr, and discharge time of 4 minutes.

このようにして製作した光テープの記録再生特性を次の
ように測定した。即ち、測定は、波長830nmの半導
体レーザビームを光源とし、 NA=0.60の対物レ
ンズを備えた光学系から構成される装置 速度は11 mm / seeであり、書込み、および
、読出し用のビームは、厚さ1.2mmの硼硅酸ガラス
を光テープ上に重ね(記録膜側)、硼硅酸ガラスを介し
て照射した。書込みパワー(パルス幅1μsec )を
変化させて求めた再生信号コントラスト比の飽和値、お
よび、そのコントラスト比を得るのに必要であった書込
みパワーは、 それぞれ0.60、および、9mWであ
った。
The recording and reproducing characteristics of the optical tape thus produced were measured as follows. That is, the measurement was performed using a semiconductor laser beam with a wavelength of 830 nm as a light source, an apparatus consisting of an optical system equipped with an objective lens of NA = 0.60, and a speed of 11 mm/see. borosilicate glass with a thickness of 1.2 mm was placed on the optical tape (recording film side), and irradiation was applied through the borosilicate glass. The saturation value of the reproduced signal contrast ratio obtained by varying the writing power (pulse width 1 μsec) and the writing power necessary to obtain the contrast ratio were 0.60 and 9 mW, respectively.

(実施例−14) 記録膜を形成するに際し、記録再生特性は記録膜の組成
により著しく変化するから、その形成条件を適正なもの
に選定してやる必要がある。第1の製造方法にかかる記
録膜の形成方法は、他の製造方法に比べ操作は単純だが
内容的には高度のものが必要である。また、保護膜の形
成に関しても、記録膜形成に類似した方法でありながら
膜形成パラメータのみで膜組成を変化させ、保護膜とし
て必要な機能を付与させる必要性があるから、同様に高
度の内容を含んでいる。本実施例において。
(Example 14) When forming a recording film, since the recording/reproducing characteristics vary significantly depending on the composition of the recording film, it is necessary to select appropriate formation conditions. The method for forming a recording film according to the first manufacturing method is simpler in operation than other manufacturing methods, but requires sophisticated techniques. In addition, regarding the formation of the protective film, although it is a similar method to forming the recording film, it is necessary to change the film composition only by changing the film formation parameters and provide the necessary functions as a protective film, so the content is similarly advanced. Contains. In this example.

第1の製造方法にかかる記録膜,保護膜の形成結果を示
す。
The results of forming a recording film and a protective film according to the first manufacturing method are shown.

実施例−1に用いたものと同一のスパタ装置において、
金属インジウムをターゲットとし、混合ガスをCHい0
2、C−C,F,として記録膜の製作を行なった。混合
ガスの組成はCH4/02/C− C4F, =67.
6/29.0/3.4 (体積%)、ガス流量は. Q
C}+4 / Qoz / Qc−C4Fl = 14
/ 6 / 0.7とし、放電時間は2分間とした。
In the same sputtering device as used in Example-1,
Targeting metal indium, CH0 mixed gas
2. A recording film was manufactured as C-C,F. The composition of the mixed gas is CH4/02/C-C4F, =67.
6/29.0/3.4 (volume %), gas flow rate is. Q
C}+4/Qoz/Qc-C4Fl=14
/6/0.7, and the discharge time was 2 minutes.

前述したように記録膜中の金属インジウム産は、同一の
混合ガス組成の場合、放電圧力が低く、印加電力が大き
い程増大する。金属インジウム量の増大は、分光吸収率
が増大し、記録感度が向上するなど記録膜として望まし
い性質が具備される。
As described above, when the mixed gas composition is the same, the production of metallic indium in the recording film increases as the discharge pressure decreases and the applied power increases. An increase in the amount of metallic indium provides desirable properties as a recording film, such as an increase in spectral absorption rate and an improvement in recording sensitivity.

第7図は記録膜の形成ダイアグラムであって、第7図中
三角形ABCの領域が良好な特性の記録膜の得られる領
域である。次に,第8図は保護膜の形成ダイアグラムで
あって、鉛筆引っかき硬度4H以上の保護膜の得られる
領域である。
FIG. 7 is a formation diagram of a recording film, and the region indicated by triangle ABC in FIG. 7 is the region where a recording film with good characteristics can be obtained. Next, FIG. 8 is a formation diagram of a protective film, and shows an area where a protective film having a pencil scratch hardness of 4H or more can be obtained.

(実施例−15) 記録膜を共通とし、保護膜のみ異なる6種の光カードを
製作した。記録膜の構成は、(In,03+In+有機
物)である。・保護膜は、構成を( I n20、十有
機物)共通とするが、In20.と有機物とのそれぞれ
の化学組成を変化させ、即ち、それぞれの微細構造を変
化させた。
(Example 15) Six types of optical cards were manufactured with the same recording film and different protective films. The composition of the recording film is (In, 03+In+organic substance).・The protective film has the same structure (In20, 10 organic substances), but In20. The respective chemical compositions of the organic matter and the organic matter were changed, that is, the respective fine structures were changed.

記録膜の形成は、実施例−1と同様にして行なった。基
板は86 x 54 x O.7 tのポリアリレート
樹脂製のもの(ユニチカ製エンブレード)を使用した。
The recording film was formed in the same manner as in Example-1. The substrate is 86 x 54 x O. A 7 t polyarylate resin material (Emblade manufactured by Unitika) was used.

記録膜の形成に用いた混合ガスは、CH4/02/C 
− C4F, =68.0/29.1/2.9 (体積
%)、ガス流量Q CH4 / QC2 / QC−C
4F& = 14/ 6 / 0.6SCCMとした。
The mixed gas used to form the recording film was CH4/02/C
- C4F, =68.0/29.1/2.9 (volume%), gas flow rate Q CH4 / QC2 / QC-C
4F&=14/6/0.6SCCM.

印加電力は600W、放電圧力は2mTorr、放電時
間は2分間共通とした。保護膜の化学組成の制御は、膜
形成条件を変化させて行なった。ガラス基板上に同一条
件で堆積させた6種の保護膜について求めた鉛筆引っか
き硬度と保護膜形成時の放電圧力との関係を第9図に示
す。放電時間は600W、放電時間は5分間共通とした
The applied power was 600 W, the discharge pressure was 2 mTorr, and the discharge time was 2 minutes. The chemical composition of the protective film was controlled by changing the film formation conditions. FIG. 9 shows the relationship between the pencil scratch hardness determined for six types of protective films deposited on a glass substrate under the same conditions and the discharge pressure at the time of forming the protective film. The discharge time was 600 W, and the discharge time was 5 minutes in common.

第9図から判るように6種保護膜の鉛筆引っかき硬度は
3B、HB、2H13H14H16Hであった。
As can be seen from FIG. 9, the pencil scratch hardnesses of the 6 types of protective films were 3B, HB, and 2H13H14H16H.

次にこのようにして製作した6種の光カードについて実
施例−4と同様にして記録再生特性を測定した。再生信
号コントラスト比の飽和値は、いずれも0.6前後と良
好であり、この飽和値を得るのに必要であった書込みパ
ワーは10mW前後であった・ これらの保護膜の耐傷性をJIS Ta205 (JI
SK 7205、ASTM  D968、D1044ニ
準拠)に定められた方法によって調べた。所定量(10
0〜800ir)の研削材(#80の5iC)を保護膜
上に落下させたのち、へ−ズメータ(ASTM D10
03)により表面摩耗抵抗(ヘイズ値JIS K671
8 K7105、ASTM D1003)を測定した。
Next, the recording and reproducing characteristics of the six types of optical cards manufactured in this way were measured in the same manner as in Example-4. The saturation value of the reproduced signal contrast ratio was good at around 0.6 in all cases, and the write power required to obtain this saturation value was around 10 mW. The scratch resistance of these protective films was evaluated according to JIS Ta205. (JI
SK 7205, ASTM D968, D1044). Predetermined amount (10
After dropping an abrasive (#80 5iC) of 0 to 800 ir on the protective film, a haze meter (ASTM D10
03) to improve surface abrasion resistance (haze value JIS K671)
8 K7105, ASTM D1003).

求められたヘイズ値と先に求めた鉛筆引っかき硬度との
関係は、第10図のような結果であった。保護膜の鉛筆
硬度の低下に伴なう耐傷性の低下が微細な保護膜表面の
スクラッチ数の増加となり、全透過率に対する拡散透過
率の増加となって現われる様子が第10図から判る。
The relationship between the determined haze value and the previously determined pencil scratch hardness was as shown in FIG. 10. It can be seen from FIG. 10 that the decrease in scratch resistance due to the decrease in the pencil hardness of the protective film results in an increase in the number of fine scratches on the surface of the protective film, which manifests as an increase in the diffuse transmittance relative to the total transmittance.

保護膜表面に発生したスクラッチは、記録再生特性の面
においては、マーク誤り率の増加に直接関係する。表面
摩耗抵抗試験を行なう前後の誤り率を測定し、試験に伴
うの増加率、即ち、試験後の誤り率を試験前の誤り率で
割った値と保護膜のヘイズ値との関係は、第11図のよ
うな結果であった。保MWのヘイズ値が2%以下のとき
、の増加率は、実質的にほぼ1になることが判った。な
お、試験前のビット誤り率は6種の光カードのいずれも
約10−’のレベルにあった。
Scratches generated on the surface of the protective film are directly related to an increase in mark error rate in terms of recording/reproducing characteristics. The error rate before and after the surface abrasion resistance test was measured, and the relationship between the rate of increase due to the test, that is, the value obtained by dividing the error rate after the test by the error rate before the test, and the haze value of the protective film was calculated as follows: The results were as shown in Figure 11. It has been found that when the haze value of the retained MW is 2% or less, the increase rate of is substantially approximately 1. Note that the bit error rates before the test were at a level of about 10-' for all six types of optical cards.

(実施例−16) 記録膜を共通とし、保護膜のみ異なる実施例−15と同
様の6種の光カードを製作した。記録膜、保護膜の構成
、製作方法は、いずれも実施例−15と同様とした。
(Example 16) Six types of optical cards similar to Example 15 were manufactured, using the same recording film and differing only in the protective film. The configurations and manufacturing methods of the recording film and protective film were all the same as in Example-15.

これらの保護膜の記録膜に対する密着性をJISK 7
106に定められた方法に基づいて調べた。光カードを
片持ちし、所定の負荷をくり返し加え、疲れ試験を行な
う方法(JIS K711gに準拠)である。
The adhesion of these protective films to the recording film was determined according to JISK 7.
The investigation was conducted based on the method specified in No. 106. This is a method (based on JIS K711g) in which an optical card is cantilevered and a predetermined load is repeatedly applied to it to perform a fatigue test.

負荷は振子形負荷装置(応力振幅一定形)を用いた。荷
重は1kg、振子の回転角は5°とした。
A pendulum type loading device (constant stress amplitude type) was used for loading. The load was 1 kg, and the rotation angle of the pendulum was 5°.

107回の曲げ試験を行なった後、 6種の光カードを
目視で[0したところ、記録膜、保護膜のいずれも剥m
は全く認められなかった。
After 107 bending tests, six types of optical cards were visually inspected and found that neither the recording film nor the protective film had peeled off.
was not recognized at all.

曲げ試験に伴ない保護膜ないし記録膜に微細なりランク
が発生すれば、全透過率に対する拡散透過率の増加とな
って、ヘイズ値が増加し、ビット誤り率が増加する。1
07回のくり返しの曲げ試験によるヘイズ値の増加は、
6種の光カードにおいて、保護膜の鉛筆引っかき硬度の
高いものほど大きい傾向が認められたものの、10%未
満という低い値であった。さらに、曲げ試験前後のビッ
ト誤り率を測定して求めた。試験に伴なうの増加率は、
6種の光カードのいずれも10前後という実用に差しつ
かえない範囲の値であった。
If fine ranks occur in the protective film or recording film due to the bending test, the diffused transmittance increases with respect to the total transmittance, the haze value increases, and the bit error rate increases. 1
The increase in haze value due to 07 repeated bending tests is
Among the six types of optical cards, there was a tendency that the higher the pencil scratch hardness of the protective film, the greater the hardness, but the value was as low as less than 10%. Furthermore, the bit error rate before and after the bending test was measured. The rate of increase associated with the test is
All of the six types of optical cards had values of around 10, which are within a practical range.

(実施例−17) 記録膜を共通とし、保護膜のみ異なる実施例−8に類似
した光カード6種を製作した。記録膜の構成は、(AQ
、○、+AQ+有機物)であり、保護膜は、(YB4+
有機物)、(AQB2+有機物)。
(Example 17) Six types of optical cards similar to Example 8 were manufactured, using the same recording film and differing only in the protective film. The composition of the recording film is (AQ
, ○, +AQ+organic matter), and the protective film is (YB4+
organic matter), (AQB2+organic matter).

(L a B s+有機物)、 (ZrB十有機物)、
(HfB+有機物)、(VB十有機物)の6種構成のも
のである。記録膜、保護膜の製作は実施例−8と同様に
して行なった。
(L a B s + organic matter), (ZrB 10 organic matter),
It is composed of six types: (HfB + organic matter) and (VB + organic matter). The recording film and protective film were manufactured in the same manner as in Example-8.

これら6種の保護膜の密着性を実施例−16と同様にし
て調べた。即ち、1kgの荷重を振子の回転角5°の条
件で10’回加え、試験前後のへイズ値とビット誤り率
とを測定した。試験後における記録膜、保護膜の剥離は
全く認められなかった。ヘイズ値の増加は6種光カード
のいずれも10%前後という実用に充分なレベルにあっ
た。また、マーク誤り率の増加は、 6種光カードのい
ずれも10から20という実用に供しうる範囲の値であ
った。
The adhesion of these six types of protective films was examined in the same manner as in Example-16. That is, a load of 1 kg was applied 10 times with a pendulum rotation angle of 5 degrees, and the haze value and bit error rate before and after the test were measured. No peeling of the recording film or protective film was observed after the test. The increase in haze value for all of the 6 types of optical cards was around 10%, which was at a level sufficient for practical use. Furthermore, the increase in mark error rate was within a practical range of 10 to 20 for all of the 6 types of optical cards.

(比較例−2) 本発明保護膜の密着性を評価するため、実施例−17に
類似した6種の比較用光カードを製作した。
(Comparative Example-2) In order to evaluate the adhesion of the protective film of the present invention, six types of comparative optical cards similar to Example-17 were manufactured.

記録膜の構成はCAQ20.+AQ+有機物)、保護膜
はYB4.AflB、、LaB、、ZrB、HfB、V
Bのみからなり、有機物を含まない構成のものである。
The composition of the recording film is CAQ20. +AQ+organic matter), the protective film is YB4. AflB, , LaB, , ZrB, HfB, V
It is composed only of B and does not contain any organic matter.

実施例−工7と同様にしてくり返し曲げ試験を行なった
ところ、6種の保護膜のいずれも10’回に達しない1
03から104回の曲げ回数において明瞭な保護膜の剥
離が認められた。
When repeated bending tests were conducted in the same manner as in Example-Step 7, none of the six types of protective films reached 10' bending test.
Clear peeling of the protective film was observed between 03 and 104 times of bending.

以上、説明した各実施例は、光情報記録媒体における記
録膜と保護膜の各々に限定した一種の金属を適用した例
を示したが、本実施例に記載した以外にも限定した金属
からその複数を選び、これらを混合し適用してもその特
性は低下することなく、いずれも変らぬ顕著な効果を示
した。
In each of the embodiments described above, a limited kind of metal is applied to each of the recording film and the protective film in an optical information recording medium. Even when a plurality of them were selected and mixed and applied, the properties did not deteriorate and all showed the same remarkable effect.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の光情報記録媒体は、基板上に記録膜、これに積
層した保護膜からなる構成であり、前記記録膜は、金属
酸化物微粒子、または、金属窒化物微粒子の少くとも一
者を第1成分、有機物を第2成分、金属微粒子を第3成
分とする混合物薄膜であり、前記保護膜は、金属酸化物
、金属窒化物、金属炭化物、金属硅化物、金属硼化物の
少くとも一者を第1成分、有機物を第2成分とする混合
物薄膜としたため、以下の効果がある。
The optical information recording medium of the present invention has a structure consisting of a recording film on a substrate and a protective film laminated thereon, and the recording film contains at least one of metal oxide fine particles or metal nitride fine particles. The protective film is a thin film of a mixture having one component, an organic substance as a second component, and metal fine particles as a third component; Since the mixture thin film is made of a substance as a first component and an organic substance as a second component, the following effects can be obtained.

■ 基板上に記録膜、ついで保護膜という単純構成のた
め、製造工程が簡単である。
■ The manufacturing process is simple because it has a simple structure of a recording film on the substrate and then a protective film.

■ 記録膜、保護膜の形成をスバタリング法、プラズマ
ブレーティング法、プラズマCVD法などドライプロセ
スで行なうことができるから生産性が高く、低コスト化
ができる。
(2) Since the recording film and the protective film can be formed by a dry process such as a sputtering method, plasma blating method, or plasma CVD method, productivity is high and costs can be reduced.

■ 記録膜、保護膜の組成、微細構造が最適化されてい
るから良好な記録再生特性、長寿命特性と優れた耐爆性
、剥離等のない優れた耐久性を有している。
■ The composition and microstructure of the recording film and protective film have been optimized, resulting in good recording and reproducing characteristics, long life characteristics, excellent explosion resistance, and excellent durability without peeling.

なお、上記記録膜、保護膜の各々に、上記限定した金属
の中から任意に選んだ複数の金属を混合し適用しても、
実施例の夫々に比し変わらぬ効果を示した。
Furthermore, even if a plurality of metals arbitrarily selected from the above-mentioned limited metals are mixed and applied to each of the above-mentioned recording film and protective film,
It showed the same effect as each of the examples.

第1図は本発明光情報記録媒体の実施態様の一つの構成
を示す模式図、第2図は本発明記録媒体の記録膜、保護
膜の微細構造を示す模式図、第3図は記録用レーザビー
ムの照射によって形成されたバブルの断面構造を示す模
式図、第4図、第5図、第6図、第7図、第8図はいず
れも本発明の光情報記録媒体の記録膜、保護膜の一つの
形成方法を説明するための図、第9図、第10図、第1
1図は本発明光情報記録媒体の特性を示す図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of one embodiment of the optical information recording medium of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing the fine structure of the recording film and protective film of the recording medium of the present invention, and FIG. Schematic diagrams showing cross-sectional structures of bubbles formed by laser beam irradiation, FIGS. 4, 5, 6, 7, and 8 all show the recording film of the optical information recording medium of the present invention, Diagrams for explaining one method of forming a protective film, FIGS. 9, 10, and 1
FIG. 1 is a diagram showing the characteristics of the optical information recording medium of the present invention.

第12図は従来の光情報記録媒体の構成を示す図である
FIG. 12 is a diagram showing the structure of a conventional optical information recording medium.

10・・・光情報記録媒体 ■1・・・基板 12・・・記録膜 +21・・・金属酸化物、窒化物のいずれかからなる微
粒子 122・・・有機物 123・・・金属からなる微粒子 13・・・保護膜 金属窒化物、金属炭化物、 金属硼化物のいずれかから 131・・・金属酸化物、 金属硅化物、 なる微粒子 132・・・有機物 14・・・バブル 15・・・ボイド 100.200・・・光情報記録媒体 101、111.201,211・・・基板102.1
12・・・スペーサ 103.113,202,212・・・記録膜203・
・・接着剤層 104・・・空隔
10...Optical information recording medium ■1...Substrate 12...Recording film +21...Fine particles 122 made of either metal oxide or nitride...Organic substance 123...Fine particles 13 made of metal ...Protective film Made from any of metal nitride, metal carbide, or metal boride 131...Metal oxide, metal silicide, fine particles 132...Organic matter 14...Bubbles 15...Voids 100. 200... Optical information recording medium 101, 111. 201, 211... Substrate 102.1
12... Spacer 103. 113, 202, 212... Recording film 203.
... Adhesive layer 104 ... air gap

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  レーザビームの照射によって情報の記録再生を行なう
光情報記録媒体において、前記記録媒体は基板上に記録
膜、これに積層した保護膜からなる構成であり、前記記
録膜は、周期律表のIIIB族の金属、IVB族の金属、V
B族の金属、および、VIB族の金属のいずれかの酸化物
微粒子、または、上記金属のいずれかの窒化物微粒子の
少なくとも一者を第1成分、有機物を第2成分、周期律
表のIIB族の金属、IIIB族の金属、IVB族の金属、V
B族の金属、および、VIB族の金属のいずれかの微粒子
を第3成分とする混合物薄膜であり、前記保護膜は、周
期律表のIIB族の金属、IIIB族の金属、IVB族の金属
、VB族の金属、VIB族の金属、IIIA族の金属、IVA
族の金属、VA族の金属、VIA族の金属、VIIA族の金
属、およびVIIIA族の金属のいずれかの酸化物微粒子、
周期律表のIIIB族の金属、IVB族の金属、VB族の金
属、IVA族の金属、VA族の金属、およびVIA族の金属
のいずれかの窒化物微粒子、周期律表のIIIB族の金属
、IVB族の金属、IVA族の金属、VA族の金属、IVA族
の金属、VIIA族の金属、およびVIIIA族の金属のいず
れかの炭化物微粒子、周期律表のIVA族の金属、VA族
の金属、およびVIA族の金属のいずれかの硅化物微粒子
、周期律表のIIIB族の金属、IIIA族の金属、IVA族の
金属、VA族の金属、VIA族の金属、VIIA族の金属、
およびVIIIA族の金属のいずれかの硼化物微粒子の少な
くとも一者を第1成分、有機物を第2成分とする混合物
薄膜であることを特徴とする光情報記録媒体。
In an optical information recording medium in which information is recorded and reproduced by irradiation with a laser beam, the recording medium has a structure consisting of a recording film on a substrate and a protective film laminated thereon. metals, group IVB metals, V
At least one of the oxide particles of Group B metals and Group VIB metals, or the nitride particles of any of the above metals is the first component, and the organic substance is the second component, IIB of the periodic table. Group metals, Group IIIB metals, Group IVB metals, V
It is a mixture thin film containing as a third component fine particles of either a group B metal or a group VIB metal, and the protective film is a mixture thin film containing fine particles of a group IIB metal, a group IIIB metal, or a group IVB metal of the periodic table. , VB group metals, VIB group metals, IIIA group metals, IVA
oxide fine particles of any of Group metals, Group VA metals, Group VIA metals, Group VIIA metals, and Group VIIIA metals;
Nitride fine particles of any of the metals from group IIIB, group IVB, metals from group VB, metals from group IVA, metals from group VA, and metals from group VIA of the periodic table, metals from group IIIB of the periodic table , carbide fine particles of any of the metals of group IVB, metals of group IVA, metals of group VA, metals of group IVA, metals of group VIIA, and metals of group VIIIA, metals of group IVA of the periodic table, metals of group VA metal, and silicide fine particles of any of group VIA metals, metals from group IIIB of the periodic table, metals from group IIIA, metals from group IVA, metals from group VA, metals from group VIA, metals from group VIIA,
An optical information recording medium characterized in that it is a mixture thin film comprising at least one of boride fine particles of any of Group VIIIA metals as a first component and an organic substance as a second component.
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