JPH0227633Y2 - - Google Patents

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JPH0227633Y2
JPH0227633Y2 JP17570983U JP17570983U JPH0227633Y2 JP H0227633 Y2 JPH0227633 Y2 JP H0227633Y2 JP 17570983 U JP17570983 U JP 17570983U JP 17570983 U JP17570983 U JP 17570983U JP H0227633 Y2 JPH0227633 Y2 JP H0227633Y2
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thyristor
gate
self
arc
extinguishing thyristor
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、主電流の導通を行う自己消弧形サイ
リスタとこのサイリスタのゲート電流を供給する
自己消弧形サイリスタとの導通を相反動作させる
ものにおいて、主電流を通電する際のオンゲート
電流を好適に供給し得る自己消弧形サイリスタの
ゲート駆動回路の改良に関する。
[Detailed description of the invention] The present invention is a self-arc-extinguishing thyristor that conducts the main current and a self-arc-extinguishing thyristor that supplies the gate current of this thyristor. The present invention relates to an improvement in a gate drive circuit for a self-extinguishing thyristor that can suitably supply an on-gate current when the thyristor is turned off.

一般に、周知のゲートターンオフサイリスタ
(GTOサイリスタ)や静電誘導サイリスタ(以下
SIサイリスタという)に代表される自己消弧機能
を有する自己消弧形サイリスタの駆動において
は、ターンオン時にゲートに順電流を流してター
ンオフ時にはゲートから逆電流を引き出す必要が
ある。特に、ターンオフ時自己消弧形サイリスタ
の内部に蓄積されたキヤリアを短時間に掃き出す
ために、前記逆電流の立ち上がり速度を極力速く
する必要があるところである。そして、この蓄積
キヤリアの掃き出しが終了すると、ゲートは逆電
圧を阻止する機能を回復する(以下ゲート逆回復
という)が、このときの許容逆耐電圧は低く例え
ばGTOサイリスタでは15(V)程度であるといえ
る。このため、ゲート逆電流を供給するゲート電
源は、ゲート逆回復時にゲートに印加される電圧
を考慮して許容逆耐電圧以下で用いられるのが通
常であることから、従来ターンオフ時のゲート逆
電流の立ち上がり速さがたかだか30(A/μs)程
度に止まり、大電流しや断時のスイツチング時間
が長くなる傾向にあつた。さらには、SIサイリス
タはスイツチング時間が速いことで知られている
ところである。しかし、これを短時間でターンオ
フするためにはそれだけ速く蓄積キヤリアを引き
出さねばならなくなり、ゲート逆電流の立ち上が
りの速いゲート駆動回路が所望される。
Generally, the well-known gate turn-off thyristor (GTO thyristor) and static induction thyristor (hereinafter referred to as
When driving a self-extinguishing thyristor, such as the SI thyristor (SI thyristor), it is necessary to pass a forward current through the gate at turn-on and draw a reverse current from the gate at turn-off. In particular, in order to quickly sweep out carriers accumulated inside the self-extinguishing thyristor at turn-off, it is necessary to make the rising speed of the reverse current as fast as possible. Once this accumulated carrier has been swept out, the gate recovers its function of blocking reverse voltage (hereinafter referred to as gate reverse recovery), but the allowable reverse withstand voltage at this time is low, for example, around 15 (V) in a GTO thyristor. It can be said that there is. For this reason, the gate power supply that supplies the gate reverse current is normally used at a voltage below the allowable reverse withstand voltage in consideration of the voltage applied to the gate during gate reverse recovery. The rise speed of the current was only about 30 (A/μs) at most, and the switching time tended to be long when a large current was on or off. Furthermore, SI thyristors are known for their fast switching times. However, in order to turn it off in a short time, it is necessary to draw out the accumulated carriers as quickly as possible, and a gate drive circuit in which the gate reverse current rises quickly is desired.

かような点に鑑みて、本出願人は、先に特開昭
59−172969号「自己消弧形サイリスタのゲート駆
動方法」および特開昭59−172970号「静電誘導サ
イリスタのゲート駆動回路」を提案しているとこ
ろである。これらは、主電流の導通を行う第1の
自己消弧形サイリスタと、この第1の自己消弧形
サイリスタのゲート電流の導通を行う第2の自己
消弧形サイリスタを具備し、第1の自己消弧形サ
イリスタと第2の自己消弧形サイリスタの導通を
相反動作させるとともに、逆にターンオフ時のゲ
ート電圧を、ゲート逆電流を掃き出しているとき
とゲート接合が逆回復したあとで切り換える大き
な特徴を有してなるものである。これを、第1図
を参照して説明する。
In view of these points, the applicant has previously proposed
No. 59-172969 ``Gate driving method for self-extinguishing thyristor'' and Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-172970 ``Gate driving circuit for electrostatic induction thyristor''. These include a first self-extinguishing thyristor that conducts the main current, a second self-extinguishing thyristor that conducts the gate current of the first self-extinguishing thyristor, and The conduction of the self-arc-extinguishing thyristor and the second self-arc-extinguishing thyristor are operated reciprocally, and the gate voltage at turn-off is switched between when the gate reverse current is being swept out and after the gate junction has reversely recovered. It has characteristics. This will be explained with reference to FIG.

ここに、第1図は本出願人による上述既出願の
動作原理の概要を説明するため示した回路図であ
り、これは本考案の理解を容易にするため示すも
のである。
Here, FIG. 1 is a circuit diagram shown to explain the outline of the operating principle of the above-mentioned application filed by the present applicant, and is shown to facilitate understanding of the present invention.

すなわち、第1図における2個の自己消弧形サ
イリスタ(以下単にサイリスタという)1,2を
導通を相反動作せしめる駆動方式において、いま
ターンオンスイツチ7を閉じることによつて、 直流電源4→ターンオンスイツチ7→サイリス
タ1ゲート→サイリスタ1カソード→サイリス
タ2カソード→サイリスタ2ゲート→直流電源
4 の閉回路が形成されてサイリスタ1のゲートに順
電流が供給され、さらにサイリスタ2のゲート接
合が逆回復した後では、電流は抵抗11を通して
流れることになる。さらには、コンデンサ3は抵
抗12を介して直流電源6により図示の極性で充
電される。
That is, in the drive method in which the two self-extinguishing thyristors (hereinafter simply referred to as thyristors) 1 and 2 shown in FIG. 7 → Thyristor 1 gate → Thyristor 1 cathode → Thyristor 2 cathode → Thyristor 2 gate → DC power supply 4 A closed circuit is formed, forward current is supplied to the gate of thyristor 1, and after the gate junction of thyristor 2 has reverse recovery. Then, the current will flow through the resistor 11. Furthermore, the capacitor 3 is charged by the DC power supply 6 via the resistor 12 with the polarity shown.

つぎに、通電中のサイリスタ1をターンオフさ
せる場合にターンオンスイツチ7を開いてターン
オフスイツチ8を閉じると、 直流電源5→サイリスタ2ゲート→サイリスタ
2カソード→サイリスタ1カソード→サイリス
タ1ゲート→ターンオフスイツチ8→抵抗10
→直流電源5 の閉回路が形成されてサイリスタ2をターンオン
できる。よつて、コンデンサ3に蓄えられた電荷
は、 コンデンサ3→サイリスタ2アノード→サイリ
スタ2カソード→サイリスタ1カソード→サイ
リスタ1ゲート→コンデンサ3 の経路で放電され、サイリスタ1の蓄積キヤリア
を掃き出す。ここに、抵抗9はサイリスタ1のカ
ソード・ゲート間が高インピーダンスに変つた際
にサイリスタ2のゲート電流の流れを継続させる
ため配されている。
Next, when turning off the energized thyristor 1, open the turn-on switch 7 and close the turn-off switch 8, and the following will occur: DC power supply 5 → Thyristor 2 gate → Thyristor 2 cathode → Thyristor 1 cathode → Thyristor 1 gate → Turn-off switch 8 → resistance 10
→A closed circuit of the DC power supply 5 is formed and the thyristor 2 can be turned on. Therefore, the charge stored in the capacitor 3 is discharged through the following path: capacitor 3 -> thyristor 2 anode -> thyristor 2 cathode -> thyristor 1 cathode -> thyristor 1 gate -> capacitor 3, and the accumulated carriers of thyristor 1 are swept out. Here, the resistor 9 is arranged to continue the flow of gate current of the thyristor 2 when the impedance between the cathode and the gate of the thyristor 1 changes to high impedance.

かようにして、第1図に示すものは特にサイリ
スタ1に逆バイアスを与える直流電源5とは別に
コンデンサ3を備え、かような2個のゲート用電
源を巧みに切り換えてサイリスタ2を効果的に作
用させるものである。しかしながら、かくの如き
ものにおいては、サイリスタ1として仮に大電力
用GTOサイリスタ等を採用したときには、これ
の点弧に要するゲート順電流はかなり大きな値が
必要とされて、特にこのような素子においてはタ
ーンオン時のゲート電流はハイゲートドライブを
必要とする。
In this way, the device shown in FIG. 1 is equipped with a capacitor 3 in addition to the DC power supply 5 that applies reverse bias to the thyristor 1, and by skillfully switching between these two gate power supplies, the thyristor 2 can be effectively controlled. This is what makes it work. However, in such a device, if a high-power GTO thyristor or the like is adopted as the thyristor 1, the gate forward current required for ignition thereof would require a considerably large value, especially in such a device. Gate current at turn-on requires high gate drive.

前述の如く、サイリスタ1のゲートに順電流を
供給する回路には、サイリスタ2のゲートを逆方
向に(カソードからゲート方向へ)通過する経路
が含まれている。そのためサイリスタ1のゲート
順電流は、サイリスタ2のゲートが逆回復するま
での間に抵抗11を短絡して流れ大きな電流にな
り、サイリスタ2のゲートが逆回復した後には、
サイリスタ2の(カソード〜ゲート)間に高イン
ピーダンスになり、抵抗11を経由して流れ小さ
な値となる。すなわち、サイリスタ1のゲート順
電流のハイゲートドライブの値はサイリスタ2の
ゲートの逆回復電荷の値により制限される。通
常、サイリスタ1に比べてサイリスタ2は容量の
小さな素子が選ばれ、そのため、逆回復電荷も小
さくハイゲートドライブの電流値が低下すること
になる。
As described above, the circuit that supplies forward current to the gate of thyristor 1 includes a path that passes through the gate of thyristor 2 in the reverse direction (from the cathode to the gate). Therefore, the gate forward current of thyristor 1 short-circuits the resistor 11 and becomes a large current until the gate of thyristor 2 reversely recovers, and after the gate of thyristor 2 reversely recovers,
The impedance becomes high between the thyristor 2 (cathode and gate), flows through the resistor 11, and has a small value. That is, the high gate drive value of the gate forward current of thyristor 1 is limited by the value of the reverse recovery charge of the gate of thyristor 2. Usually, an element having a smaller capacitance is selected as the thyristor 2 than the thyristor 1, and therefore the reverse recovery charge is also small, resulting in a decrease in the current value of the high gate drive.

本考案は上述したような点に着目しなされたも
ので、前記既出願の重要なターンオフ時のゲート
電圧の切換機能を効用させかつターンオン時に十
分なゲート順電流を供給し得る格別な装置を提供
するものである。以下、本考案を第1図に類して
表わした実施例図面を用いて説明する。
The present invention has been developed by focusing on the above-mentioned points, and provides an exceptional device that utilizes the important gate voltage switching function at turn-off of the previously filed application and can supply a sufficient gate forward current at turn-on. It is something to do. Hereinafter, the present invention will be explained using embodiment drawings similar to FIG.

第2図は本考案の一実施例の要部構成を示すも
ので、13,14,15はコンデンサ、16はダ
イオード、17,18は電界効果トランジスタ
(FET)、19は抵抗である。図中、第1図と同
符号のものは同じ機能を有する部分を示す。ここ
で、かように示されるものにおいて第1図と同一
な構成部に関する詳細説明を省略するが、第1図
装置を改良すべく構成させた点およびその作用は
つぎの如くである。
FIG. 2 shows the main structure of an embodiment of the present invention, in which 13, 14 and 15 are capacitors, 16 is a diode, 17 and 18 are field effect transistors (FET), and 19 is a resistor. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate parts having the same function. Here, detailed explanations of the same components as those shown in FIG. 1 will be omitted, but the points that are constructed to improve the apparatus shown in FIG. 1 and their functions are as follows.

さて、第2図においてはサイリスタ1を点弧す
る場合、まずFET17をオン制御信号(図示せ
ず)によつてオンさせる。ただし、この際FET
18はこれも図示しないオフ制御信号によりオフ
しているものとする。
Now, in FIG. 2, when igniting the thyristor 1, the FET 17 is first turned on by an on control signal (not shown). However, in this case, FET
It is assumed that 18 is also turned off by an off control signal (not shown).

このとき、直流電源4により充電されたコンデ
ンサ14の電荷は、 サイリスタ1ゲート→サイリスタ1カソード→
サイリスタ2カソード→サイリスタ2ゲート→
ダイオード16→FET17 を経由して流れ、サイリスタ1のゲートに順電流
を供給できる。つぎに、サイリスタ2のゲート接
合が逆回復してサイリスタ2の(カソード〜ゲー
ト)間が高インピーダンスになつても、(抵抗1
9→コンデンサ13)の直列回路を経由してコン
デンサ13の充電電流が流れるため、この抵抗1
9の値を小さく選択することによつてサイリスタ
1を点弧するに要するハイゲートドライブの電流
値を充分満足できることになる。つぎにコンデン
サ13の充電電圧が上昇してダイオード16が順
バイアスされると、電流は(抵抗11〜ダイオー
ド16)を介して流れ、以後オン期間を通じて抵
抗11で制限された電流が流れ続けるものとな
る。
At this time, the electric charge of the capacitor 14 charged by the DC power supply 4 is as follows: thyristor 1 gate → thyristor 1 cathode →
Thyristor 2 cathode → Thyristor 2 gate →
It flows through diode 16 → FET 17 and can supply forward current to the gate of thyristor 1. Next, even if the gate junction of thyristor 2 reversely recovers and becomes high impedance between the (cathode and gate) of thyristor 2, (resistance 1
Since the charging current of the capacitor 13 flows through the series circuit of 9 → capacitor 13), this resistor 1
By selecting a small value of 9, the high gate drive current value required to fire the thyristor 1 can be sufficiently satisfied. Next, when the charging voltage of the capacitor 13 increases and the diode 16 is forward biased, the current flows through (the resistor 11 to the diode 16), and from then on, the current limited by the resistor 11 continues to flow throughout the ON period. Become.

そして、導通状態にあるサイリスタ1をオフさ
せるには、FET18を例えば前述のオフ制御信
号によりオンさせてFET17をオン制御信号に
よりオフさせる。このとき、直流電源5により充
電されたコンデンサ15の電荷は、まず ダイオード16→コンデンサ13→抵抗19→
サイリスタ1カソード→サイリスタ1ゲート→
FET18 を経由して流れ、コンデンサ13の電荷を放電す
るとともにサイリスタ1の蓄積キヤリアを掃き出
させる。また、コンデンサ13の放電が進むとサ
イリスタ2のカソード電位が下がり、サイリスタ
2のゲートが順バイアスされる。そのため電流
は、 コンデンサ15→サイリスタ2ゲート→サイリ
スタ2カソード→サイリスタ1カソード→サイ
リスタ1ゲート→FET18→コンデンサ15 の経路で流れ、サイリスタ2が点弧させられる。
そして、サイリスタ2が点弧すると、直流電源6
により抵抗12を介して充電されたコンデンサ3
の電荷が、 コンデンサ3→サイリスタ2アノード→サイリ
スタ2カソード→サイリスタ1カソード→サイ
リスタ1ゲート→コンデンサ3 を経由して放電し、サイリスタ1の蓄積キヤリア
を急速に掃き出すものとなる。なお、サイリスタ
1のゲート接合が逆回復するとゲート〜カソード
間のインピーダンスが高くなり、その値はサイリ
スタ1に並列に接続された抵抗9により決められ
る。また、このとき抵抗9の両端に発生する電圧
はほぼ直流電源5電圧で規制される。よつて、直
流電源6の電圧をサイリスタ1の許容ゲート逆電
圧より大きく選んでも、直流電源5の電圧を上記
許容ゲート逆電圧以下に選べば、上述した如きサ
イリスタ1のゲート接合が逆回復したのち、直流
電源6の電圧のうち直流電源5の電圧を超える分
は自動的にサイリスタ2が分担することになり極
めて好都合である。
Then, in order to turn off the thyristor 1 which is in the conductive state, the FET 18 is turned on by, for example, the above-mentioned off control signal, and the FET 17 is turned off by the on control signal. At this time, the electric charge of the capacitor 15 charged by the DC power supply 5 is first transferred from the diode 16 → capacitor 13 → resistor 19 →
Thyristor 1 cathode → Thyristor 1 gate →
It flows through the FET 18, discharging the charge in the capacitor 13, and flushing out the accumulated carrier in the thyristor 1. Further, as the discharge of the capacitor 13 progresses, the cathode potential of the thyristor 2 decreases, and the gate of the thyristor 2 is forward biased. Therefore, the current flows through the path of capacitor 15 → thyristor 2 gate → thyristor 2 cathode → thyristor 1 cathode → thyristor 1 gate → FET 18 → capacitor 15, and thyristor 2 is fired.
Then, when the thyristor 2 fires, the DC power supply 6
Capacitor 3 charged via resistor 12 by
The charge is discharged via the following: capacitor 3 → thyristor 2 anode → thyristor 2 cathode → thyristor 1 cathode → thyristor 1 gate → capacitor 3, and the accumulated carrier of thyristor 1 is quickly swept away. Note that when the gate junction of the thyristor 1 reversely recovers, the impedance between the gate and the cathode increases, and its value is determined by the resistor 9 connected in parallel to the thyristor 1. Further, the voltage generated across the resistor 9 at this time is approximately regulated by the voltage of the DC power supply 5. Therefore, even if the voltage of the DC power source 6 is selected to be larger than the allowable gate reverse voltage of the thyristor 1, if the voltage of the DC power source 5 is selected to be less than the above-mentioned allowable gate reverse voltage, after the gate junction of the thyristor 1 as described above reversely recovers. The voltage of the DC power supply 6 that exceeds the voltage of the DC power supply 5 is automatically shared by the thyristor 2, which is very convenient.

以上説明したように本考案によれば、主電流供
給用サイリスタとゲート電流供給用サイリスタを
相反動作させ、そのターンオフ時のゲート電源を
切り換え、かつターンオン時のゲート順電流を十
分に補充し得る実用上極めて有用な装置を提供で
きる。
As explained above, according to the present invention, the main current supply thyristor and the gate current supply thyristor are operated in opposition, and the gate power supply can be switched at turn-off, and the gate forward current can be sufficiently supplemented at turn-on. Moreover, an extremely useful device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の理解を容易にするため示した
本出願人による既出願を説明するための回路図、
第2図は本考案の一実施例の要部構成を示す回路
図である。 1,2…自己消弧形サイリスタ(サイリスタ)、
3,13,14,15…コンデンサ、4,5,6
…直流電源、9,11,12,19…抵抗、16
…ダイオード、17,18…電界効果トランジス
タ(FET)。
FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a previous application by the present applicant, shown to facilitate understanding of the present invention;
FIG. 2 is a circuit diagram showing the main part of an embodiment of the present invention. 1, 2...Self-extinguishing thyristor (thyristor),
3, 13, 14, 15...Capacitor, 4, 5, 6
...DC power supply, 9, 11, 12, 19...Resistance, 16
...diode, 17,18...field effect transistor (FET).

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 主電流の導通を行う第1の自己消弧形サイリス
タのカソード端子と該第1の自己消弧形サイリス
タのゲート電流の導通を行う第2の自己消弧形サ
イリスタのカソード端子とを接続するとともに、
該第2の自己消弧形サイリスタのアノード端子と
第1の自己消弧形サイリスタのゲート端子との間
に充電機能を有する第1のコンデンサを接続し、
前記第1の自己消弧形サイリスタのゲート端子と
第2の自己消弧形サイリスタのゲート端子との間
に導通時に該第2の自己消弧形サイリスタのゲー
トを順バイアスせしめる第1のスイツチング素子
および充電機能を有する第2のコンデンサからな
る直列回路を接続するとともに、第1の自己消弧
形サイリスタのゲート端子に充電機能を有する第
3のコンデンサおよび導通時に該第1の自己消弧
形サイリスタのゲートを順バイアスさせるための
第2のスイツチング素子からなる第1の直列接続
体を配し、かつ第1の自己消弧形サイリスタのカ
ソード端子に抵抗およびコンデンサからなる第2
の直列接続体を配するとともに、該第1の直列接
続体と第2の直列接続体を直列接続し、前記第2
の自己消弧形サイリスタのゲート端子にアノード
側が接続されるダイオードのカソード側を前記第
1の直列接続体と第2の直列接続体の接続点に接
続し、前記第1の自己消弧形サイリスタのゲート
端子およびカソード端子の間と第2の自己消弧形
サイリスタのゲート端子およびカソード端子の間
にそれぞれ抵抗を接続するように構成した自己消
弧形サイリスタのゲート駆動回路。
Connecting the cathode terminal of a first self-arc-extinguishing thyristor that conducts the main current and the cathode terminal of a second self-arc-extinguishing thyristor that conducts the gate current of the first self-arc-extinguishing thyristor; ,
a first capacitor having a charging function is connected between the anode terminal of the second self-extinguishing thyristor and the gate terminal of the first self-extinguishing thyristor;
a first switching element that forward biases the gate of the second self-arc-extinguishing thyristor when electrical conduction occurs between the gate terminal of the first self-arc-extinguishing thyristor and the gate terminal of the second self-arc-extinguishing thyristor; and a second capacitor having a charging function, a third capacitor having a charging function is connected to the gate terminal of the first self-extinguishing thyristor, and the first self-extinguishing thyristor when conductive. A first series connection body consisting of a second switching element for forward biasing the gate of the thyristor is disposed, and a second series connection body consisting of a resistor and a capacitor is connected to the cathode terminal of the first self-extinguishing thyristor.
the first series connection body and the second series connection body are arranged in series, and the first series connection body and the second series connection body are connected in series, and the second series connection body is connected in series.
The cathode side of a diode whose anode side is connected to the gate terminal of the self-arc-extinguishing thyristor is connected to the connection point of the first series-connected body and the second series-connected body, A gate drive circuit for a self-arc-extinguishing thyristor configured to connect a resistor between the gate terminal and the cathode terminal of the second self-arc-extinguishing thyristor and between the gate terminal and the cathode terminal of the second self-arc-extinguishing thyristor.
JP17570983U 1983-11-14 1983-11-14 Gate drive circuit for self-extinguishing thyristor Granted JPS6082842U (en)

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JPS6082842U JPS6082842U (en) 1985-06-08
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