JPH02275960A - Charge holding medium and charge holding method - Google Patents

Charge holding medium and charge holding method

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Publication number
JPH02275960A
JPH02275960A JP1062754A JP6275489A JPH02275960A JP H02275960 A JPH02275960 A JP H02275960A JP 1062754 A JP1062754 A JP 1062754A JP 6275489 A JP6275489 A JP 6275489A JP H02275960 A JPH02275960 A JP H02275960A
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JP
Japan
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charge retention
layer
charge
medium
polymer material
Prior art date
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Pending
Application number
JP1062754A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Iijima
飯嶋 正行
Minoru Uchiumi
内海 実
Seiji Take
誠司 武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Priority to EP89305009A priority patent/EP0342967B1/en
Priority to DE68925436T priority patent/DE68925436T2/en
Priority to CA000600758A priority patent/CA1339152C/en
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Abstract

PURPOSE:To allow the permanent holding of accumulated information charges by constituting a charge holding layer of a high-polymer material having >=1X10<14>OMEGA.cm specific resistance and specifying the glass transition temp. of the high-polymer material to the use environmental temp. or above or further specifying a moisture content to <=0.4wt.%. CONSTITUTION:The charge holding layer of the charge holding medium 3 laminated with an electrode layer 13 and the charge holding layer 11 is constituted of the insulating high-polymer material and the high-polymer material is so formed that the glass transition temp. thereof is the use environmental temp. or above or further the moisture content of the high-polymer material is <=0.4wt.%. More specifically, the charge holding layer 11 has the insulating characteristic of >=10<14>OMEGA.cm specific resistance in order to suppress the transfer of charges. This layer is so formed as to have 20 to 100 deg.C or higher glass transition temp. in the ordinary use environment. The moisture content of the above- mentioned layer is required to be lower by 0.4% in order to prevent the leakage by the accumulated information charges by the influence of humidity. The long-term preservation of the information charges is thus possible.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧印加時露光方法等により情報を静電的に
記録し、任意時点て情報再生を行うことかできる電荷保
持媒体に関し、1、冒ご電(I:i保4.5特性に優れ
た電荷保持媒体、及び電荷保持方法に関Jる。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a charge-retaining medium in which information can be electrostatically recorded using an exposure method when a voltage is applied, etc., and information can be reproduced at any time. , I: Concerning a charge retention medium with excellent i-holding properties and a charge retention method.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、電子写真技術等において電極層上に光導電層を蒸
着させ、その光導電層上を全面帯電させた後像露光し、
露光部の電荷をリークさ・Uるごとにより光導電層上に
静電潜像を光学的に形成さ−1、その残留電荷と逆極性
の電荷を有するl・ナーをイ=J着させ、紙等に静電転
写して現像するものが知られている。これは主として複
写用に使用されているが、記録媒体としての光導電層に
おりる静電荷の保持期間を短くし静電潜像形成後は直ぢ
にトナー現像されるものであり、これを例えば撮影用と
すると低感度のためとても使用できない。
Conventionally, in electrophotography, a photoconductive layer is deposited on an electrode layer, the entire surface of the photoconductive layer is charged, and then imagewise exposed.
An electrostatic latent image is optically formed on the photoconductive layer by leaking the charge in the exposed area, and a l·ner having a charge of opposite polarity to the residual charge is deposited, It is known that the image is electrostatically transferred onto paper or the like and developed. This is mainly used for copying, but it shortens the retention period of the electrostatic charge that falls on the photoconductive layer as a recording medium, and the toner is developed directly after the electrostatic latent image is formed. For example, it cannot be used for photography due to its low sensitivity.

またTV撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取
り出し、また記録するためには線順次走査が必要となる
。線順次走査は撮像管内では電子ヒームて、ヒデオ記録
ては磁気ヘソI・で行うが、解像性iJ走査線数に依存
−3るために銀塩写真のような面状アナし1グ記録に比
較して著しく劣化するという問題がある。
Furthermore, TV photographing technology requires line-sequential scanning in order to extract and record electrical image signals obtained by an image pickup tube. Line-sequential scanning is carried out using an electronic beam in the image pickup tube, and video recording is carried out using a magnetic hemisphere. However, since the resolution depends on the number of scanning lines, it is necessary to record a planar image like a silver halide photograph. The problem is that it deteriorates significantly compared to .

更に近年発達しつつある固体撮像素子を利用したTV撮
像系も解像性に関しては木質的に同様であり、これらの
技術の内蔵する問題は、画像記録が高品質、高解像度で
あればあるほど処理工程が複雑であり、上程か簡便であ
れば記10機能の欠り11或いば画質の枯木的劣化があ
る。
Furthermore, TV imaging systems that utilize solid-state imaging devices, which have been developing in recent years, are similar in terms of resolution, and the problems inherent in these technologies become more pronounced the higher the quality and resolution of image recording. The processing process is complicated, and if it is simple or simple, there will be a lack of the above-mentioned functions or a deterioration of the image quality.

また透明電極」二にセレン粒子層を表面層としζ有する
熱可塑性物質層を設け、その表面を全面帯電させた後、
像露光し、熱現像するごとにより露光情tしを可視情¥
長化させるものが知られているが、画像情報を蓄積する
手段はセレン粒子層の位置情報の形に変換され、熱現像
により表面電荷は現像と同時に減衰するもの゛(ある。
In addition, a thermoplastic material layer having a selenium particle layer as a surface layer is provided on the transparent electrode, and after the entire surface is charged,
Each time the image is exposed and thermally developed, the exposure information becomes visible.
It is known that the image information is stored in the form of positional information of the selenium particle layer, and the surface charge is attenuated by thermal development at the same time as the development.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

本発明者等は、先に前面に電極を設りた光導電層からな
る感光体と、後面に電極が設りられた電荷保持層からな
る電荷保持媒体とを対向させて配置し、両電極間に電圧
印加した状態で像露光した後、電荷保持媒体を分離し、
電荷保持層面に像情報として蓄積される表面電位を増幅
し像再生出力させるごとにより極めて解明に情報を再生
しうろことを見出し、その電荷保持媒体について出願し
た(特願昭61−127555月)。
The present inventors first placed a photoreceptor made of a photoconductive layer with electrodes on the front surface and a charge retention medium made of a charge retention layer with electrodes on the rear surface facing each other, and both electrodes After image exposure with a voltage applied between them, the charge retention medium is separated,
It was discovered that information could be reproduced extremely clearly by amplifying the surface potential stored as image information on the surface of the charge retention layer and outputting the image reproduction, and filed an application for the charge retention medium (Japanese Patent Application No. 127555/1981).

本発明はその電荷保持特性の改良を目的とするものであ
り、電荷保持特性の優れた電荷保持媒体、及び電荷像(
4方法の提供を課題とする。
The purpose of the present invention is to improve the charge retention properties thereof, and to provide a charge retention medium with excellent charge retention properties, and a charge image (
The challenge is to provide four methods.

〔課題を解決するだめの手段〕[Failure to solve the problem]

そのために本発明の電&:i保十)媒体は、電極層と電
荷保持層とを積層した電荷保持媒体において、電荷保持
層が絶縁性高分子+A籾からなり、該高分子材料のガラ
ス転移温度が使用環境温度以上であることを特徴とする
ものである。
For this purpose, the electric charge storage medium of the present invention is a charge storage medium in which an electrode layer and a charge storage layer are laminated, in which the charge storage layer is made of an insulating polymer + A rice grain, and the glass transition of the polymer material is It is characterized in that the temperature is higher than the operating environment temperature.

また電極層と′71荷保Li層とを積層した電荷保持媒
体において、電荷保持層が絶縁性高分子材料からなり、
該高分子材料の含水率が0.4重量%以下であることを
特徴とするものである。
Further, in a charge retention medium in which an electrode layer and a '71 cargo holding Li layer are laminated, the charge retention layer is made of an insulating polymer material,
The polymer material is characterized in that the water content is 0.4% by weight or less.

更に電極層と電荷保持層とを積層した電荷保持媒体にお
いて、電荷保持層が絶縁性高分子材料からなり、該高分
子材料のガラス転移温度か使用環境温度以上ヒであり、
かつ含水率が0.4重量%以下であることを特徴とする
ものである。
Furthermore, in a charge retention medium in which an electrode layer and a charge retention layer are laminated, the charge retention layer is made of an insulating polymer material, and the temperature is higher than the glass transition temperature of the polymer material or the operating environment temperature,
Moreover, the water content is 0.4% by weight or less.

また電荷保持力法としζ、電極層」−に絶縁性高分子材
料からなる電荷保持層を積層した電荷保持媒体を、該絶
縁性高分子材料のガラス転移温度以下で使用することを
特徴とするものである。
In addition, the charge retention method is characterized in that a charge retention medium in which a charge retention layer made of an insulating polymer material is laminated on the electrode layer is used at a temperature below the glass transition temperature of the insulating polymer material. It is something.

以下、本発明の電荷保持媒体の構成材料とその形成方法
、および電荷保持方法、電荷保持媒体の使用方法である
静電画像記録再生方法について説明する。
Hereinafter, the constituent materials of the charge retention medium of the present invention, the method for forming the same, the charge retention method, and the electrostatic image recording and reproducing method which is the method of using the charge retention medium will be explained.

第1図は本発明の電荷保持媒体3の各態様を断面で示す
図であり、図中3は電荷保持媒体、11は電荷保持層、
13は電荷保持媒体電極、15は支持体、16は接着層
である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing each aspect of the charge retention medium 3 of the present invention, in which 3 is the charge retention medium, 11 is the charge retention layer,
13 is a charge retention medium electrode, 15 is a support, and 16 is an adhesive layer.

電荷保持層1〕は電荷の移動を抑えろため高絶縁性の高
分子材料からなるものであり、比抵抗て101′Ω・c
m以トの絶縁性を有することが要求される。
The charge retention layer 1] is made of a highly insulating polymer material in order to suppress the movement of charges, and has a specific resistance of 101'Ω・c.
It is required to have an insulation property of m or more.

また電荷保持層を構成する高分子+Aわlとしてはその
ガラス転移温度が使用環境lat度以−にであることか
必要であるが、通常の使用環境では、20°C〜100
°C1またそれ以上のガラス転移温度をイ〕するごとが
望ましい。
In addition, it is necessary that the glass transition temperature of the polymer + aluminum constituting the charge retention layer is lower than 20 degrees Celsius in the usage environment.
A glass transition temperature of 1° C. or higher is desirable.

また電荷保持層を構成する高分子+A Flとしては、
蓄積された情報電荷の湿度の影古によるリークを防止零
るためにはその吸水率が0.4%より低いことが必要で
ある。
In addition, as the polymer +A Fl constituting the charge retention layer,
In order to prevent leakage of accumulated information charges due to humidity effects, the water absorption rate must be lower than 0.4%.

このような高分子材料は、+Ai脂としては熱可塑性樹
脂、或いは熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬
化性樹脂等のエネルギー線硬化樹脂、或いはエンジニア
リングプラスチソクζtを使用することができる。
For such a polymer material, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an energy beam curing resin such as an ultraviolet curing resin, an electron beam curing resin, or an engineering plastic ζt can be used as the +Ai resin. .

熱可塑性樹脂としては、例えはポリエチレン、塩化ビニ
ル樹脂、ボリプI−Iピレン、スチレン樹脂、ABS樹
脂、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、アクリロニ
トリル−スチレン系樹脂、塩化ヒニリデン樹脂、AAS
 (ASA)樹脂、ABS樹脂、繊維素誘導体樹脂、熱
可塑性ボソウレクン、ポリビニルブチラール、ポリ−4
−メチルペンテン−1、ポリフテン−1、ロンンエステ
ルu1 月日W、更に弗素樹脂、例えばポリテトラフル
オロエチレン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフル
オロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合体、またそれらのティスパージョンタイプ、または
変性タイプ(コーティングタイプ)、またポリエーテル
エーテルケトン樹脂、ポリパラキシリレンの下記構造式
で示されるもの、 (尚、上記Cタイプは上記構造のもののみでなく、ヘン
ゼン環における主鎖結合部位以外の部位の内1つが塩素
で置換されているもの、またDタイプはその2つが塩素
で置換されているものであればよい。)等、 また熱硬化性樹脂としては、例えば不飽和ポリエステル
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メ
ラミン樹脂、ジアリルツクレート樹脂、シリコーン樹脂
等、 更に紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等のエネルギ
ー線硬化樹脂としては、ラジカル重合性アクリレート系
化合物があり、例えばアクリル酸又はメタアクリル酸若
しくはこれらの誘導体のエステル化合物であって、両末
端に水酸基を有するものであり、具体的にはヒドロキシ
エチルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、
ヒドロキシブチルアクリレート、ヒドロキシブチルメタ
アクリレート、ヒドロキシプロピルメタアクリレート、
ヒドロキシブチルメタアクリレート、4ヒドロキシシク
ロへキシルアクリレート、5ヒドロキシシクロオクチル
アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェニルオキシプ
ロピルアクリレート等の重合性不飽和基1個有する(メ
タ)アクリル酸エステル化合物を始め、式 %式% で示される重合性不飽和基2個を有する化合物等を使用
することができる。
Examples of thermoplastic resins include polyethylene, vinyl chloride resin, Polyp II pyrene, styrene resin, ABS resin, polyvinyl alcohol, acrylic resin, acrylonitrile-styrene resin, hnylidene chloride resin, and AAS.
(ASA) resin, ABS resin, cellulose derivative resin, thermoplastic bosourekun, polyvinyl butyral, poly-4
- Methylpentene-1, polyphthene-1, Ronne ester u1, and also fluororesins such as polytetrafluoroethylene, fluorinated ethylene propylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymers, and dispersions thereof. type, modified type (coating type), polyether ether ketone resin, polyparaxylylene shown by the following structural formula, (For D type, two of the sites other than the bonding site are substituted with chlorine. Polyester resins, epoxy resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, diallyl chloride resins, silicone resins, etc. Furthermore, as energy ray curable resins such as ultraviolet ray curable resins and electron beam curable resins, radically polymerizable acrylate compounds are used. For example, ester compounds of acrylic acid or methacrylic acid or their derivatives have hydroxyl groups at both ends, specifically hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl acrylate,
Hydroxybutyl acrylate, hydroxybutyl methacrylate, hydroxypropyl methacrylate,
Including (meth)acrylic acid ester compounds having one polymerizable unsaturated group such as hydroxybutyl methacrylate, 4-hydroxycyclohexyl acrylate, 5-hydroxycyclooctyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl acrylate, etc. A compound having two polymerizable unsaturated groups represented by the formula % can be used.

2個の水酸基と1個又は2個以上のラジカル重合性不飽
和基を有する硬化性化合物としては、例えばグリセロー
ルメタアクリレートや下記−形式%式% (但しR,R’ はメチル基、または水素であり、R1
はエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチ
レングリコール、ブタンジオール、16−ヘキサンジオ
ール等の短鎖ジオール残基である。)により示されるア
クリレート類を使用することができる。
Examples of the curable compound having two hydroxyl groups and one or more radically polymerizable unsaturated groups include glycerol methacrylate and the following formula % (where R and R' are methyl groups or hydrogen). Yes, R1
is a short chain diol residue such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, butanediol, 16-hexanediol, etc. ) can be used.

またエンジニアリングプラスチックとしてはポリカーボ
ネート、ポリアミド、アセタール樹脂、ポリフェニレン
オキシド、ポリブチレンチレフクレート、ポリエチレン
テレツクレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェ
ニレンサルファイド、ポリイミド樹脂、ポリスルフォン
、芳香族ポリエステル、ポリアクリレート等が使用でき
る。
Examples of engineering plastics that can be used include polycarbonate, polyamide, acetal resin, polyphenylene oxide, polybutylene ethylene chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polyimide resin, polysulfone, aromatic polyester, and polyacrylate.

上記樹脂において吸水率が高い樹脂については、非吸水
性が付与できる原子或いは置換基を導入することにより
吸水率を下げて使用することができる。或いは吸水率の
低い樹脂を混合することにより使用することかできる。
Among the above-mentioned resins, the resin having a high water absorption rate can be used by lowering the water absorption rate by introducing atoms or substituents that can impart non-water absorbing properties. Alternatively, it can be used by mixing a resin with a low water absorption rate.

尚、ポリエーテルスルボン、ポリイミド、ポリパラバン
酸等の吸水率の高い材料でも、吸水率の低い樹脂による
保護膜を積層して使用することができる。
Note that even materials with a high water absorption rate such as polyether sulfone, polyimide, polyparabanic acid, etc. can be used by laminating a protective film made of a resin with a low water absorption rate.

電荷保持層の積層方法としては、まず第1図(a)、或
いは同図(b)に示す電荷保持媒体の場合には、電極上
に樹脂、ゴム類を蒸着、スバ。
As for the method of laminating the charge retention layer, first, in the case of the charge retention medium shown in FIG.

夕法等により、または溶剤に熔解させてコーティング、
ディノピンクすることにより層形成することができる。
Coating by coating or by dissolving in a solvent,
Dino Pink can be layered.

また電荷保持層11としてはシリコンフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリイミドフィルム、含弗素ポリ−7
−フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフ
ィルJ5、ポリパラバン酸フィルム、ポリカーボネーI
−フィルム、ポリアミドフィルJ、等を接着剤等を介し
て貼着することにより層形成させてもよい。或いはフィ
ルムの片面に蒸着、スパッタ、或いはコーティング等に
より電極層を形成しCもよい。この場合には電極層を保
護するだめの層を設りてもよく、更に機械強度が要求さ
れる場合には、より高い機械強度をイ〕するフィルム等
を貼りあわゼてもよい。
Further, as the charge retention layer 11, silicone film, polyester film, polyimide film, fluorine-containing poly-7
-Film, polyethylene film, polypropylene film J5, polyparabanic acid film, polycarbonate I
- A layer may be formed by adhering a film, polyamide film J, etc. via an adhesive or the like. Alternatively, an electrode layer may be formed on one side of the film by vapor deposition, sputtering, coating, or the like. In this case, a protective layer may be provided to protect the electrode layer, and if further mechanical strength is required, a film or the like that provides higher mechanical strength may be laminated thereon.

またこれら絶H性を有する高分子材料中に電荷蓄積のた
めに光導電性、導電性微粒子を4・在させてもよい。
In addition, photoconductive and electrically conductive fine particles may be present in these polymeric materials having absolute H properties for charge accumulation.

光導電性徽粒子材料としてはアモルファスシリコン、結
晶シリコン、アモルファスセレン、結晶セレン、硫化力
トミウl1、酸化亜鉛等の無機系光導電材料、またポリ
ビニルカルバソール、フタI:1シアニン、アゾ系顔料
等の有機系光導電材料か使用される。
Examples of photoconductive particle materials include inorganic photoconductive materials such as amorphous silicon, crystalline silicon, amorphous selenium, crystalline selenium, sulfurized aluminum 11, and zinc oxide, as well as polyvinyl carbazole, lid I:1 cyanine, azo pigments, etc. Organic photoconductive materials are used.

また導電性材料としては、周期律表第1A族(アルカリ
金属)、同I■3族(銅族)、同■Δ族(アルカリ土類
金属)、同II B族(亜鉛族)、同111A族(アル
ミニうム族)、同1[I B族(希土類)、同IVB族
(チタン族)、同VB族(ハナシウJ、族)、同VI 
B族(りIJム族)、同Vl[B族(マンガン族)、同
■族(鉄族、白金族)、また同IVA族(炭素族)とし
ては炭素、珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同VA族(窒
素族)としてはアンチモン、ヒスマス、同VIA族(酸
素族)としては硫黄、セレン、テルルが微細粉状で使用
される。また−]−記元素単体のうら金属類は金属イオ
ン、1敦細粉状の合金、有機金属、錯体の形態としても
使用することかできる。更に上記元素単体は酸化物、燐
酸化物、硫酸化物、ハエ−1ケン化物の形態で使用する
ことができる。特に炭素、金、銅、アルミニウム等が好
ましく使用される。
Conductive materials include Group 1A (alkali metals) of the periodic table, Group IⅢ (copper group), Group ■∆ (alkaline earth metals), Group II B (zinc group), and Group 111A of the periodic table. Group (aluminum group), Group 1 [I B (rare earths), Group IVB (titanium group), Group VB (hanashiu J, group), Group VI
Group B (RIJM group), Vl group (manganese group), group II (iron group, platinum group), and group IVA (carbon group) include carbon, silicon, germanium, tin, lead, As the VA group (nitrogen group), antimony and hismuth are used, and as the VIA group (oxygen group), sulfur, selenium, and tellurium are used in fine powder form. In addition, the metals of the element -]- can also be used in the form of metal ions, fine powder alloys, organic metals, and complexes. Furthermore, the above elements can be used in the form of oxides, phosphorus oxides, sulfides, and saponified flies. In particular, carbon, gold, copper, aluminum, etc. are preferably used.

この微粒子層&Jその形成材料を電極上、又は電荷保肴
層にに低圧蒸着装置を使用し、蒸着さ一ヒるごとにより
形成される。粒子層形成材料は、10T。
This fine particle layer &J is formed by depositing the forming material on the electrode or charge storage layer using a low-pressure evaporation device each time. The particle layer forming material is 10T.

rr〜1(13Torr程度の低圧下で蒸発させると凝
集し、10〜0.1 μm径程度の超微粒子状態となり
、微粒子は電極、又は電荷保持層表面に、jjI−層状
、或いは蝮数層状に枯列した状態で積層されるものであ
る。また:1−ティングにより電荷保持層を形成する場
合は、電荷保持層形成材斜熔液中に微粒子材料を分散さ
セ、−1−ティングするごとにより形成することかCき
る。
rr ~ 1 (When evaporated under a low pressure of about 13 Torr, it aggregates and becomes ultrafine particles with a diameter of about 10 to 0.1 μm, and the fine particles are formed on the surface of the electrode or charge retention layer in the form of a jjI layer or a number of layers. In addition, when forming a charge retention layer by 1-ting, the fine particle material is dispersed in the charge retention layer forming material oblique solution, and each time the charge retention layer is formed by 1-ting. It can be formed by C.

電荷保持媒体3は電荷保持層11に情報を静電荷の分布
として記録するものである。従って記録される情報、あ
るいは記録の方法によりこの電荷保持媒体の形状は種々
の形状をとることかできる。
The charge retention medium 3 records information in the charge retention layer 11 as a distribution of static charges. Therefore, the shape of this charge retention medium can take various shapes depending on the information to be recorded or the recording method.

例えば静電カメラ(同一出願人による特願昭63121
591号)に用いられる場合には、−・般のフィルム(
単コマ、連続コマ用)形4ノいあるいはディスク状とな
り、レーリ′−等によりう〜シタル情報、またはアナロ
グ情報を記録する場合には、テープ形状、ティスフ形状
、あるい番」カー1・形状となる。
For example, an electrostatic camera (patent application No. 63121 filed by the same applicant)
591), the general film (
For single frame or continuous frame), it is in the form of a 4-inch or disk shape, and when recording digital information or analog information using Rayleigh, etc., it can be in the form of a tape, a tape shape, or a number car shape. becomes.

第1図(b)に示す支持体15は、電荷保持媒体3を強
度的に支持するものであり、電荷保(15層を支持する
ことかできるある程度の強度を有していれば、その材質
、厚めは1、Yに制限がなく、例えば可撓性のあるプラ
スチックフィルム、金属7酷紙、或いは硝子、プラスチ
ックシート、金属板(電極を兼ねることもてきる)等の
剛体か使用され光透過性も同様に要求される場合がある
。具体的には、電荷保持媒体3かフレー1−シソルなフ
ィルム、テープ、ディスク形状をとる場合には、フレキ
シフル性のあるプラスチックフィルムか使用され、強度
が要求される場合には剛性のあるシート、ガラス等の無
機材料等か使用される。
The support 15 shown in FIG. 1(b) supports the charge retention medium 3 with strength, and the material may have a certain degree of strength that can support the charge retention (15 layers). , the thickness is 1, and there is no limit to Y. For example, a flexible plastic film, metal paper, or a rigid body such as glass, plastic sheet, or metal plate (which can also serve as an electrode) can be used. In some cases, the same characteristics are required.Specifically, when the charge retention medium is in the form of a solid film, tape, or disk, a flexible plastic film is used, and the strength is When this is required, rigid sheets, inorganic materials such as glass, etc. are used.

電イ:カ保持媒体3かフ17;1−シブルなフィル11
、テプ、ディスク形状をとる場合に一ついて説明する。
Electricity: Moisture holding medium 3 or F17; 1-Sible fill 11
, tape, and disk shapes will be explained below.

まず第2図(a)に示すものは、記録部である電荷保持
層11が連続しているタイプである。
First, what is shown in FIG. 2(a) is a type in which the charge retention layer 11, which is a recording section, is continuous.

これは電極層を設りたプラスチックフィルム等の支持体
−ヒに電荷保持層を支持体の両辺を残して、または全面
に形成してなるものである。この電荷保持媒体は、少な
くとも記録される一画面(例えばカメラ取りによる場合
の−・コマ、デジタル情報記録のトラック「IJ)の2
イ11以上の長さを有するものである。また当然この電
荷保持媒体を長手方向に複数接合してなるものも含まれ
、この際には隣接する電荷保持層の間に電荷保持層欠落
のスリット帯があってもよい。
This is made by forming a charge retention layer on a support such as a plastic film provided with an electrode layer, leaving both sides of the support or the entire surface of the support. This charge retention medium is used to store at least one frame to be recorded (for example, one frame in the case of camera capture, two frames in the track "IJ" of digital information recording).
It has a length of 11 or more. Of course, it also includes a structure in which a plurality of charge-retaining media are joined in the longitudinal direction, and in this case, there may be a slit zone between adjacent charge-retaining layers, where the charge-retaining layer is missing.

また第2図(b)に示すよ・)に、電荷保持層1[が長
手方向に不連続の夕・イブがある。
In addition, as shown in FIG. 2(b), there is a case where the charge retention layer 1 is discontinuous in the longitudinal direction.

ごれはプラスチ、クフィルム等の支持体上に、電荷保持
層を支持体の両辺を残して、または残さずして、長手方
向に不連続に形成しζなるものであり、支持体上には複
数の電荷保持層が成る大きさで形成される。この電荷保
持層の大きさは、画像、およO・情(はの入力装置の露
光ツノ法にもよるが、例えばカメラ取りによる場合は、
35 rn m X 35rnmでアリ、レーリ5−ビ
ーム等のスボツI・入力の場合は、デジタル情報記録の
トラック中である。
Dirt is formed by forming a charge retention layer discontinuously in the longitudinal direction on a support such as plastic or film, with or without leaving both sides of the support. is formed to have a size that includes a plurality of charge retention layers. The size of this charge retention layer depends on the image and the exposure method of the input device, but for example, when using a camera,
35 rn m x 35 rnm, and in the case of a sub-I input such as ant, Rayleigh 5-beam, etc., it is in the track of digital information recording.

尚、デジタル情十ド記録の場合には、隣接する電荷保持
層間に形成されている電荷保持層間・落部は、情報の入
出力の際の1ラツキング帯として利用されうる。また当
然この電荷保1)媒体を長手方向に複数接合しζなるも
のも含まれ、この際には隣接する電荷保持層の間に電荷
保持層欠落のスリ/1・帯があってもよい。
Incidentally, in the case of digital information recording, the gap between charge retention layers and gaps formed between adjacent charge retention layers can be used as one racking zone when inputting and outputting information. Of course, this also includes a structure in which a plurality of charge retention 1) media are bonded in the longitudinal direction, and in this case, there may be a gap/band where the charge retention layer is missing between adjacent charge retention layers.

また第2図(C)に示すように電荷保持層か中力1ii
J bこ不連続のタイプがある。
In addition, as shown in FIG. 2(C), if the charge retention layer is
There is a discontinuous type.

このタイプは電極層を設りたプラスナックフィル1、笠
の支持体上に、電イi:i保1、冒Δを支持体の両辺を
残して、または残さずして、I+1方向に不連続に形成
してなるものであり、支持体上には複数の帯状の電荷保
持層が形成される。この電荷保持層のIIJは記録され
るデジタル情報のトランクI11に等しいか、或いは整
数倍のものであり、隣接する電荷保持層間に形成されて
いる電荷保持層欠落部は、情Yeの入出力の際のトラッ
キング帯とし゛(利用される。
In this type, an electrode layer is provided on the plastic snack fill 1, and on the shade support, the electric current i: i protection 1, and Δ are applied in the I+1 direction, with or without leaving both sides of the support. It is formed continuously, and a plurality of band-shaped charge retention layers are formed on the support. IIJ of this charge retention layer is equal to or an integral multiple of the trunk I11 of digital information to be recorded, and the charge retention layer missing portion formed between adjacent charge retention layers is used for input/output of information Ye. This is used as the actual tracking band.

また第2図((])に示すように、円板状のタイプがあ
る。
There is also a disc-shaped type, as shown in Figure 2 (()).

このタイプは、電極層を設けた円形のプラスチックフィ
ルム等の支持体上に電荷保持層を全面に、或いはiJ!
続した渦巻状の電荷保持層欠落部を有して形成されるも
のである。この電荷保持媒体では、入出力装置の駆動の
ための円形欠落が形成されていてもよい。またデジタル
情報記録部の場合には、連続した渦巻状の電6:j保持
層欠落部は、情報の入出力の際のトラッキング帯として
利用されうる。
This type consists of a support such as a circular plastic film provided with an electrode layer and a charge retention layer on the entire surface, or an iJ!
It is formed by having continuous spiral-shaped charge retention layer missing portions. This charge retention medium may have a circular cutout for driving an input/output device. Further, in the case of a digital information recording section, the continuous spiral-shaped electron 6:j retention layer missing portion can be used as a tracking band when inputting and outputting information.

電極13は、支持体」二に接着層]6を介するか、或い
は蒸着法等により形成され、その材質は比抵抗値が10
′・Ω・cm以Tであれば限定されなく、無1幾金属導
電膜、無機金属酸化物導電膜、残し魯J四級アンモニウ
ム塩等の有機導電膜等である。このような電荷保持媒体
電極はぞの支持体−Lに?′に着、スパッタリング、C
V D 、二l−ティング、メツキ、ディッピング、電
解重合等の方法により形成される。またその膜厚は電極
を構成する4、t 1’:Iの電気」、1j性、および
情報記録の際の印加電圧により変化さ−lる必要がある
が、例えばアルミニラ1、てあれば100〜3000人
程度であり、支持体と電荷保持層との間の全面、或いは
電荷保持層の形成パターンに合わせて形成される。
The electrode 13 is formed by interposing an adhesive layer on a support 6 or by a vapor deposition method, and the material thereof has a specific resistance value of 10.
There are no limitations as long as T is less than '.Ω.cm, and examples include non-metal conductive films, inorganic metal oxide conductive films, and organic conductive films such as quaternary ammonium salts. Is such a charge holding medium electrode on the support L? 'Arrival, sputtering, C
It is formed by methods such as V D , diluting, plating, dipping, and electrolytic polymerization. In addition, the film thickness needs to be changed depending on the electricity of 4, t1':I that constitutes the electrode, and the voltage applied during information recording. It is approximately 3,000 people, and is formed on the entire surface between the support and the charge retention layer, or in accordance with the formation pattern of the charge retention layer.

また光透過性が要求される場合には、反射防止膜を設け
るか、また電極層或いは電荷保持層のそれぞれの膜厚を
調製するか、その両者を組め合わせるごとにより反射防
止効果を1、またせるとよい。
If light transparency is required, the antireflection effect can be improved by providing an antireflection film, adjusting the thickness of each electrode layer or charge retention layer, or by combining the two. It is better to let

また本発明の電荷保持媒体は、情報記録後、電荷保持媒
体表面の破損、また情報電荷の減衰を防止するために電
荷保持媒体表面に保aW膜としてJ−述した電荷保持層
形成月利を使用し7、フィル1、を接着さ−けるか、溶
液としコーティングにより形成するごとにより膜厚数百
人〜数十μmに形成するとよく、ごの程度であれば保護
膜」二からの情報再生は可能である。
In addition, the charge-retaining medium of the present invention has a charge-retaining layer forming rate as described above as a retaining AW film on the surface of the charge-retaining medium to prevent damage to the surface of the charge-retaining medium and attenuation of information charges after information is recorded. Use 7. Apply film 1 by adhering it or coating it with a solution.It is best to form a film with a thickness of several hundred to several tens of micrometers, and if the film is thick enough, it can be used as a protective film. is possible.

保護膜としてはまず、情報再生時に剥離して読み取るた
めに粘着性を有する再生ゴム、スチレンブタシエンゴJ
いポリイソプレン、ソチルコ11、フ−j−−N(ブタ
ジェン・アクリじに1〜リルコム)、ボリヒニルエーテ
ル(エチル基、又はそれ以上の炭化水素基をアルコール
残基として有するもの)、ポリアクリレートエステル 以上の炭化水素基を有するもの)、シリコンゴム、ポリ
テルペン樹脂、ガムロジン、ロジンエステル、及びロジ
ン誘傅体、油溶性フェノール樹脂、クマロン・インテン
樹脂、石油系炭化水素樹脂の1種、若しくは2種以上混
合したものを、膜厚数百人〜数十μmのフィルJ、状に
し、電荷保持媒体表面に貼着することにより形成される
もの、また」二連した電荷保持層形成材としてのプラス
チックフィルムを剥離可能な密着剤を使用し′ζ貼着し
てもよく、密着剤としては比抵抗10”Ω・cm以]L
のシリコンオイル、ジメチルシリコンオイル、メチルフ
ェニルシリコンオイル、高級脂肪酸変性シリコンオイル
、メチル塩素化フェニルシリコンオイル、アルキル変性
シリコンオ・イル、メチルハイ1司コシエンシリコンオ
イル、環状ポリシメチルシL」キシン、シリニ1ンボリ
エーラール其重合体、アミノ変性シリコンオイル、エポ
キシ変性シリコンオイル、絶縁性油等を1種、又は2種
以上混合して使用するとよい。
The protective film is made of styrene butaciengo J, a recycled rubber that has adhesive properties so that it can be peeled off and read when information is reproduced.
polyisoprene, Sotilco 11, Fu-j--N (butadiene/acrylic di-1-Rilcom), borihinyl ether (having an ethyl group or higher hydrocarbon group as an alcohol residue), polyacrylate ester One or more of the following hydrocarbon resins), silicone rubber, polyterpene resin, gum rosin, rosin ester, rosin derivative, oil-soluble phenol resin, coumaron-inten resin, and petroleum-based hydrocarbon resin Those formed by forming the mixture into a film having a thickness of several hundred to several tens of micrometers and pasting it on the surface of a charge-retention medium, and plastic films as double charge-retention layer forming materials. It may be pasted using a removable adhesive, and the adhesive has a specific resistance of 10"Ω・cm or more]L
silicone oil, dimethyl silicone oil, methylphenyl silicone oil, higher fatty acid modified silicone oil, methyl chlorinated phenyl silicone oil, alkyl modified silicone oil, methyl high-containing silicone oil, cyclic polycymethylsilicone oil, sirini-1-bolieral. It is preferable to use one kind or a mixture of two or more kinds of polymers, amino-modified silicone oils, epoxy-modified silicone oils, insulating oils, and the like.

また上記高分子材料を溶剤に?’J 5!’+: L,
乾燥11!I’ l模厚数百人〜数十μmになるように
蒸着法、スピンナコーティング法等により塗布し形成し
てもよい。
Also, use the above polymer material as a solvent? 'J5! '+: L,
Dry 11! It may be formed by coating by a vapor deposition method, a spinner coating method, etc. so that the I'l thickness is several hundred to several tens of μm.

次ぎに本発明の電荷保持媒体の使用方法の1つである静
電画像記録方法について説明する。
Next, an electrostatic image recording method, which is one method of using the charge retention medium of the present invention, will be explained.

第3図は静電画像記録方法を説明するだめの図で、図中
1は感光体、5は光λl電層支持体、7は感光体電極、
9は光導電層、]7は電源である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the electrostatic image recording method, in which 1 is a photoreceptor, 5 is a photoelectric layer support, 7 is a photoreceptor electrode,
9 is a photoconductive layer, ] 7 is a power source.

まず1m11厚のガラスからなる光導電層支持体5上に
1000人厚のITOからなる透明な感光体電極7を形
成し、この上に10Iim程度の光導電層9を形成して
感光体1を構成しでいる。同図(a)に示すようにこの
感光体■に対して、10μrn程度の空隙を介して電荷
保持媒体3が配置される。
First, a transparent photoreceptor electrode 7 made of ITO with a thickness of 1,000 layers is formed on a photoconductive layer support 5 made of glass with a thickness of 1 m11, and a photoconductive layer 9 of about 10 Iim is formed on this to form a photoreceptor 1. I have configured it. As shown in FIG. 2(a), a charge holding medium 3 is placed with respect to this photoreceptor (2) with a gap of about 10 μrn in between.

次いで同図(b)に示すように電源17により電極7、
13間に電圧を印加する。暗所てあれば光導電層9は高
抵抗体であるため、空隙に加わる電圧がパッシェンの法
則に従う放電開始電圧以上であれは、電極間には何の変
化も生しない。また放電開始電圧以上の電圧が外部電源
により空隙に印加されると放電が起こり、電荷保持媒体
表面に電荷が蓄積され、放電開始電圧に下がるまでその
状態か続き、カブリ電荷となる。感光体1側より光18
が入射すると、光か入射した部分の光勇重層9は導電性
を示し放電が生し、電荷保持媒体表面に電7;;■が蓄
積される。また予め均一なカブリ電荷かある場合でも、
光か入射した部分ては更に電荷か蓄積される。次いで電
源17をOF Fとし、電荷保持媒体3を感光体1から
剥離するごとにより静電潜像の形成が終了する。
Then, as shown in FIG. 7(b), the electrodes 7,
A voltage is applied between 13. Since the photoconductive layer 9 is a high resistor in the dark, no change occurs between the electrodes as long as the voltage applied to the gap is equal to or higher than the discharge starting voltage according to Paschen's law. Further, when a voltage equal to or higher than the discharge starting voltage is applied to the gap by an external power source, a discharge occurs, charge is accumulated on the surface of the charge holding medium, and this state continues until the voltage drops to the discharge starting voltage, resulting in fogging charge. Light 18 from the photoreceptor 1 side
When the light is incident, the photosensitive layer 9 in the area where the light is incident exhibits conductivity and discharge occurs, and charges 7;;;■ are accumulated on the surface of the charge holding medium. Also, even if there is a uniform fog charge in advance,
Further charge is accumulated in the area where the light is incident. Next, the power supply 17 is turned off and the charge holding medium 3 is peeled off from the photoreceptor 1, thereby completing the formation of the electrostatic latent image.

この静電画像記録方法しよ面状アナログ記録とした場合
、銀塩写真法と同様に高解像度がi:)られ、また情報
電荷は電荷保持層中に保護され、放電せず長期間保存さ
れる。
When this electrostatic image recording method is used for side-plane analog recording, high resolution can be obtained as in silver halide photography, and the information charges are protected in the charge retention layer and can be stored for a long time without discharging. Ru.

本発明の電荷保持媒体への情(ド人力方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーリ゛ーによる記録
方法かある。まず高解像度静電カメラは通常のカメラに
使用されている写真フィルムの代わりに、前面に感光体
電極7を設ジノた光導電層9からなる感光体1と、感光
体lに対向し後面に電荷保持媒体電極13を設レノた電
荷保持層11からなる電荷保持媒体とにより記録部祠を
構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光に応して光導電
層を導電性として入U=1光量に応じて電荷保持層上に
電荷を蓄積させるごとにより入射光学像の静電ン冶像を
微粒子中に形成するもので、機械的なシャッタも使用し
うるし、また電気的なシャッタも使用しうるものであり
、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期間保持する
ことか可能である。またプリスムにより光情報を、R,
G、B光成分に分離し、平行光として取り出すカラーフ
ィルターを使用し、R,C,13分5N7.j した電
荷保持媒体3セツトて1.:Jマを形成するか、または
1平面上にRlG、B像を並・\て1七ノドで1コマと
することにより、カラー撮影することもできる。
Information on the charge retention medium of the present invention (Manual methods include a method using a high-resolution electrostatic camera and a recording method using a Rayleigh.First, a high-resolution electrostatic camera uses photographic film used in ordinary cameras. Instead, a photoreceptor 1 consists of a photoconductive layer 9 with a photoreceptor electrode 7 on the front surface, and a charge retention layer 11 with a charge retention medium electrode 13 on the rear surface facing the photoreceptor 1. A recording section is formed by the medium, and a voltage is applied to the picture electrode, and the photoconductive layer is made conductive according to the incident light, and charges are accumulated on the charge retention layer according to the amount of incident light U = 1. An electrostatic latent image of an incident optical image is formed in a fine particle, and a mechanical shutter or an electric shutter can also be used. It is possible to retain the optical information for a long time regardless of the location.In addition, the prism allows optical information to be stored in R,
Using a color filter that separates G and B light components and extracts them as parallel light, R, C, 13 minutes 5N7. 1. Set of 3 charge retention media. : Color photography can also be done by forming a J frame or by making one frame of RlG and B images parallel to each other on one plane.

またレージ゛−による記録方法としては、光源としては
アル:フンレーザー(514,488nrn)、ヘリウ
ム−ネオンレーザ−(633nm、)、半導体レーザー
(780nm、810nm等)が使用でき、感光体と電
荷保持媒体を面状′ζ表面同志を、密着させるか、−・
定の間隔をおいて対向させ、電圧印加する。この場合感
光体のキャリアの極性と同し極性に感光体電極をセント
するとよい。この状態−ζ画像信号、文字信−号、コー
ト信号、線画信号に対応したレーザー露光をスキャニン
グにより行うものである。画像のようなアナログ的な記
録は、レーザーの光強度を変調して行い、文字、コド、
線画のようなデジタル的な記録は、レーザ光の0N−O
FF制御により行う。また画像において網点形成される
ものには、レーザー光にlッ1−シェ不レークー0N−
○FF制御をかけて形成するものである。尚、感光体に
おける光導電層の分光特性は、パンク1:Iマチイック
である必要はなく、レーザー光源の波長に感度をイjし
ζいればよい。
In addition, for the recording method using laser beams, an alkaline laser (514,488nrn), a helium-neon laser (633nm), a semiconductor laser (780nm, 810nm, etc.) can be used as a light source, and the photoreceptor and charge retention Make the media's planar ′ζ surfaces come into close contact with each other, or -・
They are placed facing each other at a certain interval and a voltage is applied. In this case, it is preferable to center the photoreceptor electrode in the same polarity as the carrier of the photoreceptor. Laser exposure corresponding to this state - ζ image signal, character signal, coat signal, and line drawing signal is performed by scanning. Analog recording such as images is done by modulating the light intensity of the laser, and it records letters, codes, etc.
Digital records such as line drawings are created using 0N-O laser light.
This is done by FF control. In addition, in images where halftone dots are formed, laser light is
○It is formed using FF control. Incidentally, the spectral characteristics of the photoconductive layer in the photoreceptor do not need to be punctuated 1:I, but only need to be sensitive to the wavelength of the laser light source.

次ぎに電荷保持媒体に記録された静電画像の再生方法に
ついて説明する。
Next, a method for reproducing an electrostatic image recorded on a charge retention medium will be explained.

第4図は静電画像記録再生方法におりる電位読み取り方
法の例を示す図で、第1図と同一番号は同一内容を示し
ている。なお、図中、21は電位読み取り部、23は検
出電極、25はガート電極、27ばコンデンサ、29は
電圧計である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a potential reading method in the electrostatic image recording and reproducing method, and the same numbers as in FIG. 1 indicate the same contents. In the figure, 21 is a potential reading section, 23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode, 27 is a capacitor, and 29 is a voltmeter.

情報電荷を蓄積した電荷保持媒体から情報を再生するに
は、まず電位読め取り部21を電荷保持媒体表面に対向
させると、検出電極23に微粒子層に蓄積された電GI
によって生しる電界が作用し、検出電極面上に電荷保持
媒体上の電荷と等量の誘導電荷が生ずる。この誘導電荷
と逆極性の等量の電荷でコンデンサ27が充電されるの
で、ニノンデンザの電極間に蓄積電荷に応した電位差が
生じ、この値を電圧旧29で読むことによって情報電荷
の電位を求めることができる。そして、電位読み取り部
21で電荷保持媒体面上を走査することにより静電潜像
を電気信号として出力することができる。なお、検出電
極23だりでは電荷保持媒体の検出電極対向部位よりも
広い範囲の電荷による電界(電気力線)か作用して分解
能が落ちるので、検出電極の周囲に接地したガート電極
25を配置するようにしてもよい。これによって、電気
力線は面に対して垂直方向を向くようになるので、検出
電極23に対向した部位のみの電気力線か作用するよう
になり、検出電極面積に略等しい部位の電位を読み取る
ことかできる。電位読み取りの精度、分解能は検出電極
、カー1電極の形状、大きざ、及び電荷保持媒体との間
隔によって大きく変わるため、要求される性能に合わせ
て最適条件を求めて設計する必要がある。
To reproduce information from a charge retention medium that has accumulated information charges, first, the potential reading section 21 is placed opposite to the surface of the charge retention medium, and the detection electrode 23 detects the electric GI accumulated in the fine particle layer.
The electric field generated by this acts, and an induced charge equivalent to the charge on the charge retention medium is generated on the detection electrode surface. Since the capacitor 27 is charged with an equal amount of charge of opposite polarity to this induced charge, a potential difference corresponding to the accumulated charge is generated between the electrodes of the Ninondenser, and by reading this value with the voltage indicator 29, the potential of the information charge is determined. be able to. Then, by scanning the surface of the charge holding medium with the potential reading section 21, the electrostatic latent image can be output as an electrical signal. Note that the detection electrode 23 is affected by an electric field (electric line of force) caused by charges in a wider range than the portion of the charge holding medium that faces the detection electrode, reducing the resolution, so a grounded guard electrode 25 is placed around the detection electrode. You can do it like this. As a result, the lines of electric force are oriented perpendicularly to the surface, so that only the lines of electric force act on the area facing the detection electrode 23, and the potential of the area approximately equal to the area of the detection electrode 23 is read. I can do it. The accuracy and resolution of potential reading vary greatly depending on the shape and size of the detection electrode and Kerr 1 electrode, and the distance between them and the charge retention medium, so it is necessary to find and design optimal conditions according to the required performance.

第5図は静電画像再生方法の概略構成を示す図で、図中
、6」は電位読み取り装置、63は増幅器、65はCR
T、67はプリンタである。
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of an electrostatic image reproduction method, in which 6" is a potential reading device, 63 is an amplifier, and 65 is a CR.
T, 67 is a printer.

図において、電位読め取り装置61て電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器63で増幅してCR1゛65で表示
し、またプリンタ67てプリンI・アウトすることがで
きる。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任、
Q、に選択して出力ざ口゛るごとができ、また反復再生
することが可能である。
In the figure, a potential reading device 61 detects the charge potential, the detected output is amplified by an amplifier 63 and displayed as CR1 65, and can be printed out by a printer 67. In this case, you can select the part you want to read at any time.
It is possible to output the output by selecting Q, and it is also possible to play it repeatedly.

また電界により光学的性質の変化する材料、例えば電気
光学結晶等を用いて光学的に読み取ることもできる。更
に静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応じ
て他の記録媒体への記録等に利用することも可能である
It is also possible to read optically using a material whose optical properties change depending on an electric field, such as an electro-optic crystal. Furthermore, since the electrostatic latent image is obtained as an electric signal, it can also be used for recording on other recording media, etc., if necessary.

〔作用〕[Effect]

電荷保持媒体におりる電荷保持層11は電荷の移動を抑
えるため高絶縁性の高分子月利からなる必要があり、比
抵抗て1014Ω・cm以」二の絶縁性を有することが
要求される。また電荷保1、−層を構成する高分子月利
としてはそのガラス転移温度か使用環境温度板]二であ
ることが必要である。ガラス転移温度は、融解した高分
子月利を冷却する際の比容積の減少の勾配が不連続的変
化を示す温度であるか、一般に高分子材料は物質特有の
ガラス転移温度を有しており、ガラス転移点以下では熱
エネルギーが小さいために分子鎖の一つのセグメントが
全体として運動できない領域と考えられ、一方ガラス転
移点以上こあると熱エネルギーは増加し、分子鎖を構成
する数イ[llIまたはそれ以上の原子か全体として運
動することか可能となり、比熱、比容積、強靭性、脆化
温度等かを大きく変化させるものと考えられている。本
発明者等は従来にない発想で、絶縁性材料を電荷保持媒
体として使用するにあたっては、その構成月利である高
分子材料の!l口性としてこのガラス転移温度以下で使
用することが必要であることを見出したものである。
The charge retention layer 11 in the charge retention medium must be made of a highly insulating polymer in order to suppress the movement of charges, and is required to have an insulating property with a specific resistance of 1014 Ω·cm or less. . Further, it is necessary that the temperature of the polymer constituting the charge retention layer is equal to its glass transition temperature or the temperature of the environment in which it is used. The glass transition temperature is the temperature at which the slope of the decrease in specific volume when a molten polymer is cooled shows a discontinuous change, or in general, polymeric materials have a glass transition temperature that is unique to the substance. Below the glass transition point, thermal energy is so small that one segment of the molecular chain cannot move as a whole.On the other hand, above the glass transition point, the thermal energy increases and the number of atoms making up the molecular chain [ It is believed that this makes it possible for atoms of llI or more to move as a whole, which greatly changes specific heat, specific volume, toughness, embrittlement temperature, etc. The inventors of the present invention came up with an unprecedented idea in using an insulating material as a charge retention medium. The inventors have discovered that it is necessary to use the glass transition temperature below this glass transition temperature in order to improve the compatibility.

また電荷保持層を+I+1成する高分子材料として蓄積
された情報電イi:jのリークを防止するために、その
高分子+、(Flの吸水率が低いことが必要で、!−す
る。
In addition, in order to prevent leakage of the information charge i:j accumulated as a polymer material forming the charge retention layer, it is necessary that the water absorption rate of the polymer +, (Fl is low, !-).

吸水率か0.4重量%より高いと+b]脂中に吸着した
水分の影響により抵抗率が低下して絶縁性が悪くなり、
体積方向、表面積方向への電荷の拡散のため電荷の保1
、つ性能が悪くなることを見出し本発明に到達したもの
である。
If the water absorption rate is higher than 0.4% by weight, the resistivity decreases due to the influence of water adsorbed in the fat and the insulation deteriorates,
Charge retention due to charge diffusion in the volume direction and surface area direction
The present invention was developed based on the discovery that the performance deteriorates.

このような高分子材料を使用して形成される電荷保持媒
体の電荷保持性能は極めて高く、例えは電極針ヘッド或
いはイオン流へ・/I−を用いた静電記録、成いはレー
リー−プリンター)゛の光プリンタ等に使用することが
できるが、11−に感光体と対向させ、電圧印加時露光
による情報記録再生方法に使用するとよい。この感光体
を使用した静電画像記録媒体に使用する場合には、感光
体におIJる光導電層面にその電荷保持媒体表面を接触
又はJ1接触に対向させ、両電極間に電圧を印加した状
態で像露光させることにより、電荷保持性能表1mに情
報電荷が蓄積される。本発明の電荷保I)媒体は電荷保
持性能がよく、蓄積された情報電荷は電荷保持層内部に
蓄積されるために極め゛ζ安定であり、1111報再生
に際しては電極と表面電位との電位差を計測することに
より容易にその電位差を検出することができ、高品質、
高M″像度の情報として容易に再生できるものである。
Charge retention media formed using such polymeric materials have extremely high charge retention performance, and can be used, for example, in electrostatic recording using /I- to electrode needle heads or ion streams, or Rayleigh printers. ) It can be used in optical printers, etc., but it is preferable to place 11- in opposition to a photoreceptor and use it in an information recording and reproducing method using exposure when a voltage is applied. When this photoconductor is used in an electrostatic image recording medium, the surface of the charge retention medium is brought into contact with the photoconductive layer surface of the photoconductor, or the surface of the charge retention medium is placed opposite to the J1 contact, and a voltage is applied between both electrodes. By imagewise exposure in this state, information charges are accumulated in the charge retention performance table 1m. The charge retention I) medium of the present invention has good charge retention performance, and the accumulated information charge is stored inside the charge retention layer, so it is extremely stable, and when reproducing 1111 information, the potential difference between the electrode and the surface potential The potential difference can be easily detected by measuring the high quality,
This can be easily reproduced as information with high M'' resolution.

以下、実施例を説明する。Examples will be described below.

〔実施例1〕 1mm厚のガラス基板」二に、真空薄着(10−′T。[Example 1] 1mm thick glass substrate. 2. Vacuum thin bonding (10-'T.

rr)法でAβ電極を1000人の膜厚で積層する。そ
のIf電極上にガラス転移温度67°C1比抵抗7×1
0′7Ω・cmのポリエステル樹脂(東洋紡(株装、商
品名バイロン200)をメチルエチルゲトン37.5重
量部、1ルエン37.5重量部の混合溶媒に溶解した後
、プレートコータにより塗布後、乾燥させ、ポリエステ
ル樹脂層の膜厚約10μmの電荷保持媒体を得た。
Aβ electrodes are laminated to a thickness of 1,000 layers using the rr) method. Glass transition temperature 67°C1 resistivity 7×1 on the If electrode
After dissolving a 0'7 Ω cm polyester resin (Toyobo Co., Ltd., trade name Byron 200) in a mixed solvent of 37.5 parts by weight of methyl ethyl getone and 37.5 parts by weight of 1 toluene, it was coated with a plate coater. It was dried to obtain a charge retention medium with a polyester resin layer having a thickness of about 10 μm.

以上により得られた電荷保持媒体上にコロナ帯電により
+100v又は−100Vの表面電位になるように帯電
さ旧、その電荷保持性能を測定した。
The charge retention medium obtained above was charged by corona charging to a surface potential of +100 V or -100 V, and its charge retention performance was measured.

常温常圧で30日放置後測定した表面電位は、士、−共
に80V維持し、加速試験として80℃、20%11.
11.の環境下に曝すと1日放置しただりでモ、−共に
OVに減衰した。
The surface potential measured after being left at room temperature and pressure for 30 days was maintained at 80V for both sides, and as an accelerated test at 80°C and 20% 11.
11. When exposed to an environment of

同様にガラス転移温度の相違するポリエステル+3]脂
(東洋)/J(株製)商品名バイロン500 、GK1
50、GK103 (それぞれのガラス転移温度4°C
126゛C147’C)を電荷保持層として使用して上
記同様に電荷保持媒体を作製し、40°C310放置後
のガラス転移温度と表面電位との関係を求めた。
Similarly, polyesters with different glass transition temperatures
50, GK103 (each glass transition temperature 4°C
A charge retention medium was prepared in the same manner as above using 126°C (147'C) as the charge retention layer, and the relationship between the glass transition temperature and surface potential after being left at 40°C and 310°C was determined.

結果を第6図に示すが、図中Δ印で」二重各ガラス転移
温度毎の電荷保持率を示す。
The results are shown in FIG. 6, where the Δ symbol indicates the charge retention rate for each double glass transition temperature.

〔実施例2〕 1mm厚のガラス基板上に、真空蒸着(10−5T。[Example 2] Vacuum deposition (10-5T) on a 1 mm thick glass substrate.

rr)法でae電極を1000人の膜厚で積層する。そ
のAβ電極上にポリパラキシリレン(巴工業0勾・ユニ
オンカーバイト社製、商品名パリレン、ガラス転移温度
80〜100°C1比抵抗9X10”’Ω・Cm、吸水
率0.01%)を真空蒸着(10”l’orr)法によ
り蒸着させ、膜Ty−約10μmの電荷保持媒体を得た
rr) method to stack ae electrodes to a thickness of 1,000 layers. Polyparaxylylene (Tomoe Kogyo 0 grade, manufactured by Union Carbide Co., Ltd., trade name Parylene, glass transition temperature 80-100°C, specific resistance 9 x 10''Ω・Cm, water absorption 0.01%) was placed on the Aβ electrode. It was deposited by vacuum evaporation (10"l'orr) method to obtain a charge retention medium with a film Ty of about 10 μm.

以上により得られた電荷保持媒体上にコ1−2す帯電に
より+100Vの表面電位になるように帯電させ、その
電荷保持性能を測定した。
The charge retention medium obtained in the above manner was charged to a surface potential of +100 V by 1-2 charging, and its charge retention performance was measured.

常温常圧で30I]放置後測定した表面電位は、80V
であった。また加速試験として60°C820%11.
11.の環境下に曝すと30日放置した後測定した表面
電位は60Vてあった。また45°C195%R,11
,(30日放置)という多湿環境下でも測定したところ
表面電位は60V残存しており優れた電荷保持媒体であ
ることがわかった。
30I at room temperature and normal pressure] The surface potential measured after being left is 80V.
Met. In addition, as an accelerated test, 60°C 820% 11.
11. When exposed to this environment, the surface potential measured after being left for 30 days was 60V. Also 45°C195%R, 11
, (left for 30 days), the surface potential remained at 60 V, indicating that it was an excellent charge retention medium.

〔実施例3〕 ポリエステル樹脂(PET)フィルム(lIs[+2 
tr m、東し■製、商品名ルミラーS、ガラス転移温
度69°C1吸水率0.4%、比抵抗1×108Ω−c
rn、)に真空蒸着(10−’Torr)法でΔp電極
を1000人の膜厚で積層した後、1mm厚のガラス基
板上に両面貼着ンー[を使用してラミ不=1・し、電荷
保(、〜媒体を作製した。
[Example 3] Polyester resin (PET) film (lIs[+2
tr m, manufactured by Toshi ■, product name Lumirror S, glass transition temperature 69°C, water absorption 0.4%, specific resistance 1 x 108 Ω-c
After laminating the Δp electrode to a thickness of 1,000 layers using a vacuum evaporation method (10-' Torr) on the 1-mm-thick glass substrate, lamination was performed using double-sided adhesive bonding (N=1) on a 1-mm-thick glass substrate. A charge storage medium was prepared.

以上により得られた電荷保持媒体」二にコロナ帯電によ
り一+400V、また−10011の表面電位になるよ
うに帯電さ−l、その電f、;j保長性能を測定した。
The charge retention medium obtained above was charged by corona charging to a surface potential of +400 V and -10011, and its electric charge f and storage performance were measured.

常温常圧て30目放置後測定した表面電位は、」、−共
に50Vてあった。
The surface potentials measured after being left at room temperature and pressure for 30 minutes were 50V for both.

〔実施例4〕 ボリエナレンナフタレー1−(PEN)フィルム(膜j
ゾl 2p m、音大(枕型、商品名Q)イ)I/J1
、ガラス転移温度113°(:、吸水q:;o、4%)
にJl’j空蒸着(I Q−′Torr)法でへC電極
を1000人の膜厚で積層し、電荷保持媒体を作製した
[Example 4] Polyenalene naphthalene 1-(PEN) film (film j
Zol 2p m, Music University (pillow type, product name Q) I) I/J1
, glass transition temperature 113° (:, water absorption q:;o, 4%)
A charge retention medium was prepared by laminating a C electrode to a thickness of 1000 nm using the IQ-'Torr method.

以」二により(Fjられた電荷保持媒体上にコl:Iす
帯電により→100ν、また−100νの表面電位にな
るように帯電させ、その’tK (iJ保持性能を測定
した。
As described above, the charged charge retention medium was charged to a surface potential of →100ν and -100ν by electrification, and its 'tK (iJ retention performance) was measured.

常温常圧で30目放置後測定した表面電位は、士、−共
に80VCあった。また加速試験として60℃、20%
R,I1.の環境下に曝すと30目放置した後測定した
表面電位は80Vであった。
The surface potentials measured after being left at room temperature and pressure for 30 minutes were 80 VC for both sides. In addition, as an accelerated test, 60℃, 20%
R, I1. The surface potential measured after 30 minutes of exposure to this environment was 80V.

〔参考例1〕・・・11層系有機感光体(PVX −T
NF )作製方法 ポリーN−ヒニルカルハソールLog(亜「i香料(株
)製) 、2 、4 、7−ドリニトシノン10g、ポ
リエステル樹脂2g(バインダ:バイロン200東洋紡
(株)製)、テトラハイドロフラン(′r″II ド)
  9 0 gの組成を有するl昆合液を暗所で作製し
、I rr 2 0 l− S n O 2を約1 (
] 0 0人の膜厚でスパッターしたガラス!。(板(
1龍厚)に、ドクタープレー1・を用いて塗布し、60
゛Cで約1時間通風乾燥し、11ジ厚約101!mの光
導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うため
に、更にl)コ自然乾燥を行って用いた。
[Reference Example 1] 11-layer organic photoreceptor (PVX-T
NF) Preparation method Poly N-hinyl carhasol Log (manufactured by Ai Fragrance Co., Ltd.), 10 g of 2,4,7-dolinitocinone, 2 g of polyester resin (binder: Vylon 200 manufactured by Toyobo Co., Ltd.), tetrahydrofuran ('r''II do)
A liquid mixture having a composition of 90 g was prepared in the dark, and about 1 (
] Glass sputtered with a film thickness of 0! . (Board (
1 dragon thickness) using doctor spray 1.
Dry with ventilation for about 1 hour at ゛C, and the thickness of 11mm is about 101mm! A photosensitive layer having a photoconductive layer of m was obtained. In addition, in order to completely dry the product, it was further subjected to natural drying in step 1).

〔実施例4〕・・・静電画像記録、再生方法第6図に示
すように参考例1で作製した単層系有機感光体(PVX
 − TNF) Iと、実施例1で作製した電荷保持媒
体とを、膜厚■0μmのポリニスうールフィルJ、をス
ペーサーとし、電荷保持媒体表面を」−記感光体の光導
電層面に対向さ・Uて接地した。
[Example 4] Electrostatic image recording and reproducing method As shown in Fig. 6, the monolayer organic photoreceptor (PVX
- TNF) I and the charge retention medium prepared in Example 1 were placed so that the surface of the charge retention medium was opposed to the photoconductive layer surface of the photoreceptor, using a polyvarnish wool film J with a film thickness of 0 μm as a spacer. It landed on the ground.

次いで両電極間に、(き光体側を正、樹脂層側を負にと
7ζ、100Vの直流電圧を印加した。
Next, a DC voltage of 7ζ and 100 V was applied between both electrodes (positive on the emitter side and negative on the resin layer side).

電圧の印加状態で、感光体側より照度1000ルツクス
のハロケンランプを光源とする露光を1秒間行い、静電
ン替像の形成が終了する。
With the voltage applied, exposure is performed from the photoconductor side for 1 second using a Haloken lamp with an illuminance of 1000 lux as a light source, and the formation of the electrostatic image is completed.

次いで表面電位を測定した結果、媒体表面に100■の
表面電位が表面電位計により測定されたか、未露光部で
の表面電位はQVであった。
Subsequently, the surface potential was measured, and as a result, a surface potential of 100 cm was measured on the surface of the medium using a surface potentiometer, and the surface potential in the unexposed area was QV.

〔比較例〕[Comparative example]

1mm厚のガラス基(反」−に、真空蒸着(10−5T
Vacuum evaporation (10-5T
.

rr)法でIf主電極1000人の膜厚て積層する。ぞ
のへβ電極上にガラス転移温度−70’C、吸水率0、
3%、比抵抗IXIO”Ω・(、n)のスチレンブクシ
エンゴム(シェル社製、商品名カリフレックスTR41
13 )をメチルエチルケトン375重量部、トルコー
ン37.5重間部の混合溶媒に溶解した後、ソレードコ
ータにより塗布後、乾燥させ、膜厚約10μmの電荷保
持媒体を得た。
If the main electrode is laminated to a thickness of 1000 using the rr) method. Glass transition temperature -70'C, water absorption rate 0,
3%, styrene buxene rubber with specific resistance IXIO”Ω・(,n) (manufactured by Shell, trade name: Califlex TR41)
13) was dissolved in a mixed solvent of 375 parts by weight of methyl ethyl ketone and 37.5 parts by weight of Torcorn, coated with a solade coater and dried to obtain a charge retention medium with a film thickness of about 10 μm.

以上により得られた電荷保持媒体上にコL1す帯電によ
り−1−400V又は−川0011の表面電位になるよ
うに帯電させ、その電(’jJ保持性能を測定した。
The charge retention medium obtained above was charged to a surface potential of -1 to 400 V or -0011, and its charge retention performance was measured.

常温常圧で30目放置後測定した表面電位は、0■てあ
り、60°C120%1ン.+1.の環境下に曝すと1
日放置したのし測定した表面電位も0■であった。
The surface potential measured after being left at room temperature and pressure for 30 minutes was 0. +1. 1 when exposed to the environment of
The surface potential measured after being left in the sun was also 0.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の電荷保持媒体は、電荷保持層か比抵抗IXIO
”Ω・cm以上の高分子材料からなり、該高分子材料の
ガラス転移温度か使用環境温度板−1−であるか、また
は更に含水率が0.4重星%以下であることにより、蓄
積された情報電荷は永続的に保持することかでき、また
蓄積された電荷により形成される電界により生じる表面
電位は、電極との電位差を計測する電位@み取り方法に
より容易に検出することができ、更にその静電潜像に対
応した電気信号を出力させ、(、RT表示、或いはプリ
ンタによりプリントアウトすることができるものである
。また情報蓄積手段が静電荷単位であるために、電荷保
持媒体に蓄積される情報4J高品質、高解像であり、更
に処理工程が簡便で、長時間の記憶が可能ごあり、また
その記憶した情(しを目的に応じた画質で、任意に反復
再生することができるものである。
The charge retention medium of the present invention has a charge retention layer or a specific resistance IXIO.
``It is made of a polymeric material with a diameter of Ωcm or more, and the glass transition temperature of the polymeric material or the operating environment temperature plate -1-, or the moisture content is 0.4 double star% or less, The accumulated information charge can be retained permanently, and the surface potential generated by the electric field formed by the accumulated charge can be easily detected by the potential @ sampling method that measures the potential difference with the electrode. , further outputs an electrical signal corresponding to the electrostatic latent image (which can be displayed on an RT display or printed out using a printer. Also, since the information storage means is a unit of electrostatic charge, the charge retention medium The information stored in the 4J is of high quality and high resolution, the processing process is simple, it can be stored for a long time, and the stored information can be repeatedly played back at any desired image quality according to the purpose. It is something that can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の電荷保持媒体の各態様を断面で示す図
、第2図は各種のフレキシブル電荷保持媒体を示す斜視
図、第3図は本発明の電荷保持媒体への静電画像記録方
法を説明するための図、第4図は直流増幅型の電位読め
取りツノ法の例を示す図、第5図は本発明の電荷保持媒
体を使用した静電画像記録再生方法の概略構成を示す図
、第6図は電Gj保持層を構成する各高分子材料毎のガ
ラス転移温度と電荷保持率をその使用温度との関係で示
す図である。 1は感光体、3は電荷保持媒体、5は光傅電層支持体、
7は感光体電極、9は光導電層、11は電荷保持層、1
2は電荷保14層欠落部、13は電荷保持媒体電極、1
5は電荷保持層支持体、1Gは接着層、17は電源、1
8はパターン露光光、21は電位読み取り部、23は検
出電極、25はガート電極、27はコンデンサ。 出  願  人  大日木印刷株式会社代理人 tr理
士  内1)亘彦(外5名)G (a) (b) 第2 図 (C) (d) 第3図 (ハ) (ニ) 第5図
FIG. 1 is a cross-sectional view showing each aspect of the charge-holding medium of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing various flexible charge-holding media, and FIG. 3 is electrostatic image recording on the charge-holding medium of the present invention. A diagram for explaining the method, FIG. 4 is a diagram showing an example of the DC amplification type potential reading horn method, and FIG. The figure shown in FIG. 6 is a diagram showing the glass transition temperature and charge retention rate of each polymer material constituting the electric Gj retention layer in relation to the operating temperature. 1 is a photoreceptor, 3 is a charge retention medium, 5 is a photosensitive layer support,
7 is a photoreceptor electrode, 9 is a photoconductive layer, 11 is a charge retention layer, 1
2 is a missing portion of the charge storage 14 layer, 13 is a charge storage medium electrode, 1
5 is a charge retention layer support, 1G is an adhesive layer, 17 is a power source, 1
8 is a pattern exposure light, 21 is a potential reading section, 23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode, and 27 is a capacitor. Applicant Dainichi Printing Co., Ltd. Agent TR Physician (1) Nobuhiko (5 others) G (a) (b) Figure 2 (C) (d) Figure 3 (C) (D) Figure 5 figure

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電極層と電荷保持層とを積層した電荷保持媒体に
おいて、電荷保持層が絶縁性高分子材料からなり、該高
分子材料のガラス転移温度が使用環境温度以上であるこ
とを特徴とする電荷保持媒体。
(1) A charge retention medium in which an electrode layer and a charge retention layer are laminated, characterized in that the charge retention layer is made of an insulating polymer material, and the glass transition temperature of the polymer material is higher than the operating environment temperature. Charge retention medium.
(2)電極層と電荷保持層とを積層した電荷保持媒体に
おいて、電荷保持層が絶縁性高分子材料からなり、該高
分子材料の吸水率が0.4重量%以下であることを特徴
とする電荷保持媒体。
(2) A charge-holding medium in which an electrode layer and a charge-holding layer are laminated, characterized in that the charge-holding layer is made of an insulating polymeric material, and the water absorption rate of the polymeric material is 0.4% by weight or less. charge retention medium.
(3)電極層と電荷保持層とを積層した電荷保持媒体に
おいて、電荷保持層が絶縁性高分子材料からなり、該高
分子材料のガラス転移温度が使用環境温度以上であり、
かつ含水率が0.4重量%以下であることを特徴とする
電荷保持媒体。
(3) In a charge retention medium in which an electrode layer and a charge retention layer are laminated, the charge retention layer is made of an insulating polymeric material, and the glass transition temperature of the polymeric material is equal to or higher than the operating environment temperature;
A charge retention medium characterized in that the water content is 0.4% by weight or less.
(4)電極層上に絶縁性高分子材料からなる電荷保持層
を積層した電荷保持媒体を、該絶縁性高分子材料のガラ
ス転移温度以下で使用することを特徴とする電荷保持方
法。
(4) A charge retention method comprising using a charge retention medium in which a charge retention layer made of an insulating polymer material is laminated on an electrode layer at a temperature below the glass transition temperature of the insulating polymer material.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05224182A (en) * 1992-02-07 1993-09-03 Pilot Corp:The External charge type liquid crystal display element
US5903296A (en) * 1993-04-26 1999-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method

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