JPH02270224A - 有機電導体の製造方法 - Google Patents
有機電導体の製造方法Info
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- JPH02270224A JPH02270224A JP1122608A JP12260889A JPH02270224A JP H02270224 A JPH02270224 A JP H02270224A JP 1122608 A JP1122608 A JP 1122608A JP 12260889 A JP12260889 A JP 12260889A JP H02270224 A JPH02270224 A JP H02270224A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は有機超電導材料等に使用可能な有機電導体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
〈従来の技術〉
常圧で超電導を示す有機電導体としては、特開昭fli
t−277691号公報に示されるようなビス(エチレ
ンジチオ)テトラチアフルバレン(以下、BEDT−T
TFという)系化合物、同63−246383号公報に
示されるようなジメチル(エチレンジチオ)ジセレナチ
アフルバレン(以下、DMETという)系化合物1さら
にInternatlonal Conference
onScience and Technology
or 5ynthetlc Metals。
t−277691号公報に示されるようなビス(エチレ
ンジチオ)テトラチアフルバレン(以下、BEDT−T
TFという)系化合物、同63−246383号公報に
示されるようなジメチル(エチレンジチオ)ジセレナチ
アフルバレン(以下、DMETという)系化合物1さら
にInternatlonal Conference
onScience and Technology
or 5ynthetlc Metals。
June 28−July 2. 1988.5ant
a reでのG、 C。
a reでのG、 C。
Papauasslllouらによって発表されたメチ
レンジチオテトラチアフルバレン(以下、MDTという
)系化合物等が知られている。
レンジチオテトラチアフルバレン(以下、MDTという
)系化合物等が知られている。
また、IOK以上の臨界温度(Tc)を有する、ものと
して、(BEDT−TTP)2 Cu(NCS)zやそ
の重水素化物であル(BEDT−TTFd6)z Cu
(NC3)z等の陽イオンラジカル塩が知られている(
H,Uraya■a etal、 Chew、 L
ett、、 198L 55) 。
して、(BEDT−TTP)2 Cu(NCS)zやそ
の重水素化物であル(BEDT−TTFd6)z Cu
(NC3)z等の陽イオンラジカル塩が知られている(
H,Uraya■a etal、 Chew、 L
ett、、 198L 55) 。
〈発明が解決しようとする課題〉
有機電導体や有機超電導体の合成・結晶成長には、有機
溶媒中にBEDT−TTF等の電子供与体原料(ドナー
分子)および13−1 Cu (NCS)2−等の電子受容体原料(アクセプタ
ー)を溶解させ、0.5〜゛2μAの電流を流すことに
より、電気化学的に酸化・還元して行う電解法か、ある
いは電子供与体原料および電子受容体原料の拡散により
行う拡散法が採用される。
溶媒中にBEDT−TTF等の電子供与体原料(ドナー
分子)および13−1 Cu (NCS)2−等の電子受容体原料(アクセプタ
ー)を溶解させ、0.5〜゛2μAの電流を流すことに
より、電気化学的に酸化・還元して行う電解法か、ある
いは電子供与体原料および電子受容体原料の拡散により
行う拡散法が採用される。
しかしながら、これらの電解法や拡散法では、有機電導
体の合成・結晶成長に長時間を要し、1〜2ms程度の
結晶を得るのに1週間から2力月を要するという問題が
あった。
体の合成・結晶成長に長時間を要し、1〜2ms程度の
結晶を得るのに1週間から2力月を要するという問題が
あった。
本発明は、以上の事情に鑑みなされたものであって、そ
の目的とするところは、有機電導体の合成・結晶成長に
要する時間を短くし、しかもサイズが大きく高品質な結
晶を得る有機電導体の製造方法を提供することにある。
の目的とするところは、有機電導体の合成・結晶成長に
要する時間を短くし、しかもサイズが大きく高品質な結
晶を得る有機電導体の製造方法を提供することにある。
く課題を解決、するための手段及び作用〉本発明の有機
電導体の製造方法は、溶媒中に溶解または分散した電子
供与体原料および電子受容体原料を電気化学的に酸化・
還元して有機電導体の合成および結晶成長を行わせるに
あたり、前記溶媒がアルコールを含有したことを特徴と
するものである。
電導体の製造方法は、溶媒中に溶解または分散した電子
供与体原料および電子受容体原料を電気化学的に酸化・
還元して有機電導体の合成および結晶成長を行わせるに
あたり、前記溶媒がアルコールを含有したことを特徴と
するものである。
かかる本発明によれば、有機電導体の合成・結晶成長に
電子る時間が短く、しかもサイズが大きく高品質な結晶
が得られる。
電子る時間が短く、しかもサイズが大きく高品質な結晶
が得られる。
例えば(BEDT−TTP) 2 Cu (NC3)
2の合成・結晶成長において、アルコールを含有しない
従来法では1〜211サイズの結晶を得るのに1週間か
ら2力月の期間を要したのに対して、本発明ではアルコ
ールを含有させることにより1週間で約3〜4■サイズ
の結晶を得ることができ、従来よりも数倍も早い結晶成
長が可能となる。
2の合成・結晶成長において、アルコールを含有しない
従来法では1〜211サイズの結晶を得るのに1週間か
ら2力月の期間を要したのに対して、本発明ではアルコ
ールを含有させることにより1週間で約3〜4■サイズ
の結晶を得ることができ、従来よりも数倍も早い結晶成
長が可能となる。
結晶サイズに関しては、本発明では最大10ma+以上
のものが得られるのに対して、従来法では3■サイズの
ものが最大であり、従来よりも数倍大きい結晶が得られ
る。
のものが得られるのに対して、従来法では3■サイズの
ものが最大であり、従来よりも数倍大きい結晶が得られ
る。
このように、溶媒にアルコールを含有させることにより
、結晶の成長速度が格段に向上する理由は明らかではな
いが、通常使用する溶媒に対する溶解性の低い無機系の
電子受容体原料の溶解度がアルコールの添加により大き
くなり、これが電子供与体原料と電子受容体原料との反
応速度を大きくし、ひいては結晶成長速度も大きくして
いるものと推定される。
、結晶の成長速度が格段に向上する理由は明らかではな
いが、通常使用する溶媒に対する溶解性の低い無機系の
電子受容体原料の溶解度がアルコールの添加により大き
くなり、これが電子供与体原料と電子受容体原料との反
応速度を大きくし、ひいては結晶成長速度も大きくして
いるものと推定される。
また、本発明によれば、得られる有機電導体は帯磁率の
測定により完全反磁性の80%というバルク超電導体で
あり、臨界温度は抵抗測定により10.4K(中点)を
示す。
測定により完全反磁性の80%というバルク超電導体で
あり、臨界温度は抵抗測定により10.4K(中点)を
示す。
本発明における電子供与体原料としては、T・TF、B
EDT−TTF、TAAQ (テトラアミノアントラキ
ノン)、ジメチル(エチレンジチオ)ジセレナジチアフ
ルバレン(DMET) 、テトラメチルテトラセレナフ
ルバレン(TMTSF)、メチレンジチオテトラチアフ
ルバレン(MDT−TTF) 、テトラメチルテトラチ
アフルバレン(TMTTF) 、ビス(2,3−ブチレ
ンジチオ)テトラチアフルバレン(BBDS−TTF)
、ビス(1,2−プロピレンジチオ)テトラチアフル
バレン、2.3−ブチレンジチオ(エチレンジチオ)テ
トラチアフルバレン、1.2−プロピレンジチオ(エチ
レンジチオ)テトラチアフルバレン、あるいはこれ等に
含まれる硫黄原子をセレン、テルルまたは脱索で置換し
たもの等が例示される。
EDT−TTF、TAAQ (テトラアミノアントラキ
ノン)、ジメチル(エチレンジチオ)ジセレナジチアフ
ルバレン(DMET) 、テトラメチルテトラセレナフ
ルバレン(TMTSF)、メチレンジチオテトラチアフ
ルバレン(MDT−TTF) 、テトラメチルテトラチ
アフルバレン(TMTTF) 、ビス(2,3−ブチレ
ンジチオ)テトラチアフルバレン(BBDS−TTF)
、ビス(1,2−プロピレンジチオ)テトラチアフル
バレン、2.3−ブチレンジチオ(エチレンジチオ)テ
トラチアフルバレン、1.2−プロピレンジチオ(エチ
レンジチオ)テトラチアフルバレン、あるいはこれ等に
含まれる硫黄原子をセレン、テルルまたは脱索で置換し
たもの等が例示される。
ここで例示した電子供与体に含まれる硫黄原子をセレン
、テルルまたは酸素で置換したものとしては、テトラセ
レナフルバレン(TSeF)、テトラメチルテトラセレ
ナフルバレン(TMTSF)、テトラテルラフルバレン
(TTeF)、ビス(エチレンジセレナ)テトラチアフ
ルバレン(BEDSe−TTF) 、ビス(エチレンジ
セレナ)テトラセレナフルバレン(BEDSe−TSe
F)、ビス(エチレンジチオ)テトラセレナフルバレン
(BEDT−TSeF) 、ビス(プロピレンジセレナ
)テトラチアフルバレン(BPDSe−TTF) 、ビ
ス(2,3−ブチレンジセレナ)テトラチアフルバレン
(BBDSe−TTF) 、ビス(エチレンジオキシ)
テトラチアフルバレン(BEDO−TTF)等が例示さ
れる。さらに、電子供与体中の全部または一部の原子を
重水素等の同位体に置換したものも原料としてあげるこ
とができる。
、テルルまたは酸素で置換したものとしては、テトラセ
レナフルバレン(TSeF)、テトラメチルテトラセレ
ナフルバレン(TMTSF)、テトラテルラフルバレン
(TTeF)、ビス(エチレンジセレナ)テトラチアフ
ルバレン(BEDSe−TTF) 、ビス(エチレンジ
セレナ)テトラセレナフルバレン(BEDSe−TSe
F)、ビス(エチレンジチオ)テトラセレナフルバレン
(BEDT−TSeF) 、ビス(プロピレンジセレナ
)テトラチアフルバレン(BPDSe−TTF) 、ビ
ス(2,3−ブチレンジセレナ)テトラチアフルバレン
(BBDSe−TTF) 、ビス(エチレンジオキシ)
テトラチアフルバレン(BEDO−TTF)等が例示さ
れる。さらに、電子供与体中の全部または一部の原子を
重水素等の同位体に置換したものも原料としてあげるこ
とができる。
また、電子受容体原料としては、I3、lBr2、Au
12、AuCj)2、AuBr2、Au (CN)2、
(13) + −x(Au 12’) x(ここでXは
1より小さい正の数)、 Hg3B r8、Cll0< 、ReO2、Cu (S
CN)2 、Cd (SCN)2、Zn (SCN)2
、’ Hg (SCN)2、KHg (SCN)4
、HgCj! 2 、HgB r2、Hg1z、Hg
(CN)z、Ni (dmit)2、Pd (dmi
t)2 、PFs 、AsF5、SbF6、TaF6
、FS03等が例示される。
12、AuCj)2、AuBr2、Au (CN)2、
(13) + −x(Au 12’) x(ここでXは
1より小さい正の数)、 Hg3B r8、Cll0< 、ReO2、Cu (S
CN)2 、Cd (SCN)2、Zn (SCN)2
、’ Hg (SCN)2、KHg (SCN)4
、HgCj! 2 、HgB r2、Hg1z、Hg
(CN)z、Ni (dmit)2、Pd (dmi
t)2 、PFs 、AsF5、SbF6、TaF6
、FS03等が例示される。
本発明で得られる有機電導体としては、(TMTSF)
2 X’ (ここでXIはCD Oa等である)、(
BEDT−TTF)z X2 (ここでX2はCu
(SCN)2等である)、(DMET)2 X3 (こ
こでX3はAuBr2等である)、(M D T −T
T F ) 2 X ’ (ここでX4はA u
B r 2等である)、TTF [Me (dmi t
)2コ (ここでMeはNtSPd等である)、 (CH3)a N [Ni (dmi t)2 ]2等
が例示される。
2 X’ (ここでXIはCD Oa等である)、(
BEDT−TTF)z X2 (ここでX2はCu
(SCN)2等である)、(DMET)2 X3 (こ
こでX3はAuBr2等である)、(M D T −T
T F ) 2 X ’ (ここでX4はA u
B r 2等である)、TTF [Me (dmi t
)2コ (ここでMeはNtSPd等である)、 (CH3)a N [Ni (dmi t)2 ]2等
が例示される。
溶媒としては、1.1.2−1リクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン(THF) 、1.2−ジクロロエタン、
ジクロロメタン、クロロベンゼン、フルオロベンゼン、
アニソール、アセトニトリル、ベンゾニトリル等を例示
することができる。また、陰イオンCu (NC3)
2−の生成原料として、[n−Bu4NコSCN及びC
uSCNを使用することができる。ここで、Buはブチ
ル基を意味している。
ヒドロフラン(THF) 、1.2−ジクロロエタン、
ジクロロメタン、クロロベンゼン、フルオロベンゼン、
アニソール、アセトニトリル、ベンゾニトリル等を例示
することができる。また、陰イオンCu (NC3)
2−の生成原料として、[n−Bu4NコSCN及びC
uSCNを使用することができる。ここで、Buはブチ
ル基を意味している。
溶媒に添加するアルコールとしては、特に制限されるも
のではなく、メタノール、エタノール、プロパツール、
インプロパツール、n−ブタノール、5ec−ブタノー
ル、tert−ブタノール、ペンタノールなどが例示さ
れる。アルコールの含有量は、使用する溶媒の種類、ド
ナー分子の溶解性等により適宜決定され、通常溶媒中に
0.1〜10ffiffi%の範囲であるのが適当であ
る。アルコールの含有量がこの範囲より大なるときは電
子供与体原料の溶解度が低下し有機電導体の合成や結晶
成長が円滑に行われなくなる。一方、アルコールの含有
量がこの範囲より小なるときは有機電導体の結晶成長速
度や結晶のサイズに格段の増大効果が認めらなくなる。
のではなく、メタノール、エタノール、プロパツール、
インプロパツール、n−ブタノール、5ec−ブタノー
ル、tert−ブタノール、ペンタノールなどが例示さ
れる。アルコールの含有量は、使用する溶媒の種類、ド
ナー分子の溶解性等により適宜決定され、通常溶媒中に
0.1〜10ffiffi%の範囲であるのが適当であ
る。アルコールの含有量がこの範囲より大なるときは電
子供与体原料の溶解度が低下し有機電導体の合成や結晶
成長が円滑に行われなくなる。一方、アルコールの含有
量がこの範囲より小なるときは有機電導体の結晶成長速
度や結晶のサイズに格段の増大効果が認めらなくなる。
上記酸化・還元反応による有機電導体の合成および結晶
成長は、既知の電解法を用いることにより行うことがで
きる。
成長は、既知の電解法を用いることにより行うことがで
きる。
電解電流については、その値が大きいほど結晶の成長速
度も増す。しかし、50μAでは極く極小の結晶が急速
に析出し、良質な板状結晶を得ることはできない。従っ
て、電流値は0.5〜20μAの範囲が好ましい。また
、温度は5℃〜50℃程度、より好ましくは10〜30
℃程度の温度範囲で用いられる。温度が上記範囲より低
いと結晶の成長は遅く、また上記範囲より高いと結晶成
長が起こりにくくなるため、いずれも好ましくない。
度も増す。しかし、50μAでは極く極小の結晶が急速
に析出し、良質な板状結晶を得ることはできない。従っ
て、電流値は0.5〜20μAの範囲が好ましい。また
、温度は5℃〜50℃程度、より好ましくは10〜30
℃程度の温度範囲で用いられる。温度が上記範囲より低
いと結晶の成長は遅く、また上記範囲より高いと結晶成
長が起こりにくくなるため、いずれも好ましくない。
電極の材料としては、例えばN15PdSPt。
Au5W等が用いられ、特にptが良好な結果を与える
。電極の形状は、棒状、板状、円筒状、メツシュ状、多
孔質状等のいかなる形状であっても用いることができる
。
。電極の形状は、棒状、板状、円筒状、メツシュ状、多
孔質状等のいかなる形状であっても用いることができる
。
このようにして得られる有機電導体または超電導体は、
金属超電導材料に比べて、軽量でかつ低い温度で合成、
加工でき、資源的制約を受けることがない等の利点を有
する。このため、単独またはポリマーとの複合体として
フィルム、テープ、ファイバ、粉体等の種々の形態で、
さらには薄膜として利用することができ、線材、テープ
、ストリップ線路、配線、デバイス等の種々の用途に有
用である。
金属超電導材料に比べて、軽量でかつ低い温度で合成、
加工でき、資源的制約を受けることがない等の利点を有
する。このため、単独またはポリマーとの複合体として
フィルム、テープ、ファイバ、粉体等の種々の形態で、
さらには薄膜として利用することができ、線材、テープ
、ストリップ線路、配線、デバイス等の種々の用途に有
用である。
次に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。
〈実施例〉
実施例1〜10
窒素ガス置換を行った結晶育成セルに、BEDT−TT
F30sg、CuSCN70mg。
F30sg、CuSCN70mg。
KSCN126mg、18−クラウン−6−エーテル2
10Bを加え、続いて溶媒として精製1,1゜2−トリ
クロロエタンおよびエタノール(電子工業グレード)ま
たはメタノール(超低水分量)を第1表に示す添加量に
て注射器で注入し、窒素ガス雰囲気下でかつ遮光した状
態で一夜攪拌した。
10Bを加え、続いて溶媒として精製1,1゜2−トリ
クロロエタンおよびエタノール(電子工業グレード)ま
たはメタノール(超低水分量)を第1表に示す添加量に
て注射器で注入し、窒素ガス雰囲気下でかつ遮光した状
態で一夜攪拌した。
ついで、不溶分を沈降させた後、窒素ガス・フロー下で
ll−径の白金電極を取付けた。
ll−径の白金電極を取付けた。
しかるのち、結晶育成セルを、20.0±0.2℃に保
持した恒温器に入れ、温度を安定させた後、第1表に示
す値の直流電流を白金電極間に流し、有機電導体の合成
・結晶成長を開始させた。
持した恒温器に入れ、温度を安定させた後、第1表に示
す値の直流電流を白金電極間に流し、有機電導体の合成
・結晶成長を開始させた。
比較例1および2
溶媒として精製1.1.2−トリクロロエタン100
w!のみを用いて、電解時の恒温器の温度をそれぞれ2
0.0±0.2℃(比較例1)および40℃(比較例2
)としたほかは実施例1〜4と同様にして結晶成長を行
わせた。
w!のみを用いて、電解時の恒温器の温度をそれぞれ2
0.0±0.2℃(比較例1)および40℃(比較例2
)としたほかは実施例1〜4と同様にして結晶成長を行
わせた。
なお、使用したBEDT−TTFは市販品をクロルベン
ゼンから再結晶により精製したものであり、融点は24
2℃であった。KSCNはエタノールを用いて再結晶を
行い、室温で減圧乾燥後、150℃で1時間、200℃
で15分間保持し、溶媒を除去し、ついでデシケータ中
で冷却し、乳鉢で粉砕したものを使用した。CuSCN
および18−クラウン−6−エーテルは市販試薬を減圧
乾燥したものを用いた。溶媒の1.1.2−)リクロロ
エタンは、硫酸、10%NaOH7Fニー溶液およびN
aC1水溶液で洗浄した後、CaCl2で1日以上乾燥
させ、蒸留、精製を行ったものであって、蒸留直後のも
のを使用した。沸点は113〜113.5℃であった。
ゼンから再結晶により精製したものであり、融点は24
2℃であった。KSCNはエタノールを用いて再結晶を
行い、室温で減圧乾燥後、150℃で1時間、200℃
で15分間保持し、溶媒を除去し、ついでデシケータ中
で冷却し、乳鉢で粉砕したものを使用した。CuSCN
および18−クラウン−6−エーテルは市販試薬を減圧
乾燥したものを用いた。溶媒の1.1.2−)リクロロ
エタンは、硫酸、10%NaOH7Fニー溶液およびN
aC1水溶液で洗浄した後、CaCl2で1日以上乾燥
させ、蒸留、精製を行ったものであって、蒸留直後のも
のを使用した。沸点は113〜113.5℃であった。
さらに、使用した器具類は全て充分に乾燥させたものを
使用した。また、白金電極は使用直前にバーナーで加熱
して用いた。
使用した。また、白金電極は使用直前にバーナーで加熱
して用いた。
これらの実施例1〜10と比較例1および2における結
晶の育成時間と成長の様子とを第2表に示す。成長した
結晶はいずれも板状であり、同表に示した各サイズはい
ずれも最長部の長さである。
晶の育成時間と成長の様子とを第2表に示す。成長した
結晶はいずれも板状であり、同表に示した各サイズはい
ずれも最長部の長さである。
すなわち、アルコールを加えず、電解時の温度を40℃
とした比較例2では、はとんど結晶成長が認められなか
った。また、アルコールを加えず、電解時の温度を20
℃とした比較例1では、結晶の育成開始後5日以内に十
極側の白金電極上に微小の黒色結晶核の生成が認められ
、14日1に約0.20程度にまで成長したのみであっ
た。
とした比較例2では、はとんど結晶成長が認められなか
った。また、アルコールを加えず、電解時の温度を20
℃とした比較例1では、結晶の育成開始後5日以内に十
極側の白金電極上に微小の黒色結晶核の生成が認められ
、14日1に約0.20程度にまで成長したのみであっ
た。
これに対して、実施例1〜4では、エタノールを加える
ことにより、また実施例6〜8ではメタノールを加える
ことにより結晶核の生成が比較例よりも数日早くなり、
約7日間でサイズが0. 1〜5■■の結晶が得られる
ことがわかる。
ことにより、また実施例6〜8ではメタノールを加える
ことにより結晶核の生成が比較例よりも数日早くなり、
約7日間でサイズが0. 1〜5■■の結晶が得られる
ことがわかる。
また、エタノールの添加量を1または2重量%とじた実
施例2.3では約5日間で3〜4m−サイズまでに、約
7日間で51■にまで成長し、エタノールの添加量が0
.5.5または10%の実施例1.4.5およびメタノ
ールを添加した実施例6〜8に比べて結晶の成長が早く
、大サイズの結晶が得られた。
施例2.3では約5日間で3〜4m−サイズまでに、約
7日間で51■にまで成長し、エタノールの添加量が0
.5.5または10%の実施例1.4.5およびメタノ
ールを添加した実施例6〜8に比べて結晶の成長が早く
、大サイズの結晶が得られた。
一方、電解電流との関係では、電解電流を実施例1〜8
よりも大きい10μAとした実施例9では、結晶が5日
後に11mmサイズとなり、電解電流を0.5μAとし
たほかは同条件の実施例3に比べて結晶の成長が早く、
大サイズの結晶が得られ、かつ収量も増大した。電解電
流を47μAとした実施例10では、電解開始後ただち
に結晶析出が見られるものの、微結晶が析出するのみで
、板状結晶の成長は認めることができなかった。
よりも大きい10μAとした実施例9では、結晶が5日
後に11mmサイズとなり、電解電流を0.5μAとし
たほかは同条件の実施例3に比べて結晶の成長が早く、
大サイズの結晶が得られ、かつ収量も増大した。電解電
流を47μAとした実施例10では、電解開始後ただち
に結晶析出が見られるものの、微結晶が析出するのみで
、板状結晶の成長は認めることができなかった。
結晶の育成終了後、成長した各結晶をフィルター上に回
収し、アルコールで洗浄後、室温で減圧乾燥を行った。
収し、アルコールで洗浄後、室温で減圧乾燥を行った。
得られた結晶の収量を第2表に併せて示す。第2表から
、エタノールを添加することにより収量も増大している
ことがわかる。
、エタノールを添加することにより収量も増大している
ことがわかる。
また、帯磁率測定により、臨界温度Tcを評価したとこ
ろ、実施例1〜10および比較例1で得られた結晶は全
て9.8にで反磁性となった。さらに、実施例2および
3の結晶につき、4端子法にて抵抗測定を実施したとこ
ろ、11に付近で抵抗の急激な低下が認められた。以上
の結果より、得られた結晶は超電導体であることが確認
される。
ろ、実施例1〜10および比較例1で得られた結晶は全
て9.8にで反磁性となった。さらに、実施例2および
3の結晶につき、4端子法にて抵抗測定を実施したとこ
ろ、11に付近で抵抗の急激な低下が認められた。以上
の結果より、得られた結晶は超電導体であることが確認
される。
〈発明の効果〉
本発明によれば、有機電導体および超電導体の合成・結
晶成長を短時間で行うことができる。従って、本発明の
方法は有機電導体や有機超電導体の多量合成に利用する
のに最適である。
晶成長を短時間で行うことができる。従って、本発明の
方法は有機電導体や有機超電導体の多量合成に利用する
のに最適である。
また、本発明によれば、サイズが大きく高品質な結晶が
得られるという効果がある。
得られるという効果がある。
特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、溶媒中に溶解または分散した電子供与体原料および
電子受容体原料を電気化学的に酸化・還元して有機電導
体の合成および結晶成長を行わせる有機電導体の製造方
法において、前記溶媒がアルコールを含有したものであ
ることを特徴とする有機電導体の製造方法。 2、前記アルコールが前記溶媒中に0.1〜10重量%
の割合で含有される請求項第1項記載の有機電導体の製
造方法
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE69030331T DE69030331T2 (de) | 1989-01-07 | 1990-01-05 | Verfahren zur Herstellung organischer elektrischer Leiter |
DK002190A DK2190A (da) | 1989-01-07 | 1990-01-05 | Fremgangsmaade til fremstilling af organisk, elektrisk leder |
EP90100225A EP0378130B1 (en) | 1989-01-07 | 1990-01-05 | Process for producing organic electrical conductor |
US07/462,364 US5082687A (en) | 1989-01-07 | 1990-01-08 | Process for producing organic electrical conductor |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-1451 | 1989-01-07 | ||
JP145189 | 1989-01-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270224A true JPH02270224A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=11501808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1122608A Pending JPH02270224A (ja) | 1989-01-07 | 1989-05-15 | 有機電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02270224A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5501778A (en) * | 1992-05-19 | 1996-03-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic superconductor and process for producing the same |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1122608A patent/JPH02270224A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5501778A (en) * | 1992-05-19 | 1996-03-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic superconductor and process for producing the same |
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