JPH0226891A - 金属分子線源 - Google Patents
金属分子線源Info
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- JPH0226891A JPH0226891A JP17697788A JP17697788A JPH0226891A JP H0226891 A JPH0226891 A JP H0226891A JP 17697788 A JP17697788 A JP 17697788A JP 17697788 A JP17697788 A JP 17697788A JP H0226891 A JPH0226891 A JP H0226891A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置等の結晶成長に用いられる分子線エピタキシ
ャル成長装置の金属分子線源に関し、電子ビームを利用
した高融点金属用の分子線源ににセルとの互換性を付与
することを目的とし、蒸着物質としての金属を棒状にし
た棒状電極が真空気密保持用フランジに絶縁物を介して
取付けられ、さらに該棒状電極の先端に対向して熱電子
発生用のフィラメントが設けられ、該フィラメントと棒
状電極先端との間に絶縁物のドーナツ状の遮蔽板が設け
られて成るように構成する。
ャル成長装置の金属分子線源に関し、電子ビームを利用
した高融点金属用の分子線源ににセルとの互換性を付与
することを目的とし、蒸着物質としての金属を棒状にし
た棒状電極が真空気密保持用フランジに絶縁物を介して
取付けられ、さらに該棒状電極の先端に対向して熱電子
発生用のフィラメントが設けられ、該フィラメントと棒
状電極先端との間に絶縁物のドーナツ状の遮蔽板が設け
られて成るように構成する。
本発明は、半導体装置等の結晶成長に用いられる分子線
エピタキシャル成長装誼の金属分子線源に関する。
エピタキシャル成長装誼の金属分子線源に関する。
第２図は従来の分子線エピタキシャル成長装置を示す図
である。同図（ａ）に示すものは分子線源としてクヌー
センセル（Ｋセル）を用いたもので、高真空の結晶成長
室１に真空気密保持用フランジ２を介してにセル３が接
続して設けられている。このにセルはパイロリティック
ボロンナイトライド（ＰＢＮ）等のるつぼ４とヒータ５
とよりなり、るつぼ４の中にＡｓ 、 Ｇａ 、 Ａｊ
！等の比較的低い融点を持つ金属６を入れ、加熱するこ
とにより分子線７を発生させ、基板８に結晶成長させる
ようになっている。なお９はシャッタである。
である。同図（ａ）に示すものは分子線源としてクヌー
センセル（Ｋセル）を用いたもので、高真空の結晶成長
室１に真空気密保持用フランジ２を介してにセル３が接
続して設けられている。このにセルはパイロリティック
ボロンナイトライド（ＰＢＮ）等のるつぼ４とヒータ５
とよりなり、るつぼ４の中にＡｓ 、 Ｇａ 、 Ａｊ
！等の比較的低い融点を持つ金属６を入れ、加熱するこ
とにより分子線７を発生させ、基板８に結晶成長させる
ようになっている。なお９はシャッタである。
また（ｂ）図に示すものは分子線源に電子ビームを用い
たもので、熱電子放出フィラメント１０から出た電子ビ
ーム１１をマグネット１２で曲げ、るつぼ４に入れた物
質１３に衝突させて加熱し、該物質を蒸発させて分子線
７を発生させ、基板８に結晶を成長させるようになって
いる。この電子ビームに用いた装置は、物質１３のみを
加熱できるのでるつぼ４からの不純物の混入がないため
、Ｓｉ等の金属又はセラミック等比較的高融点の物質の
結晶成長に用いられる。
たもので、熱電子放出フィラメント１０から出た電子ビ
ーム１１をマグネット１２で曲げ、るつぼ４に入れた物
質１３に衝突させて加熱し、該物質を蒸発させて分子線
７を発生させ、基板８に結晶を成長させるようになって
いる。この電子ビームに用いた装置は、物質１３のみを
加熱できるのでるつぼ４からの不純物の混入がないため
、Ｓｉ等の金属又はセラミック等比較的高融点の物質の
結晶成長に用いられる。
上記従来の分子線エピタキシャル成長装置において、第
２図（ｂ）に示す電子ビームに用いたものは、その電子
ビーム蒸着源が大きくなりがちで、第２図（ａ）に示す
るつぼによる一般的な分子線源（Ｋセル）との交換が不
可能であった。
２図（ｂ）に示す電子ビームに用いたものは、その電子
ビーム蒸着源が大きくなりがちで、第２図（ａ）に示す
るつぼによる一般的な分子線源（Ｋセル）との交換が不
可能であった。
本発明は電子ビームを利用した高融点金属用の分子線源
ににセルとの互換性を付与することを目的とする。
ににセルとの互換性を付与することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の金属分子線源は、
蒸着物質としての金属を棒状にした棒状電極２２が真空
気密保持用フランジ２０に絶縁物２１を介して取付けら
れ、さらに該棒状電極２２の先端２２ａに対向して熱電
子発生用のフィラメント２３がリング状に設けられ、該
フィラメント２３と棒状電極先端２２ａとの間に絶縁物
のドーナツ状の遮蔽板２４が設けられて成ることを特徴
とする。
蒸着物質としての金属を棒状にした棒状電極２２が真空
気密保持用フランジ２０に絶縁物２１を介して取付けら
れ、さらに該棒状電極２２の先端２２ａに対向して熱電
子発生用のフィラメント２３がリング状に設けられ、該
フィラメント２３と棒状電極先端２２ａとの間に絶縁物
のドーナツ状の遮蔽板２４が設けられて成ることを特徴
とする。
熱電子発生用フィラメント２３から放出された電子は、
フィラメント２３と棒状電極２２０間に高電圧を印加す
ることにより加速され、棒状電極先端２２ａに衝突する
。これにより電極先端２２ａは加熱され抜部から電極金
属が蒸発し、これが分子線となる。
フィラメント２３と棒状電極２２０間に高電圧を印加す
ることにより加速され、棒状電極先端２２ａに衝突する
。これにより電極先端２２ａは加熱され抜部から電極金
属が蒸発し、これが分子線となる。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、（ａ）は断面
図、（ｂ）は要部斜視図である。
図、（ｂ）は要部斜視図である。
同図において、２０は真空気密保持用フランジ、２１は
絶縁物の棒、２２は棒状電極、２３はフィラメント、２
４は遮蔽板、２５は棒状電極用の端子、２６．２６’は
フィラメント用の端子、２７は接続金具である。そして
真空気密保持用フランジ２０は従来のにセルと同一形状
をなし、その中央部に垂直に絶縁棒２１が植設され、そ
の周囲に複数本の端子２５ 、２６ 、２６’が該フラ
ンジを貫通して設けられている。また棒状電極２２は蒸
着用の高融点金属で棒状に形成され接続金具２７により
絶縁棒２１の先端に取付けられ、リード線２８で端子２
５に接続されている。またフィラメント２３は、タング
ステン等のコイル状のフィラメントをリング状にして棒
状電極２２の先端２２ａに対向して配置され、その両端
はリード線２９．２９’を介して端子２６．２６’に接
続されている。また遮蔽板２４は、絶縁板でドーナツ状
に形成され、棒状電極２２の先端から発生した分子線３
０が直接フィラメント２３に当らない様に棒状電極の先
端２２ａとフィラメント２３との中間に配置され、真空
気密保持用フランジ２０に植設された支持棒３１で支持
されている。
絶縁物の棒、２２は棒状電極、２３はフィラメント、２
４は遮蔽板、２５は棒状電極用の端子、２６．２６’は
フィラメント用の端子、２７は接続金具である。そして
真空気密保持用フランジ２０は従来のにセルと同一形状
をなし、その中央部に垂直に絶縁棒２１が植設され、そ
の周囲に複数本の端子２５ 、２６ 、２６’が該フラ
ンジを貫通して設けられている。また棒状電極２２は蒸
着用の高融点金属で棒状に形成され接続金具２７により
絶縁棒２１の先端に取付けられ、リード線２８で端子２
５に接続されている。またフィラメント２３は、タング
ステン等のコイル状のフィラメントをリング状にして棒
状電極２２の先端２２ａに対向して配置され、その両端
はリード線２９．２９’を介して端子２６．２６’に接
続されている。また遮蔽板２４は、絶縁板でドーナツ状
に形成され、棒状電極２２の先端から発生した分子線３
０が直接フィラメント２３に当らない様に棒状電極の先
端２２ａとフィラメント２３との中間に配置され、真空
気密保持用フランジ２０に植設された支持棒３１で支持
されている。
このように構成された本実施例は、真空気密保持用フラ
ンジ２０が従来のにセルと同形状であり、且つその上に
形成される分子線発生部分をほぼ同程度の大きさとする
ことにより従来のにセルとの互換性を持たせることがで
きる。なお分子線３０の発生は本実施例をエピタキシャ
ル成長装置に取付けた後端子２６．２６’にフィラメン
ト用電源を接続し、端子２６又は２６′と端子２５との
間に棒状電極２２が陽極となるようにして電子加速用の
高電圧を印加することによ一す、フィラメント２３から
発生した電子が棒状電極２２の先端２２ａに衝突し、電
極金属を蒸発させ分子線を発生させる。
ンジ２０が従来のにセルと同形状であり、且つその上に
形成される分子線発生部分をほぼ同程度の大きさとする
ことにより従来のにセルとの互換性を持たせることがで
きる。なお分子線３０の発生は本実施例をエピタキシャ
ル成長装置に取付けた後端子２６．２６’にフィラメン
ト用電源を接続し、端子２６又は２６′と端子２５との
間に棒状電極２２が陽極となるようにして電子加速用の
高電圧を印加することによ一す、フィラメント２３から
発生した電子が棒状電極２２の先端２２ａに衝突し、電
極金属を蒸発させ分子線を発生させる。
このとき遮蔽板２４は蒸発した電極金属がフィラメント
２３に付着しない様に作用する。
２３に付着しない様に作用する。
以上説明した様に、本発明によれば、蒸着金属加熱用の
ヒータを必要とせず、また蒸着金属自体を電極としてい
るので蒸着物質を入れるるつぼが不要になるので従来の
にセルと同程度の大きさに小形化することができ、さら
に真空気密保持用フランジを従来のにセルと同形状とす
ることにより従来のにセルとの互換性を持った金属分子
線源を提供することができる。
ヒータを必要とせず、また蒸着金属自体を電極としてい
るので蒸着物質を入れるるつぼが不要になるので従来の
にセルと同程度の大きさに小形化することができ、さら
に真空気密保持用フランジを従来のにセルと同形状とす
ることにより従来のにセルとの互換性を持った金属分子
線源を提供することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来の分子線エピタキシャル成長装置を示す図
である。 図において、 ２０は真空気密保持用フランジ、 ２１は絶縁物、 ２２は棒状電極、 ２３はフィラメント、 ２４は遮蔽板、 ２７は接続金具 を示す。
である。 図において、 ２０は真空気密保持用フランジ、 ２１は絶縁物、 ２２は棒状電極、 ２３はフィラメント、 ２４は遮蔽板、 ２７は接続金具 を示す。
Claims (1)
- １、蒸着物質としての金属を棒状にした棒状電極（２２
）が真空気密保持用フランジ（２０）に絶縁物（２１）
を介して取付けられ、さらに該棒状電極（２２）の先端
（２２ａ）に対向して熱電子発生用のフィラメント（２
３）がリング状に設けられ、該フィラメント（２３）と
棒状電極先端（２２ａ）との間に絶縁物のドーナツ状の
遮蔽板（２４）が設けられて成ることを特徴とする金属
分子線源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17697788A JPH0226891A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 金属分子線源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17697788A JPH0226891A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 金属分子線源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226891A true JPH0226891A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16023018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17697788A Pending JPH0226891A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 金属分子線源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226891A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006109467A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Akg Acoustics Gmbh | ２つの圧力勾配カプセルを有するマイクロフォン |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP17697788A patent/JPH0226891A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006109467A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Akg Acoustics Gmbh | ２つの圧力勾配カプセルを有するマイクロフォン |
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